Варистор

Алюминиевые пасты применяются для изготовления электродов некоторых керамических конденсаторов, варисторов и других элементов. [c.46]

Основные области применения полупроводниковых материалов 1) выпрямительные и усилительные приборы разной МОЩНОСТИ на разные частоты неуправляемые и управляемые — диоды, транзисторы, тиристоры 2) нелинейные резисторы-варисторы 3) терморезисторы 4) фоторезисторы 5) фотоэлементы 6) термоэлектрические генера,- [c.276]

Все несимметричные варисторы состоят из полупроводника и двух электродов. Один из этих электродов непосредственно контактирует с полупроводником. Второй электрод отделен от полупроводника барьерным слоем, который более легко пропускает ток в одном направлении, чем в другом. [c.357]

Симметричные варисторы отличаются о несимметричных тем, что вольт-амперные характеристики одинаковы для обоих направлений. Их применяют в основном в цепях электрической защиты. При этом варистор должен обладать высоким сопротивлением по отношению к рабочему напряжению в цепи. Приложение повышенного напряжения снижает сопротивление варистора, ограничивая, таким образом, амплитуду пикового напряжения. [c.357]

Точных данных о влиянии излучения на варисторы или другие элементы, применяемые в электронных схемах в силу чувствительности их характеристик к напряжению, нет. Однако влияние излучения на меднозакисные и селеновые диоды, а также на карбид кремния уже изучено. Многие исследователи отмечают некоторое возрастание прямого напряжения при постоянном токе через селеновые и меднозакисные диоды после облучения интегральным потоком 3-10 нейтрон см . Это может означать, что прямое сопротивление после нейтронного облучения снижается. [c.357]

В общем следует ожидать, что чувствительность к напряжению вариаторов, содержащих селен или закись меди, может настолько сильно измениться, что они не смогут удовлетворительно работать. Такие изменения могут произойти при интегральных потоках порядка 10 нейтрон 1см . Карбидокремниевые варисторы, вероятно, смогут выдержать более высокие потоки, чем селеновые или меднозакисные, и можно надеяться, что они окажутся работоспособными при интегральных потоках до Ю - ней-трон/см . [c.359]

Большое влияние на вид вольтамперной характеристики и на величину коэффициента нелинейности варисторов из карбида кремния, являющихся сложной системой многих контактирующих между собой кристаллов, оказывает статистический фактор, т. е. усреднение характеристик отдельных контактов, которые в свою очередь не остаются постоянными и изменяются с изменением напряжения. [c.52]

Рис. 1. Общий вид варистор-ных шунтов.

Составные части устройства формируются на базе усилителей постоянного тока с соответствующими обратными связями. Так, в качестве обратной связи для БИК могут быть взяты элементы с квадратичной характеристикой (тириты, варисторы и др.), а также диодный функциональный преобразователь. Последний с успехом может быть применен и при осуществлении функционального преобразователя, на котором должна воспроизводиться зависимость, [c.227]

Полупроводниковые приборы подразделяются на приборы, состоящие из одного полупроводника (варисторы, терморезисторы) приборы, состоящие нз двух полупроводников, находящихся в контакте (полупроводниковые диоды) приборы, состоящие из трех полупроводников, находящихся в контакте (транзисторы), и многоконтактные приборы (переключающие диоды и др.). [c.348]

Рис. 40. Структурная схема устройства автоматического источника тока (а), вольт-амперная характеристика варистора, входящего в преобразователь сигнала рассогласования (б) и принципиальная схема

Практическое применение получили смеси оксидов, на основе которых изготовляют полупроводниковые терморезисторы (термисторы) с отрицательным ТКр, а также варисторы, сопротивление которых сильно зависит от приложенного напряжения. [c.103]

В реальных материалах [, е и (х являются функциями частоты, выяснение вида которых удается произвести только на основе изучения строения вещества и структуры отдельных материалов. Для очень большого числа веществ ]f, е и х не зависят от напряженностей электрического и магнитного полей, и такие материалы называют линейными, однако у ферромагнетиков (х = 1 (Я), у сегнетоэлектриков = 2( ), у материалов для варисторов — Рз Е). [c.22]

Управляемость свойств полупроводников положена в основу принципа действия термосопротивлений (термисторов), фотосопротивлений, нелинейных сопротивлений (варисторов) и т. д. [c.282]

На рис. 166 показана вольт-амперная характеристика варистора, снятая при помощи осциллографа на переменном напряжении. [c.295]

Вольт-амперная характеристика варисторов подчиняется следующему выражению [c.295]

Нис. 166. Волы-амперная характеристика НПС варистора). [c.295]

Такую вольт-амперную характеристику можно получить, если представить себе, что электропроводность сопротивления определяется многими параллельными цепочками контактирующих зерен, причем электрическая прочность контактов в различных цепочках имеет значительный разброс. Сказанное иллюстрируется рис. 167. На этом рисунке изображена приближенная эквивалентная схема варистора и вольт-амперные характеристики отдельных контактов, имеющих различные напряжения перегиба . По мере увеличения приложенного напряжения включается все больше и больше параллельных цепей тока, и проводимость диска быстро возрастает. [c.295]

Рис. 167. Эквивалентная схема варистора с цепочками из зерен, имеющими различные значения напряжения перегиба .

Варистор — полупроводниковый резистор с нелинейной симиетрич-ной вольтамперной характеристикой имеет два вывода (9). [c.140]

Карбидами называют соединения углерода с другими элементами. Широкое применение имеет карбид кремния Si —карборунд—ио-ликристаллический полупроводник. Карборунд получают в электрических печах при температуре 2000° С из смеси двуокиси кремния SiOa и угля. Кристаллы карборунда гексагональной структуры в чистом виде бесцветны, но благодаря примесям технический материал имеет светло-серую или зеленоватую окраску. При нормальных условиях энергия запрещенной зоны = 2,86 эв. Характер электропроводности определяется составом примесей или отклонением от стехио-метрического состава Si . Электронная проводимость получается при избытке Si, а также при наличии примесей из V группы — фосфора, мышьяка, сурьмы, висмута или азота. Дырочная проводимость достигается при избытке С и наличии примесей элементов II группы (Са, Mg) и III группы (А1, In, Ga, В). При введении примесей изменяется также окраска карборунда. Подвижность носителей низкая гг = = 100 см 1в-сек. Up = 20 см /в-сек. Порошкообразный карборунд применяют для изготовления нагревателей электрических печей с температурой до 1500° С. Кроме того, из него изготовляют нелинейные объемные резисторы — варисторы, в которых значение R падает с ростом приложенного напряжения (рис. 14.2). Нелинейность таких резисторов резко вырастает при одновременном введении небольших примесей алюминия (IM группа) и азота (V группа), вблизи точки перехода [c.188]

В терморезисторах с различными по величине и знаку температурными коэффициентами сопротивления используются циклические по-линитрйлы и другие полупроводники многие типы терморезисторов могут применяться при температурах до 600° С. Варисторы из фталоциани-на меди отличаются высокой температурной стабильностью. [c.213]

Управляемость электропроводностью полупроводников посредством температуры, света, электрического поля, механических усилий положена в основу принципа действия соогвепственно лермо-резисторов (термисторов), фоторезисторов, нелинейных резисторов (варисторов), тензорезисторов и т. д. [c.229]

Рис. 8-23. Пояснение прин- ц) ципа действия варистора из карбида кремния а — раа-рез варистора б — вквива-лентная схема варистора в — вольт амперная характеристика, соответствующая эквивалентной схеме г — реальная вольт-амперная характеристика на переменном токе

Электропроводность варистора определятся многими параллельными цепочками контактирующих зерен, причем пробивное напряжение контактов в различных цепочках (рис. 8-23,6) имеет большой разброс. Так, до значения приложенного напряжения Ui (рис. 8-23, е) ток идет только через сопротивление R, после чего при напряжениях Ui, t/,, Уз и последующих включаются друг за другом остальные параллельные цепочки зерен, и вольт-амперная характеристика представляет собой ломаную линию. В реальном варисторе таких цепочек может быть очень много, поэтому реальная вольт-амперная характеристика (рис. 8-23, г) представляет собой плавную кривую. Варисторы, изготовленные из несвязанных зерен карбида кремния, являются нестабильными, боятся тряски, ударов и легко изменяют свои характеристики. Поэтому зерна Si надо скреплять связующим веществом. В качестве связующих веществ используются глина, ультрафарфоровая масса, жидкое стекло, легкоплавкие стекла, кремнийорганические лаки и т. д. Материал с глинистой связкой называют /пиритом, со связкой из жидкого стекла—вилитом. [c.259]

Карбид кремния в электротехнике применяется для изготовления резисторов вентильных разрядников, защищающих линии передачи высокого напряжения и аппаратуру для производства различных низковольтных варисторов, используемых в автоматике, вычислительной технике, электроприборостроении, в технике получения высоких температур и т. д. В качестве примера рассмотрим использование карбида кремния в вентильных разрядниках высоковольтных линий передач и в силитовых стержнях. [c.259]

Варисторы, или элементы, чувствительные к величине напряжения, часто используют как выпрямители, грозоразрядники, а также во всех случаях, когда требуется изменение сопротивления в зависимости от напряжения. Эти элементы основаны на полупроводниках, электрическое сопротивление которых нелинейно изменяется в зависимости от напряжения постоянного тока. Изменения свойств варисторов могут быть несимметричными (селеновые или меднозакисные выпрямители) или симметричными (диски или стержни из карбида кремния). [c.357]

Данных об облучении карбидокремниевых варисторов нет. Однако были проведены многочисленные исследования с целью определить влияние излучения на кристаллы и пленки из карбида кремния различной формы и конфигурации. Обычно карбид кремния рассматривают как полупроводник с вентильными свойствами и как таковой относят к элементам, обладающим несимметричными характеристиками. Однако элементы в виде дисков и стержней, получаемые при смешивании карбидов кремния и кальция со связующими материалами, становятся симметричными по отношению к прямым и обратным характеристикам. В работе [80] проведено детальное исследование влияния быстрых нейтронов на электрические характеристики карбида кремния. Изучено поведение в нейтронном потоке кремниевых и карбидокремниевых диодов. Результаты показали, что в условиях облучения карбид кремния более перспективен. Под действием интегрального потока 5-10 нейтрон1см прямое напряжение [c.358]

В настоящее время широко применяются нелинейные полупроводниковые резисторы (варисторы) из карбида кремния для защиты элементов маломощной и низковольтной аппаратуры от случайных коммутационных перенапряжений, для искрогащения и предохранения от быстрого износа разрывных контактов. Резисторы для этих целей называют нелинейными (варисторными) шунтами. [c.52]

Основные физические свойства Si приведены в табл. 14.1. Карбид кремния применяют для серийного выпуска варисторов (нелинейных сопротивлений), светодиодов, а также при изготовлении высокотемпературных транзиеторов, выпрямительных и туннельных диодов. [c.104]

Если в обычных диэлектриках наличие активной составляющей тока нежелательно, то в некоторых активных диэлектриках используется именно переход ( переключение ) из непроводящего состояния в проводящее и обратно (позисто-ры, варисторы, полупроводниковые стекла). В сегнетоэлектриках-полупроводниках удельное сопротивление р зависит от поляризованности Р, а в пьезополупроводниках — от деформации х, что может служить основой для создания новых приборов радиоэлектроники (запоминающие устройства, акустические усилители). [c.208]

Управляемость электропроводностью полупроводников температурой, светом, электрическим полем, механическими усилиями положена соответственно в основу принципа действия терморези-сторов (термисторов), фоторезисторов, нелинейных резисторов (варисторов), тензорезисторов и т. д. [c.321]

Справочник металлиста. Т.1 (1976) -- [ c.140 ]

Электротехнические материалы (1985) -- [ c.229 , c.259 , c.260 ]

Справочник металлиста Том5 Изд3 (1978) -- [ c.140 ]

Материалы в радиоэлектронике (1961) -- [ c.282 , c.293 , c.296 ]

Электротехнические материалы Издание 5 (1969) -- [ c.354 , c.357 ]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...