Стекла халькогенидные

V группы таблицы Менделеева. По своим свойствам эта группа аморфных полупроводников занимает промежуточное положение между халькогенидными стеклами и аморфными полупроводниками с тетраэдрическими связями. [c.360]

Механизм переключения, так же как и многие, другие свойства аморфных полупроводников, понят в последние годы. Он связан с особенностями электронной структуры халькогенидных стекол. Установлено, что проводящее состояние достигается только тогда,, когда все присутствующие в стекле положительно и отрицательно заряженные ловушки заполняются носителями заряда, возбужденными приложенным электрическим нолем. При этом время жизни инжектированных носителей резко возрастает. Если до заполнения ловушек оно было много меньше времени, за которое носители успевают пересечь всю толщину пленки, то после заполнения ловушек оно становится больше этого времени. Это приводит к увеличению тока и уменьшению напряжения, т. е. наступает проводящее состояние. [c.371]

Переключение с запоминанием наблюдается в стеклах, которые могут сравнительно легко кристаллизоваться. Когда напряжение достигает порогового значения, в этих материалах образуются тонкие нити кристаллического вещества, которые и делают возможным запоминание. При пропускании подходящего импульса тока кристаллическая нить расплавляется и восстанавливается однородное стеклообразное состояние. Таким образом, переключение с запоминанием есть следствие перехода между аморфным и кристаллическим состояниями, который в ряде халькогенидных стекол является обратимым. [c.371]

Следует учитывать, однако, что некоторые современные виды керамики, разработанные с целью получения особых электрических или оптических свойств (например, новые халькогенидные стекла, обладающие очень хорошим пропусканием в ИК области спектра), могут в определенной степени разрушаться под действием морской воды, поэтому в подобных случаях требуется проведение специальных исследований. [c.472]

Халькогенидное стекло хгс То же Органические ди 1.0—2.0 электрики 10 0.5 —0.8 5 18-21 [c.456]

Халькогенидные стекла благодаря прозрачности в инфракрасной области спектра и высоким значениям сопротивления и фоточувствительности применяются для изготовления электрофотографических пластин передающих телевизионных трубок и записи голограмм. [c.380]

Пленки большинства халькогенидных стеклообразных полупроводников имеют хорошую адгезию к оксидному стеклу и слюде. [c.139]

Присутствие в стеклах большого количества закиси железа резко повышает их поглощающую способность в инфракрасной области спектра. Малое поглощение инфракрасных лучей свойственно кварцевым и халькогенидным стеклам. Избирательное поглощение в видимой части спектра особенно сильно проявляется у цветных стекол, содержащих в своем составе окрашивающие их окислы или компоненты. Такие стекла в результате неодинакового поглощения ими видимых лучей с разными длинами волн обладают различным спектральным пропусканием и в проходящем белом свете оказываются окрашенными в разные цвета (табл. II. 5). [c.179]

Халькогенидные стекла представляют собой бескислородные стеклообразные сплавы сульфидов, селенидов и теллу-ридов (т. е. халькогенидов), мышьяка, сурьмы, фосфора, висмута и таллия. Эти стекла могут быть получены путем самого различного сочетания указанных компонентов, т. е. это весьма обширная группа стекол, обладающих разнообразными физико-химическими, физическими, электрическими и оптическими свойствами. По своей природе эти стекла представляют собой систему непрерывного ряда твердых растворов, замещения, они имеют цепочечное строение, ближний порядок в расположении атомов и часто характеризуются наличием у них одновременно нескольких различных структур. [c.206]

Халькогенидные стекла получают при медленном нагреве до 900° С в сосудах, находящихся под вакуумом. Эти стекла легкоплавкие, они начинают размягчаться сравнительно при невысоких температурах (140—220° С). [c.206]

В качестве конденсаторных диэлектриков перспективны также такие материалы, как халькогенидные и оксидные стекла, фтористый кальций и фтористый церий. [c.162]

Из перечисленных материалов оксидные и халькогенидные стекла, окись кремния, фтористые кальций и церий осаждаются испарением из тигля. [c.162]

Ом-м. Электропроводность стекол осуществляется главным образом ионами щелочных N3+, К+), в некоторых случаях — щелочно-земельных (М +) металлов. При наличии в стекле ионов переменной валентности (РЬ, V, Ре) может иметь место и электронная электропроводность в этом случае стекла могут быть полупроводниками. Полупроводниковыми являются и халькогенидные стекла. Увеличение в составе стекла концентрации щелочных окислов приводит к уменьшению р, причем действие ионов малого радиуса более сильно, чем ионов большего радиуса. [c.276]

Халькогенидные стекла получают в тиглях из графита, стекло-графита или ампулах из тугоплавких оксидов (например, кварца). Высокое давление паров над халькогенидными расплавами и их склонность к взаимодействию с кислородом при повышенных температурах делают необходимым проводить работу в герметичных устройствах и в бескислородной атмосфере. Охлаждение расплавов. [c.387]

Халькогенидные стекла. Теплопроводность в твердом и жидком состоянии в интервале 300 - 800 К. [c.71]

Халькогенидные стекла, в том 1 — 18 60 при Около 0,01 78 при 4—6 4—6 Совпадают [c.55]

Халькогенидные бескислородные стекла получаются сплавлением серы, селена или теллура с элементами III, IV и V групп периодической системы. Варка этих стекол производится в кварцевых колбах под вакуумом. Температура размягчения лежит в пределах 200 -ь -J- 450° С. По сравнению с кислородсодержащими стеклами халькогенидные имеют более низкую механическую прочность. Значительное развитие получили халькогенидные стекла, содержащие германий, мышьяк и другие элементы IV—V групп. Стекла имеют температуру размягчения 200 300° С, за исключением германиевых, где эта температура выше — до 550° С. Значение ТК1 = (1,2 -т- 2,4) -10 Ijzpad. Стекла прозрачны в инфракрасной области спектра при длинах волн [c.193]

Халькогенидные стекла — некристаллические вещества, содержащие атомы халькогенов (серы, селена, теллура), получающиеся в результате охлаждения расплава. Они в основном нечувствительны к примесям, обладают симметричными вольт-ампер-ными характеристиками, претерпевают различные структурные изменения. [c.360]

В период с 1958 по 1968 г. С. Овшинский открыл и исследовал необычные свойства переключения у халькогенидных стекол. Переключением называют способность вещества обратимо переходить из одного состояния в другое под влиянием какого-либо внешнего воздействия. Два рода переключения, существующие в халькогенидных стеклах, иллюстрирует рис. 11.15, где приведены вольт-амперные характеристики этих полупроводников. Рис. И.15,а соответствует так называемому пороговому переключению. Приложение к стеклу напряжения выше порогового (Уп) приводит к скачку вольт-амперной характеристики с ветви 1 на ветвь 2, что соответствует увеличению проводимости полупроводника примерно в миллион раз (состояние включено ). Если напряжение, приложенное к такому переключателю, находящемуся в проводящем состоянии, уменьшается до точки возврата, то стекло вновь переключается в состояние с малой проводимостью (ветвь /). Это соответствует состоянию выключено . [c.370]

Электропроводящее стекло (полупроводниковое)—стекло, обладающее свойствами полупроводников благодаря включению в состав элементов или окислов, придающих стеклу электропроводность. Различают халькогенидные стекла, в состав которых входят в различных сочетаниях сплавы сульфидов, селснпдов и теллуридов, а также мыгпьяка, висмута и другие элементы, и оксидные ванадиевые стекла на основе окислов ванадия и фосфора с добавками других окислов. Они находят широкое ирименение в качестве термисторов, светофильтров и фотосопротивлений. [c.407]

Высокие значения удельного электросопротивления, большая электрическая прочность (16...50 кВ/мм), низкие значения диэлектрических потерь (tg 5 — 0,0018...0,0175) и сравнительно высокая диэлектрическая проницаемость (s — 3,5... 16), которая повьпиается при увеличении концентрации РЬО или БаО. При HaipeBe в интервале температур 200...400°С Электротехническое Как диэлектрик используют для колб осветительных ламп и радиоламп, в электровакуумных устройствах, для изоляторов, для герметизации интегральных схем. Так, в виде тонкой (до 3...4 мкм) пленки стекло используют в качестве прочной, не-трескающейся и теплостойкой изоляции на металлических проводах и термопарах. Халькогенидное стекло используется для [c.351]

Силикатные стекла пропускают в основном видимый свет с длинами волн 400 - 740 нм ультрафиолетовое излучение с длинами волн 180 - 400 нм пропускают кварцевые и фторбериллатные стекла. Непрозрачные для видимого света халькогенидные стекла проницаемы для инфракрасного излучения с длинами волн 740 - 5000 нм. [c.323]

Халцедон 1—13 Халькогенидные стекла 3—257 Ханемана прибор 2—207 [c.525]

Халькогенидные стекла являются реверсивными носителями. Запись на ХСП можно стереть, выдержав обра-142 [c.142]

Электропроводность. При низких температурах р технических стекол находится в пределах 10 —10 Ом-м, но у некоторых стекол 10 Ом-м. Электропроводность стекол осуща-ствляется главным образом ионами щелочных (Li+, Na+, К+), а в некоторых случаях щелочно-земельных (Mg++) металлов, а также анионов (F , ОН-), При наличии в стекле ионов переменной валентности (РЬ, V, Fe) может иметь место и электронная проводимость в этом случае стекла могут быть полупроводниками. Полупроводниковыми являются и халькогенидные стекла. Увеличение в составе стекла концентрации оксидов щелс -ных металлов приводит к уменьшению о, причем действие ионов малого радиуса более сильно, чем ионов большего радиуса. [c.191]

Если с теоретической точки зрения проще вс го такие стеклообразные объекты, как полупроводящие халькогенидные стекла, то практически наибольший интерес представляют оксидные стекла и особенно силикаты благодаря их стабильности, прозрачности и пластичности. Ползучесть — это явление, которое но ит совершенно общий характер, и ее можно наблюдать макроскопически в, оконных стеклах, сохранявшихся в течение сотен лет. Мне кажется, что иол , зучесть можно было бы объяснить деформацией и дадсляцией доменов. [c.177]

Способность кристаллизоваться у халькогенидных стекол значительно выше, чем у оксидных, однако она меняется в зависимости от их состава. Наименее склонны к кристаллизации АззЗз и АэзЗвз- По своим электрическим свойствам халькогенидные стекла относятся к типичным электронным полупроводникам с дырочным механизмом проводимости. Их электропроводность в зависимости от состава может меняться в широких пределах — от 10 до 10 ом слГ . [c.207]

Пропускание в инфракрасной области спектра большинства силикатных стекол также мало, а у прозрачных стекол (кварцевого, высокосвинцовых, кальций-алюминатных) не выходит за пределы 4—5 мкм. Для пропускания длинноволновой области спектра (15—20 мкм) применяются халькогенидные стекла. [c.275]

Большую роль в технике играют и аморфные полупроводники, как простые, так и сложные. Это прежде всего аморфный кремний, а также халькогенидные и оксидные стекла различного состава. Преимущества аморфных полупроводников основаны в первую очередь на отсутствии дефектов кристаллического строения и невоз-мйжности их влияния на электрофизические свойства. [c.647]

Производятся также галогенидные стекла, главным образом на основе Вер2 (фторбериллатные стекла), и халькогенидные - на основе элементов VIb подгруппы. [c.680]

Электросопротивление р технических стекол при невысоких температурах находится в пределах 10 -г-10 Ом-м, но у некоторых стекол р -10 Ом-м. Электропроводность стекол осущес гвляется главным образом ионами щелочных (Ь1 , Ка , К ), в некоторых случаях щелочноземельных металлов, а также анионами (Р", ОН ).,При наличии в стекле ионов переменной валентности (V, РЬ, Ре) может иметь место и электронная проводимость, тогда стекла становятся полупроводниками. Полупроводниковыми являются халькогенидные стекла. Увеличение в составе стекла концентрации оксидов щелочных металлов приводит к уменьшению р, причем действие ионов малого радиуса более сильно, чем ионов большого радиуса. Влияние отдельных оксидов на электропроводность стекол показано в табл. 16.1. [c.682]

Способ гоинить отличается высокой технологи(ческой гибкостью и мобильностью, в частности, он применим для формирования жилы (при необходимости и/или оптической оболочки) с заданной обобщенной степенью когерентности микроструктуры ВС, в том числе как из элементарных одноатомных стекол, так и из сложных композиций смешанных стекол, т. е. из всех типов современных неорганических стекол элементарных одноатомных оксидных галогенид-ных халькогенидных и смешанных [5, с. 40 58]. В общем случае, чем меньше разнородных химических элементов используется для формирования ВС, например его жилы, тем с более высокой степенью возможна глубокая очистка исходной шихты [12, 36]. Возможность формирования ВС с жилой из элементарного одноатомного стекла — еще одно достоинство способа гоинити [83]. [c.78]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...