Статические смещения атомов

Составляющие статических смещений атомов [/, , вызванных дефектом, должны быть определены из этой системы практически бесконечного числа уравнений. Для упрощения задачи можно воспользоваться тем, что в ме-, Таллах силы взаимодействия атомов достаточно быстро убывают при увеличении расстояния между ними. При этом можно прибли кенно принять, что не равны нулю только некоторые из постоянных а,з,л, и ви, характеризующие взаимодействия лишь на близких расстояниях. [c.75]

При 1 % С в стали величина статических смещений атомов [c.270]

Точечный дефект вызывает упругую деформацию 8 г . Таким образом, на границе зерна (блока) деформация и напряжение от малого дефекта имеют конечную величину, пропорциональную R - размер зерна или блока). В то же время величина статических смещений атомов из узлов решетки, обусловленных точечным дефектом, быстро убывает с ростом г. Вызванные им статические искажения значительны лишь на расстояниях, соизмеримых с межатомными. Статические искажения решетки (напряжения III рода) в непосредственной близости от дефекта уже нельзя определить в рамках механики сплошных сред. Напряжения III рода можно характеризовать средне-квадратическим статическим смещением атомов из узлов решетки. [c.148]

Как мы видели для случая статических смещений атомов из своих средних положений в решетке, корреляция между смещениями атомов будет модулировать диффузное фоновое рассеяние. Если соседние атомы стремятся двигаться в одном и том же направлении синхронно, как при акустических колебаниях решетки, то диффузное рассеяние будет давать максимумы в узлах обратной решетки. [c.162]

Статические смещения атомов [c.262]

В случае статических смещений атомов, связанных с дефектами или примесями, подходит тот же вывод, что и в случае тепловых колебаний. Обычно, чтобы сделать вклад от статических смещений пренебрежимо малым, можно предположить, что плотность дефек- [c.283]

Наличие растворенных в а-железе атомов углерода не только приводит к нарушению правильной периодичности в расположении атомов в решетке, т. е. к статическим смещениям атомов в решетке мартенсита, но и вызывает также ослабление сил междуатомной связи, причем тем большее, чем выше содержание углерода. Это следует из того, что при одной и той же температуре среднеквадратичные отклонения при тепловых колебаниях атомов в решетке мартенсита больше, чем в решетке а-железа [50]. В соответствии с этим модуль Юнга закаленной стали понижается с повышением содержания углерода [51]. [c.674]

В таблице приведены значения е - - и lge для х от 0,00 до 7,70 [2]. Значения функции е применяются при вычислении температурного множителя интенсивности, статических смещений атомов и при решении некоторых других задач рентгеноструктурного анализа. [c.390]

Интенсивность диффузного рассеяния для случая статических смещений атомов в гранецентрированной кубической решетке сплава имеет вид [180] [c.795]

VI—л-— г/s, —среднее статическое смещение атомов из равновесного положения в решетке, /У (х) — модулирующая функция, равная 1 0,1. [c.795]

Современные методы моделирования основываются на том, что составленная тем или иным способом аморфная глобула с СПУ-структурой подвергается процедуре статической релаксации, при которой с помощью подходящего парного потенциала последовательно вычисляются коллективные локальные смещения атомов по принципу энергетической минимизации (модель мягких сфер). Релаксационные модели обеспечивают повышенное значение коэффициента упаковки атомов и прекрасное соответствие характера синтезированной функции парного распределения экспериментально определенной. Следует особо отметить, что процедура статической релаксации существенно меняет локальную структуру [c.14]

Искажения и напряжения 3-го рода благодаря присутствию углерода в пересыщенном твердом растворе значительные статические искажения, т. е. устойчивые смещения атомов из их идеальных положений в решетке динамические искажения, т. е. увеличения амплитуды колебаний атомов, ослабляющие их силы связи. Однако влияние статических искажений преобладает, и оно, существенно увеличивая степень одновременности разрыва атомных связей, сильно повышает твердость мартенсита. [c.206]

Из табл. 6.3 видно, что статические и динамические смещения атомов в некоторых сплавах сравнимы по величине. [c.123]

Статические и динамические смещения атомов в сплавах [c.124]

Интенсивность интерференционных линий зависит от ряда факторов и характеризует степень искажения кристаллической решетки. Рассматривают динамические и статические искажения кристаллической решетки металла. Динамические искажения вычисляют исходя из величины теплового множителя интенсивности. Кроме смещений атомов из равновесного положения, вызванных тепловым движением, существуют смещения, вызванные другими причинами (пластической деформацией, образованием твердых растворов и т. д.). Эти смещения (статические искажения) [c.75]

Скольжение, представляющее собой параллельное смещение тонких слоев монокристалла относительно смежных, проявляется уже при статическом нагружении. Двойникование представляет собой смещение атомов, расположенных в плоскостях, параллельных "плоскости двойникования", на расстояния, пропорциональные расстоянию этих плоскостей от плоскости двойникования, когда ребра кристаллической решетки, первоначально наклоненные к плоскости двойникования под углом а < л/2, поворачиваются на угол п - 2а. Двойникование сопутствует скольжению, его плоскости совпадают с плоскостями скольжения и в наибольшей мере проявляется при деформировании ударом. Понимая под ударом изменение импульсной [c.11]

Механизм упругопластической деформации ПС в процессе ПГЩ можно рассмотреть на примере упрочнения деталей шаром (дробью). При статическом или динамическом нагружении твердого шара силой Р вначале происходит упругая деформация металла (рис 5.1, ОА), касательные напряжения вызывают смещение атомов в кристаллической решетке на величину, меньшую расстояния между атомами. Когда касательные напряжения превысят некоторое критическое значение, произойдет смещение атомов без разрушения на величину, превышающую расстояние между атомами. Они займут новое положение устойчивого равновесия, т.е. произойдет упругопластическая деформация (линия АБ рис 5.1). После снятия нагрузки (линия БВ) атомы не вернутся в исходное положение, и в металле останется отпечаток шара диаметром с1. Зависимость между диаметром отпечатка с1 и нагрузкой Р может быть представлена формулой Майера [c.207]

Структурная модель, базирующаяся на представлениях о неравновесных границах зерен и предложенная в работах [12, 207], может быть использована для объяснения и других свойств наноструктурных материалов, по крайней мере, в качественном аспекте. Увеличение объема материала, вызванное дефектами, должно приводить к уменьшению температуры Дебая и упругих модулей. Поскольку обменная энергия в магнитных материалах очень чувствительна к межатомным расстояниям, это может вызвать уменьще-ние температуры Кюри. Как уже указывалось ранее [83], случайные статические смещения атомов могут влиять на свойства аналогично увеличению температуры. Например, это может вызвать уменьщение энергии активации диффузии, экспериментально наблюдаемое во многих наноструктурных металлах [61, 218], что также может быть объяснено в рамках данных представлений. [c.112]

Сравнительно недавно было распространено-мнение об очень больших искажениях решетки в виде так называемых статических смещений атомов, микроискажёний или напряжений III [c.133]

Кристаллогеометрические -характеристики каждого металла определяются состоянием электронов в кристалле, в частности их концентрацией, локальной электронной конфигурацией, наличием ковалентной составляюш ей сил связи. Это обстоятельство обусловливает возникновение статических смещений атомов из узлов решетки даже в чистых металлах [3, 193]. Изменение концентрации электронов при легировании доля по приводить к колебанию устойчивости исходной решетки и ее постепенной подготовке к переходу структуры компонента от Л к 5. В результате статические смещения атомов из узлов решетки возрастают, возникает ближний порядок смещений. Эффекты нарастают по мере увеличения концентрации легирующего элемента и вблизи структурного фазового перехода приводят к потере устойчивости решетки в определенных кристаллографических направлениях. Именно поэтому энергия дефекта упаковки при легировании, как правило, снижается, отражая снижение сдвиговой устойчивости решетки в сплаве. Равенство энергии дефекта упаковки нулю, при котором в кристалле наблюдаются широкие дефекты упаковки и переход к двойникова-ВИЮ при пластической деформации, свидетельствует о потере устойчивости решетки в направлении вектора Бюргерса частичной дисло- [c.6]

Однако в нем можно создать состояния, подобные таковым в дкости, если специальным воздействием вызвать в кристалле ьные статические смещения атомов из узлов решетки. При опре-енном уровне таких смещений кристалл переходит в двухфазное тояние в нем возникают области с высокой концентрацией дефек-структуры, чередующиеся с областями малоискажеиной кристал-[еской фазы и находящиеся с ними в динамическом равновесии, (ое двухфазное равповесиё термодинамически выгоднее, чем од-)одно искаженный кристалл. Дефектная фаза характеризуется [инейными эффектами и низкой энергией образования дефектов, ше состояния в кристаллах являются атом-вакансионными и [c.7]

Вакансии и статические смещения атомов в образующихся фа-ах существенно влияют друг на друга и на состояния в кристалле. 1редставим энергию взаимодействия вакансий Нь с решеткой в ви- e разложения по смещениям [c.9]

Поскольку при повышеиии температуры концентрация вакан-ий в кристалле увеличивается экспоненциально, эффект возраста-ия статических смещений атомов из узлов решетки непрерывно астет. Таким образом, минимуму термодинамического потенциала истемы соответствует функция распределения, отличающаяся от аковой для идеального кристалла. [c.9]

При статическом смещении атомов не будет существенного отличия от динамического случая тепловых колебаний, за исключением того, что из-за отсутствия временной зависимости будет иметь местО лишь упругое рассеяние, и различие между возможностями дифракции реитгеиовских лучей и нейтронов практически устраняется. Обобщенная функция Паттерсона рассматривается только как функция трех простраиствеииых координат. Как увидим далее, будет иметь место диффузное рассеяние, доюльно близкое к тепловому, а фактор, применимый к резким брэгговским отражениям, будет подобен фактору Дебая — Валлера. [c.262]

Статические смещения атомов железа в решетке мартенсита, т. е. отсутствие строгой периодичности расположения атомов на коротких расстояниях (при переходе от ячейки к соседней ячейке), обусловленные наличием внедренных в решетку железа атомов углерода, — не единственный вид нарушений идеальной кристаллической решетки мартенсита. Для кристаллов мартенсита характерно то, что области когерентного рассеяния рентгеновых лучей (блоки), т. е. области коисталла, в которых положе- [c.674]

Нк вание субмикронапряжения или напряжения третьего рода применяют весьма условно, т.к. имеются в виду не напряжения, а статические смещения атомов из узлов решетки, вызванные точечными дефектами. В этом случае для определения деформации кристаллической решетки гипотезы механики сплошных сред не применимы, а понятие напряжений как силы, приходящейся на единицу площади, теряет физический смысл. Поэтому физическую суть процесса более достоверно отражает термин статические искажения решетки , а не напряжения третьего рода . H.H. Давиденков считал, что ... в пределах одной кристаллической решетки говорить о напряжениях вообще нельзя [14]. [c.53]

Экспериментальное открытие электрона, радиоактивности, термоэлектронной эмиссии (испускание нагретыми металлами электронов), фотоэффекта (вырывание электронов из металлов под действием света) и других явлений — все это указывало на то, что атом вещества является сложной системой, построенной из более мелких частиц. Перед физикой встала проблема строения атома. Как устроен атом Первая (статическая) модель атома была предложена в 1903 г. Дж. Дж. Томсоном, согласно которой положительный заряд и масса распределены равномерно по всему атому, имеющему форму сферы радиуса 10 м. Отрицательные электроны расположены внутри этой сферы, образуя некоторые конфигурации, и взаимодействуют с отдельными ее элементами по закону Кулона. Электроны в атоме пребывают в некоторых равновесных состояниях. Если электрон получает малое смещение, то возникает квазиупругая сила — и электрон начинает совершать колебания около рав1Ювесного положения и излучать световые волны. Хотя модель Томсона объясняла некоторые явления, все же вскоре выяснилась ее несостоятельность. [c.10]

Итак, первым приближением при рассмотрении колебаний атомов в кристалле является гармоническое Ьриближение. В этом приближении полагается, что средние равновесные расстояния между соседними атомами отвечают минимуму кривой U R), причем они соответствуют статической модели кристалла. Атомы колеблются относительно средних положений своих центров тяжести, причем амплитуды колебаний достаточно малы, что позволяет ограничиться учетом квадратичных смещений атомов. Сразу же отметим, что хотя гармоническая модель согласуется со многими экспериментальными данными, некоторые свойства кристаллов, например тепловое расширение, могут быть объяснены лишь при учете эффекта кубичного члена. Такое приближение называют ангармоническим. Оно будет рассмотрено несколько подробнее в конце данной главы. [c.209]

Важную информацию о среднеквадратичных смещениях атомов малых частиц дает эффект Мёссбауэра, который не зависит от статических деформаций решетки. Вместе с тем этому методу присущи серьезные ограничения, не учитываемые в ранних измерениях фак- [c.198]

Изменение величин с ростом возбуждения системы означает перестройку потенциального рельефа 17(г), при которой минимумы потенциала 17 ° (г) невозбужденной системы смещаются в точки а также могут исчезать или появляться дополнительные экстремумы. Соответственно, усредненные положения атомов претерпевают статические смещения которые в пренебрежении энгармонизмом сводятся к разности Координатная зависимость и (К ), которая хэрактери- [c.116]

При малом отклонении от равновесия атомы в основном совершают колебательное движение в неизменном потенциальном рельефе, и статические смещения практически не проявляются. Такой процесс характеризуется микроскопически малым временем Дебая = а/с 10" с, где о — межатомное расстояние, с = ZfVP скорость поперечного звука, fi — модуль сдвига, р — плотность среды. При этом сдвиговая вязкость r > pea настолько велика, что практически не сказываются микроскопические флуктуации потенциального рельефа, который можно считать неизменным. Кроме колебаний атомы совершают флуктуационные перескоки через барьеры, которые отвечают процессу диффузии, характеризуемому временем ехр 17 /Т , где — высота барьера, Г — температура. Характерное время t квазиравновесного процесса удовлетворяет условию t/r (i/t ) ехр -I7 /T > 1, обеспечивающему диффузионный массоперенос. [c.118]

Наблюдая за изменением интенсивности интерференционных линий, можно получить ценные данные о состоянии атомнокристаллической решетки. Следует иметь в виду, однако, что распределение искажений в решетке подчиняется сложному закону поэтому определяемые экспериментально статические и динамические искажения, являясь средними величинами, характеризуют степень искажения решетки в целом и не выявляют действительных отклонений и числа смещенных атомов. Представляет большой интерес определение по изменению интенсивности характеристической температуры, зависящей от сил связи между атомами кристалла. [c.76]

Н. Н. Давнденков). Напряжения первого рода, уравновешивающиеся в объеме всего тела, называемые иначе макронапряжениями, возникают главным образом как результат технологических процессов, которым подвергают деталь в процессе ее изготовления. Напряжения второго рода, уравновешивающиеся в объеме зерна (кристаллита), или несколько блоков, называемые иначе микронапряжениями, чаще возникают в процессе фазовых превращений и деформаций металла, когда разные кристаллиты и блоки внутри них оказываются в различном упругонапряженном состоянии. Напряжения третьего рода, локализующиеся в объемах кристаллической ячейки (субмикроскопи-ческие) представляют собой статические искажения решетки, т. е. смещения атомов на доли ангстрема из узлов кристаллической решетки. [c.43]

При иагружеини образца увеличенной переменной нагрузкой, вызывающей появление в некоторых зонах объема образца пластической деформации в результате скольжений, внутреннее трение в материале значительно увеличивается (рис. 167). В связи с этим необходимо учитывать, что в случае переменных нагрузок пластическая деформация в результате скольжений развивается при смещениях атомов, отличающихся по масштабу и распределению от соотЕетствующих смещений атомов в случае статической нагрузки. При переменной нагрузке сопротивление материала пластической деформации уменьгнается, и деформации в пределах [c.224]

Мартенсит отличается наличием больших статических искажений кристаллической решетки, вызванными внедрением атомов углерода. Согласно рентгеновским исследованиям, наибольщее смещение атомов железа от положений равновесия наблюдается в направлении тетрагональной оси, причем оно тем значительнее, чем выше содержание углерода в растворе. При 1,3% С среднеквадратическое смещение составляет [c.1126]

При необходимости более точного измерения проводят разделение влияния статической и динамической составляющих смещений атомов. При этом измеряют отношения интенсивностей одних и тех же линий на рент-г енограммах образцов с неискаженной решеткой, где смещения атомов обусловлены только динамическими (тепловыми) искажениями, и образцов с кристаллической решеткой, искаженной вследствие образования твердого раствора, пластической деформации и т. д., где смещения атомов связаны как с динамическими, так и с устойчивыми статическими искажениями решетки. [c.769]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...