Искажения решетки динамические

Ионизация рентгеновскими лучами 40—41 Искажения решетки динамические 766 — 768 [c.861]

Искажения решетки, вызванные тепловыми колебаниями, всегда имеются в кристалле, находящемся при температуре выше О К. Распределение этих искажений непрерывно изменяется. Поэтому такие искажения называют динамическими. [c.62]

Тепловой эффект снижает сопротивление деформированию. Влияние его тем значительнее, чем больше скорость и степень деформации, чем меньше теплоемкость, теплопроводность и удельная поверхность металла. Влияние теплового эффекта зависит также от вида нагружения и охлаждения образца в процессе циклического нагружения. Надо полагать, что в условиях высокочастотного нагружения вследствие затрудненного теплоотвода при быстром протекании динамической деформации, развивающегося по плоскостям скольжения тепла достаточно для частичного снятия наиболее неустойчивых искажений решетки, обусловленных неоднородностью локальной пластической деформации. В отдельных случаях этого тепла может быть достаточно и для возникновения вспышки рекристаллизации вблизи плоскости сдвига, вызывающей снижение сопротивления усталости. При низких частотах нагружения (малые скорости деформирования) влияние теплового отдыха уменьшается, так как скорость деформирования невелика и развивающееся по плоскостям скольжения тепло успевает рассеяться. [c.243]

Искажения и напряжения 3-го рода благодаря присутствию углерода в пересыщенном твердом растворе значительные статические искажения, т. е. устойчивые смещения атомов из их идеальных положений в решетке динамические искажения, т. е. увеличения амплитуды колебаний атомов, ослабляющие их силы связи. Однако влияние статических искажений преобладает, и оно, существенно увеличивая степень одновременности разрыва атомных связей, сильно повышает твердость мартенсита. [c.206]

Представление о том, что атомы в кристаллической решетке занимают строго фиксированные положения, является идеализированным. Такая идеализация не мешает рассматривать свойства кристаллических тел при сравнительно низких напряжениях и температурах, когда тела упруги. Но с ростом температуры и напряжений необходимо учитывать наличие искажений в решетке реальных кристаллов. В 2.1 рассмотрены динамические искажения решетки, [c.81]

Если характеристическая функция известна, мы можем провести расчеты для любого интересующего нас волнового вектора О. Результат пропорционален квадрату амплитуды смещений и поэтому непосредственно входит в динамическую матрицу Я.,, определяемую выражением (4.37). Вычисляя структурные факторы, мы считали, что UQ = ы о. Если обе эти величины действительные, то наша сумма в точности совпадает с выражением (4.37). Аналогичным образом можно вычислить и изменение электростатической энергии при введении периодического искажения решетки для дальнодействующего кулоновского потенциала эта задача решается до конца в аналитическом виде [131. [c.485]

При динамическом деформировании (рис. 149) доля накопленной энергии по отношению к затраченной составляет 20—25%, при статическом деформировании — всего лишь 10—15%- Это еще раз указывает на то, что часть искажений кристаллической решетки, возникающих при пластической деформации, уничтожается уже в хо- [c.248]

Для восстановления первоначальных магнитных свойств магнитомягкие материалы подвергают отжигу, который снимает внутренние напряжения и вызывает рекристаллизацию зерен. Магнитные свойства зависят от размера зерна. Поверхностные слои зерен вследствие искажения строения кристаллов характеризуются повышенной коэрцитивной силой. При мелкозернистом строении суммарная поверхность зерен в единице объема больше, чем при крупнозернистом материале, поэтому в материале, состоящем из мелких зерен, влияние поверхностных искажений слоев сказывается сильнее и у него коэрцитивная сила больше. Внутренние напряжения нередко связаны с наличием в материале различных загрязнений, например кислорода в чистом железе, примесей или присадок кобальта, хрома, вольфрама. Используя примеси, усложняющие кристаллическую решетку, вводя технологическую операцию закалки, а иногда добиваясь ориентации структуры доменов в магнитном поле, получают магнитотвердые материалы. При перемагничивании ферромагнетиков в переменных магнитных полях всегда наблюдаются тепловые потери энергии. Они обусловлены потерями на гистерезис и динамическими потерями. Динамические потери вызываются вихревыми токами, индуцированными в массе магнитного материала, а отчасти и так называемым магнитным последействием, или магнитной вязкостью. Потери на вихревые токи зависят от электрического сопротивления ферромагнетика. Чем выше удельное сопротивление ферромагнетика, тем меньше потери на вихревые токи. Магнитное последействие особенно заметно проявляется в магнитомягких материалах в области слабых полей. [c.272]

Недавние прямые наблюдения границ зерен, выполненные методом просвечивающей электронной микроскопии, дали прямые доказательства их специфичной неравновесной структуры в НСМ, вследствие присутствия атомных ступенек и фасеток, а также зернограничных дислокаций [4]. В свою очередь, вследствие неравновесных границ зерен, возникают высокие напряжения и искажения кристаллической решетки, которые ведут к дилатациям решетки, проявляющимся в изменении межатомных расстояний, появлении значительных статических и динамических атомных смещений, экспериментально обнаруженным при рентгеновских и мессбауэровских исследованиях. Далее приведены параметры наноструктурной меди, измеренные методами РСА [4] [c.22]

Интенсивность интерференционных линий зависит от ряда факторов и характеризует степень искажения кристаллической решетки. Рассматривают динамические и статические искажения кристаллической решетки металла. Динамические искажения вычисляют исходя из величины теплового множителя интенсивности. Кроме смещений атомов из равновесного положения, вызванных тепловым движением, существуют смещения, вызванные другими причинами (пластической деформацией, образованием твердых растворов и т. д.). Эти смещения (статические искажения) [c.75]

ОПРЕДЕЛЕНИЕ ВЕЛИЧИНЫ ДИНАМИЧЕСКИХ ИСКАЖЕНИЙ КРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ РЕШЕТКИ И ХАРАКТЕРИСТИЧЕСКОЙ ТЕМПЕРАТУРЫ [c.766]

ДИНАМИЧЕСКИЕ ИСКАЖЕНИЯ КРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ РЕШЕТКИ [c.767]

Зная величину характеристической температуры, можно по формуле (80) определить величину теплового множителя интенсивности М и по формуле (79) вычислить динамические искажения кристаллической решетки для каждой [c.768]

Для стали У8 установлена связь между отношением ио/Ьго и температурой отпуска, а также температурой деформирования при двух значениях дефор.мации е=15 и 30%- Величина Ью/Ьго представляет собой отношение интегральных интенсивностей линии (110) и (220) и характеризует элементарное искажение кристаллической решетки, складывающееся из динамических и статических искажений. Известно [c.134]

Непрерывный рост циклов теплосмен и совпадающих по фазе механических напряжений вследствие периодического действия динамических сил при штамповке приводит к искажению кристаллической решетки, фазовым превращениям, пластическим деформациям и соскальзыванию одной части кристаллов относительно другой. В отдельных зернах, в которых термические и механические напряжения превышают предел текучести, происходит образование сдвигов с надрывами в дефектных местах зерен или межкристаллических переходных зонах, что создает разрыхление зерна по плоскости скольжения. В тех зернах или блоках зерен, в которых напряжения превышают прочность сцепления, а запас пластичности оказывается исчерпанным, плоскости скольжения превращаются в трещины. По мере увеличения количества этих трещин в соответствии с увеличением числа цик- лов теплосмен и циклов изменения механических напряжений повышается коэффициент концентрации напряжений и происходит рост трещин. Под действием течения деформируемого металла трещины термической усталости еще больше расширяются, углубляются, и с поверхности штампов выкрашиваются большие частицы металла, внешним признаком чего являются осповидные углубления и впадины. [c.42]

Наблюдая за изменением интенсивности интерференционных линий, можно получить ценные данные о состоянии атомнокристаллической решетки. Следует иметь в виду, однако, что распределение искажений в решетке подчиняется сложному закону поэтому определяемые экспериментально статические и динамические искажения, являясь средними величинами, характеризуют степень искажения решетки в целом и не выявляют действительных отклонений и числа смещенных атомов. Представляет большой интерес определение по изменению интенсивности характеристической температуры, зависящей от сил связи между атомами кристалла. [c.76]

При необходимости более точного измерения проводят разделение влияния статической и динамической составляющих смещений атомов. При этом измеряют отношения интенсивностей одних и тех же линий на рент-г енограммах образцов с неискаженной решеткой, где смещения атомов обусловлены только динамическими (тепловыми) искажениями, и образцов с кристаллической решеткой, искаженной вследствие образования твердого раствора, пластической деформации и т. д., где смещения атомов связаны как с динамическими, так и с устойчивыми статическими искажениями решетки. [c.769]

Для исключения влияния размеров блоков предложено измерять интенсивности трех линий на рентгенограмме [170]. Р1еизвестные величины показателя степени В в формуле для вычисления интенсивности, зависящего от суммы динамических и статических искажений решетки и размера блоков D, связаны со значениями интенсивности / соотношениями [c.771]

Согласно динамической теории дифракционного контраста [112-114], толщинные контуры экстинкции являются контурами одинаковой глубины в тонкой фольге и появляются на электронномикроскопическом изображении, когда некоторое семейство плоскостей данного зерна находится в брэгговских условиях отражения. В работах [115, 116] проанализирована физическая природа уширения толщинных контуров экстинции на электронномикроскопических изображениях границ зерен в наноструктурных материалах и показано, что оно связано с высоким уровнем внутренних напряжений и искажений кристаллической решетки вблизи границ зерен в образцах, подвергнутых ИПД. На основе этого анализа предложена методика определения величины упругих деформаций в зависимости от расстояния до границы зерна. [c.62]

Однако в нем можно создать состояния, подобные таковым в дкости, если специальным воздействием вызвать в кристалле ьные статические смещения атомов из узлов решетки. При опре-енном уровне таких смещений кристалл переходит в двухфазное тояние в нем возникают области с высокой концентрацией дефек-структуры, чередующиеся с областями малоискажеиной кристал-[еской фазы и находящиеся с ними в динамическом равновесии, (ое двухфазное равповесиё термодинамически выгоднее, чем од-)одно искаженный кристалл. Дефектная фаза характеризуется [инейными эффектами и низкой энергией образования дефектов, ше состояния в кристаллах являются атом-вакансионными и [c.7]

Эта казавшаяся непреодолимой трудность была преодолена (по крайней мере для ряда задач) с помощью самонакачивающихся обращающих зеркал, в которых пучки накачки формируются непосредственно в резонаторе из искаженного сигнального пучка ( 4.2). Требуется лишь, чтобы длина когерентности сигнального самообращающегося пучка была больше длины резонатора лазера на смешении волн, которая составляет сантиметры, а качество и сопряжение вторичных пучков накачки обеспечиваются самим механизмом генерации. Ниже рассмотрены схемы, основанные на этих уникальных свойствах лазеров на динамических решетках, используемых в качестве пассивных обращающих зеркал (ПОЗ). [c.223]

В дальнейшем будем говорить о решетке как об упорядоченной, еслп можно объяснить ее свойства, натав с неограниченной решетки с идеальным дальним порядком в качестве пулевого приближения, п включить динамические и статические искажения ио теорпи во.змуп<ений. Будем называть расположение атомов неупорядоченным, когда это приближение пе пмеет смысла. [c.129]

При вычислении циклотронной частоты мы использовали одно приближение, которое нам не было нужно при обсуждении геометрии ферми-поверхности. Именно, мы считали, что скорость равна (1/й)Ул . Для свободных электронов эта величина есть просто Шт, однако любое воздействие, приводящее к искажению энергетической зоны, изменяет этот результат. Кроме эффектов, которые могут возникнуть благодаря периодическому потенциалу, необходимо также учитывать и электрон-электронное взаимодействие, которое мы рассматривали лишь приближенно. Обычно считают, что его роль в металлах мала. Кроме того, возможно изменение скорости из-за динамического взаимодействия между данным электроном и ионами кристаллической решетки, т. е. электрон-фонон-ного взаимодействия. Мы подробнее обсудим этот вопрос несколько позже сейчас же мы только отметим, что электрон, двигаясь сквозь [c.147]

Помимо разупорядоченности, связанной со случайным распределением атомов разного сорта по узлам решетки, нужно иметь в виду, что существует еще разупорядоченность, обусловленная колебаниями атомов около узлов решетки. Она тем больше, чем больше амплитуда колебаний и ниже частота колебаний. В твердых растворах к тепловым колебаниям динамического характера добавляются еще отклонения от идеальных узловых положений за счет разницы в размерах атомов А и В, то есть статические искажения. В формуле (4.3) поэтому энтропия состоит из части 5конф, связанной со случайным распределением атомов, и части 5кол, связанной с колебаниями, то есть с отклонениями от упорядоченного расположения атомов, вызванными динамическими и статическими искажениями. [c.149]

Имеющиеся экспериментальные данные показывают, что динамическое формование тем выгоднее, чем больше показатель прессования т в уравнении М. Ю. Бальши-на, т. е. чем выше исходные плотность и твердость прессуемых частиц. После прессования наблюдается значительное искажение кристаллической решетки (напряжения второго рода повышаются в 2—2,5 раза, плотность дислокаций увеличивается в 4—6 раз), что заметно сказывается на кинетике уплотнения при спекании требуемая плотность достигается за меньшее время выдержки или при более низкой температуре спекания. [c.313]

Если к идеальному полупроводнику приложить электрическое поле, то электроны под действием этого поля начнут свободно двигаться, ускоряясь полем. Однако в реальных кристаллах направленное движение электрона все время нарушается из-за его столкновения с рассеиваюи1,ими центрами. Такими центрами являются колеблющиеся узлы решетки, ионизированные атомы примеси, нарушения кристаллической решетки и т. д. Электрическое поле стремится создать наиравленное движение, а искажения кристаллической решетки рассеивают электроны. В результате устанавливается некоторое динамическое равновесие, которое характеризуется тем, что электроны совершают дрейфовое движение, которое является суперпозицией движения в электрическом поле и хаотического теплового движения. До тех пор, пока скорость дрейфа мала по сравнению с тепловой скоростью (при напряженности поля ( = 10 е/сл приращение энергии на длине свободного пробега электрона составляет эв, т. е. мало по [c.15]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...