Волновое сопротивление вывод

Задача существенно упрощается при наличии малых возмущений, например при обтекании решеток слабо изогнутых профилей под малыми углами атаки. В этом случае удается показать ), что интерференция пластин в решетке всегда приводит к уменьшению коэффициента подъемной силы по сравнению с изолированной пластиной. Аналогичный вывод может быть сделан и для коэффициента волнового сопротивления, так как качество пластины, как уже указывалось выше (без учета поверхностных сил трения), определяется только углом атаки [c.76]

Почти все современные стандарты высокоскоростных систем ввода/вывода требуют, чтобы дорожки на печатной плате имели строго определённое полное (волновое) сопротивление и предусматривали наличие согласующих резисторов — терминаторов. Правильные значения полного сопротивления проводников устраняют эффекты отражения и эха , которые приводят к искажению сигналов и уменьшению производительности системы. [c.223]

При работе с этой книгой читатель заметит, что многие из цитируемых формул волнового сопротивления предусматривают численные константы например, 59,952 376,687 и т. д. Точные величины этих констант зависят от значений, принятых для фундаментальных констант 8о и р,о, из которых они выводятся. В этом тексте автор выбрал в качестве фундаментальных констант диэлектрическую проницаемость свободного пространства 8о и скорость света в вакууме Уо- В момент написания этой книги автор считал наиболее точными значениями этих констант следующие Уо = =2,997925-10 м/с. ео = 8,8552 10 2 ф/м. Однако с тех пор было замечено, что это значение ео отличается от указанного в системе единиц СИ ео = 8,85416-10-12 ф/м. [c.10]

Большим достоинством метода Сильвестра является то, что он распространяется на многие другие подобные типы линий, в частности на две связанные линии (как будет показано в разд. 6) нулевой илн конечной толщины и включающие два нли более слоев диэлектрика. Главной трудностью при использовании этого метода является нахождение функции Грина. Но Сильвестр получил формулу для микрополосковой линии с полоской нулевой или конечной толщины, которая была использована для составления программы ЭВМ с целью расчета 2о. В качестве основы для вывода этой формулы используется метод вычисления емкости микрополосковой структуры как при наличии, так и при отсутствии диэлектрика. Здесь вычисляется 2о и У Ее. Некоторые полезные результаты показаны на рис. 3.9—3.11 и представлены в табл. 3.4. Эти результаты тщательно сверялись с данными экспериментальных исследований, подтвердивших их точность. Для всех практических целей они могут считаться как фактически точные. На рис. 3.9 представлена универсальная кривая для волнового сопротивления микрополосковой линии с полоской нулевой толщины, пригодная для любой [c.61]

Для случая, когда поперечные сечения проводников являются софокусными эллипсами, как показано на рис. 5..1, Смит [5.1] дает в качестве ответа к ряду задач выражение для индуктивности на единицу длины. Используя его для вывода формулы волнового сопротивления, получаем [c.102]

Комплексные коэффициенты отражения и прохождения могут быть найдены при этом из волновой матрицы передачи эквивалентного четырехполюсника (рис. 3.1), образованного двумя скачками волновых сопротивлений (Z02) и отрезком линии с потерями ( 02). При выводе этих выражений необходимо произвести замену параметров s и tg 5 на (коэффициент преломления) и к (коэффициент поглощения), причем связь между ними, как известно, определяется соотношением = й , т.е. [c.62]

Анализ волновых процессов в полубесконечных стержнях на основе жестко-пластической [214], упруго-пластической, вязко-упругой и упруго-вязко-пластической материала, так же как анализ переходных процессов в стержнях конечной длины [56, 155] и результаты экспериментальных исследований распространения волны [166, 321, 405], приводят к выводу о том, что сопротивление материала зависит от скорости деформации [26, 60] и модель материала должна включать вязкость. [c.146]

При выводе формул для электрического сопротивления и электронного теплового сопротивления не учитывалось электрон-электронное рассеяние. При взаимодействии между электронами имеется 4 возможных электронных состояния (два начальных и два конечных). Как и в случае фононов, Ы-процессы, пр-види-мому, не должны давать вклада в сопротивление, которое обусловливается и-процессами, сопровождающимися изменением волнового вектора электрона на величину вектора обратной решетки. Имеются, однако, две причины, в силу которых вероятность таких процессов мала. [c.205]

Для расчета на ЭВМ составлена программа на алгоритмическом языке Фортран. Программа позволяет выводить на печать все интересующие параметры, характеризующие волновой процесс, о которых упоминалось выше. Некоторые результаты расчета приведены на рис. 2.15—2.17. На рис. 2.15 показана зависимость D, JJ2 / E , t/i (/) / (соответственно кривые 1, 2, 3, 4) от величины регулирующей емкости Ср, служащей в качестве сопротивлений 22=24=2. При этом частота /=50 мГц, длина связанных полосок /=0,05 м. Графики рис. 2.15 иллюстрируют связь между напряжением на управляющей полоске (линии 2) и фазовой и групповой скоростью волны в первой линии. Важно, что с изменением Иф и Игр модуль напряжения U (/) меняется слабо. [c.47]

Относительно простую задачу представляет собой осевое обтекание твердых тел вращения (артиллерийские снаряды без рыскания). Карман и Мур ) первыми пришли к выводу, что наличие волнового лобового сопротивления вызывает резкий рост сопротивления при движении тонкого снаряда, когда М= 1, и оценили это возрастание сопротивления на основе упрощений, указанных в 10. Более чем через 10 лет Копал распространил этот вывод на снаряды с рысканием и показал, что упрощенная теория приводит к ряду ошибочных заключений ). В частности, в случае конусов под углом атаки поперечная сила, подсчитанная по формулам из 10, убывает с возрастанием М, в то время как правильное приближение по теории возмущений дает ее увеличение (парадокс Копала). [c.36]

Для различных металлов р в основном определяется значением /, которое в свою очередь зависит от структуры проводника. Чистые металлы с наиболее правильной кристаллической решеткой характеризуются наименьшими значениями удельного сопротивления примеси, искажая решетку, приводят к увеличению р. Такой же вывод можно сделать, исходя из волновой природы электронов. Рассеяние электронных волн происходит на дефектах кристаллической решетки, которые соизмеримы с расстоянием порядка четверти длины волны электрона нарушения меньших размеров не вызывают заметного рассеяния волн. В металлическом проводнике, где длина волны электрона порядка 5 А, микродефекты создают значительное рассеяние, уменьшающее подвижность электронов и, следовательно, приводят к росту р. [c.15]

Остается не вполне ясным вопрос об определяющих факторах сопротивления деформированию при ударно-волновом нагружении. Влияние давления на напряжение течения связывается, главным образом, с изменением сопротивления движению дислокаций при увеличении сдвиговой жесткости среды [39]. Отсюда делается вывод, что зависимость напряжения течения от давления должна соответствовать зависимости С(р) [c.100]

Преобразование выражения для удельного сопротивления на основе выводов квантовой волновой механики приводит к такой формуле [c.281]

Существенно заметить, что этот результат получается независимо от величины О, т. е. от режима электрической стороны. Обкладки могут быть замкнуты накоротко, или, наоборот, цепь обкладок может быть разомкнута, или в наиболее общем случае замкнута на какое угодно сопротивление, — это не повлияет на волновое уравнение. Единственное предположение, сделанное при выводе, состоит в том, что обкладки предполагаются экви- [c.172]

Полную акустическую прозрачность пластинки, помещенной в среду с отличным от волнового сопротивления пластинки своим волновым сопротивлением Z pi, согласно [1], [3], [4] и [5], [6], обеспечивает возникновение резонанса в исследуемом слое при условии (7) или (8). При этом резко уменьшается количество энергии, требующееся от генератора колебаний, что без особого труда можно зарегистрировать известными методами. Коэффициент отражения по интенсивности ультразвуковой волны R, согласно выводам Ре-лея [1], зависит как от акустических сопротивлений сред, так и от их геометрических размеров [c.294]

Рне. 5. Смеситель на диодах Шоттки 1 — рупорная антенна для ввода колебаний сигнала и гетеродина 2 — конусный переход от круглого волновода к прямоугольному я — кристалл диода Шоттки сотовой структуры 4 — проволочный вывод сигнала fl я, Я — фильтр низкой частоты на отрезков коаксиальной линии с высоким и низким волновым сопротивлением в — подвижный настроечный короткоаамыкающий поршень 7 — прямоугольный волновод пониженной высоты я — контактная пружинка к ячейке диода Шоттки о — опорный штифт контактной пружинки. [c.229]

Заметим, что формула (41.06) и все следуюш,ие из нее выводы остаются справедливыми, если весь отрезок 0волновые сопротивления Wo и Wi. Боковую стенку поршня необязательно считать бесконечно тонкой она может иметь любую толш,ину. Если обозначить через а я Ь внутренний и внешний радиусы коаксиальной линии, а через Га и Гь — внутренний и внешний радиусы боковой стенки поршня, то в абсолютных единицах [c.211]

Передняя кромка дозвуковая. В этом случае обтекание сечений, (.оответствующес движению прямого крыла с числом М <1, должно исследоваться пря помощи дозвуковой нли околозвуковой (смешанной) теории обтекания профиля. Сопротивление и подъемная сила будут определяться законами дозвуковых течений, характеризующимися взаимодействием потоков на верхней ц нижней сторонах крыла, которое проявляется в перетекании газа аз области высокого давления в зону их пониженных значений. При этом волновые потери МОГУТ возникать только при сверхкритическом обтекании (Мпсс>М к р). когда на поверхности появляются скачки уплотиения. Если то скачки уплотнения и, следовательно, волновое сопротивление отсутствуют. Этот вывод относится, есте- [c.287]

Распределительные коммутаторы К обеспечивают такие подключения приемников, при которых реализуются ДН сложной приемной антенны. Коммутаторы практически исключают влияние параллельных приемников и холостых выводов на уровень сигнала в каждом приемнике, подключенном к антенне. Для этого приемники подключаются к антенне через развязывающие резисторы, а концы линий коммутатора нагружаются на поглощающие резисторы. В качестве коммутирующих элементов применяются полупроводниковые диоды. Это дает возможность создать компактные коммутаторы с дистанционным управлением при больщом числе приемников. Отечественной промыш тенностью выпускается несколько типов коммутаторов различной емкости, рассчитанных на применение симметричных Л1 ний с волновым сопротивлением 200 Ом. Имеется также унизерсальнып коммутатор УКПР, набираемый из блоков, который позволяет осуществлять коммутацию при числе антенн от [c.455]

Антенна представляет собой цепь с распределенными постоянными индуктивностью, емкостью, сопротивлением. Поэтому в общем случае распределение тока в антенне подобно распределению тока в длинной линии. Антенны можно разделить на две группы резонансные, в которых величина тока но длине аитенны изменяется, и нерезонансные (антеннькбегущей волны), в которых величина тока вдоль антенны примерно посгоянна. Если удаленный конец антенны нагружен на активное сопротивление (второй вывод которого заземлен), равное по величине волновому сопротивлений) провода антенны, в ней устанавливается бегущая волна, т. е. если пренебречь потерями энергии, ток по всей длине. ан-тенны будет иметь одинаковую величину. Однако антенна излучает энергию, поэтому по мере удаления от точки питания ток в, антенне снижается. [c.226]

Шестая часть конспекта лекций содержит вывод обобщенных уравнений Цеппритца для воли рассеивания, образующихся при падении на границу раздела упругих сред плоских продольных (Р) и вертикально поляризованных поперечных (ЗУ) волн. Проведен анализ поведения вторичных волн рассеивания как функций угла падения первичной продольной волны. Рассмотрены различные соотношения волновых сопротивлений контактирующих на границе раздела сред и их влияния на характеристики монотипных и обменных вторичных волн. [c.3]

Когда 1/Ь—0 (рис, 3.5), точный вывод погонной емкости может быть проведен методом конформного преобразования. Используя 3,24], Кон [3.25] этим методом получил следующее точное выражение для волнового сопротивления трехплоскостной полосковой линии с центральным проводом нулевой толщины [c.46]

Весьма общий анализ желобковой лннии бьи дан Чисхольмом [4.114], использовавшим вариационный метод для вывода выражения для расчета волнового сопротивления конструкции, в которой расположение цилиндрического проводника не ограничено центральносимметричной позицией. Это выражение имеет определенную ценность при определении эффектов конструкционных допусков. Однако соответствующие формулы крайне сложны и неудобны и поэтому не будут здесь воспроизведены. Ограничимся приведением более простого выражения для волнового сопротивления симметричной желобковой линии [4.14] [c.95]

Конструкция, показанная на рис. 5.26, была предложена Салливаном и Парксом [5.6] как имеющая преимущества в прочности и легкости. Приближенный анализ [5.6], основанный на выводе обшей электростатической емкости конструкции, дает следующее выражение для волнового сопротивления квазиТЕМ-волны [c.104]

Рабочая поверхность каждой из половин корпуса представляет собой плоскость 12. При этом расстояние Ь между плоскостями всюду постоянно и равно 5,54 мм, т. е. значению, при котором волновое сопротивление одиночной полосковой ЛП с круглым внутренним проводником диаметром 3,04 мм равно 50 Ом (см. рис. 4.2,6). Проводники 3, 4 имеют переменное сечение и образованы из круглых проводников диаметром 3,04 мм (сечение АА) путем симметричного усечения с двух сторон (сечение ББ). Ширина проводников t монотонно уменьшается примерно от середины области связи 5 до начала изгиба проводников 7 в зоне перехода от связанных линий к подводящим коаксиальным 8. Усечение проводников с двух сторон позволяет использовать связанные НЛП типа рис. В.2,м для создания ответвителей с номинальными значениями переходного ослабления от 6 до 60 дБ. В то же время их применение существенно облегчает согласование одиночной полосковой линии с круглым внутренним проводником (см. рис. 4.2,6) и коаксиальной ЛП. Оси проводников в области связи представляют собой прямые линии, расположенные под малым углом друг к другу. Отсутствие необходимости изгибания проводников в области связи является существенным достоинством описываемой конструкции НО. Согласно выводам, сделанным в [290], углы скре-254 [c.254]

Поэтому значение удельной проводимости у (или удельного сопротивления р) в основном зависит от средней длины свободного пробега электронов в данном проводнике X, которая, в свою очередь, олределяется структурой проводникового материала. Все чистые металлы с наиболее правильной кристаллической решеткой харак-т( ризуются наименьшими значениями удельного сопротивления поимеси, искажая решетку, приводят к увеличению р. К такому же выводу можно прийти, исходя из волновой природы электронов. Рассеяние электронных волн происходит на дефектах кристалличе-С1 ой решетки, которые соизмеримы с расстоянием около четверти [c.191]

Вследствие практической невозможности регистращш нагрузки в области откольного разрущения информация о деформировании материала и кинетике его разрущения получается в результате анализа волновых процессов, основанного на регистрируемой диаграмме изменения скорости свободной поверхности или давления на границе раздела исследуемого материала с материалом меиьщей акустической жесткости. В связи с этим принятая для анализа модель механического поведения и разрущения материала и метод аналитической обработки оказывают существенное влияние на получаемые из экспериментальных исследований результаты, а имеющиеся в литературе данные о силовых и временных характеристиках сопротивления материала откольному разрушению неразрывно связаны с методами их определения. Выбор в качестве определяющих параметров различных величин исключает возможность сопоставления экспериментальных результатов и ведет к получению количественно и качественно противоречивых выводов. Это снижает информативность таких исследований и затрудняет их использование для практических расчетов. [c.232]

Из формул (37) можно сделать следующие два основных вывода 1) в линеаризированной теории тонкого крыла коэффициент подъемной силы не зависит от формы крыла, а только от угла атаки и числа Моо набегающего потока 2) в отличие от дозву- нового потока, тело, находящееся в сверхзвуковом потоке идеального газа, испытывает сопротивление] это сопротивление называют волновым. [c.339]

Этот вывод совпадает с аналогичным заключением для электрических цепей, в которых волновой импеданс обращается в активное сопротивление, если Сос/соСос, где Яве и [c.337]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...