Плотность кристаллическая моменты

Точечные дефекты бывают различных типов. Ионы, расположенные в узлах кристаллической решетки, совершают тепловые колебательные движения около положения равновесия. Величина среднего по всему кристаллу отклонения ионов от положения равновесия определяется температурой. Однако всегда имеются ионы, которые отклонились в данный момент от положения равновесия больше, чем другие. Отдельные ионы могут отклоняться настолько, что они уже не возвращаются обратно в положение равновесия. При этом в узле кристаллической решетки образуется пустое место — вакансия (рис. 1-5,а). Плотность вакансий, установленная косвенными методами, оценивается для отожженного металла в а для наклепанного, т. е. деформированного пластически при низких температурах, до 10 — в 1 см . Сместившийся из узла ион некоторое время не находит свободного узла в кристаллической решетке и оказывается в промежутке между другими ионами. Такой дефект строения называется смещением (рис. 1-5,6). 12 [c.12]

В аморфной структуре на рис. 5.1 все магнитные моменты расположены параллельно друг другу и направление суммарного магнитного момента в этом случае совпадает с направлением каждого магнитного момента. Это идеальный случай, когда не учитываются ни локальные изменения ближнего порядка, плотности или химического состава, ни какие-либо деформации. При этом отсутствует какая-либо магнитная анизотропия. Такая ситуация никогда не реализуется в кристаллическом состоянии. Кроме того, поскольку неупорядоченная аморфная структура макроскопически однородна во всем объеме образца, свойства также должны быть однородными. Однородность структуры проявляется, в частности, в том, что в аморфном состоянии отсутствуют такие дефекты, препятствующие перемещению границ доменов (толщина которых [c.133]

Следовательно, по мере увеличения дисперсности цементита значение фактора, способствующего повышению прокаливае-мости (увеличение легированности твердого раствора вследствие растворения карбидов), постепенно уменьшается, а значение факторов, снижающих прокаливаемость (увеличение химической микронеоднородности, плотность дефектов кристаллического строения, зародышевое влияние), все более возрастает. При определенном (для каждого типа стали) соотношении мелких и крупных карбидных частиц, т. е. при определенном d p, действие указанных факторов уравновешивается. Этому моменту должна, по-видимому, отвечать максимальная прокаливаемость. При дальнейшем увеличении дисперсности роль отрицательно действующих факторов становится преобладающей, и прокаливаемость стали снижается. [c.81]

Если вы располагаете электронным или оптическим микроскопом, то можете и во время первого периода наблюдать маленькие трещины, размер которых не превосходит размера кристаллических зерен. Плотность этих микротрещин растет вплоть до момента образования большой (видимой глазом) трещины. [c.8]

Спонтанное нарушение симметрии. Теория многих тел рассматривает особый класс упорядоченных состояний систем многих частиц, когда возникает некоторая макроскопическая величина (параметр порядка), понижающая симметрию таких состояний. Простейшим примером упорядоченного состояния может служить ферромагнетик его суммарный магнитный момент, играя роль параметра порядка, выделяет определенное направление в пространстве и нарушает тем самым вращательную симметрию. Другой пример — кристаллическое состояние твердого тела, где параметром порядка служит отклонение плотности ионов, образующих кристаллическую решетку, от однородного распределения. Здесь, благодаря выделенному положению в пространстве узлов решетки, нарушается трансляционная (а также и вращательная) симметрия системы. Более важный для дальнейшего, но одновременно и более сложный пример сверхпроводника будет отдельно рассмотрен в п. 7. [c.177]

В обычных ферромагнетиках всегда имеется магнитная анизотропия, обусловленная кристаллическим порядком расположения магнитных моментов атомов. Магнитная анизотропия существенно уменьшает подвижность доменных стенок и увеличивает коэрцитивную силу. В аморфной структуре (см. рис. 4.23) все магнитные моменты расположены параллельно друг другу и направление суммарного магнитного момента совпадает с направлением каждого магнитного момента. Это идеальный случай, когда не учитываются ни локальные изменения ближнего порядка, плотности или химического состава, ни какие-либо деформации. При этом отсутствует любая анизотропия. Кроме того, так как аморфная структура макроскопически однородна во всем объеме образца, свойства тоже должны быть однородными. Именно благодаря этим особенностям аморфные ферромагнетики имеют чрезвычайно высокую магнитную проницаемость. [c.302]

Как было показано выше, и механическая, и электрическая энергии в кристаллах делают одну и ту же сложную работу повышают частоту колебаний частиц решетки, обеспечивают волновое движение энергии от кристалла к кристаллу, создают передвижение частиц в виде отдельных их перескоков или групповое, дислокационное движение вещества. Механизм действия электрической энергии — это возбуждение волнового процесса электронных плотностей свободных электронов. Через воспринятый ими энергетический заряд активируются уже частицы кристаллических организаций, обеспечивая тем самым все виды движения энергии по трем степеням свободы, с разными частотами. Механическая энергия не может непосредственно воздействовать на электронные плотности свободных электронов. Она создает волновые фононные потоки, а фононы с их любой, самой высокой энергией активируют электронные плотности, исчезая в момент передачи электрону своего энергетического заряда. [c.64]

Как известно [75, 76], пластическая деформация материалов приводит к значительному увеличению плотности таких дефектов, как дислокации (или их скопления), дефекты упаковки, вакансии (или нх комплексы), междоузельные атомы и т.д. Поля искажений этих дефектов кристаллического строения вызывают смещения атомов из узлов, что приводит к упругим микродеформациям. Если размер блоков достаточно мал (-10" см), это приводит к заметному расширению дифракционных пиков на дифрактограммс. Наличие в поликристал-лическом образце микроискажений (т.е. присутствие кристаллов с вариацией периода решетки) также приводит к расширению пиков на дифрактограмме. В настояи ,ее время развит1)1 три метода (аппроксимации или интегральной ширины, гармонический анализ формы рентгеновских линий, метод моментов), основанные на анализе формы дифракционных линий, с помощью которых могут быть найдены размеры блоков и величина микродеформаций в случае их раздельного и совместного присутствия в исследуемом образце. Зачастую имеется однозначная связь между величиной микродеформаций и плотностью хаотически распределенных дислокаций. [c.160]

Рассмотрим применение уравнения повреждений наследственного типа к термопластам на примере полиэтилена высокой плотности (ПЭВП) и политетрафторэтилена (ПТФЭ), всегда содержащих наряду с аморфной более или менее значительную кристаллическую фазу. В условиях линейного напряженного состояния и температур не ниже 10 С эти термопласты, как и ряд других, обнаруживают к моменту полного разрушения весьма большие деформации ползучести порядка сотен про- [c.110]

ТЕМПЕРАТУРА критическая соответствует критическому состоянию вещества переходу сверхпроводника из сверхпроводящего состояния в нормальное) Кюри является [общим названием температуры фазового перехода второго рода температурой фазового перехода ферромагнетика в парамагнетик при которой исчезает самопроизвольная поляризация в сегнетоэлектриках) ] насыщения соответствует термодинамическому равновесию между жидкостью и ее паром при данном давлении Нееля фиксирует фазовый переход антиферромагнетика в парамагнетик плавления выявляет фазовый переход из кристаллического состояния в жидкое радиационная — температура абсолютно черного тела, при которой его суммарная по всему спектру энергетическая яркость равна суммарной энергетической яркости данного излучающего тела термодинамическая определяется как отношение изменения энергии тела к соответствующему изменению его энтропии цветовая определяется температурой абсолютно черного тела, при которой относительные распределения спектральной плотности яркости этого тела и рассматриваемого тела максимально близки в видимой области спектра яркостная — температура абсолютно черного тела, нри которой спектральная плотность энергетической яркости совпадает с таковой для данного излучающего тела, испускающего сплошной спектр] ТЕНЗИ-ОМЕТРИЯ — совокупность методов измерения поверхност э-го натяжения ТЕНЗОМЕТРИЯ—совокупность методов измерения механических напряжений в твердых телах по упругим деформациям тел ТЕОРЕМА Вариньона если данная система сил имеет равнодействующую, то момент этой равнодействующей относительно любой оси или точки равен алгебраической сумме моментов слагаемых сил относительно той же оси или точки Вириала устанавливает соотношение, связывающее среднюю кинетическую энергию системы частиц с действующими в ней силами) [c.281]

ФАКТОР <есть причина, движущая сила какого-либо процесса, явления, определяющая его характер или отдельные его черты магнитного расщепления — множитель в формуле для расщепления уровней энергии, определяющий величину расщепления, выраженный в единицах магнетона Бора размагничивающий— коэффициент пропорциональности между напряженностью размагничивающего магнитного поля образца и его намагниченностью структурный—величина, характеризующая способность элементарной ячейки кристалла к когерентному рассеянию рентгеновского излучения, гамма-излучения и нейтронов в зависимости от внутреннего строения ячейки) ФЕРРИМАГНЕТИЗМ—состояние кристаллического вещества, при котором магнитные моменты ионов, входящих в его состав, образуют две или большее число подсистем (магнитных подрещеток) ФЕРРОМАГНЕТИЗМ—состояние кристаллического вещества, при котором магнитные моменты атомов или ионов самопроизвольно ориентированы параллельно друг другу ФИЛЬТРАЦИЯ—движение жидкости или газа через пористую среду ФЛУКТУАЦИЯ <есть случайное отклонение значения физической величины от ее среднего значения, обусловленное прерывностью материи и тепловым движением частиц абсолютная — величина, равная корню квадратному из квадратичной флуктуации квадратичная 01ли дисперсия) равна среднему значению квадрата отклонения величины от ее среднего значения относительная равна отношению абсолютной флуктуации к среднему значению физической величины) ФЛУОРЕСЦЕНЦИЯ — люминесценция, быстро затухающая после прекращения действия возбудителя свечения ФОРМУЛА (барометрическая — соотношение, определяющее зависимость давления или плотности газа от высоты в ноле силы тяжести Больнмаиа показывает связь между энтропией системы и термодинамической вероятностью ее состояния Вина устанавливает зависимость испускательной способности абсолютно черного тела от его частоты в третьей степени и неизвестной функции отношения частоты к температуре) [c.292]

Отличие в свойствах различных магнетиков (кроме того что для диамагнетиков X т <0) проявляется в характере зависимости х и р от температуры. Для классических ланжевеновских парамагнетиков, как мы видели (формула (15.11), х =А1Т), справедлив закон Кюри и X т обратно пропорциональна температуре. Для разреженных диамагнитных газов восприимчивость при постоянной плотности не зависит от температуры это объясняется тем, что тепловое движение не препятствует и не способствует возникновению индуцированных магнитных моментов. В кристаллических магнетиках характер зависимости X т а р ОТ температуры может быть существенно иным с повышением температуры атомы или молекулы переходят в возбужденные состояния, в которых и постоянные магнитные моменты (парамагнетизм), и индуцированные магнитные моменты (диамагнетизм) могут стать существенно иными, чем в нормальных состояниях. Поэтому температурный ход величин х т р зависит от конкретных свойств вещества, и х т (Г) и р (Т) могут быть и положительными, и отрицательными. [c.75]

Левая часть уравнения представляет собой плотность теплового потока, правая часть - пространственьое изменение поля температур. Коэффициент теплопроводности X — тензор, связывающий оба эти вектора. В общем случае X зависит от кристаллической структу ры твердого тела и температуры. Уравнение (4.1) в конечном виде может быть решено только в нескольких спещ1альных случаях, так как в решение входят начальные и граничные условия, а именно, поле температур в начальный момент времени, температура на граничной поверхности тела и геометрические параметры системы. Менее сложным является уравнение в системе прямоугольных координат в этом случае уравнения (4.1) и (4.2) преобразуются к следующему виду [c.33]

Преврашению соли в металл соответствует увеличение плотности компактной кристаллической фазы в 2 — 3 раза. При этом появляется бифуркация в распределении вещества новой твердой фазы в пространстве. Промежуточным состоянием вещества является сильнопористая система мельчайших кристаллов металла, которая в момент образования неустойчива и, стремясь к минимуму энергии, претерпевает изменения. [c.49]

После первого успешного детектирования сигналов ядерного резонанса в 1945 г. ядерпый магнетизм интенсивно изучался па протяжении пятнадцати лет и до сих пор исследования еще не имеют тенденции к сокращению. Кроме первого и очевидного применения для измерения величины ядерных моментов, ядерный резонанс стал основным орудием изучения тончайших свойств большинства веществ. Структура молекул, скорости реакций и химическое равновесие, химические связи, кристаллические структуры, внутренние движения в твердых телах и в жидкостях, электронные плотности в металлах, сплавах и полупроводниках, внутренние поля в ферромагнитных и антиферромагнитных веществах, плотности состояний в сверхпроводниках, свойства квантовых жидкостей — вот некоторые из тех вопросов, для которых ядерный магнетизм позволил получить специфичную и детальную информацию. [c.8]

Заметим, что проведенное в п. 1 рассмотрение проблемы экранирования, не связанное явно с функциями распределения, нечувствительно к тому, вырождена система в статистическом смысле или классична. Мы использовали классичность системы только в момент выбора функции л(0, л). Этот выбор можно и изменить. Остановимся на интересном с практической точки зрения использовании качественного подхода в системе типа металла, где отрицательными ионами являются электроны (вырожденный газ, см. гл. III, 2, п. в)), а положительными — ионный остов кристаллической решетки. Чтобы не учитывать динамики этого остова, не играющей главной роли в рассматриваемом вопросе (он состоит из относительно тяжелых по сравнению с электронами ионов, подвижность которых ограничена еще и пространственной их локализацией по узлам решетки), заменим его равномерно размазанной средой с плотностью заряда po=eno=eNjV (модель желе ), на фоне которой свободно двигаются N электронов —е. Пренебрегая температурными поправками, можем положить [c.648]

В конденсиров. средах возможны разл. типы возбуждений и, следовательно, К. Колебания атомов (или ионов) около положения равновесия распространяются по кристаллу в виде волн (см. Колебания кристаллической решётки). Соответствующие К. наз. фононами. Единств, тип движения атомов в сверхтекучем гелии — звук, волны (волны колебаний плотности). Соответствующие К. наз. фононами и ротонами, все они — бозоны. Колебания магн. моментов атомов в магнитоупорядоченных средах представляют собой волны поворотов спинов (см. Спиновые волны). Соответствующая К.—магнон—также бозон. В полупроводниках К. являются эл-ны проводимости и дырки (обе — фермионы). Взаимодействуя друг с другом и с др. К., эл-ны и дырки могут образовывать более сложные К. экситон Ванье — Мотта, полярон, фазон, флуктуон). [c.250]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...