Взаимодействие экранированное

Заметим, что потенциал ф(г) создается зарядом е и всеми другими зарядами плазмы его нельзя рассматривать как потенциал парного взаимодействия экранированных частиц. [c.361]

Рис. 10. Фурье-компоненты взаимодействия экранированных точечных ионов

Первые два члена описывают кинетическую энергию и энергию взаимодействия экранированных электронов, а третий — энергию плазмонов без дальнодействующей компоненты собственной энергии электронного газа. [c.42]

См. также Дальнодействующее взаимодействие Экранирование Куперовские пары II 354—356 грубый расчет II 369 и бозоны II 355 (с) размер II 355 (с), 356 [c.400]

Во-вторых, даже если принять какой-то приближенный и упрощенный закон ядерного взаимодействия, то и в этом случае квантовомеханическая задача о ядре весьма громоздка, число ее независимых переменных равно числу степеней свободы (ЗЛ, не учитывая спиновой переменной). Здесь возникают значительно большие трудности по сравнению с теми, с которыми мы встречаемся при решении задачи об атоме. В атоме имеется динамический центр — ядро, взаимодействие электронов с которым играет основную определяющую роль. Взаимодействие электронов друг с другом может быть сведено к эффекту экранирования действия заряда ядра. Электроны атома движутся в сферически симметричном поле ядра, которое удается представить некоторым скалярным потенциалом V (г), являющимся функцией только расстояния г от ядра. Сферическая симметрия поля ядра и сравнительно простой вид потенциала V (г) существенно облегчает решение квантовомеханической задачи (например, решение уравнения Шредингера) об атоме, основанное на оболочечной модели атома. В атомном же ядре, учитывая совокупность известных фактов, нет выделенного центрального тела, так как все нуклоны, входящие в ядро, равноправны. [c.170]

При рассмотрении эффекта от многих ядер на первый взгляд может показаться, что действия ядер, расположенных по разные стороны относительно линии полета частицы, будут компенсировать друг друга. На самом деле это неверно, так как значения р ограничены сверху величиной рмакс, при которой заряд ядра полностью экранирован атомными электронами. Если частица пролетает от ядра на расстоянии р > Рмакс, то она с ним не взаимодействует (рмакс -/ ат). при введении понятия макроскопического эффек- [c.222]

Можно ожидать, что выражение (17.1) лучше всего соответствует идеализированному одновалентному металлу, электроны проводимости которого могут рассматриваться как свободные, так что их энергия выражается простым равенством Считается, что колебания решетки такого металла удовлетворительно описываются моделью Дебая (т. е. дисперсия во внимание не принимается). Рассеяние электронов проводимости на колебаниях решетки также сильно упрош ено. Теория рассеяния развита в предположении, что статическое взаимодействие электрон—пои точно определено и поэтому обш ее рассеяние зависит только от смеш ения иона. В согласии с этим далее предполагается, что взаимодействие имеет место лишь вблизи центра иона. В остальной части атомного объема электроны проводимости рассматриваются как совершенно свободные. По существу это соответствует почти полному экранированию заряда иона другими электронами проводимости металла. [c.188]

Физический смысл различных членов в (40.о) следующий. Члены в первой строке представляют энергию отдельных электронов, поля фононов и плазмы. Первый член во второй строке соответствует взаимодействию плазмы с фононами и третий — взаимодействию плазмы с электронами. Последняя строка содержит члены с v l>%p., для которых коллективные координаты не введены. Последний член в этой сумме представляет экранированное кулоновское взаимодействие между отдельными электронами. [c.766]

Перед подстановкой (5.55) в (5.40) необходимо учесть два обстоятельства. Во-первых, следует иметь в виду, что реально действующий на электроны проводимости псевдопотенциал — псевдопотенциал экранированный. Поэтому формула (5.55) должна быть видоизменена так, чтобы в нее был включен эффект экранировки псевдопотенциалов. При этом очевидно, что при определении закона дисперсии е(к) электрон-электронное взаимодействие уже учитывается, и после подстановки (5.55) в (5.40) электрон-электронное взаимодействие окажется учтенным дважды. Поэтому энергию этого взаимодействия необходимо будет один раз исключить из полной энергии. [c.117]

Сравнительно высока энергия электростатического взаимодействия для металлов с о. ц. к. решеткой, равная примерно коттреллов-ской. Электростатическое взаимодействие между ионами примеси и дислокацией возникает потому, что около ядра дислокация существует электрический дипольный заряд, который в металлах экранирован электронами проводимости и сохраняется только на малых расстояниях около ядра дислокаций. [c.222]

В связи с указанным выше температура, механическая активация смазочного материала и трущихся поверхностей способствуют образованию трибохимических слоев. Поэтому знание стартовой температуры для присадок к смазочным маслам необходимо так же, как и обеспечение их термической стабильности в условиях работы узлов трения. Уменьшение адгезионного взаимодействия твердых тел за счет экранирования химически образующимися слоями существенно снижает износ и величину локальных сил трения в дискретных точках касания, при этом средний коэффициент трения малочувствителен к указанным явлениям. [c.172]

Из формулы (15.42) для ф(г) видно, что потенциал поля около заряда е в плазме убывает по экспоненте. Этим плазма принципиально отличается от диэлектрической однородной среды, в которой лотенциал поля от внешнего заряда на любом расстоянии от него уменьшается в е раз по сравнению с потенциалом в-вакууме. Заметим, что потенциал ф(г) создается зарядом е и всеми другими зарядами его нельзя рассматривать как потенциал парного взаимодействия экранированных частиц. [c.279]

См. также Дальнодействуюш ее взаимодействие Экранирование Куперовские пары II354—356 грубый расчет П 369 и бозоны П 355 (с) размер П 355 (с), 356 Лазеры и определение фононного спектра П 108 [c.417]

Однако в том случае, когда разность между энергиями электронов меньше величины Йсо в, фононный вклад противоположен по знаку взаимодействию, экранированному только электронами, и больше по абсолютной величине следовательно, эффективное электрон-электронное взаимодействие меняет знак. Подобный эффект, называемый переэкранировкой , играет решающую роль в современной теории сверхпроводимости. Мы вернемся к нему в гл. 34. [c.145]

На больших расстояниях такая система будет вести себя как нейтральная, так как отрицательное облако полностью экранирует центральный положительный заряд. Однако вблизи от центра нейтрона (внутри мезонного облака) экранирования не будет и должно проявляться действие центрального положительного заряда. В связи с этим можно ожидать, что на расстояниях г<Н1т с между нейтроном и электроном будет проявляться взаимодействие в форме притяжения. Расчет показывает, что оно может быть охарактеризовано потенциальной ямой, глубина которой в несколько тысяч раз меньше глубины ямы, характе-ризуюшей потенциал нуклон-нуклонного взаимодействия (который, как указывалось в 70, равен 20 Мэе при ширине Ге = [c.654]

Понижение энергии t/сим связано с повышением электронной плотности между ядрами взаимодействующих атомов из-за значительного перераспределения электронной плотности по сравнению с плотностями в изолированных атомах. Это легко установить, поскольку электронная плотность пропорциональна ф . В случае понижения энергии электронная плотность пропорциональна ф сим= ( фa+tь) = фo + 2 фa Vl)Ь+ l5й ОтСЮДа ВИДИМ, ЧТО В ПрО-странстве между ядрами электронная плотность повышается по сравнению с суммарной плотностью, которая могла бы получиться при простом сложении плотностей изолированных атомов. В возбужденном состоянии t/ант электронная плотность ант — (фа—113ь)2 в межъядерном пространстве значительно понижается, а в случае одинаковых атомов и вовсе становится равной нулю. Ядра оказываются менее экранированными электронами, и силы отталкивания между ними превышают силы притяжения. Молекула не образуется. [c.80]

Согласно этой теории, в вакууме, прежде считавшемся пустотой , непрерывно происходит рождение множества виртуальных, короткоживущих частиц (фотонов, электронов, позитронов и др.). Взаимодействие виртуальных частиц с реальными физическими объектами приводит к наблюдаемым физическим эффектам, например отклонению магнитного момента электрона от предсказываемого классической электродинамикой значения. В связи с этим принципиально иную трактовку получили, казалось бы, хорошо известные и прежде отождествлявшиеся понятия элементарный электрический заряд и заряд электрона . Поясним физику явления. Внесенный в физический вакуум электрон оказывается окруженным облаком виртуальных элект-роы-позитроняых пар (см. рис. 18), которое частично экранирует его заряд. Все такое образование в целом принято называть физическим электроном [65], а объект, лишенный облака вакуумной поляризгщии,— голым электроном. При наблюдении с больших расстояний измеряемый заряд оказывается вследствие экранирования меньшим заряда голого электрона, это и есть классический элементарный заряд е. По мере проникновения в глубь облака виртуальных электрон-позитроныых пар экранировка уменьшается, и измеряемый заряд должен возрастать. Подтверждением этого являются известные факты нарушения закона Кулона на малых расстояниях. В пределе эксперимент мог бы дать значение заряда голого электрона, но энергии зондирующих частиц при этом становятся настолько большими, что 110 [c.110]

Данные, приведенные в табл. 5, показывают, что среди щелочных металлов особое положение занимает натрий, у которого отношенне наблюдаемого сопротивления к вычисленному имеет самое низкое значение. (Калий находится на втором месте, но очень близок к натрию.) Этот результат можно рассматривать как доказательство того, что у натрия относительная энергия взаимодействия имеет минимальное значение. По-видимому, он свидетельствует также о том, что натрий лучше всех других металлов соответствует идеализированной модели свободных электронов . Бардин [97, 98] несколько улучшил модель рассеяния и показал, что результаты исследования натрия хорошо согласуются с развитой им теорией. Данные, относяш иеся к калию, находятся в удовлетворительном согласии с теорией, в то время как рубидий и цезий обладают сопротивлением, которое значительно превосходит теоретическое значение. Бардин учел тот факт, что когда поны смеш ены из своих положений равновесия упругими волнами, распространяющимися в решетке, то они создают при этом возмущенное распределение зарядов, которое в свою очередь вызывает рассеяние электронов проводимости aMif электроны проводимости имеют тенденцию группироваться таким образом, чтобы компенсировать нарушенное распределение зарядов. Это явление можно назвать динамическим экранированием. Конечно, и в статических условиях электроны имеют тенденцию экранировать заряды ионов, а с этой точки зрения модель Блоха соответствует но существу почти полному экранированию зарядов ионов. Действительно, ири полном отсутствии экранирования иона, рассматриваемого как точечный заряд, потенциальная энергия электрона вблизи него была бы равна—е 1г при наличии экранирования потенциальная энергия электрона убывает с расстоянием быстрее, а именно по закону—(е //-)й [48,37] (стр. 86). В модели Блоха подразумеваетс>], что ири этом получается формула (17.1). Из приближенной теории [c.195]

Значение экранировки в металлах. Существенный факт, о котором необходимо помнить, заключается в том, что кулоновские взаимодействия в металле являются экранированными взаимодействиями. Этот вывод относится как к взаимодействию между электронами и ионами, так и к взаимодействию между электронами. Он был получен в первых расчетах электрон-но-фононного взаимодействия, произведенных Хаустоном [121] и Норд-геймом [122]. Потенциальная энергия электрона на расстоянии г от иона была принята равной [c.755]

Причина, по которой гамильтониан Блоха дает удонлетворительные результаты в большинство случаев в теории металлов, состоит в том, что кулоновские взаимодействия экранированы в пределах расстояния, по порядку величины равного расстоянию между частицами. Например, Абра-гамс [128] оценил поперечное сечение соударения и среднюю длину свободного пробега для экранированных электронов в щелочных металлах. Он нашел, что возможные рассеяния настолько ограничены принципом Паули, что практически при всех температурах средняя длина свободного пробега при электронных столкновениях значительно больше, чем длина свободного пробега для электронпо-фононных взаимодействий. [c.756]

В окончательном гамильтониане сохраняется экранированное куло-новское взаимодействие между электронами, представляемое членом /2 иРхР-х- Оно также может быть рассмотрено с помощью теории [c.768]

Статистическая и ударная теория являются крайними приближениями общей теории штарковского ущирения линий. Общая теория состоит в следующем. Сначала рассчитывается расщепление линии вследствие квазистатического действия ионов, затем ущирение каждой щтарковской компоненты за счет ударного взаимодействия с электронами. Профиль спектральной линии получают путем усреднения по распределению напряженностей различных ионных полей. Таким образом, в общей теории учтено взаимодействие как с ионами, так и с электронами. Кроме того, введено много уточнений. Например, ионы рассматриваются не как независимые заряженные частицы, а учитывается экранирование их другими заряженными частицами (дебаевское экранирование). [c.270]

Наиболее полная защита ингибиторами происходит при коррозии металла вследствие восстановления любого окислителя, содержащегося в коррозионной среде в малых концентращшх, протекает с диффузионными ограничениями и может быть достигнута лишь при полном экранировании поверхности металла ингибитором или продуктами его превращения при взаимодействии со средой и металлом. [c.154]

Возникло новое направление теории дефектов — моделирование их на быстроде11ствующих ЭВМ ). Идея этого метода заключается в том, что рассматривается небольшая область кристалла — некоторый кристаллит, содержащий обычно от 500 до 5000 атомов. Предполагается, что атомы взаимодействуют между собой и машине задается зависимость потенциала межатомного взаимодействия от расстояния между ними. Обычно для этого выбирается экранированный кулоновский потенциал, потенциал Борна — Майера, Морзе, а также различные их комбинации. Для учета обусловленных электронами проводимости сил связи может быть задано эквивалентное давление на поверхность кристаллита. Таким образом, в этом методе хотя и принимаются во внимание, но явно не рассматриваются изменения в электронной подсистеме при появлении дефекта. Кроме того, следует учесть, что рассматриваемый кристаллит находится в бесконечном кристалле с такой же структурой. Это приводит к необходимости введения дополнительных сил, имитирующих действие окружающего кристалла, или к замене его упругой средой, в которую погружены атомы этой наружной области. [c.89]

Входящая сюда константа экранирования д характеризует систему электронов проводимости матрицы п пропорциональна у Ар (Ар — волновой вектор, соответствующий энергии Ферми). Радиус экранирования д в хороших металлах оказывается порядка меиштомного расстояния. Если па расстоянии г от первого дефекта находится второй с зарядом еД 2, то энергия их взаимодействия Е з согласно (5,23) определяется формулой [c.121]

В 5 были рассмотрены различного типа взаимодействия между точечными дефектами в кристаллической решетке. Было выяснено, что внедренные атомы могут взаимодействовать силами, имсдощимп разую природу. Среди этиз. сил есть силы, связанные с прямым взаимодействием зарядов внедренных ионов (экранированных электронами проводимости) и с деформационным взаимодействием, осуществляемым через поля упругих деформаций решетки. [c.162]

Кабельная техника развивалась в тесном взаимодействии с научными исследованиями электрического поля. Разработкой теории электрического кабеля занимался русский физик П. Д. Войнаровский. В 1913 г. Хох-штедтер (Германия) на основе теоретических разработок предложил конструкцию кабеля с экранированными жилами. Экранирование жил позволило в 1918—1919 гг. начать изготовление трехжильных кабелей на напряжения до 60 кВ. Однако по мере роста электрических распределительных сетей преимущественное распространение получили более дешевые воздушные линии. [c.78]

Д. с. п. заряженных частиц (электронов и ионов). При класспч, рассмотрении понятия полного эффективного сечения и Д. с. п. по отношению к упругим столкновениям ааряж. частиц теряют смысл, поскольку за-ряж. частицы взаимодействуют между собой на сколь угодно бо,1ьших расстояниях г. Квантован механика, основываясь на соотношениях неопределенностей, даёт конечное значение для о и если взаимодействие убывает быстрее, чем 1/г . В плазме существен эффект экранирования кулоновского поля заряда на расстояниях, определяемых дебаеоспи.ч радиусом экранирования. [c.704]

При высоких энергиях и малых прицельных параметрах ядра сталкивающихся частиц сближаются на расстояния, меньшие радиусов злектроиных орбит, и их взаимодействие описывается кулопонским потенциалом. При низких энергиях существенно экранирование ядер электронами и потенциал взаимодействия [c.198]

В результате К. э. любая вырожденная ферми-спстема с притяжением между частицами должна обладать свойством сверхпроводимости (сверхтекучести). В реальных металлах взаимодействие между лектронами складывается из экранированного (иа бо.чьпгих расстояниях) кулоновского отталкивания и притяжения, вызванного возможностью обмена виртуальными фононами и обусловленного поляризацией кристалла вокруг электронов [X. Фрёлих (Н. Frohii h), 1952]. Соотношение этих типов взаимодействия и определяет возможность сверхпроводимости в металле. [c.536]

Смотреть страницы где упоминается термин Взаимодействие экранированное : [c.67] [c.215] [c.215] [c.327] [c.682] [c.757] [c.759] [c.767] [c.778] [c.219] [c.285] [c.109] [c.381] [c.195] [c.28] [c.150] [c.266] [c.93] [c.98] [c.360] [c.534]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...