Генерация поверхности

Генерацию поверхности во времени можно проследить по генерации во времени линии [98]. При этом возможны три случая (рис. 58). [c.93]

Рис. 58. К анализу генерации поверхности

Важным моментом является генерация альтернатив для принятия решений, например генерация альтернатив маршрутов обработки поверхности детали [18]. [c.124]

В заключение отметим, что создание мощных источников света лазеров — привело к принципиально новым выводам также и при исследовании отражения света от металлической поверхности. В 1965 г. группа ученых сообщила о генерации электронами проводимости второй гармоники падающего света при отражении света мощного импульсного лазера от серебряного зеркала. Было установлено, что образование второй гармоники происходит именно на поверхности серебра при отражении света от нее. Таким образом, при распространении мощного потока света на границе раздела диэлектрик—металл может происходить изменение (удвоение) частоты отраженного от металла света, [c.66]

Отличительной чертой всех полупроводниковых лазерных материалов, в том числе и арсенида галлия, является очень высокий по сравнению с другими лазерными материалами (кристаллы, стекла, жидкости, газы) коэффициент усиления электромагнитного излучения. Благодаря этому удается выполнить условие генерации для миниатюрных полупроводниковых образцов. Типичный лазер на арсениде галлия показан на рис. 35.24, а. Для получения генерации две противоположные поверхности полупроводника полируют и делают плоскопараллельными, а две другие оставляют грубо обработанными, чтобы предотвратить генерацию в нежелательных направлениях. Обычно обе отражающие поверхности не имеют отражающих покрытий, так как показатель преломления полупроводника достаточно большой и от полированных торцов отражается примерно 35 % падающего излучения. Активная область представляет собой слой толщиной около 1 мкм, т. е. немного больше запирающего слоя (примерно 0,2 мкм). В свою очередь поперечные размеры лазерного пучка гораздо больше (около 40 мкм) толщины активной области (рис. 35.24, б). Следовательно, лазерный пучок занимает довольно большое пространство в р- и п-областях. Однако поскольку поперечные размеры пучка все же относительно невелики, выходное излучение имеет большую расходимость (несколько градусов). [c.297]

Связанные с генерацией быстрых частиц на Солнце вариации интенсивности КЛ у поверхности Земли указаны в табл. 43.2 (см. класс III б). [c.1178]

Описание имитационного эксперимента. Рассмотрим методику проведения имитационного эксперимента применительно к решению задачи вычисления коэффициентов Ф, -. Этот эксперимент начинается так же, как и в случае определения фу,, со случайного выбора точки на поверхности Sj и направления распространения порции излучения. Далее проводится анализ судьбы этой порции в процессе ее движения по системе. Результаты анализа фиксируются путем наращивания содержимых счетчиков попаданий поверхностей, которые в начале эксперимента обнулены. Сначала находится первая поверхность, на которую попадает порция, и содержимое счетчика этой поверхности увеличивается на единицу. На найденной первой поверхности порция может с вероятностью е поглотиться, с вероятностью г диффузно отразиться и с вероятностью зеркально отразиться. Для моделирования дальнейшего продвижения на ЭВМ разыгрывается случайный эксперимент, имеющий три исхода с вероятностями е, г , г . Если выпадает событие, имеющее вероятность появления е, то порция излучения считается поглотившейся на первой поверхности, ее история на этом заканчивается, а на поверхности Sj генерируется новая порция. При выпадении двух других событий в случае зеркального отражения направление распространения порции меняется по соответствующему закону геометрической оптики, а в случае диффузного отражения производится генерация значений полярного и азимутального углов для [c.198]

В результате генерации и проведения анализа историй К порций излучения содержимое датчика попаданий любой поверхности зафиксирует число актов попаданий на нее. Поделив число актов попаданий для i-й поверхности на общее число порций К, находят оценку разрешающего углового коэффициента Ф, -. [c.199]

Технологические процессы ионно-плазменной обработки материалов основаны на решении задач оптимизации условий напыления, обеспечивающих получение поверхностных слоев с требуемыми эксплуатационными характеристиками. К условиям ионно-плазменной обработки, как было сказано выше, относятся режимы генерации и осаждения ионных потоков, давление и состав газовой среды, температура подложки и состояние поверхности образца. [c.248]

Методы третьей группы отличаются уровнем предельно высоких значений используемых плотностей мощности (Wp = io -10 2 Вт/см"), а также технологией обработки материалов. В этом методе на поверхность материала наносятся слои легкоплавких металлов, которые гюд воздействием лазерного пучка интенсивно испаряются, что приводит к генерации мощных ударных волн. Распространение ударных волн в глубь материала инициирует процессы нагрева приповерхностных слоев, их пластическое деформирование и сопутствующие им структурные превращения. [c.258]

Атмосферы нефтегазоконденсатных комплексов отличаются высоким содержанием газов, солей, агрессивных компонентов, и по характеру микроклиматических условий они относятся в основном к жестким и очень жестким условиям. Разрушению под действием атмосферной коррозии подвергаются металлические нефтепромысловые сооружения и коммуникации, промысловые и магистральные нефтегазопроводы, сеть водоводов и резервуаров, морские нефтепромысловые сооружения, эстакады, кустовые площадки, индивидуальные основания, оборудование нефтегазоперерабатывающих заводов и др. Известно, что коррозия металлов в атмосферных условиях протекает под слоем влаги и определяется скоростью адсорбции или генерации на поверхности ионизированных частиц, способных вытеснять хемосорбированный кислород из поверхностного слоя металла. Для большинства конструкционных материалов наибольшее ускорение коррозионных процессов определяется наличием в атмосфере примесей сернистого газа, сероводорода, ионов хлора, а также загрязненностью воздуха пылью и аэрозолями, которые становятся центрами капиллярной конденсации влаги. [c.50]

Таким образом, процесс генерации пара вызывает интенсивный массообмен в кипящей жидкости и, дополнительную турбулизацию пристенной области. При этом устанавливается значительно более мощный по сравнению с конвективным теплообменом в однофазных средах механизм переноса. Особенность этого механизма заключается в том, что от элементов поверхности, находящихся непосредственно под паровыми пузырями, тепловой поток отводится в основном с паром паровых пузырей (в форме теплоты испарения), а также в виде избыточной энтальпии перегретой жидкости, выталкиваемой из пристенного слоя паровыми пузырями в период их роста и при отрыве от теплоотдающей поверхности. [c.162]

Из уравнения (6.8) можно приближенно определить минимальный радиус кривизны зародыша мин, в который может испаряться жидкость при заданном ее перегреве. С увеличением перегрева жидкости в процесс генерации пара вовлекаются новые зародыши с меньшим радиусом кривизны, чем и обусловлен рост числа действующих на теплоотдающей поверхности центров парообразования 2 при увеличении плотности теплового потока q. По существу, плотность теплового потока влияет косвенным образом на 2. Это влияние проявляется только потому, что при прочих равных условиях с ростом q увеличивается температурный напор, т. е. перегрев жидкости в пристенном слое. [c.170]

Параметры пленки и связанные с ними такие интегральные характеристики, как коэффициенты теплоотдачи и гидродинамического сопротивления, плотность критического теплового потока или граничное паросодержание, характеризующее кризис второго рода, скорость солеотложения на поверхности трубы при генерации пара, существенно зависят от интенсивности процессов уноса капель с поверхности пленки и их выпадения на пленку. В связи с этим процессы обмена массой между ядром потока и пленкой интенсивно (особенно в последние годы) изучаются. [c.235]

Возникновение генерации- высокочастотных колебаний в зона шатунного подшипника — это результат отрыва поверхности вкладыша от постели нижней головки шатуна, сопровождавшийся ударами. Таким образом, износ основных сопряжений машины оказывал непосредственное влияние на ее динамические параметры, что характерно для энергетически нагруженных систем. [c.389]

На практике широко применяются методы отвода тепла при кипении жидкости, движущейся внутри труб или каналов различной формы. Так, процессы генерации пара на современных тепловых электрических станциях осуществляются за счет кипения воды, движущейся внутри котельных труб при высоком давлении. Тепло к поверхности труб подводится от раскаленных продуктов сгорания топлива за счет излучения и конвективного теплообмена. [c.107]

Процесс сернокислотной коррозии низкотемпературных поверхностей нагрева парогенераторов, сжигающих высокосернистые мазуты, последовательно можно условно разделить на три этапа генерация серного ангидрида ЗОд в топочном объеме и за ее пределами массоперенос сконденсированной кислоты к металлу взаимодействие кислоты с металлом. [c.93]

Низкая плотность потока солнечной энергии приводит к тому, что с 1 м освещенной Солнцем поверхности в среднем нельзя подучить более 100 Вт, т. е. для генерации 100 МВт тоже нужна площадь порядка 1 км . Однако пока считается, что капитальные затраты при этом превысят выгоды от получаемой таким путем энергии. [c.86]

На рис. 12.10, а показан диод, р-область которого освещается световым потоком мощностью Wq, вызывающим генерацию в этой области электронно-дырочных пар. Число таких пар G, ежесекундно появляющихся в р-области, определяется соотношением (12.13). Так как поглощение происходит в собственной области, то свет поглощается уже в узком слое у поверхности, от которой носители диффундируют совместно вглубь полупроводника. Если/ — -переход расположен на глубине w[c.327]

Кроме генерации, безусловно, имеет место и гибель дислокаций при их аннигиляции и за счет выхода на поверхность. Однако учет этих процессов только изменит величину коэффициентов в уравнении (1), а так как последние определяются из опыта, то процесс гибели учитывается автоматически. [c.152]

Этот способ формирования лазерного излучения может успешно использоваться при упрочнении деталей типа тел вращения, винтовых поверхностей и т. п. Одним из основных недостатков такого способа является значительная потеря энергии излучения вследствие увеличения суммарного коэффициента отражения вращающейся поверхности, с которой взаимодействует лазерное излучение в течение импульса генерации. [c.58]

Другие методы — регистрация скорости ударной волны и изменения плотности материала методами импульсной рентгенографии, оптические методы регистрации перемещения свободной поверхности [256], регистрация давления в ударной волне по величине сигнала с термопары [291] и многие другие — не получили признания вследствие сложности, ограниченности применения или недостаточной точности, а также из-за отсутствия ясного понимания механизма генерации сигнала при действии нагрузки, необходимого для правильной интерпретации экспериментальных результатов. [c.168]

При прохождении процессов ИП в контактируемых поверхностях могут измениться условия деформационного упрочнения кристаллической решетки. Во-первых, образование медной пленки может привести к снижению эффективных касательных напряжений в подложке и тем самым обусловить уменьшение процессов наклепа, связанного с упругим взаимодействием дислокаций и работой дислокационных источников. В этом случае упругое взаимодействие линейных дефектов снижается не только по причине уменьшения вероятности множественного скольжения их по различным системам скольжения, но и снижением интенсивности работы источников дислокаций, в частности источников Франка— Рида. Понижение значений касательных напряжений может оказаться недостаточным для преодоления сил линейного натяжения и прогибания дислокационного сегмента до критического радиуса при работе источника Франка—Рида, в результате чего не происходит самопроизвольной генерации дислокационных петель. Во-вторых, наличие упругих напряжений на границе раздела между пленкой и основной матрицей может привести к тому, что выход дислокаций из приповерхностного слоя на поверхность будет затруднен и приведет к возрастанию упругих напряжений материала под пленкой. Помимо этих явлений, нужно еще учитывать взаимодействие дислокаций со свободной поверхностью пленки. Известно, что сила, действующая на единицу длины дислокации и стремящаяся продвинуть дислокацию к поверхности, имеет величину, [c.28]

При переходе от зоны к частице вследствие образования межфазной поверхности раздела частица — матрица появляется возможность релаксации локального фазового наклепа вследствие генерации дислокаций или возникновения вакансионных потоков в матрице, приводящих к компенсации разницы удельных атомных объемов. [c.44]

Серединные поверхности доступны только при использовании геометрических ядер Parasolid или A IS. Эти объекты полезны при генерации поверхностей из тонкостенных твердых тел. Серединные поверхности затем могут быть использованы в качестве основы для разбиения оболочечными элементами. Однако, нужна осторожность, чтобы результаты, полученные на таких моделях, были адекватны исходной модели. [c.164]

Формообразование, или генерация поверхности, неразрывно связано с кинематико-геометрической характеристикой обработки, которая распадается на две характеристики кинематическую и геометрическую. Геометрическая характеристика создается инструментом, его характеристическим образом —формой следа инструмента на поверхности детали. [c.92]

Условия стабильности кинематико-геометрической характеристики. Процесс генерации поверхности при обработке партии деталей нельзя провести с абсолютным совпадением многочисленных независимых параметров обработки для каждой детали из партии, поэтому при формообразовании ставится задача не получения абсолютной повторяемости качества, а создания качества в определенных допускаемых пределах рассеяния/ Величина допуска при этом представляет собой допустимую величину поля рассеяния размера. Точность выполняемого размера зависит в конечном счете от точности прогнозирования действительного значения межэлектродного зазора. Форма связи зазора с основными параметрами обработки в виде [c.97]

Направление синхронизма. На рис. 18.8 показаны сечения поверхностей показателя преломления обыкновенных п 1 = (ш), n i — п (2со)) и необыкновенных (и и п ) волн в кристалле KDP — дигидрофосфата калия для частоты рубинового лазера (индекс 1) и его второй гармоники (индекс 2). Как видно из рис. 18.8, под некоторым углом Оо к оптической оси (0Z) кристалла происходит пересечение эллипсоида п . и сферы п1, что означает п, = пЧ в данном направлении. Поэтому направление, определяемое значением угла я%, является направлением синхронизма. Следовательно, если поляризацию падающей волны подобрать так, чтобы основная волна в кристалле являлась обыкновенной, а кристалл подобрать так, чтобы в нем данная обыкновенная волна возбуждала необыкновенную волну второй гармоники, то в направлении о должно произойти резкое возрастание мощности второй гармоники. В формуле (18.20) не учтена потеря энергии падающей волны на нагревание кристалла и на рассеяние, в результате чего при п (2со) == п (со) длина когере1ггности превращается в бесконечность. Однако в реальных средах всегда возможны подобные потери и поэтому длина когерентности даже при п (2со) — п (со) становится конечной. И в этом случае условие синхронизма является условием наилучшей генерации второй гармоники. [c.406]

При проведении статистической имитации на ЭВМ моделируется случайный эксперимент, по его результатам находится оценка математического ожидания Е А), а затем из формулы (6.25) определяется приближенное значение ф, . Соответствующий алгоритм включает в качестве повторяющегося единичного акта генерацию координат случайной точки на поверхности 5, и значений углов 0 и г[), а также проверку для получившегося направления распространения излучения факта попадания луча на поверхность Sj. Эта проверка похожа на проводимый при расчетах по ( рмулам (6.11), (6.13) анализ наличия затененности у элементарных площадок. После проведения М актов испускания излучения оценка математического ожидания Е рассчитывается по формуле [c.190]

Моделирование случайных величин. Остановимся подробнее на способах генерации случайных координат точки на поверхности Si и случайных углов 0 и1 з. В основе этих процедур лежит использование стандартных подпрограмм (или подпрограмм-функций), позволяющих получать последовательности псевдослучайных чисел, равномерно распределенных на интервале [О, 1]. Например, в программном обеспечении ЕС ЭВМ имеется подпрограмма RANDU [15], обращение к которой имеет вид [c.190]

Далее повторяется анализ движения отраженной порции излучения по новому направлению распространения из точки пересечения первой поверхности и первого луча, находится вторая поверхность, наращивается содержимое ее счетчика попаданий и реализуется описапиая выше для первой поверхности процедура. Таким образом, история порции излучения прослеживается до ее поглощения какой-либо поверхностью. После этого возвращаются к исходной поверхности Sj и проводят генерацию новой порции излучения. [c.199]

Для регистрации утечек электроотрицательных пробных веществ в атмосферу, в частности утечек элегаза, может быть применен течеискатель, называемый плазменным и реагиру-. ющий на пробные вещества изменением частоты срыва высокочастотного генератора [9. Через стеклянную трубку-натекатель, находящуюся в поле плоского конденсатора, при помощи механического вакуумного насоса прокачивается с определенной скоростью воздух, отбираемый от испытуемой поверхности, так что в трубке поддерживается давление 10. .. 30 Па. Высокочастотный генератор ионизирует газ внутри трубки. Возникает тлеющий разряд, демпфирующий контур и срывающий высокочастотную генерацию. Происходит рекомбинация ионов, повышающая добротность контура. Генератор вновь возбуждается и процесс повторяется с определенной частотой. Появление в трубке электроотрицательного вещества изменяет скорость рекомбинации ионов, частота срывов возрастает пропорционально концентрации примеси. [c.195]

Рис. 3-29. Схема генерации парового пузыря в микровпадине поверхности нагрева.

Из формулы (6.8) следует, что при ->0 перегрев жидкости А пер-> 00. Это означает, что в реальных условиях, т. е. при конечных значениях перегрева, процесс генерации пара может происходить только в том случае, если в жидкости ух е имеются зародыши паровой фазы конечного радиуса кривизны (центры парообразования). Как мы уже знаем, этими центрами являются микровпадины на теплоотдающей поверхности, заполненные газом или паром данной жидкости. Зарождению паровой фазы способствуют также адсорбированные поверхностью газы, а также мелкие, находящиеся на ней твердые частицы. [c.170]

Случаи, когда в испарителях генерация пара происходит в горизонтально расположенных трубах, встречаются не так уж редко. Как правило, плотность критического теплового потока в горизонтальных трубах ниже, чем в вертикальных, поэтому с целью повышения значения кр применяются различного рода интенсификаторы. Однако использование в качестве интенсифи-каторов каких-либо завихрителей или шнеков не приводит к существенным результатам, так как с их помощью турбулизируется ядро потока, в то время как основное термическое сопротивление сосредоточено в пристенной области. Как показывают эксперименты, в некоторых случаях в качестве интенсифнкаторов целесообразно использовать поверхности с капиллярно-пористыми покрытиями. На рис. 12.7 сопоставлены зависимости q = f x) для гладкой трубы и для трубы с капиллярно-пористым покрытием [216]. В этих опытах [c.323]

АЭ, или эмиссия волн напряжений, — это явление, заключающееся в генерации упругих волн в твердых телах при их деформации [29, 59]. Главными источниками акустической эмиссии считают процессы скольжения и разрушения в кристаллах (и их скоплениях), трения поверхностей разрыва друг о друга, движения дислокаций и изломов, релаксации упругой матрицы при движении дислокаций. Моменты излучения волн эмиссии распределены статистически во времени возникающие при этом дискретные импульсы — вспышки имеют широкий частотный диапазон (от десятков килогерц до сотеп мегагерц) в зависимости от материала. [c.444]

Работа ТЭП может осуществляться в следующих основных режимах вакуумном, т. е. без заполнения внутреннего объема парами цезия и в трех режимах с парами цезия — прямопролетном (квазивакуумном), диффузионном и дуговом. Результаты многочисленных экспериментальных исследований [44, 108, 111, 118, 130, 142, 144, 150, 151, 159] показывают, что наиболее перспективным и легко осуществимым является дуговой режим. При достаточно высокой температуре катода генерация ионов в межэлектродном пространстве происходит не только на поверхности катода, ко и во всем объеме межэлектродного пространства. Высокая электропроводность плазмы, образуемой в межэлектродном пространстве, позволяет значительно увеличить плотность тока, генерируемого ТЭП, и, следовательно, повысить удельную электрическую мощность ТЭП. [c.19]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...