Пленки параметры

Исследование тонких магнитных пленок. Параметры линии ФМР чувствительны к несовершенствам кристаллической структуры тонкого слоя ферромагнетика. Поэтому ФМР используют для контроля качества тонких эпитаксиальных магнитных пленок. В работах [13.28, 13.291 предложены методы сканирования пленок резонатором ФМР, что позволяет установить области дефектной кристаллической структуры. [c.193]

Приведенное выражение однозначно указывает на повышенную по сравнению с массивными образцами концентрацию вакансий в тонкопленочных системах и ее возрастание с уменьшением размеров (толщины) объектов. При повышенной концентрации вакансий в пленке параметр кристаллической решетки уменьшается на величину [c.117]

Для усиления адгезии промежуточный слой металла должен иметь более положительный потенциал, чем потенциал субстрата, и отрицательный по отношению к потенциалу пленки. Параметр решетки этого слоя должен занимать промежуточное положение между параметрами решетки адгезива и субстрата. [c.284]

Ограничимся сначала случаем дисперсного газожидкостного потока (пузырькового или капельного), описываемого уравнениями квазиодномерного течения в 2, но при отсутствии пленки. Параметры, относящиеся к несущей и дисперсной фазам, будут снабжаться соответственно индексами 1 и 2 внизу. При этом [c.274]

Видно, что величина сильно зависит от параметра г = 1а/Iо, который эквивалентен введенному для металлических пленок параметру 1о/с1 — см. п.2.1. Чем меньше величина г, тем больше свободных носителей в [c.53]

Параболический закон роста окисной пленки, установленный впервые Тамманом на примере взаимодействия серебра с парами йода, наблюдали в опытах по окислению на воздухе и в кислороде меди и никеля (при t > 500° С), железа (при t > 700° С) и большого числа других металлов и сплавов при определенных температурах, В табл. 6 приведены параметры диффузии элементов в окислах. [c.59]

Рентгенографический метод, в частности, микроанализ с помощью электронного зонда пригоден для исследования продуктов, образующих пленку на металлах определения размеров и ориентации кристаллов, а также измерения параметров кристаллической решетки. [c.436]

Термостойкость пленки характеризуется выдержкой ее в термоконтейнере при различной температуре, последующим осмотром и испытаниями на твердость, эластичность и другими параметрами. [c.400]

Физические параметры конденсата v и р берутся при средней температуре пленки конденсата, равной = 0,5 (г, , + Теплота парообразования г берется при температуре насыщения t . [c.454]

Уравнения механики сплошной среды представляют осредненные уравнения, и их можно получить с помощью последовательного осреднения уравнений, описывающих процессы в микромасштабе. Применительно к гетерогенным смесям под пространственным микромасштабом следует понимать расстояния, по порядку рапные характерным размерам неоднородностей или включений (диаметрам капель, частиц, пузырьков, пор, толщинам пленок и т. д.), а под временным микромасштабом — времена, по порядку равные характерным временам изменения параметров движения этих включений. [c.52]

Более полное представление об изменении основных характеристик исследуемой системы можно получить из представленных на рис. 6.15 данных для этого же образца. Здесь изображенный на рис. 6.14 переходный процесс выглядит в виде скачка всех рассмотренных параметров при постоянной плотности теплового потока qjq =1,13 (нормирующая величина q" рассчитывается из соотношения q" = G(i - to). Слева от значения qlq = 1,13 расположена область режимов с кипящей пленкой, справа — с полностью сухой внешней поверхностью. Здесь отчетливо видно, что в режимах с кипящей пленкой при значительном увеличении тепловой нагрузки все остальные параметры системы остаются практически постоянными, затем они испытывают скачкообразное изменение в режиме высыхания внешней поверхности и далее быстро возрастают при незначительном увеличении тепловой нагрузки в режимах с полностью сухой поверхностью. Вертикальными стрелками указано направление изменения параметров в переходном процессе, например точки а, с соответствуют температуре внешней поверхности и перепаду давлений на стенке в начале переходного процесса г = О (см. рис. 6.14, точки в, с), [c.148]

Результаты численного интегрирования выражений (8. 5. 13) — (8. 5. 16) показаны на рис. 100. Как видно из рисунка, величина параметров К, Ь, М и Л не зависит от безразмерной толщины пленки жидкости о, вплоть до его значений = [c.331]

Теперь рассмотрим схему отражения рентгеновского луча от поверхности исследуемого образца. Пучок, падающий по нормали к поверхности, охватывает площадку 1,5—2 им в диаметре. На этой площадке, как показывает опыт, среди большого числа освещенных кристалликов находится обычно достаточное количество таким образом ориентированных кристаллов, что определенные их плоскости находятся в соотношении Брегга с параметрами падающего луча. При этом происходит отражение луча от кристаллов (рис. 592). Отраженные лучи образуют коническую поверхность с углом при вершине 360° — 49 Если на их пути поставить фотографическую пленку, то на ней зафиксируется круг радиуса Л (рис. 592). Очевидно, [c.529]

Изучение состояния поляризации можно провести как в отраженном, так и в проходящем свете. В случае металлов преломленная волна практически поглощается в очень тонком поверхностном слое. Поэтому в данном случае целесообразно использовать измерения в отраженном свете. Наоборот, при слабом отражении от диэлектриков основным методом исследования является эллипсометрия в проходящем свете. В тех случаях, когда возможны соответствующие измерения в отраженном и проходящем свете, эллипсометрия в отраженном свете удачно дополняет эллипсометрию в преломленном свете, и наоборот. Следует отметить, что эллипсометрия позволяет не только определять оптические константы чистых поверхностей материалов, она позволяет также, исходя из непосредственно измеряемых параметров эллипса поляризации, определить характеристики тонких поверхностных пленок, возникающих вследствие адсорбции и т. д., например толщину (вплоть до долей ангстрема) и показатель преломления (с точностью до 10" ) поверХНОСТНОГО слоя. [c.64]

Транзистор эпитаксиальный — транзистор, изготовленный путем напыления тонких пленок на поверхность полупроводниковой пластины, которая обычно служит коллекторной областью будущего транзистора преимущества возможность одновременного изготовления большого числа транзисторов, близких один к другому по параметрам, высокие граничные частоты, малые объемные сопротивления [9]. [c.159]

Изучение переходов в тонких пленках или других образцах малых размеров могло бы оказаться хорошей проверкой для теории, использующей концепцию параметра упорядочения, например теории Гортера и Казимира. Если размеры образца достаточно малы, то параметр упорядочения ш не будет меняться вдоль образца, хотя в случае, когда образец помещен в сильное магнитное поле, его величина может заметно отличаться от соответствующего равновесного значения в нулевом поле Полная свободная энергия во внешнем ноле Яд складывается пз свободной энергии в поле, равном нулю, и магнитной энергии [c.742]

Аналогичная зависимость имеет место при течении тонких слоев при различных физических воздействиях, в частности электрических нолей большой интенсивности рис. 1.6 [18]. Из всего многообразия экспериментальных данных на рис. 1.6 представлены те значения параметров пленки (число Рейнольдса и напряженности электрического поля), при которых наблюдается самоорганизация. [c.15]

Сходство процессов массопередачи в волновой пленке на гладкой поверхности и поверхности с регулярной шерохова гостью проявляется в зависимости интенсивности массоотдачи от длины. Эта зависимость проявляется опосредованно через зависимость числа Рейнольдса от волнового числа. Для стенки с регулярной шероховатостью, как и для гладкой стенки, существуют некоторые параметры, характе- [c.25]

Будем исходить из выражения для дифференциала поверхностной свободной энергии пленки. Пусть S — площадь поверхности пленки (ее внешний параметр а). Так как элементарная работа увеличения поверхности пленки на dZ равна 5 F=—adS, где а — поверхностное натяжение, то обобщенная сила, сопряженная параметру S, будет А=—а и дифференциал энергии Гельмгольца для пленки равен dF= — Sdr-t-adS, откуда [c.111]

Таблица 25.30. Основные параметры вторичной ионной эмиссии пленок чистых металлов [34]

Возмущенные значения скорости и давления также пропорциональны множителю Q p ikx - /со О- Описание возмущенного движения осуществляется на основе полных уравнений Навье—Стокса при сохранении во всех соотношениях тех членов, в которые возмущенные величины входят лишь в первой степени (отсюда название линейная теория ). С точностью до линейных по возмущениям величин записываются и граничные условия на стенке и свободной поверхности пленки. Последние учитывают действие силы поверхностного натяжения (из-за искривления поверхности). Предполагается также, что трение на свободной поверхности пленки равно нулю. Линейная теория описывает полностью (с точностью до абсолютного значения амплитуд возмущенных величин) возникающее движение и позволяет установить значение частот со при известных волновых числах к и остальных параметрах задачи. Исследование этой зависимости и составляет центральную задачу линейной теории устойчивости. [c.166]

Записать в рабочий журнал описание опыта методику получения свободной пленки параметры пленки объем взятого для титрования раствора и расход AgNOs на титрование, [c.166]

Так как серпаптинная доменная структура возникала в пленках, параметр решетки которых имел несоответствие кратности параметру решетки MgO как в большую, так и в меньшую сторону, то несоответствие в качестве объяснения возникновения напряжений должно быть исключено. [c.179]

Теплофизические параметры конденсата в формулы (10.14), (10.15) следует подставлять при температуре насыщения а и (i, при температуре стенки. Вдоль поверхности, наклоненной под углом ф к вертикали, конденсат стекает медленнее, пленка его получае1СЯ толще, коэффициент теплоотдачи в соответствии С формулой а = Х/б ниже, т. е. [c.88]

Фотообработка осуществляется на автоматах рольного тина с применением новых радиографических пленок (РТ1Д и др.] и в ускоренных процессах проявления и фиксирования. Новые пленки обладают лучшей сггектральной чувствительностью, в особенности нри поддержании требуемой температуры проявителя, воды, сушки и других параметров. Автомат состоит из ряда вращающихся роликов, перемещающих пленку. В автомате АФ-40 обрабатываются пленки размером 400x100 мм. [c.121]

Шероховатость влияет на прочность деталей, так как впадины неровностей поверхности являются концентраторами напряжений и способствуют разрушению, особенно при переменных нагрузках. У.меньшение шероховатости поверхности деталей повышает их сопротивление усталости, а также коррозиестой-кость. При недостаточно гладких трущихся поверхностях в подвижных соединениях соприкосновение их происходит в отдельных точках, смазка в этих местах выдавливается, нарушается непрерывность масляной пленки и создаются условия для полусухого и сухого трения. Это приводит к повышенному износу поверхностей и увеличению трения. Шероховатость поверхности также влияет на размеры зазоров и натягов в соединениях, плотность и герметичность соединений, отражательную способность поверхности, точность измерения деталей и т. д. Шероховатость нормируется по ряду параметров, устанавливаемых ГОСТ 2789-73, [c.103]

В отличие от активных модуляторов добротности, у которых момент выключения потерь определяется в)1еш-ними факторами, включение добротности пассивными модуляторами полностью определяется плотностью излучения внутри резонатора и их оптическими свойствами. В качестве пассивных модуляторов (или пассивных затворов) могут использоваться просветляющиеся фильтры, пленки, разрушающиеся под действием излучения, полупроводниковые зеркала с коэффициентом отражения, зависящим от интенсивности света, органические красители и т. д. Особое место среди пассивных затворов занимают затворы на основе просветляющихся фильтров. Исключительная простота таких затворов в сочетании с высокими параметрами получаемых с их помощью моноимпульсов излучения обеспечила им весьма широкое распространение. В основе работы этих затворов лежит способность просветляющихся фильтров обратимо изменять коэффициент поглощения под действием интенсивных световых потоков. Введение в резонатор пассивного затвора (рис. 35.10) приводит к увеличению порогового уровня накачки, в результате чего к моменту начала генерации па метастабилышм уровне накапливается значительное число активных частиц. При возникновении генерации лазерное излучение, проходящее через затвор, резко уменьшает его потери и запасенная энергия излучается в виде мощного импульса. Длительность этого импульса почти такая же, как и в режиме мгновенного включения добротности. Применение этих затворов значительно упрощает конструкцию генератора и позволяет получить параметры выходного импульса, близкие к предельным. [c.284]

В п. 30 рассмотрена зависимость глубины проникновения от поля, обусловленная как изменением параметра упорядочения п , так и истиннонелинейными членами в теории. В п. 31 обсуждается вопрос о том, как зависят переходы в тонких пленках и других образцах малых размеров от поверхностных эффектов и от изменения параметра упорядочения. [c.732]

Показана особенность течения волновой пленки жидкос 1н зависнмос гь толщины пленки от расходных параметров проходит через экстремальное значение. [c.21]

Массоперенос в режиме восходящего прямоточного течения. В высокопроизводительных высокоскоростных массообменных аппаратах массоперенос в пленку жидкости осуществляется в интенсивных гидродинамических режимах. Пленка жидкости при значительных касательных напряжениях на поверхности раздела фаз поднимается вверх. Происходит движение пленки жидкости в спутном потоке газа. За счет интенсивного взаимодействия газа массоперенос значительно ускоряется. Коэф-фиг(иент массопереноса зависит от режимных параметров обеих фаз. Вопрос о механизме ускорения массопередачи до настоящего времени остается откр(.1тым, хотя известна гипотеза, объясняющая ускорение влиянием газового потока на волновые характеристики, имеющие в снутном потоке характер случайных величин [1, 44, 45 . [c.29]

Таблица 29.29. Типичные значения магнитостатических параметров некоторых пленок ферритов-гранатон с

Теоретическая непредсказуемость этого параметра особенно наглядна из-за так называемого гистерезиса смачивания , т.е. различия в определенных опытным путем краевых углах смачивания при натекании и оттекании жидкости. Из-за этого эффекта минимальный расход жидкости, обеспечивающий сплошность пленки, натекающей на сухую поверхность, всегда намного больше, чем тот минимальный расход, при котором начинается распад сплошной пленки на ручейки. Ясно, что традиционный анализ устойчивости, рассмотренный выше, не может предсказать потерю сплошности пленки. Уравнение (4.20) дает верхнюю границу расхода, при которой пленка сохраняет устойчивость, а при распаде пленок на ручейки необходимо определить нижнюю границу устойчивости (сплошности) пленки. [c.172]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...