Момент диполя полный

Как мы уже говорили, распределение можно с хорошим приближением считать непрерывным, т. е. момент диполей можно рассматривать как непрерывную функцию координат (и времени) р- р(г, i). Концентрацию N также будем считать непрерывной функцией координат Л (г). В этом случае полный электрический дипольный момент Р единицы объема определяется формулой (2.3.14), т. е. [c.106]

В известном устройстве для регулирования угловой скорости вращающеюся КА, основу которого составляют электромагниты, управляемые блоком магнитометров через коммутирующее устрой-ство (патент США № 3489372, 13.01.70, В64 1/10), управляющий момент создается за счет взаимодействия магнитного диполя катушек с магнитным полем Земли. Недостатками этого устройства являются большое энергопотребление, малое быстродействие, зна-чительная масса, снижение эффективности по мере увеличения высоты полета и полная непригодность для межпланетных перелетов космических аппаратов. [c.164]

В достаточно плотном газе за счет межмолекулярного взаимодействия происходит полное или частичное снятие вырождения энергетических уровней молекул, а также сильное перемешивание состояний с различными М и /. В [3] отмечается, что дипольные моменты переходов между такими состояниями можно представить также в виде суммы линейных и круговых диполей. При отсутствии внешних полей постоянные дипольные моменты молекул равномерно распределены по всем ориентациям, дипольные же моменты отдельных переходов анизотропны. Следовательно, газ, даже в отсутствие внешнего поля, является поляризационно неоднородной средой, и результат взаимодействия излучения с газом а, следовательно, и форма контура спектральной линии будет зависеть от поляризации излучения. [c.103]

С физической точки зрения это разложение весьма удобно в случае локализованных волновых функций. Такими функциями описываются валентные электроны молекул жидкостей и газов, групп молекул в твердых телах и локализованных парамагнитных ионов. Матрицу плотности можно разложить в комбинированный ряд по степеням Е, Н и УЕ. Средние значения электрического дипольного момента, магнитного дипольного момента и электрического квадрупольного момента можно представить в виде суммы фурье-компонент, каждой из которых соответствует комбинированный ряд по степеням амплитуд электрического и магнитного поля и их градиентов. Эта процедура не представляет принципиальных трудностей, но довольно громоздка. Члены, связанные с магнитным дипольным и электрическим квадрупольным моментами, описывают генерацию второй гармоники в кристаллах с центром инверсии экспериментально этот эффект наблюдался в кальците. Полный перечень всех квадратичных членов для электрического диполя, магнитного диполя и электрического квадруполя недавно был дан Адлером [13]. [c.79]

Иногда ядерные спины в твердых телах образуют небольшие группы, внутри которых расстояния между спинами заведомо меньше, чем расстояния между соседними группами спинов. Так как диполь-дипольное взаимодействие быстро уменьшается с расстоянием, то в первом прибли-женик можно рассматривать такую группу как изолированную систему и вычислять ее энергетические уровни во внешнем поле Но, Резонансная линия такой системы имеет тонкую структуру, которая значительно усложняется, когда число спинов, составляющих группы, увеличивается. Этот спектр, состоящий из дискретных линий, уширяется вследствие влияния спинов, относящихся к соседним группам, но тем не менее тонкая структура может сохраняться и ее изучение дает более полную информацию, чем простое рассмотрение второго момента резонансной линии. Чтобы проиллюстрировать способ, с помощью которого получается упомянутая информация, рассмотрим несколько примеров. [c.203]

Таким же образом было найдено, что интенсивности линий Вг" (спин /2)г Вг (спин /2), 3 (спин /2) в монокристаллах КВг и КЗ должны быть соответственно 0,4 и 0,3 от ожидаемых интенсивностей [13]. Аналогичным образом установлено [14], что в опилках металлической меди (/ — /2) отжиг увеличивал сигнал в 2,5 раза. Для объяснения предполагалось, что в отожженном металле наблюдается полная интенсивность, тогда как в начальном образце суш ествование дислокаций (устраненных отжигом) приводило к исчезновению побочных линий вследствие квадрупольного уширения первого порядка. Между прочим, отметим, что если условия (VII.30) выполняются, то дипольная ширина центральных компонент действительно меньше, чем ширина полной линии в совершенном кристалле. Причина, как уже указывалось в гл. IV, состоит в том, что переходы между двумя соседними спинами —У2 <— /2, т т — 1с т Ф =7 /4 не происходят одновременно, так как вследствие квадрупольного уширения они соответствуют разным частотам. Второй момент центральной линии, обусловленной диполь-дипольным взаимодействием, определяется (1 .65). [c.223]

Момент электрического диполя, электрический Момент элементарного электрического тока, магнитный момент магнитного диполя, магнитный Мощность электрической цепи мощность электрической цепи, активная Мощность электрической цепи, полная Мощность электрической цепи, реактивная [c.213]

К проявляющимся в этих веществах конкурирующим взаимодействиям, влияющим на установление разл. видов магн. упорядочения, относятся обменное взаимодействие и косвенное обменное взаимодействие ферро-п антиферромагн. характера зависящее от взаимной ориентации магн. моментов диполь-дипольное взаимодействие, осциллирующее РККИ-обменное взаимодействие. В регулярных кристаллич. структурах такие взаимодействия могут приводить к появлению сложной неколлинеарной магнитной атомной структуры (в т. ч. несоизмеримой). В нерегулярных твердотельных системах (аморфных веществах, неупорядоченных двух-или многокомпонентных сплавах и твёрдых растворах) благодаря конкуренции и хаотич. взаимному расположению магн. а примесных ионов (вызывающих иногда случайное изменение локальной оси маги, анизотропии) возникает фрустрация магн. моментов, приводящая к образованию состояния С. с. В этом случае для расчёта наблюдаемых физ, величин кроме обычного термодвнамич. усреднения по ансамблю систем е Гиббса распределением вероятности (обозначаемого <...)) необходимо дополнит, усреднение (обозначаемое чертой сверху) по всем возможным реализациям хаотич. расположения маги, моментов или набора взаимодействий между ними при этом в качестве ф-цНи распределения обычно выбирается комбинация дельтафункций или Гаусса распределение. Полное (но математически сложное) решение задачи усреднения по случайным конфигурациям для свободной энергии С. с, даёт т. н. метод реплик (от франц. replique — копия, образ). [c.634]

Таким образом, у фотона нет s-, р-, d- и других состояний с определенными значениями I. Однако для фотонов существуют аналоги таких состояний, называемые мультиполями. Мультиполь электромагнитного поля — это состояние свободно распространяющегося поля, обладающее определенными полным моментом L и четностью П. Можно показать, что для свободного фотона возможны состояния с полными моментами L = 1, 2, 3,. .. При этом для каждого значения момента существует одно состояние с положительной четностью и одно — с отрицательной. Обратим внимание на то, что для фотона отсутствует состояние с нулевым полным моментом. Каждое состояние фотона с определенными моментом и четностью называется мультиполем определенного типа. Именно, состояние с моментом L и четностью (—1) называется электрическим 2 --полем, а состояние с моментом L и четностью (—1) — магнитным 2 -полем. В частности, низшие мультиполи имеют следующие названия диполь — при L = 1, квадруполь — при 1 = 2, октуполь — при [c.162]

L = 3. В соответствии с только что сказанным электрические диполь и октуполь, а также магнитный квадруполь — нечетны, в то время как магнитные диполь и октуполь, а также электрический квадруполь — четны. Для обозначения v полному моменту L. Например, электрический дипольный квант обозначается через 1, магнитный дипольный — через М, электрический квадрупольный — через 2, и т. д. [c.163]

Спонтанно поляризованные области располагаются в керамике неравномерно по различным кристаллографическим направлениям, так что снаружи электрического момента не возникает. Для обращения электрострикционного эффекта в пьезоэлектрический элементы из керамики титаната бария должны быть поляризованы сильным постоянным электрическим полем. Под воздействием внешнего постоянного электрического поля происходит переориентация элементарных диполей, в результате чего в керамическом элементе появляется результирующая поляризация. Полная поляризация до насыщения зависит от продолжительности процесса и величины приложенного электрического поля. [c.314]

У С. 8 сильно изменяется с изменением напряженности поля, подобно магнитной проницаемости ферромагнетиков. С. роднит с ферромагнетиками и гистерезисная петля зависимости заряда от приложенного к обкладкам сегнетоконденсатора напряжения, аналогичная кривой пере-магничивания. Время установления поляризации в сегнетоэлектрич. области темп-р заметно больше, чем при др. темп-рах, и в сильной степени зависит от напряженности поля. Вследствие этих аналогий свойств с ферромагнетиками С. за рубежом нередко называют ферроэлектриками. Насыщение поляризации наступает при почти полной ориентации диполь-ных моментов в соответствии с полем. При возникновении спонтанной поляризации в точке Кюри, а также при изменении внешнего электрич. поля наблюдается деформация образца — электрострикция. Поляризованные С. в сегнетоэлектрич. области темп-р являются пьезоэлектриками. Потери С. обусловлены как токами утечки, так и электрострикционными деформациями. Выше или ниже сегнетоэлектрич. области вещество ведет себя как обычный диэлектрик— исчезает доменная структура и зависимость е от Е. Темп-ра перехода из сегнетоэлектрич. в несегнетоэлектрич. состояние наз. точкой Кюри (6). В точке Кюри осуществляется переход из одной кристаллография. модификации вещества в другую. Для точки Кюри характерен максимум в температурном ходе диэлектрич. проницаемости. Ввиду низкой механич. прочности, малого температурного интервала пьезосвойств, плохой влагостойкости и др. недостатков применение сегнетовой соли в качестве С. крайне ограничено. В основном применяется сегнетокерамика (см. Керамические радиотехнические материалы), ],ля к-рой характерна достаточная механич. прочность, тепло- и влагостойкость, возможность широкого изменения св-в в зависимости от состава и технология, режима получения материала. Диэлектрич. проницаемость е порядка 400—20 ООО может мало или весьма резко изменяться с изменением напряженности поля и темп-ры. Она резко снижается при частотах выше 10 гц. Тангенс угла диэлектрич. потерь порядка (20 н- 2000)-10 , номере приближения к точке Кюри уменьшается. Он также зависит от напряженности поля. Электрич. прочность пр=2—6 кв мм. [c.163]

Нарушения аксиальной симметрии нет (из-за невыгодности отклонения силовой линии от направления легкой оси) в одноосной УС с нормальной обкладкам легкой осью, к рассмотрению которой мы переходим. Материальное уравнение такой среды дается уравнением (16), ведущим к неравенству 01 Р. Поэтому теорема Гаусса для эквипотенциальной поверхности ограничивает сверху величиной Q /Р яе саму площадь этой поверхности, а лишь ее проекцию па плоскость тяжелой поляризации. Это ведет к локализации поля Е в пределах цилиндра радиуса гд с осью по оси диполя, означая одновременно равенство нулю всех мультинольпых электрических моментов полной (внешней и индуцированной) плотности заряда. Отсюда следует локализация поля Е — с точностью до членов, убывающих быстрее любой конечной степени расстояния — и в направлении оси диполя (см. конец п. 4). [c.212]

Щ1ей. Она превращает калодый атом р,,,. 2-3. Схема полнили ион в диполь, так как центры по- ризованного атома, ложительного и отрицательного зарядов уже не будут совпадать и между ними появится некоторое расстояние I (рис. 2-3). Поляризованная частица будет обладать элементарным электрическим моментом, Ч определяющимся уравнением [c.17]

Диамагнетизм связан с изменением орбитального движения электро-ньв, которое происходит при помещении атомов в магнитное поле. Следует напомнить, что в замкнутом электрическом контуре магнитное поле индуцирует ток всегда в таком направлении, чтобы противодействовать изменению полного магнитного потока. Таким образом, электрический ток действительно обладает отрицательной восприимчивостью. Этот эффект вызывает диамагнетизм и имеет место также в системе зарядов, описываемой квантовой механикой. С другой стороны, парамагнетизм связан со стремлением постоянных магнитов располагаться в магнитном поле так, чтобы их дипольный момент был параллелен направлению поля. В атомных системах постоянный магнитный момент связан в простейших случаях со спииом электрона. Но может также существовать постоянный момент у незаполненной атомной оболочки, возникающий при комбинации спинового и орбитального моментов. Если система более устойчива, когда атомные диполи параллельны, го такая система при низких температурах будет ферромагнитной. При высоких температурах ферромагнетизм исчезает это явление подобно плавлению твёрдого тела, потому что иеферромагнитное состояние менее упорядоченное и имеет ббльшую итропию, чем ферромагнитное. Силы между упорядоченными магнитными моментами в ферромагнитных веществах не похожи иа магнитные силы между диполями, а, как мы увидим в 143, имеют электростатическое происхождение. [c.605]

Среди диэлектриков, используемых в электронных компонентах, видное место занимают ионные неполярные твердые диэлектрики и в особенности ионные кристаллы, такие, как галогены щелочных металлов (например, Na l, Nal, Li l, LiBr,. ..). Ионные неполярные диэлектрики в общем случае содержат более одного вида атомов, но не имеют постоянных диполей и проявляют как ионную, так и электронную поляризуемость. Что касается их структуры, то для нее характерно регулярное трехмерное чередование положительных и отрицательных ионов поэтому кристалл в целом не имеет дипольного момента. Однако во внешнем электрическом поле решетка из положительных ионов смещается относительно решетки из отрицательных ионов, что приводит к ионной поляризации. Кроме того, оба типа ионов проявляют электронную поляризацию, так что полная плотность поляризации представляется в виде суммы поляризаций от этих двух вкладов [c.29]

На фиг. 97 изображены кривые поглощения натрия для разных значений радиочастотного. поля H2i взбалтывающего спины фтора при точном резонансе. На фиг. 98 приведена зависимость вто- рого момента линии, определенного из этих кривых, от амплитуды Нг взбалтывающего поля. Ясно видно, что использованное значение Нг недостаточно для полного усреднения (Av )Na-F. Боковые линии в описываемом опыте не были обнаружены. Трудность йЖ наблюдения состоит в том, что они недостаточно хорошо выделяются, если сОе I ненамного превышает энергию диполь-дипольных взаимодействий (в единицах частоты). В противоположном случае интенсивность боковых линий уменьшается на множитель 1 /со . Поэтому возможность их обнаружен ния существенным образом связана с величиной отношения сигнал—шум [c.529]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...