Нанометр

Все металлы в твердом состоянии имеют кристаллическое строение. Атомы в твердом металле расположены упорядоченно и образуют кристаллические решетки (рис. 1.1). Расстояния между атомами называют параметрами решеток и измеряют в нанометрах, С повышением температуры или давления параметры решеток могут изменяться. Некоторые металлы в твердом состоянии в различных температурных интервалах приобретают различную кристаллическую решетку, что всегда приводит к изменению их физико-химических свойств. [c.5]

Расстояния между центрами соседних атомов ( 1) являются атомными радиусами (размерность нм) Величина кристаллической решетки определяется ее параметрами (периодами). Например, решетки типа Кб, К8 и К12 имеют один параметр — сторону куба а. Параметры по абсолютным значениям имеют порядок атомных размеров и измеряются в нанометрах нм). [c.9]

На первый взгляд кажется, что образование монолитного соединения двух одинаковых монокристаллов с идеально гладкими и чистыми поверхностями возможно при любой температуре и без приложения внешней энергии. Для этого достаточно сблизить их поверхности на расстояние, соизмеримое с параметрами кристаллической решетки (порядка долей нанометра). Тогда между сопряженными атомами возникнут связи, граница раздела А (рис. 1.1) исчезнет и произойдет сварка. Такой процесс кажется вероятным и не противоречит второму началу термодинамики, так как свободная энергия системы при этом должна уменьшиться на величину энергии двух исчезнувших поверхностей раздела. [c.11]

ВОЛНЫ, соответствующая электронам, очень мала. Она имеет порядок нескольких тысячных нанометра, ибо обычно применяются электроны с довольно большими скоростями (соответствующими ускоряющей разности потенциалов 40—60 кВ). Тем не менее, как мы видели в 97, для рассмотрения основного вопроса о разрешающей силе микроскопа надо принять во внимание, что длина волны [c.360]

Кристалл одного вещества заменить кристаллом другого. Явлению этому можно дать полное количественное истолкование, если допустить, что рентгеновские лучи суть волны, испытывающие дифракцию на пространственной решетке, каковой является кристалл. Действительно, кристалл представляет собой совокупность атомов, расположенных в виде правильной пространственной решетки. Расстояние между атомами составляет доли нанометров (для кристалла каменной соли, например, расстояние от Ыа до С1 равно 0,2814 нм). Каждый атом решетки становится центром рассеяния рентгеновских волн, когерентных между собой, ибо они возбуждаются одной и той же приходящей волной. Интерферируя между собой, эти волны дают по известным направлениям максимумы, которые вызывают образование отдельных дифракционных пятнышек на фотографической эмульсии. По положению и относительной интенсивности этих пятнышек можно составить представление о расположении рассеивающих центров в кристаллической решетке и об их природе (атомы, атомные группы или ионы). Поэтому явление дифракции, будучи важнейшим и непосредственным доказательством волновой при- [c.408]

Числа у стрелок указывают длины волн в нанометрах. [c.793]

Рис. 16. Схема энергетических уровней и переходов между ними у атома водорода. Длины волн спектральных линий даны в нанометрах

Тугоплавкие металлы имеют достаточно высокое р и сравнительно небольшой ТКр, Эти металлы и их сплавы применяются для изготовления нагревательных элементов, работающих в вакууме или в инертной среде, термопары для измерения высоких температур. Тонкие плёнки (десятки -сотни нанометров) тугоплавких материалов, нанесённые на диэлектрические подложки, используются в качестве резисторов в интегральных микросхемах. [c.28]

Из четырех видов зондирующих потоков частиц (электроны, ионы, нейтральные частицы и фотоны) электронные пучки для исследования поверхностей твердых тел начали применяться раньше и значительно шире других. Это связано с простотой получения электронных р чков заданной энергии плотности, а также с легкостью фокусировки их в зонд малого диаметра на поверхности. Электронный луч в современных зондовых устройствах можно фокусировать до единиц и даже долей нанометра, т е. инструмент по размерам приближается к атомным. На настоящий момент электронно-зондовые методы анализа по областям применения и распространенности преобладают как в научных исследованиях, так и в современных производственных лабораториях [72], [c.151]

Энергия электронов в первичном пучке, а также диаметр зонда определяют локальность метода. Так, при диаметре зонда в сотни нанометров локальность по площади обычно не менее 0,4—1 мкм. При использовании энергии первичного пучка электронов с энергией 30 кэВ разрешение по глубине для матрицы со средней величиной Z составляет [c.157]

Параметр — - расстояние между центрами соседних атомов по избранному направлению. Оно выражается в нанометрах (нм) или анг- [c.8]

Приводим ориентировочные размеры пор (в нанометрах), встречающихся в различных электроизоляционных материалах [c.75]

Таким образом, проведенные рентгеноструктурные исследования свидетельствуют о формировании в результате ИПД состояния, характеризующегося размером зерен-кристаллитов в десятки нанометров, высоким уровнем микроискажений, измененным параметром кристаллической решетки, повышенными атомными смещениями, пониженной температурой Дебая, несколько повышенным диффузным фоном рассеяния рентгеновских лучей. Все это свидетельствует о специфичности дефектной структуры наноматериалов, полученных с использованием интенсивных деформаций, что должно быть учтено при разработке структурной модели ИПД материалов (см. 2.3). [c.80]

В условиях трения скольжения физическая модель нормального трения и износа включает следующие основные процессы, протекающие в поверхностных слоях металла текстурирование и активизацию поверхностных слоев толщиной порядка десятков нанометров, образование вторичных структур и их разрушение [29]. [c.12]

Толщина слоя, осаждаемого в вакуумной среде с помощью конденсации, может изменяться от нанометра до десятков микрометров. Можно применять любой металл, способный испаряться в вакууме. Алюминиевые покрытия, не имеющие по- [c.103]

Измерение длин волн и соответствующих им частот производится обычными единицами длины и частоты, причем естественно, что в области длинных волн в каче- стве единиц длины применяются метр и сантиметр световые и более короткие волны измеряются в микрометрах, нанометрах. Частоты обычно измеряют в герцах для радиоволн применяются килогерцы и мегагерцы. [c.282]

Поэтому можно установить связь между измеренной в нанометрах длиной волны спектральной линии и соответствующей ей энергией, измеренной в электрон-вольтах. Это тем более имеет смысл, что часто возбуждение атома на более высокий энергетический уровень, при переходе с которого в нормальное состояние он излучает квант энергии, производится электронным ударом. Из соотношения [c.318]

Соотношение Джозефсона между частотой и напряжением. При приложении напряжения к двум сверхпроводникам, разделенным тонким (порядка одного нанометра) слоем диэлектрика, через образующийся при этом неплотный контакт идет переменный сверхпроводящий ток, частота которого связана с напряжением соотношением [c.351]

Средняя толщина пленок с островковой структурой зависит от температуры подложки, температуры испарителя, скорости осаждения, поверхностных энергий пленки и подложки. Эта толщина составляет от нескольких десятков до нескольких сотен нанометров для тугоплавких металлов W Мо, Re, Та, для Ап она составляет несколько десятков нанометров. [c.434]

Вначале возьмем магнит при абсолютнохм нуле, когда все элементарные магниты выстроены в линию. Его вид не меняется при изменении масштаба. Простирается ли наше окно для наблюдений от 1 до 100 нанометров или же от 1 до 100 микрометров - мы в1)дим идеальный порядок. Можно взять наименьшую различимую ячейку (нанометровый или соответственио микрометровый блок) в качестве элементарного магнита и обнаружить, что при абсолютном нуле они идеально выстроены в линию. [c.84]

Расчеты по формуле (162) показывают, что количество дислокаций в сколлении достигает 10 —10 когда величина локальных касательных напряжений у вершины скопления равна 0,7 G. Такое количество дислокаций при выходе на поверхность кристалла образует ступеньку порядка нескольких тысяч нанометров, что хорошо согласуется с экспериментальным определением высоты ступенек. Это подтверждает принципиальную возможность образования в плоскости (пачке) скольжения достаточно мощного скопления дислокаций для образования трещины по механизму Стро—Мотта. Особенностью указанной теории является то, что для образования субмикротрещины необходимо накопление достаточного количества дислокаций, обусловливающих пластическое течение, значительно большее, чем это необходимо для возникновения скольжения в соседних зернах. [c.427]

В уровень внутренних напряжений в нанокристаллах, имеющих размер зерен в несколько десятков нанометров, могут давать вклад не только линейные дефекты. Было, например, показано, что напряжения, вызванные поверхностным натяжением, могут вызывать значительные напряжения в наноструктурном Pd [83]. Близкодействующие поля точечных дефектов также важны в случае очень маленьких размеров зерен [118]. Следовательно, можно ожидать, что избыточная энергия скомпактированных нанокристаллов может иметь иную природу, чем в материалах, полученных методом ИПД. Однако этот вопрос требует дальнейщих исследований. [c.113]

Активация металла происходит в местах выхода плоскостей скольжения на поверхность, т. е. локально (расстояние между плоскостями скольжения измеряется десятками и сотнями нанометров). Неактивированная поверхность, имеюш,ая значительно большую площадь, может представлять собой весьма эффективный катод. [c.60]

Поверхность твердого тела. Как бы тщательно ни была изготовлена поверхность твердого тела, она всегда обладает значительной (по сравнению с атомными размерами) шероховатостью. Самая идеальная поверхность, которую можно получить при разделении кристалла по плоскости спайности, имеет неровности порядка 10 нм значительно более грубой шероховатостью (сотни — тысячи нанометров) обладают поверхности, полученные механической об-узаботкой. [c.78]

Кроме того, поверхность твердых тел никогда не бывает чистой. Свежесколотая поверхность кристалла обладает столь высокой активностью, что практически мгновенно покрывается молекулами окружающей среды, образующими на ней адсорбированные пленки. На металлах и полупроводниках прежде всего образуются окисные пленки, толщина которых может меняться от мономолекулярного слоя, как это имеет место для благородных металлов (Ag, Au, Pt), до десятков-сотен нанометров. Помимо окисных пленок, поверхность может захватывать достаточно толстые слои воды, жира и других веществ из окружающей среды. Прочность закрепления адсорбированных слоев, особенно окисных пленок, весьма высокая, и удаление их с поверхности представляет большие трудности. [c.78]

Наряду с термоэмиссионным механизмом прохождения тока через тонкие диэлектрические пленки возможно и туннелирование электронов сквозь потенциальный барьер, образованный диэлектриком (рис. 10. 6, й). Как следует из выражения (3.40), вероятность туннелирования резко возрастает с уменьшением высоты барьера Ф = [У — и его толщины d. Поэтому в очень тонких слоях (единицы нанометров) tyннeльнын ток может достигать величины, сравнимой с током надбарьерной инжекции и даже существенно превышать его. [c.277]

Высказано предположение, что понижение точки замерзания (или плавления) можно интерпретировать, исходя только из свойств вещества в адсорбированном состоянии, для которого условия кристаллизации и плавления будут иными, чем в объеме нормальной жидкости. В связи с этим следует отметить некоторые особенности поверхности льда. На основании чисто теоретических расчетов Флетчер [53] нашел зависимость толщины квазнжидкой пленки воды на поверхности льда от температуры. Так, при температуре —20 °С толщина пленки воды составляет единицы нанометров. Экспериментальное подтверждение существования квазижидкой пленки [c.50]

Несмотря на то что решением XIII Генеральной конференции по мера.м и весам название микрон и обозначения мк и д отменены, их до сих пор можно встретить в литературе. В спектроскопии и атомной физике применялся ангстрем 1 А = 10 °м = 10 см = = 10 мм = Ю мкм. Размеры атомов и простейших молекул порядка нескольких ангстрем, а видимая область спектра лежит в пределах от 4000 до 7600 А. В настоящее время ангстрем практически полностью вытеснен нанометром - едиьшцей, в десять раз более крупной. [c.123]

Прибор настраивается пв образцовой детали при помощи переключателя 5 и манометра 8 Переключатель 5 служит для настройки шкалы манометра по двум крайним предельным размерам. Нанометр 8 позволяет так же визуально наблюдать за размером обрабатываемой детали. Цена деления шкалы манометра 2,5 мкм. Пределы измеревия 0,1 мм. Погрешность прибора порядка 2-3 мкм. [c.161]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...