Выращивание монокристаллов по методу Чохральского

Рис. 3.25. Схема установки для выращивания монокристаллов по методу Чохральского

НИЯ с примесью. В лигатуре примесь содержится уже в значительных количествах (составляет проценты). Легирование германия производят при вытягивании монокристаллов по методу Чохральского ( 14.10). При выращивании монокристаллов затравка ориентируется в направлении (1111 с отклонением не более 2°. [c.95]

Монокристаллы ниобата бария-стронция выращиваются по методу Чохральского. Нагрев осуществляется либо в печах сопротивления, либо токами высокой частоты. Из иридиевых тиглей получают кристаллы темно-янтарного цвета, которые длительным отжигом в атмосфере кислорода могут быть частично обесцвечены. Выращивание в платиновых тиглях позволяет получить бесцветные образцы. Исходными реактивами служат, как правило, карбонаты бария и стронция и пятиокись ниобия. Реже используются азотнокислые соли. Все материалы должны быть марки осч . [c.152]

Выращивание монокристаллов твердых растворов нио-бата бария-стронция по методу Чохральского, как правило, проводится с использованием индукционного нагрева на стандартной кристаллизационной установке (рис. 4.36). Она состоит из ростовой камеры, на которой размещаются механизмы подъема и вращения штока, вакуумной системы, стойки с двигателями постоянного тока,, ВЧ генератора, устройства, согласующего генератор с индуктором, и пульта управления. Скорость вращения верхнего водоохлаждаемого штока может плавно изменяться в пределах [c.156]

Выращивание монокристаллов и структурные свойства. Кристаллы выращивались по методу Чохральского в камере с высокочастотным нагревателем. Условия выращивания были типичными для этого метода температурный градиент над поверхностью расплава 100 К см , скорость вытягивания из расплава 5 мм ч , скорость вращения затравки 30 об/мин, скорость охлаждения кристалла после окончания процесса кристаллизации 15 К-Ч-. [c.277]

Выращивание кристаллов этих соединений, в частности арсенида галлия, по методу Чохральского, такое же, как германия и кремния, но с магнитным управлением, с направленной кристаллизацией. Схема установки для выращивания монокристаллов арсенида галлия представлена на рис. 5.5. [c.251]

В последнее время все большее развитие начинает получать процесс синтеза арсенида галлия, совмещенный с выращиванием его монокристалла из-под слоя флюса методом Чохральского. Синтез поликристаллического фосфида галлия проводят в автоклавных установках под давлением инертного газа 60—80 ат. Пары фосфора пропускают через расплав галлия, имеющий температуру 1500° С. Монокристаллы фосфида галлия получают вытягиванием из расплава по методу Чохральского. [c.246]

Метод Чохральского (рис. 25) позволяет выращивать монокристаллы достаточно больших размеров, которые по степени структурного совершенства являются одними из лучших среди монокристаллов таких же соединений, выращенных другими методами. При выращивании монокристалла монокристаллическую затравку 5, например граната, закрепляют в тугоплавкой свече 4, 54 [c.54]

Метод выращивания монокристаллов из расплава (метод Чохральского), как правило, обеспечивает высокие скорости выращивания и получение больших по размеру кристаллов. [c.81]

Выращивание монокристаллов. Как упоминалось выше, первые кристаллы Ba2LiNb50is были выращены по методу Чохральского [10]. Уже в первых опытах, чтобы избежать растрескивания кристаллов, авторы применили медленное охлаждение непосредственно в ростовой камере. Растрескивание кристаллов может быть следствием больших упругих напряжений, возникающих в процессе остывания. Эти вопросы были детально исследованы в [c.248]

Монокристаллы кремния получают несколькими методами [11, 16, 50], причем обычно применяются метод Чохральского [16] и его модификации 191]. По этому методу затравка для монокристалла погружается в расплавленный кремний, поддерживаемый при температуре плавления, и затем медленно вытягивается из него. При этом обычно плавка проводится в чистых кварцевых тиглях, а по постеднему методу [171 при выращивании небольших совершенных кристаллов применяется держатель из кремния, к которому крепится плавильная ванна из кремния на подвижном и1токе. Типичные монокристаллы, полученные по методу Чохральского, показаны на рис. 3. [c.338]

Механическую подпитку кристаллизуемого расплава жидкой фазой чаще всего осуществляют при выращивании кристаллов методом Чохральского. Наибольщее распространение получили две модификации этого метода первый — вытягивание монокристалла из расплава в плавающем тигле или в тигле, механически перемещающемся относительно внещнего контейнера, с которым они связаны капиллярным каналом (рис. 7.4) второй метод — вытягивание кристалла из тигля, разделенного перегородкой, через которую рабочая и подпитывающая части тигля соединены капиллярным каналом (рис. 7.5). В обеих модификациях в рабочем режиме в соединительном канале идет непрерывный поток расплава по направлению к рабочему объему. При этом перенос примесного компонента в канале состоит из двух частей потока, вызванного потоком жидкости, и потока, обусловленного молекулярной диффузией. Для управления процессом выравнивания состава вытягиваемого кристалла необходимо, чтобы перенос примеси в канале осуществлялся только механическим перетоком расплава, а выравнивающее действие молекулярной диффузии было подавлено. Это условие легче всего выполняется при использовании длинных и узких соединительных каналов-капилляров. [c.273]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...