Осаждение термическое из газовой

Неодим 340—343, 355 Никель 19, 292, 293, 304, 400 Ниобий 340—343, 352 Нихром 28, ПО, 111, 255—257 Ортоферриты 486, 488, 490 Осаждение термическое из газовой фазы 432 [c.525]

Второй способ получения углерод-углеродного КМ состоит в осаждении углерода из газовой среды, образующейся при термическом разложении углеводородов (например, метана), на волокнах каркаса заготовки [c.463]

Для осаждения покрытий из газовой фазы при термическом испарении используются герметизированные камеры-печи и вакуумные установки с автоматизированным регулированием температуры. [c.369]

Осаждение тугоплавких металлов и сплавов из газовой фазы путем термического разложения паров летучих соединений металлов требует нагрева покрываемой поверхности, зачастую до высоких температур. Это исключает возможность покрытия материалов с невысокой температурой плавления или рекристаллизации, получения пленок тугоплавких металлов при относительно низких температурах (что необходимо для ряда физических исследований) и, в известной мере, усложняет технологический процесс. Кроме того, высокие температуры осаждения покрытия способствуют интенсивной диффузии и загрязнению покрытия материалом [c.89]

Термическое осаждение из газовой фазы позволяет получать изоляционные, проводниковые и полупроводниковые слои. Перенос вещества осуществляется газом-носителем. Наиболее часто термическое осаждение из газовой фазы используется для нанесения пленок окиси кремния и полупроводниковых пленок на поверхности кремния или сапфира. Можно получать этим методом и различные металлические пленки. [c.432]

При большой толщине покрытия из карбида титана в процессе охлаждения после химического осаждения из газовой фазы образуются трещины, обусловленные образованием значительных термических напряжений растяжения в покрытии в процессе охлаждения. [c.145]

Нитридная высоконагревостойкая керамика может быть получена путем непосредственного воздействия азота, аммиака или других азотсодержащих соединений на порошок металлов и неметаллов или их гидриды, восстановления оксидов элементов в присутствии азота, аммиака, термической диссоциации соединений, содержащих Сг, Вг или А1 и азот, осаждения из газовой фазы. [c.252]

Многообразие материалов и методов получения не позволяют сделать каких-либо обобщающих выводов о механизмах поляризации в ЭНП. Характеры частотных зависимостей бг и tg б в каждом отдельном случае будут определяться природой материала, структурой локальных уровней в запрещенной зоне, присутствием примесей и структурных несовершенств, природой контактов подложка — ЭНП и ЭНП —верхний электрод и др. Так, для большинства АОП характерна слабая зависимость 8г и tg б от температуры и от частоты в диапазоне 50 Гц—1 ГГц. Это позволяет считать, что в АОП преобладают электронная и ионная поляризации. Незначительная релаксационная поляризация связана, по-видимому, с перескоком электронов по локальным уровням в запрещенной зоне, и максимум tg б обычно наблюдается в области частот менее 1 Гц. В термических оксидных пленках и ЭНП, получаемых испарением или осаждением из газовой фазы, чаще всего наблюдаются частотные зависимости 8г и tg б, характерные для дебаевской поляризации, что связано с присутствием в этих ЭНП посторонних примесей. Диэлектрические потери проводимости в [c.259]

Поликристаллический селенид кадмия получают осаждением из водных растворов солей кадмия с помощью НгЗе. Монокристаллы выращивают из газовой фазы и из расплава под давлением. Тонкие пленки получают методом вакуумного термического испарения. Селенид кадмия применяется для изготовления фоторезисторов и в качестве оптического материала, прозрачного в ИК-диапазоне. [c.661]

Свойства осадков. Покрытия, осаждаемые из газовой фазы, часто имеют более высокую адгезию к подложке, когерентность и температурную стабильность, чем осадки, получаемые другими методами. Адгезия может ухудшаться нз-за протекания паразитных реакций между металлом, находящимся в газовой фазе, и примесями в покрываемом материале Мвг (это наблюдалось, например, при осаждении молибдена на сталь [29]), а также в случае сильного различия коэффициентов термического расширения Mei и Мв2. Чистота реагирующих веществ может сказываться на чистоте слоя Мег. Размер кристаллов Mei уменьшается с повышением концентрации реагирующих веществ и с понижением температуры в реакционной камере. [c.391]

Осаждение из паровой или газовой фаз — это такая технология, в которой покрытие наносится из газовой фазы на подогретую поверхность. Механизм осаждения покрытий может быть различным химическое восстановление, конденсация, пиролиз или термическое разложение и замещение. [c.208]

Обычная камера для осаждения из газовой фаЗы показана на рис. 53. Существуют камеры разных типов, что вызвано различием свойств осаждаемых материалов, температур осаждения, покрываемых изделий. Если осаждаемое соединение при комнатной температуре газообразно, то испарительная камера не нужна, так как газообразное соединение подается непосредственно в камеру осаждения. Для соединений, термически разлагающихся на нагретой поверхности, восстановительный газ не требуется. Изделие нагревается или индукционным методом, или излучением. [c.214]

Были также проведены эксперименты с покрытиями, осажденными из газовой фазы на диффузионные или гальванические покрытия. Успех их был небольшим из-за разницы в термическом расширении, вызывающей растрескивание покрытия при охлаждении после нанесения. [c.290]

Процессы вида ФЗ — четыре разновидности осаждения покрытий из веществ, образующихся в результате взаимодействия обрабатываемых поверхностей заготовки (о. м.) с активной обрабатывающей средой или веществами, входящими в ее состав. Схема 3.1 характеризуется осаждением покрытия непосредственно из активной обрабатывающей среды (электролитическое и химическое осаждение покрытий из растворов, осаждение покрытий из газовой и паровой фазы и пр.). Схема 3.2 представляет собой струйный вариант этих способов. Схема 3.3 отличается тем, что покрытие формируется в результате химического взаимодействия между материалом заготовки (о. м.) и активной рабочей средой (а. с.). Сюда могут быть отнесены термическое окисление, использование реакций самораспространяю-щегося высокотемпературного синтеза и другие способы. Схема 3.4 — это струйный вариант указанных способов. [c.37]

Суш,ествует много традиционных способов создания поверхностных слоев с повышенной износостойкостью [15, 27, 65. 68]. Наиболее широко применяются методы поверхностной закалки, поверхностного наклепа, различные химикотермические способы обработки (в первую очередь цементация и азотирование) и т. д. Все шире применяются методы, основанные на воздействии на поверхностные слои деталей потоков частиц (ионов, атомов, кластеров) и квантов с высокой энергией. К ним следует отнести в первую очередь вакуумные ионно-плазменные методы [26, 33, 34, 45, 71, 104] и лазерную обработку [16, 23, 38, 104]. Суш,ест-венио развились также способы осаждения покрытий из газовой фазы при атмосферном давлении и в разряженной атмосфере [1, 42, 54, 105]. Мош,ный импульс получило применение газо-термических методов нанесення покрытий в связи с развитием плазменных- [c.152]

Уменьшения проницаемости графитовых материалов можно добиться нанесением защитных покрытий введением в сырье кремния, фосфора уплотнением пропиткой органическими веществами с последующей термической обработкой уплотнением пропиткой ргсплавами металлов или их солей осаждением углерода из газовой фазы на поверхности изделия или в поры графита. [c.63]

Как отмечалось выше, нанесение тонких неорганических пленок на металл может быть осуществлено двумя группами методов. В методах группы А изолируемый металл принимает участие в создании пленки, а в методах группы Б — не принимает. К методам группы А относятся термическое, электрохимическое и плазменное оксидирование, а также другие виды химической обработки металла при высокой температуре (фторирование, нитрирование и т. д.). К методам группы Б относятся вакуумное испарение, реактивное катодное распыление, высокочастотное распыление, осаждение пленок из газовой фазы, шоопирование. [c.376]

БЮг 1730 1250 Та, Мо, W А1 2 - 3 При нагреве электронной пушкой разложения не происходит. Та, Мо, W взаимодействуют с 510з с образованием летучих окислов. В полупроводниковой технике используется термическое осаждение из газовой фазы [c.431]

Т10г 1840 Раз- лага ется на низкие окислы при нагреве до 2000°С Реактивное распыление, термическое осаждение из газовой фазы (ОС4Н9)4Т1 [c.432]

Известно, что механические свойства волокон с никелевым покрытием ухудшаются после термической обработки [147]., В связи с этим возникла необходимость нанесения на волокно адщитного покрытия, служащего диффузионным барьером и по-шшающего. прочность композиции. В качестве такого покрытия могут быть использованы карбиды (например, карбид кремния), которые почти не взаимодействуют с никелем, хромом, алюминием, медью и др. Покрытие из карбида кремния получили осаждением из газовой фазы при температуре 1200—1600° С и пониженном давлении по следующей схеме [c.210]

В последние годы ведутся работы по получению и исследованию свойств одномерных ( квантовые нити ) и нульмерных ( квантовые точки ) квантоворазмерных структур. Последние представляют особый интерес для электроники будущего. Для получения таких композиций успешно используется явление самоорганизации при формировании островков в процессе эпитаксиального выращивания рассогласованных по периоду решетки гетероструктур [21]. Положительные результаты дает применение оригинальных методов коллоидной химии [22], профилирование на атомном уровне рельефа ростовой поверхности, умелое использование явления расслаивания многокомпонентных твердых растворов непосредственно в процессе выращивания эпитаксиального слоя, прецизионное травление, прямое осаждение из газовой фазы свободных кластеров на соответствующую подложку, быстрый термический или фотонный отжиг тонких аморфных пленок, а также использование тонких биотехнологических процессов [23]. [c.87]

В последние годы все большее распространение получают традиционные методы осаждения из газовой фазы, с помощью которых удается существенно увеличивать скорость роста пленок, по сравнению с методом тлеющего разряда. В применении к a-Si H, процесс осуществляют путем термического разложения SiH4, SijH , SijHg при температурах [c.102]

Наиболее распространенными методами получения пленок (j. -Si H являются плазмохимическое осаждение из парогазовой смеси SiH и Hj осаждение из газовой фазы путем термического разложения SiH и твердофазовая кристаллизация аморфного материала. Как и в случае пленок a-Si H, наиболее распространен метод плазмохимического осаждения. При этом, для увеличения доли кристаллической фазы и размера отдельных кристаллитов, существенно уменьшают объемную долю SiH в парогазовой смеси (< 5 %) и увеличивают температуру осаждения до [c.104]

С. Увеличению размеров микрокристаллитов способствует и повышение частоты возбуждения плазменного разряда до 50... 120 МГц. Более благоприятные условия для контролируемого увеличения доли микрокристаллической фазы в пленке обеспечивает метод осаждения из газовой фазы путем термического разложения силана. В данном случае постепенное увеличение содержание водорода в парогазовой смеси приводит к монотонному увеличению доли микрокристаллической фазы в осаждаемой пленке. [c.104]

Насыщение из газовой фазы. При этом методе формиро-1вание покрытия происходит за счет взаимодействия поверхности насыщаемого металла или сплава с газовой средой, содер жащей диффундирующий элемент в виде соединения, чаще всего галогенида. На поверхности металла могут идти реакции обмена, восстановления, диопропорционирования, термического разложения и т. д., в результате которых происходит осаждение насыщающего элемента на поверхность изделия. При [c.217]

Ко второй группе методов химико-термической обработки можно отнести так называемую кристаллизацию (или осаждение) из газовой фазы с участием (или использованием) химической реакции [51]. Эти методы ван Аркеля и де Бура, нашедшие широкое промышленное распространение в 30-х годах XX в для получения особо чистых циркония, гафния и титана, сравнительно недавно начали применять для создания защитных покрытий на металлах и сплавах. [c.4]

Для увеличения твердости при высоких температурах используют химико-термическую обработку азотирование, диффузионное хромирование, борирование. На поверхность гравюры иттямпа из газовой фазы проводят осаждение карбидов титана, имеющих особо высокую твердость. [c.209]

Из газовой фазы аморфные структуры получают термическим испарением и конденсацией в высоком вакууме, катодным распылением и осаждением аморфных слоев в тлеюшем разряде. Химическим осаждением из газовой фазы получают аморфные слои 8102 гидролизом 81СЦ или пиролизом смесей 81С14 + О2. Пленки кварцевого стекла или слои 8Ю также можно получить непосредственным окислением поверхности монокристалла кремния. Кристмлические тела переходят в аморфное состояние под действием ударной волны или интенсивного нейтронного или ионного облучения. Возможно получение аморфных веществ в результате химического разложения в твердой фазе. Механическое воздействие также приводит к образованию аморфных слоев. [c.382]

Осаждением из газовой фазы можно получить покрытия из чистых тугоплавких металлов или их соединений. Материал, служащий подложкой (чаще всего W, Pt, Мо, С), нагревают в атмосфере паров галогенных соединений осаждаемых металлов (W, Та, Мо, Ti, Zr, Hf, Rh). После термического разложения металлический компонент соединения осаждается на накаленном металле пoдлoиiки. Более подробно см. 7-1 и 7-2, а также [Л. 1, 2, 12, 29, 42, 50, 65] и обзоры [Л. 9 и 59]. Таким способом можно, например, покрывать цирконием вольфрамовую проволоку для сеток термическим разложением йод1ща циркония [Л. 3], благодаря чему в значительной степени подавляется вторичная электронная эмиссия [Л. 62]. Метод осаждения молибденовых покрытий на никель, никелированное железо и uNi (с содержанием Ni>5 10%) из хлористого молибдена см. 3-3, рис. 3-3-8. [c.602]

В следующих примерах показаны расчетные и экспериментальные данные для образцов с поликремнием в многослойных структурах. В первых примерах рассмотрен термический процесс, в котором для точного задания дозы примесей в пленках использована ионная имплантация. Эти примеры иллюстрируют различные зависимости процесса при данном начальном размере кристаллов. Представлен также пример лазерного отжига поликремния, осажденного из газовой фазы при низком давлении. Цель эксперимента с отжигом заключалась в сравнении экспериментальных и расчетных результатов для более глубокого понимания физической природы процесса. [c.235]

Расчет с использованием модели проводимости в сочетании с моделями роста кристаллита и сегрегации позволяет найти сопротивление поликремния как функцию концентрации фосфора. В эксперименте поликремниевые слои толщиной 0,25 мкм, получаемые осаждением из газовой фазы при нормальном давлении и при температуре 776° С, были нанесены на слой термического окисла толщиной 2000 А, а затем в них был имплантирован фосфор с различными дозами. После этого слои покрывались пиролитическим окислом толщиной 100 А, который наносился при низких температурах для предотвращения выделения примеси в процессе термического отжига. Отжиг проводился при температуре 1000° С в течение 1 ч в парах азота. Вычисленные размер кристаллита и сегрегированная доза для этих образцов после отжига приведены на рис. 8.13. Расчеты правильно показьшают увеличение размера кристаллита для более сильно легированных поликремниевых слоев и его влияние на захват носителей и сегрегацию примеси. [c.236]

Лазерный отжиг является перспективным средством улучшения электрических и структурных свойств поликремниевых слоев [8.26, 8.27]. Кроме того, лазерный отжиг является эффективным средством устранения дефектов, образовавшихся в результате имплантации и увеличения размеров кристаллитов. Для определения размера кристаллитов, подвижности носителей, концентрации носителей и сопротивления растекания были проведены эксперименты по лазерному отжигу поликремниевых слоев при различных мощностях лазера. Поскольку теоретическая модель механизма роста кристаллита в результате лазерного отжига чрезвычайно сложна, использовалась простая эмпирическая модель зависимости размера кристаллита от мощности лазера. На рис. 8.15 показана зависимость размера кристаллита в поликремниевом слое толщиной 0,5 мкм, осажденном из газовой фазы при низком давлении на 1-мкм слой термического окисла, от мощности лазера непрерьшного действия при следующих условиях скорость сканирования 50 см/с, размер пятна 70 мкм, расстояние между линиями 20 мкм, температура подложки 500° С. В этом эксперименте не учитывалась зависимость размера кристаллита от концентрации и вида легирующей примеси. Резкое увеличение кристаллита при мощности лазера более 9 Вт является результатом плавления и рекристаллизации поликремния. Если размер кристаллита определять эмпирически, то для описания свойств поликремния, подвергнутого лазерному отжигу, следует использовать модели проводимости и сегрегации, рассмотренные выше. [c.237]

Горизонтальный реактор с горячими стенками, подогреваемыми внешней трехзонной печью, предназначенный для термического осаждения диэлектрических пленок из парога зовой смеси, показан на рис. 20. Газовая смесь поступает в один конец 6 реакционной камеры и откачивается из другого ее конца 3. Давление в реакционной камере обычно составляет от 30 до 250 Па, температура 300— 900 °С, расход смеси может изменяться от 100 до 1000 см /мин в пересчете на атмосферное давление. Подложки 4 устанавливают на пьедестале 5 вертикально, т. е. перпендикулярно газовому потоку. Иногда для более равномерной подачи газа к подложкам применяют специальные обтекатели. Основные достоинства метода — высокая производительность, возможность обработки подложек больших размеров и достаточная однородность получаемых пленок (око- [c.41]

Степень уплотнения пористой заготовки при использовании этих трех процессов зависит от совместимости структуры армирующего каркаса с конкретным методом пропитки. Каркасы, обладающие низкой проницаемостью для газов, лучше поддаются обработке с помощью метода с разностью давлений, поскольку перепад давления по толщине заготовки является движущей силой пропитки. Каркасы с полостями большого размера лучше уплотняется с помощью метода с термическим фадиентом. Но для заготовок малой толщины или неправильной формы эти два метода подходят мало. Основным же недостатком метода с фадиентом температуры является необходимость применения специально сконструированных нафевателей для пропитки деталей различной формы. Кроме того, в печи может обрабатываться только одна деталь. Для одновременной обработки нескольких заготовок, в том числе разных форм, вполне пригоден изотермический процесс. Однако при использовании изотермического метода возможно возникновение поверхностной корки из осажденного углерода, когда скорость химического осаждения углерода на расположенных на внешней поверхности волокнах существенно превышает скорость его осаждения на поверхности внутренних волокон. Вместе с тем при правильном выборе температуры, давления и скорости протекания газового потока удается скорость осаждения на внутренних волокнах приблизить к скорости осаждения на внешних волокнах. [c.236]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...