Структуры в электронике

Основная часть отечественных ЭВМ выпускается в рамках систем ЕС ЭВМ, СМ ЭВМ и Электроника . Внутри этих семейств, как правило, обеспечивается аппаратная совместимость моделей ЭВМ, а программная совместимость — в большинстве моделей ЕС ЭВМ и в отдельных моделях СМ ЭВМ и Электроника . Названные системы ЭВМ выпускаются уже достаточно длительное время, чтобы по мере развития в них сменилось несколько уровней или рядов. Так, в настоящее время в системе ЕС ЭВМ производятся в основном ЭВМ ряда 2 и некоторые модели ЭВМ ряда 3. Полная программная совместимость в системах ЭВМ обеспечивается только снизу вверх, т. е, от младших моделей к старшим. Аппаратная совместимость внутри системы ЭВМ базируется на унификации каналов ввода-вывода информации, принципов программирования ввода-вывода, интерфейсов и общности структуры ЭВМ. При этом некоторые модели СМ ЭВМ и Электроника программно-совместимы между собой и имеют много общего в структуре, в отличие от моделей ЕС ЭВМ. [c.29]

Случайные стационарные функции (функции, значения которых в каждый момент определяются законом вероятности, не зависящим от времени) встречаются при изучения шума фона в электронике. Можно эти функции применять и для фотографических процессов. В этом случае шум фона является следствием изменений прозрачности, обусловленных зернистой структурой фотографического изображения. [c.246]

Задачи проектирования электронных схем, являясь частным случаем задач технического проектирования, имеют специфические особенности. Эти особенности проявляются прежде всего на этапах синтеза структуры и формирования математической модели и, в меньшей степени, на этапе решения уравнений, т. е. на этапе анализа. На этапе поиска оптимальных значений параметров специфические особенности проектирования электронных схем отступают на второй план. При этом в постановке и решении экстремальных задач в электронике и других областях техники оказывается больше общих черт, чем различий. Основными общими чертами оказываются [c.233]

К настоящему моменту читателю следовало составить впечатление о типах архитектур, необходимых для символьных вычислений, а также о нескольких способах выполнения их по своей сути аналоговыми оптическими устройствами. Должно быть ясно, что даже эти чисто оптические структуры в некотором смысле являются гибридными оптоэлектронными архитектурами. В частности, электроника должна была бы использоваться для интерфейсных устройств связи с пользователем, для цифровых контроллеров и т. д., тогда как оптика должна была бы использоваться для проведения символьной обработки. В отнощении схемы на рис. 10.34 можно было бы ожидать, что имеется спектр уровней, где могут возникать оптоэлектронные интерфейсы. Этот спектр возможностей архитектур простирается от чисто электронных до гибридных оптоэлектронных систем и приводит к рассмотрению других потенциальных возможностей использования оптики для задач символьных вычислений. Некоторые из этих возможностей рассматриваются в следующем разделе. [c.351]

Создание тонкопленочных приборов требует довольно высокого уровня технологии изготовления тонких диэлектрических, полупроводниковых и металлических слоев с контролируемыми свойствами. Однако возможности,, открываемые тонкопленочной электроникой, могут окупить затраты на совершенствование технологии. Одним нз наиболее привлекательных свойств тонкопленочных приборов является их быстродействие. Лишь при двойной инжекции в диэлектрик время установления тока определяется временем жизни носителей заряда. Во всех остальных структурах ток следует практически безынерционно за изменением напряженности в диэлектрической плен ке. Поэтому постоянные времени тонкопленочных приборов могут быть сделаны достаточно малыми, чтобы они работали на весьма высоких частотах — в области СВЧ и даже на миллиметровых длинах волн. [c.285]

Развитие электроники и средств автоматизации привело к созданию телевизионных анализаторов изображения, применение которых в металлографии позволяет значительно ускорить количественный анализ структуры металлов и сплавов. Однако использование телевизионных анализаторов до последнего времени ограничивалось исследованием количества и распределения структурных составляющих в металлах и сплавах [1]. [c.90]

Определение прочности материалов и конструкций связано с доведением их до предельного состояния — разрушения. Однако последние достижения в области физики твердого тела, электроники, математики позволяют оценить прочность изделия не разрушая его. Это достигается установлением эмпирических связей между прочностью и комплексом физических параметров, которые можно определять непосредственно в изделии, не разрушая его структуры. [c.4]

Информационная система размещена непосредственно на роботе. Трасса движения задается с помощью светоотражающей полосы. Для наведения на трассу используются фотодатчики. Сигналы обратной связи от этих датчиков поступают в сервоприводы ведущих колес, обеспечивающих перемещение робота вдоль трассы-полосы. Бортовая система адаптивного управления реализована на базе микроЭВМ Электроника-60 . Элементы интеллекта робота закладываются в программное обеспечение. Система управления робота имеет иерархическую структуру, включающую следующие программно-аппаратные модули [c.214]

Центр автоэмиссионных технологий (ЦЛ Г МФТИ) создан при Московском физи-ко-техническом институте в 1999 г. на базе лаборатории эмиссионной электроники, существующей на кафедре вакуумной электроники МФТИ с 1990 года. ЦАТ МФТИ проводит исследования в области автоэлектронной эмиссии углеродных материалов. В настоящее время ведутся фундаментальные исследования по следующим направлениям исследование структуры углеродных материалов разработка новых перспективных технологий изготовления автоэмиссионных катодов электрофорез, метод печати, химического газофазного осаждения ( VD) и другие разработка методик модификации углеродных материалов для уменьшения работы выхода электронов разработка методики измерения вакуума в отпаянных приборах. Проводятся также прикладные исследования электронные пушки различного назначения высокоэффективные источники света плоские дисплейные трубки рентгеновские трубки. [c.288]

ОБРАТНАЯ ВОЛНА — волна с противоположно направленными фазовой и групповой скоростями. Впервые термин 0, в. введён в ВЧ-электронике, где на взаимодействии О. в. с электронными пучками основано действие широкого класса СВЧ-приборов — ламп обратной волки. Волны с подобными свойствами известны также в пространственно-периодич. структурах и средах. [c.383]

Перечень и взаимосвязи элементов ассоциативного видового уровня сильно зависят от специфики изделий, на которые производится техническое руководство (электроника, машиностроение, химическое производство и т.д.). Поэтому в каждой отрасли промышленности (или на отдельном предприятии) разрабатывается свой набор элементов видового уровня, а соответственно свой набор правил построения структуры документа, так называемые видовые DTD. По сути, такие DTD являются предметом отраслевого (или корпоративного) стандарта на эксплуатационную документацию в электронном виде. [c.44]

Два важных новых фактора в дальневосточных условиях будут оказывать влияние на перспективное энергопотребление Японии. Первый из них — это растущая конкуренция новых индустриализуемых стран с развивающимся экспортом — Южной Кореи, Гонконга и Сингапура. Все они успешно конкурируют в торговле нефтехимической, металлургической, судостроительной продукцией даже на японском внутреннем рынке. Горизонтальная интеграция между компаниями Японии и этих развивающихся стран намечалась в середине 1979 г. в области электроники и производства часов. Указанные страны тоже начинают испытывать на себе воздействие тех проблем, которые остро встали в Японии в конце 60-х годов, — перенаселение, загрязнение среды и недостаток квалифицированной рабочей силы, который приводит к экскалации ее стоимости. Япония, несомненно, останется главной силой из-за большого внутреннего рынка и индустриальной мощи, но конкуренция новых стран может оттеснить ее в область особо тонкой технологии, из-за чего еще более обострится конкуренция с США и странами Западной Европы. Вторым фактором, влияющим на торговое положение Японии, является скорость индустриализации КНР. В 1979 г. Япония уступала США первое место в мире по импорту нефти. Если бы США реализовали план, выдвинутый в июле 1979 г., — сократить импорт нефти в США в 1985 г. до 225 млн. т, то Япония стала бы ведущим импортером нефти с высокой степенью уязвимости своей экономики. Многие, однако, считают, что Япония имеет большие шансы принять надлежащие меры для ослабления этой уязвимости, чем СГВА сократить импорт нефти до 225 млн. т в 1985 г. В предварительном прогнозе развития торговых отношений в 80-х годах, представленном Министерством международной торговли и промышленности Японии Совету по индустриальной структуре в августе 1979 г., были поставлены три главные цели [c.331]

Микрокерметы. В электронике обычные керметы в связи с относительной грубой структурой частиц не натли применения, несмотря на их свойства, эффективные для изготовления, например, непроволочных резисторов. С помощью эпитаксиальной технологии, т. е. осаждением паров проводящих и диэлектрических материалов, образуется микрокерметная пленка [4] с устойчивыми полупроводниковыми свойствами. [c.210]

Как показано выше, принцип взаимности при исследовании рассеяния волн на периодических структурах позволяет получить ряд важных резуль-тов еще до решения соответствующей краевой задачи. Аналогичная ситуация имеет место и в дифракционной электронике [5] при анализе характеристик излучения волн плоским монохроматическим потоком электронов, движущихся с постоянной скоростью V вблизи дифракционной решетки. В [100] показано, что суммарная энергия однородных плоских волн, которая обычно называется в электронике полными потерями монохроматического потока на излучение, не зависит от замены направления движения электронов на обратное даже для несимметричных решеток. От направления движения электронов зависит только перераспределение энергии между распространяющимися волнами, если их несколько. Фазовые скорости собственных волн решетки (в том числе и leaky waves) одинаковы для волн, бегущих влево или вправо от нормали, даже если сама решетка не симметрична относительно нее. [c.32]

История возникиовения. Поучительно рассмотреть развитие основных идей, способствовавших появлению лазеров на динамических решетках. Возможности использования периодических структур в генераторах электромагнитных волн различного диапазона были осознаны достаточно давно. Так, в лампах бегущей волны периодическая замедляющая структура позволяет согласовать скорость электронов в пучке с фазовой скоростью генерируемой волны СВЧ-диапазона [8]. В оптической квантовой электронике периодические структуры, в том числе создаваемые когерентным излучением накачки, эффективно используются в лазерах с рашределенной обратной связью (РОС-лазерах) [8—10]. [c.11]

Для многих технических применений диэлектриков в электронике большое значение имеют фазовые превращения, происходящие в некоторых твердых и жидких веществах без изменения их агрегатного состояния — в пределах только твердой пли только жидкой фазы. Эти преврашеиия происходят вследствие электронных, диполыгых, магнитных н других взаимодействий структурных элементов вещества — ионов, атомов, молекул или их комплексов. В окрестности фазовых превращений структура вещества оказывается чрезвычайно податливой к внешним воздействиям (тепловым, электрическим, магнитным или механическим), причем даже при малых изменениях Т, Е, Н или X электрические, оптические и другие свойства веществ значительно изменяются. Необычно высокая чувствительность к слабым внешним воздействиям, имеющая место вблизи фазовых превращений, используется во многих видах приборов и устройств электронной техники (см. гл. 6—8). [c.94]

Перспективой развития структуры систем управления РТК являются однородные структуры, системы с переменной структурой и высокопараллельные структуры. Эти структуры в практике робототехники пока не нашли применения, но не вызывает сомнений, что именно на их основе будут создаваться системы управления роботами и комплексами следующих поколений. Такие системы могут быть созданы на основе широко применяемой в настоящее время ЭВМ Электроника-бО , а также Электроника 60-1 , Электроника НЦ-80-01 ДМ , Электроника 80-20/2 , Электроника 80-20/3 и др. [c.142]

Измерительно-вычислительным комплексом (ИВК) принято называть автоматизированное средство измерения, обработки опытных данных и управления ходом эксперимента, представляющее собой совокупность программных и технических средств, имеющих блочно-модульную структуру, и предназначенное для исследования сложных объектов и процессов. Учитывая необходимость промышленного выпуска ИВК, АН СССР и Министерство приборостроения, средств автоматизации и систем управления приняли совместное решение о разработке, промышленном освоении и выпуске ряда ИВК, основанных на использовании малых ЗВМ (СМ-3 и СМ-4), с одной стороны, и аппаратуры КАМАК или измерительных блоков АСЭТ — с другой. Первые наборы таких средств на базе ЭВМ СМ-3, СМ-4 и аппаратуры КАМАК начали выпускаться и поставляться в научно-исследовательские организации в 1978 г. в виде базовых комплексов, ориентированных на общефизические исследования, со следующим назначением ИВК-1 — для автоматизации относительно крупных экспериментальных установок или двух небольших установок ИВК-3 — для автоматизации спектральных (или им подобных) установок ИВК-4 — для автоматизации нескольких экспериментов в масштабе лаборатории. В ближайшем будущем планируется организация выпуска измерительно-вычислительных комплексов ИВК-5, ориентированных на исследования в области ядерной физики и физики высоких энергий, и ИВК-6, в состав которого войдет микро-ЭВМ Электроника-60 , программно-совместимая с мини-ЭВМ СМ-3 и СМ-4. Планируется также выпуск базовых комплексов, содержащих микро-ЭВМ Электроника-60 и один-два крейта КАМАК, для автономных, в том числе перевозимых, систем, предназначенных для автоматизации экспериментов малой и средней сложности. [c.346]

Гранаты. Редкоземельные соединения со структурой типа граната (кубическая симметрия) являются в настоящее время наиболее перспективным классом материалов твердотельной квантовой электроники. Общая формула их AaBjOj,, где А — ион иттрия или ионы некоторых редкоземельных элементов, а В — ионы алюминия, галлия, железа или некоторых других трехвалентных элементов переходной группы железа. [c.76]

Изучением структуры и свойств материалов занимается специальная наука - материаловедение, В данном пособии основное внимание уделено отдельной группе материалов - так называемым электротехническим, или электрорадиоматериалам, используемым в электротехнике и промышленной электронике. Электрорадиоматериалы - это материалы, которые имеют специальные свойства в отношении электромагнитного поля. [c.3]

Если молекулы представляют собой не ровные, а слегка закрученные стержни, то они укладываются друг относительно друга в спиральные структуры, схематически показанные ка рис. 1.5, а. Такая жидкокристаллическая фаза наблюдается в чистом эфпре холестерина и поэтому называется холестерической (в отличие от нематической, представленной на рис. 1.4, б). Холестерическая фаза возникает не только в чистых веществах, но и в растворах закрученных молекул в нематических жидкостях. Холестерики обладают рядом специфических свойств, в частности оптических, представляющих большой интерес для электроники. Структура холестерика периодична вдоль оси спирали, что прг1Водит к бреггов-скому отражению света на длине волны, равной шагу спирали, [c.10]

В интегральной электронике МДП-структуры широко используются для создания транзисторов и на их основе различных интегральных микросхем. На рис. 8.36 показана принципиальная схема МДП-траизистора с изолированным затвором. Транзистор состоит из кристалла кремния (например, л-типа), у поверхности которого методами фотолитографии, диффузии (или ионной имплантации) формируются р-области, как показано на рис. 8.36, а. Одна из этих областей называется истоком, другая — стоком. Сверху эти области покрываются пленками металла (обычно алюминия). Промежуток между этими областями также покрывается пленкой металла, изолированной от поверхности кристалла слоем окисла. Этот электрод транзистора называют за/пеорол. На границе между р- и -областями возникают два р — я-перехода —истоковый и стоковый, которые на рис. 8.36, а показаны штриховкой. [c.252]

Изучение П. статич. и динамич. методами даёт ценную информацию о магн. моментах частиц, их энерге-тич. спектрах и взаимодействиях, о тонких деталях внутр. структуры веществ. П. используется в методах магнитного охлаждения до сверхнизких темп-р, в квантовой электронике (см. Мазер) и др. См. также Электронный парамагнитный ре.зонанс, Ядерный магнитный резонанс. [c.533]

Отличия и достоинства П. э. Подобно вакуумной и квантовой электронике П. э. основана на явлении индуцированного (вынужденного) излучения и поглощения эл.-магн. волн заряж. частицами в плазме. Но если вакуумная электроника рассматривает излучение потоков заряж. частиц, движущихся в электродинамич. структурах — металлич, либо диэлектрич. волноводах и резонаторах, то П. э. исследует излучение потоков заряж. частиц, движущихся в плазме, в плазменных волноводах и резонаторах (см. Волновод плазменный). Частота эл.-магн. излучения в вакуумной электронике определяется конечными геом. размерами волноводов и резонаторов, а в квантовой электронике — дискретностью энергетич. уровней излучателей (возбуждённых атомов и молекул) поэтому генераторы когерентного эл.-магн. излучения в вакуумной и в квантовой электронике узкополосны, менять их частоту плавно практически невозможно. В плазменных приборах частота зависит не только от геом. размеров волноводов и резонаторов, но и от п.чотности плазмы, поэтому излучатели в П. э. многомодовые меняя плотность плазмы, можно менять частоты в широком интервале.В этом заключается одно из существ, отличий и преимуществ П. э. Так, напр., частота продольных ленгмюровских колебаний холодной изотропной плаз.мы (в систе.ме ед. СС8Е) Шр = (3-10 Нр) / С", где Пр — плотность плазмы. При изменении реально используе.мой плотности плазмы в пределах (10 °—Ю ) см" можно возбуждать волны длиной X (10" —10 ) см, что перекрывает всю полосу СВЧ от субмиллиметрового и до дециметрового диапазона. При наложении на плазму внеш. магн. поля диапазон частот собств. мод эл.-магн. колебаний плазмы расширяется. [c.607]

Для нужд полупроводниковой электроники изготовляют т. н. р1п-диоды, в к-рых р- и п-областп разделены областью с собств. проводимостью (г), а также перио-двч. структуры, состоящие иа большого кол-ва и р- и в-областей р — п — р п др.). Все перечисленные выше структуры получаются путём легирования донорами [c.43]

Карбид титана, являющийся перспективным материалом для высокотемпературной электроники, нашел применение в качестве проводящей фазы в керметных резистивных пленках для интегральных схем [270, 271]. Пленки, содержащие АЬОз и Ti в соотношении 1 1 по массе, осаждают ионно-плазменным распылением на нагретые до 600 °С поли-коревые подложки. Пленки Ti -AljOa, толщина которых составляет 20—300 нм, имеют электронографически аморфную структуру, сохраняющуюся до 1000 °С. Эти пленки значительно превосходят по стабильности структуры пленки традиционных резисторов Ti-АЬОз, в которых при 1000 °С наблюдается увеличение размера зерен до 50 нм и изменение фазового состава. [c.204]

Структурное совершенство поверхности раздела соединяемых пластин и прилежащих к ней областей играет очень важную роль, особенно при создании многослойных композиций для силовой электроники. При прямом соединении пластин одинаковой кристаллографической ориентации с разворотом одной поверхности относительно другой в плоскости контакта, не превышающим 0,5°, формируется композиция, которая практически является аналогом многослойной структуры, создаваемой методом эпитаксиального наращивания. Увеличение угла разворота до 45 приводит к формированию на границе соединения супертонкого нарушенного слоя. При соединении поверхности ориентации (111) с поверхностью ориентации (100) на границе раздела возможно образование очень тонкого (2...3нм) аморфного слоя. Таким образом, получение структурно совершенной границы раздела требует строгого контроля взаимной ориентации соединяемых поверхностей. [c.78]

При создании структур кремния на диэлектрике путем прямого соединения пластин рассмотренные выше проблемы дефектообразования решаются существенно проше, чем в случае многослойных композиций с / - -переходами для приборов силовой электроники. Обусловлено это, как минимум, двумя причинами. Слой двуокиси кремния обладает свойствами вязкого течения, поэтому релаксация упругих напряжений в таких гетерокомпозициях, как правило, не приводит к пластической деформации и генерации дислокаций в рабочем кремниевом слое. Кроме того, за счет диффузии кислорода из соединяемых кремниевых пластин в окисный слой в процессе высокотемпературного отжига, вблизи границ раздела в пластинах возникают достаточно протяженные, обедненные кислородом области, что исключает возможность образования в них кислородсодержащих преципитатов, обусловленных распадом пересыщенного твердого раствора кислорода. [c.82]

ГО что ведущие мировые производители приборов силовой электроники и прежде всего, мощных полевых транзисторов, тиристоров, биполярных транзисторов с изолированным затвором (JGBT-приборов), сделали ставку на использование в качестве базовой именно технологии прямого соединения пластин. При этом речь идет о широком использовании в промышленном производстве исходных кремниевых пластин диаметром 200 мм. Аналогичная ситуация складывается и в производстве низковольтных и маломощных высокочастотных У СБИС на основе структур кремния на диэлектрике. Подтверждением этому является го, что по имеющимся прогнозам в 2000 г. предполагалось поставить на мировой рынок около 2 млн штук структур кремния на диэлектрике циаметром 200 мм (этой цифрой оценивалась реальная потребность в гаких структурах). При этом 80 % от этого количества планировалось произвести методом прямого соединения пластин. [c.83]

В последние годы ведутся работы по получению и исследованию свойств одномерных ( квантовые нити ) и нульмерных ( квантовые точки ) квантоворазмерных структур. Последние представляют особый интерес для электроники будущего. Для получения таких композиций успешно используется явление самоорганизации при формировании островков в процессе эпитаксиального выращивания рассогласованных по периоду решетки гетероструктур [21]. Положительные результаты дает применение оригинальных методов коллоидной химии [22], профилирование на атомном уровне рельефа ростовой поверхности, умелое использование явления расслаивания многокомпонентных твердых растворов непосредственно в процессе выращивания эпитаксиального слоя, прецизионное травление, прямое осаждение из газовой фазы свободных кластеров на соответствующую подложку, быстрый термический или фотонный отжиг тонких аморфных пленок, а также использование тонких биотехнологических процессов [23]. [c.87]

В настоящее время еще трудно оценить все те перспективы, которые открывает перед полупроводниковой электроникой широкое использование квантоворазмерных структур. Несомненно одно — исследования в этой области закладывают основы принципиально нового подхода к созданию уникальных полупроводниковых сред с регулируемыми в широких пределах зонной структурой и энергетическим спектром носителей [c.87]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...