Мощные полевые транзисторы

Однако новейшие типы мощных полевых транзисторов отличаются от маломощных полевых транзисторов тем, что их конструкция обеспечивает вертикальное прохождение тока через прибор н сетка располагается между истоком и стоком [c.146]

Рис. 4.20. Элементарное представление о мощном полевом транзисторе, где ток проходит через прибор вертикально (см. текст)

Рис. 4.21. Спад частотной характеристики в ВЧ-диапазоне мощного полевого транзистора, определяемый распределением емкости на входе

Рис. 4.22. Частотные характеристики мощного полевого транзистора

Таким образом, в двухтактных усилителях мощности на мощных полевых транзисторах большая часть гармонических искажений второго и последующих четных порядков может быть устранена с помощью тщательного балансирования и для данного низкого уровня искажений требуется меньшая отрицательная обратная связь, чем при использовании биполярных транзисторов. Другими словами, собственные искажения у усилителя мощности на полевых транзисторах без обратной связи ниже, чем у усилителя на биполярных транзисторах при прочих одинаковых условиях. Меньшая отрицательная обратная связь приводит к улучшению стабильности в расширенной полосе частот, что, в свою очередь, вызывает улучшение переходной характеристики и уменьшение переходных интермодуляционных искажений. [c.148]

Мощные полевые транзисторы 144 [c.383]

На частотах выше 7 ГГц преимущество имеют мощные полевые транзисторы на арсениде галлия, выходная мощность которых дости- [c.30]

Кремний является основным материалом для производства полупроводниковых приборов выпрямительных, мощных и маломощных биполярных транзисторов, полевых транзисторов и приборов с зарядовой связью. Кремний применяют также для создания детекторов ядерных излучений, датчиков Холла и тензодатчиков. Достаточно большое значение ширины запрещенной зоны позволяет кремниевым приборам работать при температурах до 180...200 С. [c.379]

Использование эпитаксиальных пленок в электронной промышленности позволило существенно улучшить характеристики туннельных и лазерных диодов, разработать технологию получения транзисторов с высоким коэффициентом усиления на высоких частотах, мощных и высоковольтных транзисторов. На применении эпитаксиальных слоев основано производство таких приборов, как планарные полевые транзисторы, выполненные на структуре металл-окисел-полупроводник с изоляцией У-образными канавками (У-МОП). Эпитаксиальные структуры также используются для улучшения характеристик памяти с произвольным доступом и комплементарных интегральных МОП-схем. Новые перспективы в технике открыло применение эпитаксиальных гетероструктур, создание которых другими методами затруднено, в полупроводниковых приборах (например, для изготовления инжекционных лазеров). Кроме того, эпитаксия дает возможность получения многослойных структур со свойствами каждого слоя, практически не зависящими от свойств предыдущего слоя. Это открывает широкие возможности для разработки качественно новых типов электронных приборов. [c.322]

Схемы УРЧ на мощных полевых и биполярных транзисторах показаны иа рис. 2.12, а. Баланс плеч достигается строго симметричным выполнением обмоток широкополосных трансформаторов 7 и Т2, а также балансировкой транзисторов по постоянному току. Трансформаторы Т1 и Т2 согласуют входное и выходное сопротивления УРЧ с сопротивлениями преселектора и смесителя. Схема рис. 2.12, б собрана иа двух мощных транзисторах УКВ диапазона, которая, как- схема рис. 2.12, а, работая в режиме с большим "начальным током, имеет глубокую обратную связь по току,и напряжению. Благодаря этому ее линейность лучше, чем линейность многих ламповых схем. [c.77]

Мощные высокочастотные транзисторы. Достоинства транзисторов — малые габаритные размеры, мгновенная готовность к работе,. большой срок службы, устойчивость к ударам и вибрациям, невысокое напряжение питания — определяют нх широкое применение в-аппаратуре связи. Следует отметить, что транзисторам свойственны н определенные недостатки большой разброс параметров и зависимость их от температуры большая, чем у ламп, чувствительность к электрическим перегрузкам ограничения по частоте и мощности. Однако недостатки эти успешно преодолеваются, и в последние годы транзисторы широко применяют не только в предварительных каскадах передатчиков,но и в усилителях мощности. Это стало возможно благодаря широкому выпуску мощных ВЧ транзисторов. (биполярных и полевых). [c.124]

АФАР находят биполярные и полевые транзисторы. Основными параметрами СВЧ транзисторов, применяемых в выходных каскадах активных модулей передающей АФАР и определяющих в основном энергетические характеристики антенной решетки, являются выходная мощность, коэффициент усиления и КПД. На рис. 1.9 приведены зависимости выходной мощности от частоты современных мощных биполярных и полевых транзисторов 0.1, 27—29]. Мощные [c.29]

Возможно множество случаев, когда равномерное мощное фоновое излучение действует кратковременно,, например при попадании прямых солнечных лучей, лазерного излучения или вспышек орудий в момент выстрелов. За рубежом для защиты от таких помех вводят специальное устройство затворного типа, управляемое индикатором мощной фоновой засветки. Индикатором мощной фоновой засветки может служить пороговое устройство, установленное на выходе основного оптико-электронного канала ОЭП, либо специальный оптико-электронный канал, содержащий, как, например, предлагается в [55], несколько приемников излучения, соединенных через конденсаторы и полевые транзисторы с усилителем, имеющим нелинейную характеристику и широкий динамический диапазон. Каждый приемник излучения работает независимо, и относительно высокая освещенность одного из них не влияет на чувствительность других. [c.170]

Из кремния изготавляются различные типы полупроводниковых диодов низкочастотные (высокочастотные), маломощные (мощные), полевые транзисторы стабилитроны тиристоры. Широкое применение в технике нашли кремниевые фотопреобразователь-ные приборы фотодиоды, фототранзисторы, фотоэлементы солнечных батарей. Подобно германию, кремний используется для изготовления датчиков Холла, тензодатчиков, детекторов ядерных излучений. [c.288]

ГО что ведущие мировые производители приборов силовой электроники и прежде всего, мощных полевых транзисторов, тиристоров, биполярных транзисторов с изолированным затвором (JGBT-приборов), сделали ставку на использование в качестве базовой именно технологии прямого соединения пластин. При этом речь идет о широком использовании в промышленном производстве исходных кремниевых пластин диаметром 200 мм. Аналогичная ситуация складывается и в производстве низковольтных и маломощных высокочастотных У СБИС на основе структур кремния на диэлектрике. Подтверждением этому является го, что по имеющимся прогнозам в 2000 г. предполагалось поставить на мировой рынок около 2 млн штук структур кремния на диэлектрике циаметром 200 мм (этой цифрой оценивалась реальная потребность в гаких структурах). При этом 80 % от этого количества планировалось произвести методом прямого соединения пластин. [c.83]

Значительное уменьшение габаритных размеров и повышение надежности работы источника питания достигнуты при применении зарядного устройства (мощностью 2,5 кВт), в котором использован резонансный режим зарядки через отсекающий зарядный диод (Д) накопительных конденсаторов С и С2 от регулируемого однотактного прямоходового преобразователя, выполненного на мощных полевых транзисторах с питанием от однофазной сети ( 220 В, 50 Гц). [c.270]

Мощный полевой транзистор отличается от обычного пен-тодного полевого транзистора с малым сигналом тем, что его характеристика и входное сопротивление более похожи на эти же параметры триодной лампы и что он имеет мощность рассеяния 300 Вт. [c.144]

Параметры мощного полевого транзистора и связанного с ним транзистора предоконечного каскада (значения параметров последнего даются в скобках) приведены ниже в табл. 4.1. [c.146]

Преимущества мощных полевых транзисторов перед обычными мощными биполярными транзисторами состоят в общем улучшении высокочастотной характеристики, устранении искажений типа центральной отсечки , вызванных запасомз не-основных носителей зарядов, так как эти эффекты отсутствуют [c.146]

Лабораторный образец усилителя мощности с использованием двух мощных полевых транзисторов и предоконечных каскадов на полевых транзисторах разработан фирмой Ямаха . Схема довольно обычная, имеются двухкаскадное дифференциальное усиление, симметричное питание от истокового повторителя с непосредственной связью и непосредственная связь с громкоговорителями. Смещение предоконечного каскада и мощных полевых транзисторов создается специальными схемами компенсации (на которые заявлен патент), что обеспечивает хорошую стабильность постоянного тока без регулировки источника питания. Допускается предварительная регулировка для компенсации различий между характеристиками полевых транзисторов. Но чтобы сохранить имеющуюся переходную характеристику без ухудшения из-за воздействия схемы вольтодобавки (цепей положительной обратной связи по сигналу) и электролитических конденсаторов, стараются по мере возможности обойтись без применения этих элемен- [c.148]

Мощные полевые транзисторы (КП901, КП904, КП907) можно с успехом применять в линейных усилителях. Кроме высокой линейности они имеют большой коэф(1)ициент усиления по мощности, высокое входное сопротивление, лучшую температурную стабильность, стойки к перенапряжениям в выходной и особенно входной цепях. В то же время мощные полевые транзисторы имеют низкий КПД (40—50 %) и меньшую единичную мощность, чем биполярные Разработаны полевые транзисторы, имеющие мощность 50 Вт на частоте 100 МГц. [c.138]

УЗЧ относятся к классу апериодических У. э. к., а резонансные цепи используются в них обычно лишь для коррекции АЧХ. Каскады предварит, усиления предназначены для увеличения напряжения источника колебаний до уровня, необходимого для нормального возбуждения мощного оконечного каскада, работают в линейном режиме (режим А , а осн. предъявляемое к ним требование—ббеспечение макс. усиления. Выполняются на полевых транзисторах, транзисторах биполярных и ИС, реже на электронных лампах и тиристорах. При дискретной реализации применяются резисторные каскады с разделит, конденсаторами, биполярные транзисюры включаются по схеме с общим эмиттером, полевые—с общим истоком, лампы—с общим катодом (рис. 3), При работе с высокоомными источ- [c.241]

На слух динамические искажения прояв ляются в виде потери высших частот, в не-естественном оттенке звучания, так называемом транзисторном звуке Степень динамических искажений оценивается по скорости нарастания выходного напряжения усилителя мощности Чтобы уменьшить динамические искажения в высококачественных усилителях, глубину ООС ограничивают в пределах 20 30 дБ В качестве оконечных применяют мощные высокочастотные биполярные или полевые транзисторы которые позволяют расширить диапазон усиливаемых частот и тем самым повысить быстродействие усилителя Меры, принимаемые для снижения динамических искажений, приводят к возрастанию нелинейных искажений Ус ловия поддержания динамических и нелинейных искажений на низком уровне явля ются противоречивыми [c.92]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...