ПОИСК Статьи Чертежи Таблицы ГО что ведущие мировые производители приборов силовой электроники и прежде всего, мощных полевых транзисторов, тиристоров, биполярных транзисторов с изолированным затвором (JGBT-приборов), сделали ставку на использование в качестве базовой именно технологии прямого соединения пластин. При этом речь идет о широком использовании в промышленном производстве исходных кремниевых пластин диаметром 200 мм. Аналогичная ситуация складывается и в производстве низковольтных и маломощных высокочастотных У СБИС на основе структур кремния на диэлектрике. Подтверждением этому является го, что по имеющимся прогнозам в 2000 г. предполагалось поставить на мировой рынок около 2 млн штук структур кремния на диэлектрике циаметром 200 мм (этой цифрой оценивалась реальная потребность в гаких структурах). При этом 80 % от этого количества планировалось произвести методом прямого соединения пластин. [Выходные данные]