ПОИСК Статьи Чертежи Таблицы В интегральной электронике МДП-структуры широко используются для создания транзисторов и на их основе различных интегральных микросхем. На рис. 8.36 показана принципиальная схема МДП-траизистора с изолированным затвором. Транзистор состоит из кристалла кремния (например, л-типа), у поверхности которого методами фотолитографии, диффузии (или ионной имплантации) формируются р-области, как показано на рис. 8.36, а. Одна из этих областей называется истоком, другая — стоком. Сверху эти области покрываются пленками металла (обычно алюминия). Промежуток между этими областями также покрывается пленкой металла, изолированной от поверхности кристалла слоем окисла. Этот электрод транзистора называют за/пеорол. На границе между р- и «-областями возникают два р — я-перехода —истоковый и стоковый, которые на рис. 8.36, а показаны штриховкой. [Выходные данные]