Пластины кремниевые

В конструкциях отечественных сварочных выпрямителей находят применение селеновые вентили с пластинами размером 100 X 400 мм, собираемые в блоки необходимых мощности или напряжения. Обычно блоки вентилей принудительно охлаждаются потоком воздуха от специального вентилятора. В кремниевых выпрямителях силовые блоки собирают из отдельных вентилей на силу тока 50 или 200 А (ВК-50 или ВК-200-3) с допустимым обратным напряжением 150 В. Кремниевые вентили также требуют интенсивного принудительного охлаждения, для чего их укрепляют на радиаторах, охлаждаемых потоком воздуха от вентилятора. [c.133]

Вычертить по краю кристалла кромку без оксида шириной 40 мкм, предусмотрев место для фигур совмещения (рис. 25.21) шириной 72,5 мкм. В этом месте поместить фигуры совмещения К, которые служат ориентирами для совмещения фотошаблона с кремниевой пластиной. [c.552]

Диод планарный — технологическая разновидность кремниевых диодов, у которого обе полупроводниковые области находятся на одной стороне пластины это позволяет получать на одной пластине большое число одинаковых структур диодов, из которых при распиливании получают отдельные диоды, обладающие очень близкими характеристиками [9]. [c.143]

Транзистор планарный — технологическая разновидность кремниевых диффузионных транзисторов, отличающаяся тем, что все области транзистора выходят на одну сторону пластины, т. е. на одну плоскость это позволяет получать на одной пластине одновременно ряд близких один к другому по параметрам транзисторов, а затем отделять один от другого посредством распиливания [9]. [c.158]

Разновидностью амплитудно-фазового метода является СВЧ импедансный метод контроля толщины (и удельного сопротивления) полупроводниковых, эпитаксиальных и диффузионных слоев, например, полупроводниковых кремниевых и германиевых пластин толщиной 300—2000 мкм и диаметром 30—40 мм, германиевых пластин с эпитаксиальными слоями 0—300 мкм, кремниевых пластин с диффузионными слоями 25—50 мкм и др. Удельное сопротивление структур находится в пределах 10" —10" Ом-м. Входной [c.225]

МО соединять последовательно несколько селеновых пластин. Из-за этого резко увеличиваются потери и занимаемый объем, причем и потери, и объем получаются значительно большими, чем в случае кремния, при использовании которого даже для высокого напряжения на выходе всегда достаточно иметь один диод в одной ветви моста. Этим и обосновывается общеизвестное преимущество кремния для изготовления преобразователей, однако в случае защитных установок с низкими напряжениями на выходе оно не проявляется. Кремниевые элементы очень чувствительны к превышению тока и перенапряжению и для их защиты нужны малоинерционные специальные предохранители и ограничители напряжения. Хотя кремниевые диоды имеют очень высокое напряжение запирания, вследствие чрезвычайной малости их тока запирания они не могут, как селеновые выпрямители, воспринимать кратковременные пики напряжений с малой энергией при появлении таких пиков происходит их пробой. Напротив, у селеновых выпрямителей наблюдается даже эффект самозалечивания в случае пробоя. Однако в трудных климатических условиях следует предпочесть кремний, потому что кремниевые диоды заключены в герметичный капсюль и нечувствительны к атмосферным воздействиям. Кроме того, допустимая рабочая температура у кремния несколько выше, чем у селена. Кремниевые диоды применяют также и в защитных установках, стойких к воздействию высокого напряжения. [c.221]

Все перечисленные возможности изучались в лабораторных условиях каждая из них имеет свои недостатки технологического либо практического характера. КПД батарей на основе сплошной кремниевой ленты пока не превышает 12 %. У пластин поликристалличе-ского кремния имеется слишком много центров рекомбинации, что также обусловливает чересчур низкий КПД. Батареи на основе сульфидов меди и кадмия обладают очень низким.КПД, они должны иметь очень малую толщину, поскольку эти веш,ества не пропускают солнечный свет. [c.102]

Полупроводниковые, схемы представляют собой монолитные кремниевые структуры, в объеме которых методами полупроводниковой технологии сформированы отдельные элементы (диоды, транзисторы, резисторы, конденсаторы и т. п.) и соединения между ними, В основу этой технологии положена многократная диффузия примесей в кремниевую пластину, что позволяет за один технологический цикл образовать все элементы и соеди- [c.354]

Эпитаксиальный кремний получается методом ориентированного осаждения кристаллов кремния на подложку — пластины, вырезаемые из кремниевых слитков. Легирование осуществляется парами соединений, содержащих легирующие элементы. [c.338]

Наличие на границах соединений (и в прилегающих к ним областях) пластин тех или иных дефектов может оказывать существенное влияние на электрофизические свойства многослойных композиций и рабочие характеристики создаваемых на их основе дискретных приборов и интегральных схем. С присутствием на границах соединения пластин тонких окисных слоев связано появление дополнительных потенциальных барьеров, существенно влияющих на характер прохождения тока в создаваемых / - -структурах. Возможные загрязнения поверхности соединения пластин электрически активными примесями являются причиной появления в многослойных композициях паразитных /(- -переходов, а также ловушек для носителей заряда. Дисперсные кислородсодержащие преципитаты в значительной мере определяют генерационно-рекомбинационные характеристики высокоомных рабочих слоев в силовых приборах и приводят, например, к возрастанию величин остаточных токов в полевых транзисторах. С наличием в области границ раздела дислокаций связано существенное увеличение токов утечки в биполярных транзисторах. Такого рода примеры можно было бы продолжить, но уже и так ясно, что успех в широкомасштабном внедрении многослойных структур, создаваемых методом прямого соединения пластин, в кремниевую микроэлектронику и силовую технику напрямую связан с их качеством. [c.82]

Очень большой интерес к кремниевым структурам, создаваемым этим методом, проявляет и современная сенсорная техника. Уже сегодня с использованием метода прямого соединения пластин создаются прецизионные датчики давления, способные работать до температуры 350 °С, микромеханические датчики и ряд других уникальных приборов. [c.83]

Изготовление ДОЭ со ступенчатым профилем стало возможным в результате применения методов фотолитографии, разработанных и доведенных до определенной степени совершенства в микроэлектронной промышленности [12]. При этом под фотолитографией понимают технологию создания и копирования бинарных структур, применяемую в производстве интегральных схем. Многократно повторяемый этап их изготовления состоит в следующем. На кремниевую пластину наносят слой светочувствительного материала — фоторезиста, который экспонируют контактным или проекционным образом через заранее изготовленную бинарную амплитудную маску, называемую фотошаблоном, а затем проявляют в травящем растворе. В зависимости от типа (позитивный или негативный) фоторезист растворяется на экспонированных или, наоборот, неэкспонированных участках, в результате чего на пластине образуется защитный слой со сквозными окнами. Через эти окна осуществляют ту или иную технологическую операцию трав/ ение, напыление и т. д., после чего фоторезист удаляют и весь цикл повторяют снова (до 8—10 раз). При этом на последующих стадиях при экспонировании фоторезиста, кроме всего прочего, необходимо совмещать рисунок фотошаблона с имеющейся на пластине структурой. Подчеркнем также, что в результате проведения не- [c.200]

В отношении конструктивных особенностей лазеры на александрите похожи на Nd YAG-лазеры. Хотя александрит может также работать в непрерывном режиме, меньшее сечение делает более практичным импульсную генерацию с высокой частотой повторения импульсов в режиме либо свободной генерации (длительность выходного импульса порядка 200 мкс), либо генерации с модуляцией добротности (длительность выходного импульса порядка 50 не). Характеристики импульсного лазера на александрите, а именно зависимость выходной энергии от входной и дифференциальный КПД практически аналогичны характеристикам Nd YAG-лазера с теми же размерами активного стержня. Были достигнуты средние мощности порядка 100 Вт при частоте повторения импульсов порядка 250 Гц. Оказывается, что лазеры на александрите успешно применяются в тех случаях, когда необходимо получить излучение с А, ж 700 нм и высокой средней мощностью (например, при лазерном отжиге кремниевых пластин) или когда необходимо перестраиваемое по частоте излучение (например, при лазерном контроле загрязнения окружающей среды). [c.343]

Пластины выпускаются следующих типов ПКМс и ПКМ — пластина кремниевая матированная, шлифованная микропорошком ПКо и ПК — пластина кремниевая, шлифованная связанным абразивом. [c.470]

После того как структура ПИМС полностью образована, кремниевую пластину расчленяют на отдельные кристаллы, применяя механический процесс нанесения алмазным резцом глубоких рисок (скрайбирование) с последующим разламыванием. Отдельные кристаллы помещают в корпуса с проводниками-выводами (см. дальше). [c.541]

Оптическая схема проекционного метода сбработки поверхности изображена на рис. 95 [202], Лазерный луч освещает металлическую маску, в которой выполнены фигурные отверстия, проектируемые с помощью объектива на обрабатываемую поверхность. Маска выполнена в виде диска из молибдена диаметром 76 мм и толщиной 0,1 мм. В диске по периметру нанесены цифры от О до 9, которые путем поворота диска могут в нужном порядке устанавливаться на оси оптической системы и проектироваться на поверхность кремниевой пластины. Применялись лазеры рубиновый, неодимовый, стеклянный и ИАГ. Первые два имеют одни и те же характеристики, кроме волны излучения, которая составляет 0,6943 мкм для рубинового и 1,06 мкм для неодимового лазера. Их выходная энергия может составлять несколько сотен джоулей. При энергии 20 Дж они могут обеспечивать частоту повторения импульсов 1 Гц, а ИАГ-лазер работает также на длине волны 1,06 мкм, но при энергии около 2 Дж имеет частоту следования импульсов 10 Гц и выше. [c.155]

Наиболее перспективны для резки полупроводников ИАГ-лазеры, обладающие большой мощностью излучения и малой длительностью импульса и позволяющие осуществлять прецизионную сквозную резку кремниевых пластин толщиной 0,25 мкм [76]. Так, ИАГ-лазеры положены в основу созданных в США (фирма Квантроникс ) и СССР установок для разделения кремния [76, 178]. [c.172]

Разделение кремниевых пластин можно осуществлять с помощью лазера на молекулярном азоте. Небольшая мощность лазера делает нецелесообразным его использование для сквозной разделки кремния, но применение этого лазера для скрайбирова-ния представляет определенный интерес. В работе [135] показано, что при частоте следования импульсов 100 Гц, средней мощности излучения 1,2 мВт, диаметре светового пятна 15 мкм и скорости перемещения образца 2 мм/с глубина реза составляет 5— 10 мкм за один проход. Скрайбирование всей пластины требует [c.173]

Для видимой области спектра пластины С. выполняют из оптического стекла очень малой толщины, чтобы уменьшить потери на поглощение. При показателе поглощения стекла п = 1,5 практически полную поляризацию (р — 0,99) даёт С. из 16 пластин. Для ИК-об-ласти применяют С. из пластин фтористого лития, флюорита и др. с топкими селеновыми, германиевыми или кремниевыми покрытиями. Большие п ( 2—4) таких покрытий позволяют получить требуемую степень поляризации р при небольшом числе пластин. СТОХАСТИЧЕСКИЕ КОЛЕБАНИЯ (от греч. з1осЬа-зПкбз — умеющий угадывать) — нерегулярные, внешне неотличимые от реализации случайного процесса колебания в полностью детерминированной (без шумов и флуктуаций) нелинейной системе. [c.694]

Если поверхности соединяемых кремниевых пластин покрыты тонким слоем естественного окисла, то они обладают гвдрофильными свойствами. В этом случае на соединяемых поверхностях всегда присутствуют адсорбированные молекулы воды, и решающую роль в соединении приведенных в соприкосновение при комнатной температуре пластин играют водородные связи, образующиеся между адсорбированными на поверхностях водяными молекулами. При последующем высокотемпературном отжиге сформированные таким образом водяные кластеры распадаются, молекулы воды диффундируют по границе соединения на поверхность, оставляя достаточно прочные силаксановые связи Si-0-Si, обеспечивающие образование монолитной композиции. [c.76]

Если поверхность исходной кремниевой пластины обработать в растворе плавиковой кислоты, то присутствующий на ней тонкий слой естественного окисла растворяется, и поверхность приобретает гидрофобные сюйства. Для такой поверхности характерно наличие поверхностных связей Si-H, Si-Hj, Si-F. Связи Si-H и Si-Hj слабо поляризованы. В отличие от них связи Si—F поляризованы достаточно сильно, имеют ионный характер и локализованы в основном на химически активных участках поверхности (ребра атомных ступеней, поверхностные дефекты). При приведении в контакт гидрофобных поверхностей прочное соединение между ними реализуется за счет образования связей типа Si-F, H-Si. При последующем высокотемпературном отжиге происходит десорбция водорода и фтора и их последующая диффузия вдоль границы соединения на поверхность. При этом связи Si—Н и Si-F заменяются связями Si-Si. Так 1сак связи Si-F достаточно прочны, то они могут частично сохраняться на границе соединения пластин даже после отжига при 1100 °С. Кроме того, при использовании растюров HF с концентрацией более 30 % на соединяемых поверхностях может происходить адсорбция молекул HF, которые препятствуют получению прочного сцепления. [c.76]

Принципиально важно исключить юзможность генерации дислокаций в области границы раздела соединяемых пластин. Как мы уже отмечали выше, одним из основных источников дислокаций в формируемой композиции является релаксация в процессе высокотемпературного отжига упругих напряжений, обусловленных нарушениями общей и локальной плоскостности исходных пластин. В данном случае гарантом получения структурно совершенных композиций является использование пластин с высокими геометрическими показателями их качества. При современном уровне развития технологии изготовления кремниевых пластин выполнение этого условия затруднений не вызывает. [c.78]

При создании структур кремния на диэлектрике путем прямого соединения пластин рассмотренные выше проблемы дефектообразования решаются существенно проше, чем в случае многослойных композиций с / - -переходами для приборов силовой электроники. Обусловлено это, как минимум, двумя причинами. Слой двуокиси кремния обладает свойствами вязкого течения, поэтому релаксация упругих напряжений в таких гетерокомпозициях, как правило, не приводит к пластической деформации и генерации дислокаций в рабочем кремниевом слое. Кроме того, за счет диффузии кислорода из соединяемых кремниевых пластин в окисный слой в процессе высокотемпературного отжига, вблизи границ раздела в пластинах возникают достаточно протяженные, обедненные кислородом области, что исключает возможность образования в них кислородсодержащих преципитатов, обусловленных распадом пересыщенного твердого раствора кислорода. [c.82]

ГО что ведущие мировые производители приборов силовой электроники и прежде всего, мощных полевых транзисторов, тиристоров, биполярных транзисторов с изолированным затвором (JGBT-приборов), сделали ставку на использование в качестве базовой именно технологии прямого соединения пластин. При этом речь идет о широком использовании в промышленном производстве исходных кремниевых пластин диаметром 200 мм. Аналогичная ситуация складывается и в производстве низковольтных и маломощных высокочастотных У СБИС на основе структур кремния на диэлектрике. Подтверждением этому является го, что по имеющимся прогнозам в 2000 г. предполагалось поставить на мировой рынок около 2 млн штук структур кремния на диэлектрике циаметром 200 мм (этой цифрой оценивалась реальная потребность в гаких структурах). При этом 80 % от этого количества планировалось произвести методом прямого соединения пластин. [c.83]

Кремниевые эпитаксиальные структуры являются серьезной альтернативой полированным пластинам при изготовлении УСБИС уже хотя бы потому, что в эпитаксиальных слоях (в силу специфики условий их получения) практически полностью отсутствуют описанные выше ростовые микродефекты. Но основной причиной существенного усиления внимания к эпитаксиальным технологиям является переход микроэлектроники на субмикронный, а в ближайшем будущем и на нанометровый уровень при формировании приборных структур, а также реальные перспективы создания сверхбыстродействующих УСБИС на основе эпитаксиальных гетероструктур в системе Si — твердые растворы SiGe. [c.88]

Заманчивой альтернативой традиционным межсоединениям являются оптоэлектронные системы, обеспечивающие возможность генерации, модуляции, усиления, передачи, а также детектирования световых сигналов. Потенциальные возможности таких систем трудно переоценить. Элементарная ячейка монолитного оптоэлектронного устройства представляет собой результат интегрирования, в пределах одной пластины источника излучения, волновода и фотоприемника. Необходимым условием успешного использования оптоэлектронных устройств является их хорощее геометрическое и функциональное совмещение с элементами УСБИС. При этом технология их изготовления должна хорошо совмещаться с технологией изготовления самой интегральной схемы и необходимо максимально использовать хорошо отработанные процессы и оборудование кремниевых приборных производств [29]. [c.96]

Четыре другие работы, в которых исследовалось оптическое качество МИС, продемонстрировали насколько важной является правильность формы подложки, Генри и другие [811 испытали многослойное зеркало нормального падения, предназначенное для рентгеновского телескопа, и получили разрешение лучше одной угловой секунды. По их данным разрешение ограничивалось пространственным разрешением детекто>,а и геометрией эксперимента. Затем Бильдербек и другие [ Чь исследуя оптическое качество МИС, нанесенных на коммерческие кремниевые пластины, установили что главным источником оптических дефектов были вариации наклона поверхности с амплитудой более 10 обратных [c.446]

ГЛУЗ-0,25-40 ПМС-0,25-40 или ППЭ-0,25-40 125 X 160 25 деталей. Вырезание пластин кварцевых резонаторов, германиевых и, кремниевых деталей для диодов и триодов [c.419]

Нами [646, 647] проводились эксперименты по ультразвуковому облу-. чению пластин из бездислокационного кремния марки КЭФ-10 и КДБ-14 толщиной 200-250 мкм и диаметром 30-50 мм на ультразвуковой установке с частотой колебаний 20 и 60 кГц (см. рис. 140, а). На пластину Si (/) эвтектической пайкой напаивали тонкий золоченый молибденовый диск 2 диаметром 4,3 мм d/D - 7), к которому мягким припоем (или компаундом ЭКМ) припаивали стальной стержень и затем крепили его с помощью винта 3 в отверстии акустического волновода 4. С целью устранения структурного фона перед ультразвуковым облучением пластины полировали на СГ2О3 или химико-механическим способом золями кремниевой кислоты. Время воздействия УЗК на пластины Si при акустической мопцюсти W— 20 Вт, амплитуде колебаний = 4—5 мкм на частоте / = 60 кГц составляло обычно в среднем 20 с. [c.231]

Кремниевую пластину со схемой управления, па поверхности ко-горой располагалась H ieMa отражающих свет. электродов, находящаяся в непосредственном контакте со слоем ЖК 182]. Устройство содержало 100X100 элементов и сочетало в себе функции фотоприемной матрицы, блока оперативного хранения массива данных и светоклапачного устройства, используемого для ввода информации в голографическое запоминающее устройство. [c.99]

Смотреть страницы где упоминается термин Пластины кремниевые : [c.470] [c.539] [c.539] [c.251] [c.71] [c.227] [c.205] [c.108] [c.354] [c.61] [c.67] [c.75] [c.80] [c.81] [c.83] [c.497] [c.201] [c.133] [c.133] [c.134] [c.135]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...