Термы отрицательные

В ХОЛОДНОМ конце проводника, вызывает градиент электрического потенциала. Отрицательный заряд на холодном конце нарастает до момента достижения динамического равновесия между числом электронов с большей энергией, диффундирующих от горячего конца к холодному под действием градиента температуры, и числом электронов, перемещающихся от холодного конца к горячему под действием градиента потенциала электрического поля. Этот градиент потенциала существует, пока есть градиент температуры, и называется термоэлектрической э.д.с. Отсюда следует, что термо-э.д.с. не может возникнуть без температурного градиента. [c.268]

С целью стандартизации термоэлектрических измерений и получения материала, относительно которого было бы удобно отсчитывать величины термо-э.д.с. различных чистых металлов и сплавов, было решено изготовить опорный электрод из слитка очень чистой платины. Такая практика возникает в 1922 г., когда в НБЭ проводилось сравнение термопар из различных стран. Эта работа будет вновь упомянута при обсуждении свойств термопары Р1—13 % КЬ/Р1. Было обнаружено, что платиновая проволока из плавки № 27 имеет наиболее отрицательную термо-э.д.с. по сравнению со всеми полученными ранее. Поскольку присутствие примесей в платине всегда ведет к росту термо-э.д.с., было решено, что получен образец очень чистой платины. Образцы проволоки из этой плавки получили название [c.275]

Если температура термопары оказывается ниже температуры капель, регистрирующее устройство (например, осциллограф) регистрирует положительный импульс, так как капля в момент контакта подогревает датчик. При подогреве термопары от постоянного источника тока значение импульсов уменьшается, и они практически исчезают, если термопару нагреть до температуры капель. Термо-ЭДС, развиваемую термопарой, в этом случае принимают равной истинной температуре капель. Дальнейший нагрев термопары вызовет появление отрицательных импульсов, так как капли будут охлаждать термопару. [c.250]

Отсюда видно, что ПЭ зависит от электрического поля так же, как ТЭ зависит от температуры ln(j/S2) = = f(l/ ё) (рис. 25.47). При высоких температурах плотность тока ПЭ возрастает с Т, особенно сильно в области малых (но уже вызывающих ПЭ) электрических полей. Распределение по энергиям электронов, эмитируемых из металла, при ПЭ при низких температурах эмиттера начинается от энергии, соответствующей уровню Ферми в металле (принимаемому за нуль), и простирается в область отрицательных энергий. Ширина распределения на половине высоты составляет около 0,5 эБ (рис. 25.48). При возрастании температуры энергетический спектр эмитируемых электронов расширяется в сторону положительных энергий. ПЭ полупроводников обладает рядом особенностей, связанных с распределением электронов по энергиям в них, с проникновением внешнего электрического поля в полупроводник и с сильной термо- и фоточувствительностью полупроводников, оказывающей влияние на ток ПЭ (рис. 25.49) [28, 29]. Токи ПЭ с большой плотностью удается получать с эмиттеров, имеющих форму острия. Предельная плотность тока, еще не разрушающего острие, /кр возрастает с увеличением угла при вершине эмитирующего конуса, так как с увеличением этого угла улучшается отвод теплоты от острия (табл. 25.27, рис. 25.50). В очень сильных электрических полях, когда плотность тока ПЭ достигает 10 —10 А/см локальные участки катода, из которых происходит эмиссия, (острия) в результате сильного разогрева взрываются, образуя плотную плазму, расширяющуюся со скоростью t = 10 см/с. Этот процесс сопровождается возникновением интенсивной эмиссии (взрывная электронная эмиссия, рис. 25.51) [30]. Ток /, А, взрывной электронной эмиссии при взрыве одиночного острия [c.588]

Изотопический сдвиг условно принято считать положительным, если линия перехода для более тяжелого изотопа сдвинута в сторону больших частот. На языке сдвига термов это означает, что отрицательный знак смещения термов соответствует случаю, когда уровень [c.847]

Диапазон изменения электросопротивления у полупроводниковых материалов весьма широк (р = 10 - - 10 ом-см) однако материалы характеризуются некоторыми другими специфическими свойствами, отличающими их от металлов и изоляторов, Например, если электросопротивление металлов возрастает с повышением температуры, то у полупроводниковых материалов оно падает, т. е. полупроводники в большинстве случаев обладают отрицательным температурным коэффициентом электросопротивления примеси уменьшают электропроводность металлов, но увеличивают проводимость полупроводниковых материалов. Полупроводники обладают фотопроводимостью, т. е. при действии излучений у них возникают дополнительные свободные носители заряда. В приборной технике полупроводники нашли широкое применение, поскольку они могут служить выпрямительными элементами, генерировать огромные термо-э. д. с., усиливать ток, позволяют увеличить ресурс и надежность электронных устройств, уменьшить размеры и вес приборов, а также сократить потребление электрической энергии. [c.279]

Объемная составляющая термо-э. д. с. Концентрация носителей заряда в проводнике зависит от температуры. У металлов эта зависимость очень слабая и обусловлена термическим расширением, вызывающим изменение объема проводника. У полупроводников, наоборот, с увеличением температуры концентрация носителей может расти очень сильно. Поэтому на горячем конце полупроводника концентрация носителей заряда может оказаться выше, чем на холодном, вследствие чего от горячего конца к холодному возникает диффузионный поток, приводящий в -полупроводнике к образованию на холодном конце отрицательного объемного заряда, на горячем — положительного заряда. Эти заряды создают разность потенциалов Fgg, которая и представляет собой объемную составляющую термо-э. д. с. [c.259]

Так как обычно Un > Ир, то в собственном полупроводнике является величиной отрицательной, В акцепторном полупроводнике при переходе к собственной проводимости происходит смена положительного знака термо-э. д. с. на отрицательный. [c.261]

Удельная термо-ЭДС определяется материалами электрической цепи и равна, например, для меди а = 32 мкВ/град, для железа а = 15 мкВ/град. В процессе трения в кислой среде происходит нарушение теплового равновесия, смещается электродный потенциал, образуется разность потенциалов. Вследствие высокой температуры трущаяся поверхность приобретает более положительный потенциал, а поверхности обойм из медьсодержащих сплавов менее положительный (отрицательный). В результате возникновения термо-ЭДС медь с поверхности обойм переходит в раствор, а из раствора присоединяя свободные электроны в зоне контакта, ионы меди осаждаются на трущихся поверхностях в виде медной пленки. [c.179]

Отрицательное действие высокотемпературного нагрева сказывается на ударной вязкости сварного соединения в зоне терми- [c.180]

Сопоставляя уравнения (5) и (6), можно прийти к заключению, что и в том и в другом случае волновое число представляет собой разность двух величин, принимающих дискретные значения, и, следовательно, с точностью до множителя термы равны энергиям квантовых состояний. Если электрон вырван из атома, т. е. атом ионизован, то на это затрачивается энергия U. Затем, когда электрон обратно попадает на одну из орбит атома из бесконечности, происходит выделение энергии, и, таким образом, значение энергии квантовых состояний будет отрицательным, между тем как спектральные термы являются величинами положительными, т. е. [c.11]

Термопара НХ К—Н К М. Положительный термоэлектрод изготовлен на основе сплава никеля с 10 % Сг и 2 % 51, а отрицательный— на основе сплава никеля с 3 % кремния. Термоэлектрические характеристики термопары НХК — НКМ в СССР не стандартизированы и представлены в табл. 8.18. Чувствительность термопары в среднем порядка 36 мкВ/К. Нестабильность термоЭДС при термо- [c.251]

Невозможно точно классифицировать любые промежуточные соединения, как бы хорошо они не были исследованы. Ни одно из них не ведет себя как чистая соль (температурные коэффициенты удельного сопротивления слишком высоки) или чистый полупроводник (эффект Холла часто бывает отрицательным, как и термо-э.д.с.). Чтобы представить ясную картину механизмов связи или проводимости, требуется гораздо больше информации. Между прочим, имеется возможность, как и для чистых [c.135]

В электронном полупроводнике основными носителями заряда, как известно, являются электроны, поток их от горячего конца к холодному будет больше, чем от холодного к горячему. В результате этого на холодном конце будет накапливаться отрицательный заряд, на горячем оставаться нескомпенсированный положительный. Возникшее электрическое поле будет вызывать поток электронов от холодного конца к горячему. Стационарное состояние установится при равенстве этих потоков. У дырочного полупроводника на холодном конце возникнет положительный заряд. Таким образом, по знаку термо-э. д. с. можно судить о типе электропроводности полупроводника. [c.90]

Из уравнения (163) следует, что удельная теплоемкость может быть и отрицательной, например, если > 1 (для политроп, расположенных между изо-терм-ой и адиабатой, рис. 79). Тот, факт, что удельная теплоемкость с отрицательна, означает, что dq [c.113]

Изменение чувствительности схемы с дифференциальной термопарой компенсируется включением параллельно милливольтметру корректирующей цепочки, состоящей из термо резистор а Яt с отрицательным температурным коэффициентом и постоянного со- [c.176]

То, что у полупроводника имеется два участка с разными температурами, вызывает перемещение свободных зарядов из нагретого участка в холодный. Так, если носителями тока являются электроны, то они, перемещаясь в холодный участок, зарядят его отрицательным электричеством. Нагретый участок полупроводника, потеряв часть электронов, зарядится положительно. В результате этого между нагретым и холодным участками полупроводника возникает термо-э. д. с. 0 явление, называемое термоэлектричеством, используется при создании термоэлементов и термогенераторов, которые способны превращать тепловую энергию непосредственно в электрическую. [c.96]

Особое место в исследованиях влияния добавок на графитацию занимает бор. В ряде работ [2-1] было показано, что небольшие добавки бора значительно снижают электрическое сопротивление углеграфитовых материалов и изменяют температурный коэффициент сопротивления от отрицательного к положительному с переходом через нуль. Подобным образом изменяются коэффициент Холла, термо-э. д. с., средняя магнитная восприимчивость. В данном случае бор может рассматриваться как акцепторная добавка, входящая в состав углеродных веществ без соблюдения правила стехиометрии. Акцепторное действие бора проявляется уже после введения его в материал в количестве сотых долей процента. Оно заключается в захвате электронов, принадлежащих углеродным атомам и в разрыве валентных связей между атомами углерода. Последнее обстоятельство активирует перестройку структуры при графитации. Электронно-микроскопические исследования материалов, легированных бором, позволяют обнар жить дислокационные петли. [c.290]

Рассмотрим классическую модель металла жесткая ионная решетка, погруженная в газ свободных электронов, который, в свою очередь, может двигаться под действием магнитных, электрических полей и температурных градиентов. При разности температуры в проводнике электроны диффундируют от горячего конца к холодному (термодиффузия. электронов, процесс теплопроводности), передавая ионной решетке часть своей кинетической энергии. Избыток электронов, возникший на холодном конце проводника,. приводит к градиенту электрического потенциала. Отрицательный заряд на холодном конце нарастает до момента достижения динамического равновесия между числом электронов с большой энергией, диффундирующих от горячего конца к холодному под действием градиента температуры УГ, и числом электронов, перемещающихся от холодного конца к горячему под действием градиента потенциала электрического поля Уф. Этот градиент потенциала существует, пока есть градиент температуры, и называется термоэлектрической ЭДС. Отсюда следует, что термо-ЭДС не может возникнуть без температурного градиента. [c.643]

В табл. 19.6 представлены значения энергии сродства атомов к электрону. Наиболее точные современные методы измерения этой величины основаны на анализе порогового поведения сечения лазерного фотоотрыва и лазерной фотоэлектронной спектроскопии [17—20]. В отдельных графах табл. 19.6 приведены электронная конфигурация валентной оболочки иона и соответствующий терм отрицательного иона. [c.420]

На рис. 6.11 показано, как ведут себя сплавы, дифференциальная термо-э.д.с. которых не падает до столь малых величин. В этих сплавах присутствует эффект Кондо, проявляющийся при рассеянии электронов проводимости магнитными моментами примеси, такой, как железо или кобальт (см. гл. 5, разд. 5.6). В интервале температур от 1 до 300 К можно получить довольно больщие отрицательные термо-э.д.с. Положительным электродом для такой термопары часто служит сплав с низкой теплопроводностью и малой термо-э.д.с., например N1—Сг, или Ад—0,3 % Ап. В настоящее время считается, что наилучшей примесью для получения хорошей стабильности отрицательного электрода термопары является железо. Сплавы с кобальтом, как оказалось, претерпевают при комнатной температуре структурные превращения, вызывающие изменения термо-э.д.с. Содержание железа обычно выбирают в пределах от 0,02 до [c.293]

Атомный номер 2 Отрицательный ион (электронный терм) Конфигурация виешией электронной оболочки Л, эВ [c.421]

Термопара платинородпй—платина составляется из положительного термо-9лектрода из сплава 00% Р1 и 10% Rli и отрицательного — чистой платины мар- и Экстра НЛП Победа . Термопара градуируется до 1600 С. [c.432]

Обычно численное значение смещенных уровней определяют относительно самого глубокого несмещенного уровня. Тогда смещенные уровни, лежащие выше предела несмещенных уровней, получают отрицательное значение, что. конечно, происходит благодаря условному обозначению предела несмещенных уровней как нулевого. Поэтому полученные численные значения смещенных термов не позволяют, исходя из данной конфигурации, получить работу, затрачиваемую на удаление внешнего электрона на бесконечность. Для того чтобы они давали эту работу, нужно отнести значения термов к их собственному пределу. Для точного определения этого предела в большинстве случаев известно слишком мало последовательных смещенных термов. Однако значения термов, отнесенные к их собственному пределу, можно получать путем прибавления частот головной линии главной серии иона к их относительным значениям. В табл. 46 в третьем столбце даны значения термов ЭрЗр Ро ) [c.179]

На рис. 88 дана схема наблюденных термов Са 1, которые сходятся к трем пределам, соответствующим состояниям иона кальция 4s S, 3d и 4р 2р. Нуль условно стоит у предела уровней 4s (состояние иона 4s 2 ). Предел уровней 3d d (состояние иона 3d D) лежит около— 12 000 предел уровней 4рлр (состояние иона 4рФ) —около— 25 000 см . Все термы, лежащие выше предела термов 4s ns So — отрицательны. [c.179]

Отрицательный знак у Av не обязательно является следствием смещения термов в сторону, обратную нормальному сдвигу. Очевидно, это произойдет, если при нормальном направлении сдвига термов верхний терм окажется смещенным сильнее нижнего. Сдвиг линий есть результат смещения термов. Так как смещение термов представляет собою явление первичное, то желательно определить именно его. Это можно сделать, если измерить сдвиги на последовательном ряде линий одной серии при этом высокие термы должны испытывать меньший сдвиг, чем глубокие. Измерения такого рода выполнены Мейсснером и Мунди на линиях диффузной серии магния. Магний состоит из трех изотопов и присутствующих в естественной смеси [c.559]

Электрохимическими исследованиями было установлено (рис. 9.25), что потенциал металла под кубовыми остатками без ингибитора находится в области отрицательных значений. После термо- и светостарения, а также после воздействия минусовых температур (около —40 С) наблюдается резкое смещение потенциала металла под этими пленками в сторону отрицательных величин, в то время как потенциал металла под ингибированными покрытиями до и после воздействия указанных факторов продолжает оставаться в области положительных значений. [c.191]

Химический состав термоэлектродной проволоки нестрого постоянен. поэтому при комплектовании термоэлектродов для изготовления термопар -необходимо подбирать термоэлектроды так. чтобы каждой группе лоложительных термоэлектродов соответствовала та же группа отрицательных. Отклонение значений термо-э. д. с. в пределах каждой группы не должно превышать 0.15 мВ. а между отдельными группами 0.5 мВ. Группа термоэлектродного материала указывается заводом-изготовителем на паспорте. Часть изготовляемых термопар должна быть направлена в Комитет стандартов для поверки. [c.75]

Помимо перечисленных элементарных процессов, идущих в объеме плазмы, при анализе работы лазерных систем необходимо учитывать целый ряд поверхностных явлений, имеющих место на электродах и ограничивающих плазму поверхностях. Прежде всего к ним следует отнести эмиссию электронов под действием положительных ионов (у-процесс), фотоэффект, термо- и автоэлект-ронную эмиссию электронов на катоде и, наконец, нейтрализацию положительных и отрицательных ионов, а также тушение частиц на ограничивающих плазму поверхностях. [c.78]

Полупроводники. Индий — существенная составная часть германиевого транзистора, в котором он действует как присадка и как средство для прикрепления свинцовой проволоки к германиевому кристаллу 16 . В настоящее время в различных областях техники применяются германиевые транзисторы и выпрямители нескольких типов, в том числе с точечным контактом, с поверхностным барьером и с диффузионным сплавленным переходом. Для последнего типа германиевого транзистора, где используется примесный диффузионный р — п — р-переход, требуется значительно больший расход индия. Действие транзистора основано на р — -переходе, который осуществляется, когда происходит превращение германия /j-типа в германий п-типа в твердом состоянии. Германш п-типа образуется при введении в германий высокой степени чистоты специальных примесей, например сурьмы или мышьяка. Эти элементы, имеющие пять электронов на своей внешней орбите (германий имеет четыре электрона), дают избыточные электроны в решетку кристаллического германия. При введении в германий в качестве примеси индия образуется германий р-типа. Поскольку индий имеет на своей внешней орбите три электрона, а терма-ний — четыре, в кристаллической решетке германия наблюдается недостаток электронов, и недостающие электроны известны как дырки. Под влиянием электрического поля избыточные электроны в германии п-тппа движутся к положительному источнику в германии р-типа электроны могут перескакивать в дырки, и дырки появляются в направлении отрицательной клеммы. [c.239]

Термоциклирование проводят с учетом системы инте1рации используемых элементов РЭА, сложности узлов, приборов, систем, распределения отказов в зависимости от видов, дефектов, экономических аспектов и Т.Д. Общими при решении этой задачи являются следующие соображения - чем сложнее и ответственнее аппаратура, тем для больших храдаиий целесообразно проведение термоциклирования - наиболее экономически целесообразным является выявление потенциальных дефектов на уровне элементов - чем выше степень интеграции элементов РЭА, тем целесообразнее их термоциклирование до монтажа в аппарутуру - жесткость термоциклирования уменьшается по мере перехода к более сложным устройствам аппаратуры, т е. наиболее широкие диапазоны температур, наибольшее число термо-циклов, наибольшие скорости изменения температуры относятся к элементам. Практическому применению термоциклирования для выявления потенциальных дефектов должно предшествовать детальное обследование элементов, в процессе которого устраняются причины возможного снижения их термостойкости (термоустойчивости). Попытки применения термоциклирования без выполнения этого требования, как правило, приводят к отрицательным результатам. Отсюда вывод - что методики термоциклирования элементов РЭА в обязательном порядке должны быть согласованы с разработчиками и изготовителями элементных средств и совместно апробированы. [c.475]

Эти результаты находятся в соответствии с данными об электронной проводимости массивных образцов FeO, Fea04 и v-Fe203 за счет избыточного железа в решетке, полученными в обычных условиях по знаку эффекта Холла или термо-э.д. с. Из рис. 1,6 можно видеть, что при потенциалах активного растворения значение отрицательной ф. э.п. растет до потенциала пассивации (+0,45 В). Это указывает, согласно (1,25), на преимущественно катионный характер переноса в окисной фазе при этих потенциалах и на то, что активное растворение железа связано с увеличением отклонения от стехиометрического состава поверхностного окисла и ростом концентрации дефектов структуры — анионных вакансий (ионов Fe2+ и свободных электронов). [c.21]

Холла, термо-э.д. с. и других свойствах. К сожалению, пока нет измерений, из которых можно было бы сделать выводы. В случаях, когда величина as отрицательна, а ах, положительна (классы 3 и 7), можно доказать, что при плавлении заканчивается переход гомеополярной связи в металлическую. Висмут и сурьма уже проявляют металлические свойства в твердом состоянии, но они имеют высокие удельные сопротивления. Гомеополяр-ный вклад в связь в этих материалах в твердом состоянии мал, но его достаточно, чтобы значение px,/ps было меньше единицы. Материалы в классах 4 и 6 аномальны. [c.118]

Молекула, как и атом, характеризуется мультиплет-ностью электронных состояний. Мультнплетность уровня определяется и обозначается по указанным выше правилам. По отношению к отражению в плоскости симметрии, проходящей через ось молекулы, электронные состояния разделяются на положительные (-t-) и отрицательные (—), что указывается вверху справа у квантового числа Л. Для линейных молекул, обладающих центром симметрии, электронные состояния делятся на четные (g) и нечетные (и), что указывается справа внизу у Л. В ряде случаев перед символом терма Л дается дополнительный символ (А, В, С, X,. .., а, Ь, с,. ..), приписываемый каждому конкретному терму и не связанный однозначно со спектроскопическими характеристиками молекулы. [c.649]

Фази-алгорятмы. Фази-алгоритмы регулирования основаны на теории нечетких множеств [16]. Нечеткая, или фази (англ. fuzzy), переменная определяется не конкретным числовым значением, а качественной сравнительной оценкой. Например температуру среды можно определить как нормальную, повышенную, высокую и рассматривать как лингвистическую переменную. Отклонение переменной от задания может быть положительным большим, положительным средним, положительным малым, нулевым, отрицательным малым, отрицательным средним, отрицательным большим. При нечетком определении переменной в зависимости от ее характера и решаемой задачи обычно используют три, пять или семь градаций (термов). [c.531]

Для выяснения физической сущности обнаруженных явлений авторы работы [192] провели дилатометрические, термографические, мессбауров-ские исследования, а также изучили влияние примесей, магнитного йоля, упругой и пластической деформации на временные изменения термо-ЭДС при ТЦО. Результаты этих исследований свидетельствуют о том, что эффекты изотермической осцилляции и изменения абсолютной термо-ЭДС при ТЦО не могут быть полностью объяснены структурными изменениями и при их интерпретации необходимо учитывать изменения, происходящие в электронной подсистеме сплавов, например, изменения отношения концентраций электронов с положительной и отрицательной эффективной массой при неизменном общем числе носителей. Факт существенного изменения термо-ЭДС сплавов при ТЦО открывает реальную возможность прямого и высокоэффективного превращения тепловой энергии в электрическую. В этом неожиданном для ТЦО направлении следует активизировать исследования. Важно найти оптимальный химический состав сплавов, дающий после ТЦО наибольшую термо-ЭДС. [c.127]

Каждому классу положительных термоэлектродов должен соответствовать тот же класс отрицательных. Номер класса указывается заводом-изготовителем на бирке к каждой бухте термоэлектродов и в техническом паспорте. Существует четыре класса термоэлектродов. В пределах каждого класса отклонение термо-ЭДС не должнб превышать 0,15 мВ, а между отдельными классами 0,50 мВ. [c.156]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...