Последовательные смещения

Переползание краевой дислокации также может осуществляться как серия последовательных смещений [c.125]

Обработка профилограмм производится следующим образом. Каретка 3 смещается в положение, при котором перекрестие 6 визира 4 совмещается с местным выступом профиля — часть профиля, расположенная между экстремальными точками соседних минимумов профиля (фиг. 14, б). Затем при неподвижной каретке 3 перемещается стол 2 с профилограммой до следующего пересечения профиля единичного выступа с перекрестием визира. При этом на шкале 8 автоматически откладывается длина основания сечения единичного выступа (фиг. 14, в). Пересекая перекрестием 6 все выступы профилограммы на установленном уровне, произведя указанные выше последовательные смещения каретки 3, стола 2, автоматически получим сумму оснований выступов на данном уровне, величина которой считывается с миллиметровой шкалы 8 нониусом 9. [c.31]

Течение полимера состоит во взаимном перемещении молекул друг относительно друга. Это перемещение происходит путем последовательного смещения звеньев цепи, приводящего в конце концов к смещению центра тяжести молекулы. Сопровождаясь распрямлением гибких цепей, течение неразрывно связано с высокоэластической деформацией полимера. Разделение этих двух процессов возможно, строго говоря, только после снятия нагрузки. Поэтому определение механических констант полимера предпочтительнее вести по кривой разгружения, чем по кривой нагружения (рис. 1.33). [c.45]

Проверка выполняется многократно при последовательно смещенной контактной линейке относительно неизменно стоящего на столе станка диска отправителя, например, на 5 или 4 угловых шага контактных шпилек при общем числе их на диске, равном 40,или на 6 или 7 угловых шагов, при общем числе их на диске, равном 42. [c.639]

Вследствие таких последовательных смещений, переходящих постепенно в непрерывное скольжение дисков / и по храповому колесу 3, вращение шестерни 5 будет также происходить непрерывно со скоростью в среднем не выще скорости вращения вала 2. [c.571]

Вытяжка ротационная — формоизменение вращающейся круглой листовой заготовки в осесимметричную оболочку или заготовки в виде такой оболочки в оболочку другой фо.рмы и толщины. Осуществляется за счет последовательного смещения материала под действием сосредоточенной нагрузки со стороны инструмента, движущегося относительно заготовки по траектории, представляющей собой винтовую линию на поверхности вращения соответствующей формы. В процессе формообразования форму оболочки обычно задают с помощью жесткой оправки. Требуемую траекторию движения инструмента относительно заготовки обеспечивают вращением оправки с заготовкой и подачей инструмента в плоскости, параллельной оси вращения, по кривой (или прямой), которая соответствует образующей оболочки. [c.10]

Величины Мт и ЛМт зависят от динамических реакций на опоры, поэтому по мере затухания колебаний они будут уменьшаться. На фазовой (ПЛОСКОСТИ это соответствует непрерывному уменьшению от витка к витку радиуса заштрихованной окружности и последовательному смещению центра этой окружности ближе к началу координат. В установив- [c.96]

Поиск точки О и направления Ох действия максимального изгибающего момента производят путем последовательных смещений начала координат и поворотов оси Ох (точки и направления, по которым вычисляется изгибающий момент). При этом изменяются значения относительных радиусов г (смещение начала координат) и углов 01 и 02 (поворот оси Ох). [c.404]

Дискретная последовательность смещений [c.73]

Рис. 3.3. Модулирующая функция, полученная методом дискретной последовательности смещений объекта.

Скольжение по определенным плоскостям начинается по достижении касательными напряжениями в одной из плоскостей скольжения критической величины т р (см. формулу 4) и осуществляется последовательным смещением отдельных атомов (или групп атомов) (рис. 9, а). [c.12]

Итак, пластическая внутризеренная деформация осуществляется благодаря действию касательных напряжений по определенным плоскостям скольжения за счет последовательного смещения дислокаций и атомов на расстояния, значительно превышающие межатомные. [c.117]

Все лотки имеют поперечные прорези, на которые входят ролики 5, последовательно смещенные по движению лотков, для того чтобы кольца заполняли лотки, перекатываясь от ролика к ролику, без удара. [c.315]

Не так давно считалось, что сдвиг происходит сразу по всей плоскости скольжения, однако такой сдвиг требовал бы напряжений, во много раз превышающих те, которые обычно вызывают пластическую деформацию. Поэтому в настоящее время считают, что процесс скольжения на данной кристаллографической плоскости происходит не сразу, а заключается в ряде последовательных смещений отдельных участков решетки и продолжается в течение определенного промежутка времени. [c.127]

Количественная связь между делением катодного пятна и обусловленным им беспорядочным перемещением может быть легко установлена при единственном упрощающем задачу предположении, что каждый новый акт деления наступает только после распада одного из автономных пятен. При этом характер взаимодействия между пятнами оказывается наиболее простым, так как в каждый момент времени на катоде может находиться не более двух пятен. Последнее условие должно соблюдаться при небольших значениях разрядного тока, примерно до 10—15 а. При указанном условии и случайном характере распределения направлений последовательных смещений средний квадрат расстояния р, на которое пятно удалится от произвольной начальной точки в результате п актов деления, может быть найден как сумма квадратов всех элементарных смещений [c.292]

Таким образом, процесс резания пластичных металлов заключается в последовательном смещении тонких слоев металла вдоль плоскости сдвигов. При прохождении резцом пути АО точка А перемещается в точку Al- [c.41]

Укладка слоев ткани в средний диск шестерни производится с последовательным смещением слоев на 30°. Этим достигается выравнивание прочности материала по всему периметру обода. Это обстоя- [c.122]

Метод последовательных смещений [c.117]

Одна из причин, по которой метод одновременных смещений обладает такой медленной сходимостью, состоит в том, что уточненные значения переменных не используются, пока они не найдены для всех узлов сетки, т. е, до тех пор, пока не заменена вся сетка значений. В методе последовательных смещений [1], который называют также методом итераций Либмана,уточненные значения переменных используются сразу после получения. Так, уточненное значение переменной в у.зле 1 сразу же используется для вычисления нового значения в узле 2 и т. д. Очевидно, при использовании этого метода ход решения задачи зависит от того, в каком порядке обходятся узлы сетки. Так как в методе последовательных смещений новые данные используются сразу после их получения, то для него характерна более быстрая сходимость, чем для метода одновременных смещений. Результаты решения примера 5.1 методом последовательных смещений представлены в табл. 5.3. Сравнивания табл. 5.2 и 5.3, легко убедиться, что метод последовательных смещений по сравнению с предыдущим обеспечивает более быструю сходимость, позволяя получить решение с той же точностью при меньшем числе итераций. [c.117]

Методы релаксации можно использовать для решения систем линейных уравнений. Основу этих методов составляет последовательное уменьшение невязок во всех узлах сетки. (Невязкой называется разность между значением переменной в узле и ее истинным значением.) Первым исследовал методы релаксации применительно к дифференциальным уравнениям в частных производных Саусвелл [14]. Он обнаружил, что нередко бывает полезно изменить значение переменной в узле на большую величину, чем это необходимо для обращения данной невязки в нуль. В методе верхней релаксации используется линейная экстраполяция по результатам двух последовательных смещений. С этой точки зрения метод последовательной верхней релаксации можно рассматривать как развитие метода последовательных смещений, о котором говорилось выше. Если текущее значение переменной в узле равно а метод последовательных смещений дает [c.117]

Результаты решения примера 5.1 методом последовательных смещений [c.118]

Последовательная верхняя релаксация 37, 117 Последовательные смещения 37, 117 Правые разности 207 Прогноза и коррекции методы 74, 85 Проектирование 9 Проектные параметры 136 Простой итерации метод 25 Пространство проектирования 138 Прямые методы оптимизации 162, 163 [c.232]

В то же время наличие подвижных дислокаций создает возможность последовательного смещения групп атомов в новые положения равновесия и уменьшает сопротивление по сравнению со случаем, когда скольжение осуществляется путем одновременного относительного смещения атомов параллельных плоскостей (бездислокационное скольжение). Отсюда следует, что существенное уменьшение числа дислокаций и источников нх появления должно повысить сопротивление пластическим деформациям. Последнее подтверждается тем, что у полученных в естественных или искусственных условиях нитевидных монокристаллов [c.31]

Магазин может работать по любому из следующих циклов только принимать кольца (накапливать) только выдавать кольца (расходовать) принимать и выдавать кольца одновременно. Наличие автоматического магазина обеспечивает независимую работу участка от смежных участков. Магазин представляет собой наклонный цепной конвейер /, на цепи которого укреплены лотки 2. На разгрузочной стороне лотков имеются отсекатели 3 в виде двух подпружиненных защелок, сидящих на общей оси. Все лотки имеют поперечные прорези, в которые входят ролики 4, последовательно смещенные по движению лотков, для того, чтобы кольца заполняли лотки, перекатываясь от ролика к ролику без удара. При входе колец в магазин устанавливается механизм приема 5, при выходе — механизм выдачи 6. Прием колец и их выдача производятся под действием веса колец. [c.594]

Для одновременного смещения всех атомов, расположенных в плоскости скольжения, требуется весьма значительное сдвигающее усилие. Гораздо меньшее усилие необходимо для последовательного смещения атомов, что и происходит в действительности. Последовательное смещение становится возможным из-за наличия в структуре материала различного рода дефектов — лишних атомов, вакансий (отсутствие атомов), нарушающих правильное расположение атомов. В зависимости от размеров и протяженности дефекты могут быть точечными, линейными и поверхностными. [c.7]

Таким образом, возникновение дифракционных полос вблизи границы геометрической тени характерно только в случае ограничения сечения волнового фронта непрозрачным экраном с отверстием. В случае же постепенного уменьщения амплитуды колебаний, что тоже эквивалентно некоторому эффективному ограничению волнового фронта, дифракционные явления приводят только к расширению поперечного сечения пучка, а чередования областей с ббль-шими и меньшими значениями освещенности не наблюдается. Это хорошо видно на фотографиях (рис. 9.8, б, в, г), полученных с помощью гелий-неонного лазера при последовательном смещении плоскости наблюдения. Фотография рис. 9.8, д получена после ограничения пучка в плоскости ЕЕ щелью из лезвий бритв, в результате чего появились характерные дифракционные полосы (ср. рис. 9.7, а). [c.189]

Обычно численное значение смещенных уровней определяют относительно самого глубокого несмещенного уровня. Тогда смещенные уровни, лежащие выше предела несмещенных уровней, получают отрицательное значение, что. конечно, происходит благодаря условному обозначению предела несмещенных уровней как нулевого. Поэтому полученные численные значения смещенных термов не позволяют, исходя из данной конфигурации, получить работу, затрачиваемую на удаление внешнего электрона на бесконечность. Для того чтобы они давали эту работу, нужно отнести значения термов к их собственному пределу. Для точного определения этого предела в большинстве случаев известно слишком мало последовательных смещенных термов. Однако значения термов, отнесенные к их собственному пределу, можно получать путем прибавления частот головной линии главной серии иона к их относительным значениям. В табл. 46 в третьем столбце даны значения термов ЭрЗр Ро ) [c.179]

В настоящее время считают, что скольжение тончайших слоев металла при пластической деформации происходит не вдоль всей кристаллографической плоскости, а заключается в ряде последовательных смещений отдельных участков решетки, облегчаемых нали- [c.8]

Как известно, большой практический интерес представляет изучение причин значительного расхождения между теоретической прочностью идеальных кристаллов и прочностью реальных тел. Различными методами расчета теоретической прочности кристаллов получены величины, превышающие техническую прочность в 100—1000 раз. Некоторые исследователи объясняют этот факт, во-первых, несовершенством метода расчета прочности, вытекающим из того, что современная теория идеального кристалла не учитывает таких факторов, как последовательность смещения атомов [121, 464], возможность местной потери устойчивости кристалли-ческой решетки [135, 426], изменения в пр ессеТ еформир о в ани я упругих постоянных [203, 464] и т. п., и, во-вторых, наличием в реальном кристалле особого рода дефектов кристаллической решетки — дислокаций, которые при деформировании превращаются в ультрамикроскопические нарушения сплошности. [c.63]

Теория последовательных смещений, или дислокационная тео-1 ия деформации, основана на том, что, как уже указывалось, в главе И, реальные кристаллы металлов, в отличие от идеальных, обладают рядом изъянов в строении мозаичностью, смещением атомов вблизи границ зерна и свободными местами, т. е. незаполненными атомалш узлами в решетке. Эти смещения в решетке вызывают тепловые колебания атомов, являющихся причиной местных напряжений. Напряжения не только образуют местные смещения, но и передвигают их по всей плоскости скольжения (фиг. 77). Внутри круга находится центр смещения, а вне его линии решетки, выше и ниже плоскости скольжения АВ, совпадают. [c.127]

По современным воззрениям процесс скольжения осуществляется путем последовательного смещения отдельных групп атомов. Это происходит потому, что в реальных монокристаллах и зернах имеются местные нарушения правильности кристаллического строения в отдельных узлах решетки атомы отсутствуют, в некоторых же участках решетки имеются лишные атомы. [c.36]

Возможность последовательного смещения отдельных групп атомов вдоль плоскости скольжения при уменьшенных напряжениях возникает, если дефекты кристаллической решетки являются не точечными (вакансии, лишние атомы), а линейными, т. е. вызывающими нарушения правильного расположения атомов на значительные (макрооконические) расстояния в одном направлении и на малые (несколько межатомных расстояний) в направлениях, перпендикулярных к первому. [c.20]

Последовательное смещение потенциала в положительном направлении приводит к уменьшению внешнего катодного тока. При потенциале (стационарное значение потенциала, т. е. потенциал коррозии) электрод растворяется со скоростью, соответствующей значению потенциала ст. без наложения внешнего тока (кривая 3). При дальнейшем смещении потенциала вправо от ст. анодные токи увеличиваются и тем больше, чем к более положительному значению смещается потенциал электрода. Однако при определенном потенциале (—пасс.) нелп-чина тока достигает максимального значения (анодная крити- [c.30]

А теперь рассмотрим два последовательных смещения а и а. При пмвом функция г]) умножится на С(а), при втором—на С (а ). Б то же время два последовательных смещения эквивалентны одному смещению на а + а. При этом функция я ) должна умножиться просто на С (а + а ). Следовательно, [c.11]

Вектор Бюргерса определяется следующим образом. Рассмотрим замкнутую кривую, проходящую через последовательность узлов решетки эту кривую можно получить, совершив ряд смещений на вектор трансляции решетки Бравэ (фиг. 30.16, нижняя кривая). Теперь проделаем ту же последовательность смещений в кристалле, где, возможно, имеется дислокация (верхняя кривая на фиг. 30.16). Контрольный контур должен проходить достаточно далеко от дислокации, чтобы кристалл вблизи него практически не отличался от неде-формированного, поскольку лишь в этом случае слова та же последовательность смещений имеют однозначный смысл. Если в результате последовательных смещений мы не вернемся к исходной точке, то отсюда следует, что кривая проведена вокруг дислокации. Вектор решетки Бравэ Ь, который соединяет исходную точку с конечной, называется вектором Бюргерса данной дислокации [c.250]

Полинг считал, что атомные -орбиты начинают заполняться с хрома и предполагал, что этот процесс происходит. путем последовательного смещения на единицу, согласно схеме, приведенной выше. Аналогичный процесс предполагался им и для последующ.их периодов. Атомные -орбиты, согласно Полингу, заполняются таким образом, что электроны имеют параллельные спины, пока это возможно (в соответствии с правилом Хун-да о максимальной мультиплетности). Так как предполагалось, что число атомных орбит равно 2,44, приведенные выше цифры означают, что мапнитный момент насыщения в случае железа будет 2,22. Для кобальта, у которого имеется 3,22 атомных -электрона на атом и только 2,44 атомных -орбиты, 2,44 электрона будут иметь спин одного направления и 0,78 электрона— противоположного, т. е. магнитный момент насыщения будет 1,66 магнетонов Бора соответствующее значение для никеля будет 0,66 д,5з. [c.119]

Этот метод известен также как метод Гаусса — Зейделя (Сальвадори и Барон [1961]), как метод итераций неполными этапами (Кренделл [1956]) и как метод последовательных смещений (Янг [1954]). Этот метод похож на методы Саульева для нестационарных уравнений (см. разд. 3.1.17), но не идентичен им. [c.180]

Последовательное смещение кривых зависимости напряжения от К в направлении, соответствующем богатой смеси, при увеличении температуры и изменении формы петли гистерезиса наблюдалось также Флеминго [10, И] во время изучения им аномальных отклонений в работе датчика на 2г0г. Флеминг сделал заключение о том, что смещение кривых напряжения, зависящих от температуры, при изменении к обусловлено изменением адсорбции СО электродом, а не каталитической активностью электрода. Ги-стерезисная петля кривых напряжения обусловлена удержанием адсорбированных молекул СО, которые затрудняют адсорбцию кислорода на электроде, соприкасающемся с отработавшим газом, когда осуществляется переход от богатой к бедной смеси. Эти выводы объясняют наши наблюдения. Высокое значение константы адсорбции Молекул СО на поверхности перехода отработавший газ — электрод — электролит при низкой температуре обусловливает задержку изменения напряжения для перехода БГ—БД, в результате чего на блюдается широкая гистерезисная петля, когда температура равна 350° С. Более существенное уменьшение константы адсорбции СО по отношению к соответствующей константе для кислорода при увеличении температуры приводит к заметному смещению участка перехода кривой напряжения к области, соответствующей богатым смесям. [c.68]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...