Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...

Статьи Чертежи Таблицы О сайте Реклама

Частотно-температурная зависимость

Общий вид частотно-температурных зависимостей в и е" аналогичен таковым для и ", и к ним применим метод частотно-температурной суперпозиции [428]. На рис. 3.3.13 иллюстрированы частотно-температурные зависимости в и в" для ненаполненного вулканизата из НК по данным работы [428].  [c.170]

Частотно-деформационный фактор приведения 161 Частотно-температурная зависимость диэлектрических характеристик вулканизатов 171 Частотный релаксационный спектр  [c.356]


Вся картина частотно-температурной зависимости с большим количеством размывающихся с ростом частоты максиму-  [c.213]

МГц) пр = 20 —80 МВ/м. Как правило, электротехнические типы ситаллов обладают более высокими электроизоляционными параметрами, чем аморфные стекла того же состава однако в некоторых случаях частотные и температурные зависимости ситаллов имеют сложный характер (рис. 6-39).  [c.168]

В предыдущей главе было показано, что динамические свойства линейных резиноподобных материалов можно представить с помощью любых двух из следующих трех параметров накопленного модуля, модуля поглощения и коэффициента потерь. Для задач, рассматриваемых в данной главе, при описании демпфирующих свойств материалов потребуются только накопленный модуль и коэффициент потерь. Демпфирующие свойства резиноподобных материалов зависят от технологического оборудования. Например, на рис. 3.1 показана температурная зависимость динамических перемещений при соответствующих частотах колебаний для типичной металлической жестко защемленной на одном конце и свободной на другом балки, на которую нанесен демпфирующий слой. Исследуя зависимости от температуры, можно обнаружить области, где материал проявляет хорошие демпфирующие свойства. В то же время, изучая частотную зависимость, можно видеть четыре первых формы колебаний балки. Из рис. 3.1 с очевидностью следует, что характер поведения балки для соответствующих форм колебаний  [c.105]

Форма кривых, выражающих частотную или температурную зависимость G или и tg или Х, зависит от структуры пластмассы. Обычно определяют только температурную зависимость при неизменной частоте (или узком диапазоне частоты) или же частотную зависимость при неизменной температуре (обычно при температуре лаборатории).  [c.56]

Еще одним аргументом в пользу протекания процесса низкотемпературной микропластической деформации НК являются данные по внутреннему трению [651, 652]. На температурной зависимости внутреннего трения независимо от концентрации легирующих примесей имеется пик при Г = 170 К и /= 1743 Гц. Энергия активации процесса, ответственного за его появление, определенная по частотному сдвигу, равна 0,20—0,0034 эВ, а частотный фактор Го = 5,5 10 ° с". Этот пик отсутствует на недеформированных НК и появляется только лишь после пластической деформации, причем высота его увеличивается с увеличением степени деформации. Аналогичного характера пики по внутреннему трению наблюдались также ранее в работах [586, 624], причем, поскольку они полностью исчезали после стравливания поверхностного слоя (по 0,1 мм со стороны), их наличие связывалось [586] именно с наличием преимущественной пластической деформации в поверхностном слое.  [c.240]


Диэлектрические характеристики. Температурные а частотные характеристики е и tg6 в слабых переменных полях исследовались в ряде работ (см. [11, 22] гл. 1), [5]. На рис. 3.1, а, б представлены температурные зависимости е и tg б кристаллов PZN в интервале частот 10 н--н 2 10 Гц. Из рисунка видно, что в интервале 10 н--г 10 Гц при увеличении частоты поля максимумы е(Г)  [c.67]

Физический смысл термооптических характеристик и термооптические линзы. Положим распределение температуры в активном элементе параболическим в п. 1.1 было отмечено, что распределение температуры, близкое к параболическому, для непрерывных и частотных лазеров в установившемся режиме сохраняется и при заметном отклонении тепловыделения от равномерного. Будем считать перепады температуры АГ столь малыми, что величины Ц7, Р и Q можно принять постоянными (о температурной зависимости характеристик и дополнительных аберрациях оптического пути, связанных с наличием этой зависимости, см. следующий параграф).  [c.40]

Примечания 1. Частотные зависимости сняты при температуре 20° С. 2. Температурные зависимости сняты для пп. 1 и 2 при / = 20-10 гг , для пп. 3 и 4 при/ = 13 10. гч-  [c.49]

Найти вид температурной зависимости характеристических температур Дебая 0 (Г) и 0 (Г) в области 0° < Т < < 300 °К для решетки кристаллической меди [0 (Т) — характеристическая температура, соответствующая фактору Дебая —Вал-лера] при значениях моментов частотного распределения  [c.35]

Для пленки марки М нормируется разрушающее напряжение при растяжении не менее 98 МПа при толщине 3 мкм и 118 МПа для прочих толщин, а также относительное удлинение при разрыве не менее 50 %. Зависимость механических свойств пленки ПЭТ от продолжительности старения при 150°С представлена на рис. 16.4, частотная и температурная зависимость tg б и бг — на рис. 16.5 и 16.6.  [c.89]

Электроизоляционные показатели ситаллов, как правило, превосходят показатели стекол того же химического состава ситаллы имеют более высокие удельное сопротивление н электрическую прочность и более низкий tg6. Частотная и температурная зависимости tgS в ситаллах имеют весьма сложный характер, определяемый химическим и фазовым составом материала (рис. 22.9 и 22.10).  [c.207]

Для идентификации механизма диэлектрических потерь используют главным образом два метода снятие частотной зависимости в изотермических условиях и определение температурной зависимости tg б при постоянной частоте поля. Максимумы на кривых частотной зависимости tg 6 совпадают с точками перегиба на кривых дисперсии электропроводности и диэлектрической проницаемости.  [c.137]

Обобщение закономерностей релаксационных потерь можно сделать, пользуясь в качестве примера льдом, образованным из дистиллированной воды. Частотные и температурные зависимости релаксационных потерь льда показаны на рис. 50. Если для воды, обладающей незначительной вязкостью, механизм релаксационной поляризации перестает проявляться при частотах 10 —10" гц, что соответствует второй слева ступеньке на общей кривой г=р(/) рис. 22, то у льда — твердого тела с неплотной упаковкой частиц и низкой по сравнению с другими материалами тройной точкой фазовой диаграммы (рис. 51) — уменьшение поляризации наступает при частотах 10 — 10 гц, как это видно из рис. 50, а. Кривые рис. 50, г показывают, что при частотах свыше 10 гц е льда при понижении температуры быстро падает до 2,8—3, так как ориентация частиц протекает медленно и не успевает развиться в течение коротких полупериодов действия напряжения.  [c.87]

Рис. 50. Частотные и температурные зависимости составляющих комплексной диэлектрической проницаемости и тангенса угла диэлектрических потерь льда. Рис. 50. Частотные и <a href="/info/191882">температурные зависимости</a> составляющих <a href="/info/172432">комплексной диэлектрической проницаемости</a> и тангенса угла <a href="/info/16439">диэлектрических потерь</a> льда.
В табл. 20-30 приведена частотная зависимость е и tg б конденсаторных материалов марок М-16 —М-21, а на рис. 20-35 — их температурная зависимость.  [c.345]


Между поведением резин в механическом поле с гармоническим импульсом нагружения и в электрическом поле переменного тока имеется аналогия, отмеченная в серии работ [24, 74, 133, 154, 178— 181, 377, 427, 428]. У ненаполненных вулканизатов частотные (со — частота переменного тока) и температурные зависимости составляющих е и е" комплексной диэлектрической проницаемости е = = в — ie" описываются [428] уравнениями Дебая, формально аналогичными зависимостям (1.3.11) для динамических свойств линейных вязкоупругих систем  [c.170]

Если температурная зависимость р согласно принципу температурно-временной суперпозиции эквивалентна частотной, то становится очевидной причина различия Р в импульсном и гармоническом режимах нагружения. В самом деле, как следует из раздела 1.3, используя метод гармонического анализа, можно представить импульсное нагружение как сумму гармоник. Из (1.3.23) ясно, что в импульсном режиме при основной частоте ш 2я 4, с , сохраняется заметная доля гармоник с частотами на порядок выше основной. Повышение частоты приближает нагружение к области механического стеклования, или области переменного К. При импульсном режиме нагружения температурная кривая р — Т как бы сдвинута в область более высоких температур по сравнению с кривой р — Т для гармонического режима.  [c.271]

Микропластическое внутреннее трение определяют для характеристики металлов и сплавов с высокой или низкой способностью к рассеиванию колебаний. Изучая частотную или температурную зависимость другого вида внутреннего трения — диффузионного, можно выявить его источники, основным из которых является перестройка атомов в поле напряжений. Это обстоятельство дает возможность использовать метод диффузионного внутреннего трения для исследования превращений, не сопровождающихся остаточным изменением структуры, например, для изучения распада пересыщенных твердых растворов, протекающего при низких температурах, упорядочения и других процессов.  [c.26]

К основным закономерностям усталостной прочности (см. гл. IV) относятся немонотонная температурная зависимость наклонов диаграмм усталости, их корреляция с энергией дефекта упаковки и типом кристаллической структуры, особая роль частотного фактора и достаточно выраженные закономерности образования структуры. Ниже эти закономерности обсуждаются достаточно подробно.  [c.244]

Спектр излучения неравномерно нагретого тела отличается от планковского и притом тем больше, чем сильнее частотная и температурная зависимости коэффициента поглощения и чем круче ход температуры около поверхности на расстояниях порядка пробегов квантов.  [c.122]

Т. к. релаксация связана с различными внутримолекулярными и меж-молекулярными процессами, происходящими в среде под действием УЗ, анализ частотных и температурных зависимостей коэфф. П. з. позволяет судить об этих процессах. Частота релаксации (Ор для разных веществ может лежать как в УЗ-вой, так и в гиперзвуковой области величина её зависит от темп-ры, давления, примесей других веществ п от других факторов.  [c.258]

При (йт< 1 мы имеем дело с обычными гидродинамическими звуковыми волнами. Частотную и температурную зависимости коэффициента у их поглощения (на единице пути) можно найти по известной формуле у ю т1/ры , где т]—коэффициент вязкости, р — плотность жидкости, и—скорость звука (см. VI, 77).  [c.383]

В предыдущей части были описаны основные свойства кристаллов, важные для распространения ПАВ. Свойства, как правило, выражают с помощью констант, которые можно получить расчетным путем из матриц преобразования материальных констант и их температурных зависимостей. Описанные свойства эквивалентны свойствам объемных волн, однако расчеты существенно сложнее. В этом разделе приведены численные значения других параметров, влияющих на распространение ПАВ, которые получены экспериментально или из параметрических зависимостей основных свойств ПАВ, например из кривой медленности. Из разд. 8.10, где описаны явления второго порядка, следует, что можно количественно описать изменение групповой скорости, дифракцию и затухание ПАВ. Для оценки влияния объемных волн необходимо, как правило, знать частотную зависимость отклонения объемной волны относительно ПАВ.  [c.496]

Фиг. 414. Частотная и температурная зависимости скорости звука (а) и поглощения звука (б) в каучуке. Фиг. 414. Частотная и <a href="/info/765184">температурная зависимости скорости</a> звука (а) и <a href="/info/51463">поглощения звука</a> (б) в каучуке.
Рис. 3.3.13. Частотно-температурная зависимость диэлектрических характеристик бессажевого вулканизата пз натурального каучука Рис. 3.3.13. <a href="/info/286708">Частотно-температурная зависимость диэлектрических характеристик</a> бессажевого вулканизата пз натурального каучука
К наиболее нагревостойким органическим пленкам помимо полн-тетрафторэтиленовых (см. ниже) принадлежат полиимидные пленки (кантон). Их рабочая температура 200—240 °С плотность 1,42 Мг/м температурные зависимости механических свойств представлены на рис. 6-19, а температурно-частотные зависимости к, и tg б —на рис. 6-20. Перспективны двухслойные пленки из полиимида и сополимера тетрафторэтилена с гексафгорпропиленом.  [c.137]


Релаксация связана с разл, внутримолекулярными и межиолекулярными процессами, происходящими в среде под действием УЗ, поэтому анализ частотных и температурных зависимостей коэф, П. з, позволяет судить об этих процессах. Частота релаксации р для разных веществ может лежать как в ультразвуковой, так и в гиперзвуковой области величина её зависит от темп-ры, давления, примесей др. веществ и от др. факторов. Исследованием поглощения и скорости звука в зависимости от частоты, темн-ры, давления, концентрации примесей и др. физ. величин занимается молекулярная акустика.  [c.656]

На диэлектрические потери керамики кроме ее природы, строения, температуры оказывает влияние частота поля. Так как керамика в ряде случаев работает как высокочастотный диэлектрик, то необходимо знать частотную зависимость ее диэлектрических потерь. На рис. 11 в качестве примера приведена температурная зависимость при разных частотах для двух видов керамики. Абсолютное значение диэлектрических потерь керамики весьма различно. Наименьшими диэлектрическими потерями обладает керамика с кристаллической структурой плотной упаковки и минимальным содержанием стекловидной фазы. На рис. 12 представлены кривые изменения диэлектрических потерь типичных материалов с развитой стекловидной фазой — типа фарфора, ограниченным количеством стекла — типа муллитокорундовой керамики и, наконец, корунда, почти лишенного стекловидной фазы. Сравнительно низкими диэлектрическими потерями обладает клиноэнстатитовая, форстеритовая и цельзиановая керамика.  [c.24]

Суш,ествует и другой способ диэлектрических измерений. Уравнения релаксационной теории, описывающие диэлектрическое поведение полимеров, как правило, симметричны относительно параметра соТ, поэтому, очевидно, изучение частотных зависимостей при Т = onst можно заменить исследованием температурных зависимостей диэлектрических параметров при о) = = onst. Так как с точки зрения релаксационной теории изменение температуры на несколько градусов часто оказывается эквивалентным изменению частоты на порядок, то понятно, что изменение диэлектрических характеристик полимеров в широком интервале температур будет эквивалентно изменению частоты на десятки порядков. Этот второй способ изучения диэлектрических свойств полимеров применяется наиболее часто.  [c.240]

Частотная и температурная зависимости диэлектрич. протгацаемости и тангенса угла диэлектрич. потерь tg6 для П. качествецно такие же, как для др. диэлектриков. Для П. установлено два типа диэлектрич. потерь, соответствующих двум типам кине-  [c.22]

Здесь I — длина кристалла по оси с d — расстояние между электродами по оси а Г22 — электрооптический коэффициент. При работе на Я)= 1,064 мкм, Г22 = 5,6Ы0 мкм/В и показателе преломления для обыкновенного луча Ло = 2,237 теоретическое полуволновое напряжение для кристалла размерами 9X9X25 мм составит 3025 В. При работе в частотном режиме ввиду зажатия кристалла и обусловленного этим выпадения вклада пьезооптическога эффекта в суммарный электрооптический эффект реальное управляющее напряжение будет на 30—40% выше. Достоинствами затвора из ЛН являются малая температурная зависимость управляющих напряжений, малые оптические потери — полное пропускание затвора с просветлением может превышать 98%, возможность работы на относительно высоких частотах следования импульсов (Q 60 Гц). Основной недостаток затворов из ниобата лития — их малая лучевая прочность (с ЮО МВт/см ), ограничивающая рабочую плотность мощности величиной 10—50 МВт/ /см . Использование поперечпого управления в зависимости от избираемой геометрии элемента из ниобата лития позволяет работать с иn-i на Я= 1,064 м км в пределах 2,5—6 кВ.  [c.202]

Высокое значение диэлектрической проницаемости и угла диэлектрических потерь, характерные для многих поликристаллических ферритов, находят удовлетворительное объяснение в рамках теории Вагнера—Купса [152]. В соответствии с этой теорией, ферриты состоят из участков с большой электронной проводимостью — кристаллит, окруженные участками с малой проводимостью — межкристаллитная прослойка. Теория неоднородности позволяет объяснить высокую диэлектрическую проницаемость ферритов, падающую с частотой, наличием максимумов в частотных и температурных зависимостях tg6, а также влиянием условий спекания на свойства ферритов, как результат изменения их кера Мической структуры.  [c.25]

При взаимодействии светового пучка с твердым телом изменяются параметры пучка (интенсивность, поляризация, частотный и угловой спектры и т. д.). Степень изменения каждого из этих параметров определяется свойствами как твердого тела, так и пучка, а также условиями взаимодействия. Изменение температуры твердого тела сопровождается изменением амплитуды колебаний атомов в узлах решетки и, вследствие этого, изменением межатомных расстояний, что приводит к температурной зависимости оптических параметров. Известны температурные зависимости ширины запреш енной зоны полупроводниковых и диэлектрических кристаллов, действительной и мнимой частей комплексного показателя преломления, концентрации и подвижности свободных носителей заряда, плотности фононов для каждой разрешенной моды колебаний решетки [1.41, 1.42]. Выбор характеристик пучка, условий взаимодействия пучка с объектом, а также условий регистрации сигнала позволяет проводить измерение многих температурно-зависимых параметров твердого тела. Оптическая термометрия включает последовательность преобразований в соответствии с температурой устанавливается значение физического параметра, проводится его измерение оптическим методом, затем на основе известных соотношений между температурой, физическим параметром и регистрируемым оптическим сигналом определяется температура. Эта последовательность предполагает использование внешнего зондируюш его излучения, т. е. диагностика является активной.  [c.19]

В этой формуле температурная зависимость является весьма приближённой [140]. Для стёкол частотная зависимость внутриполосного по-  [c.131]

Возможно, одпако, что теория, учитывающая вязкость и теплопроводность, может дать согласующиеся с экспериментом результаты во всем интервале частот, например для сжиженных инертных газов, т. е. в случаях, когда отсутствуют другие причины диссипации. Такое сравнение до настоящего времени не проводилось, так как число измерений на жидкостях этого типа ограничено. Помимо нескольких значений, полученных только при одной температуре и одной частоте Галтом [32], мы располагаем результатами последних исследований Ногли [58] в жидком аргоне эта жидкость была изучена при давлениях вплоть до 10 атм в частотном интервале 30—70 МГц и при различных температурах. На фиг. 8 приведены кривые температурной зависимости параметра a/v при 8 атм в исследованном частотном интервале он имеет постоянную величину. Пунктирной линией изображено поглощение, получающееся по классической теории. Таким образом, установлено, что в сжиженных инертных газах поглощение существенно превышает классическое  [c.172]

Достоинства Э. п. состоят в высокой чувствительности равномерной частотной характеристике и низком уровне собственного шума, а также в малой температурной зависимости свойств (чувствительности, резонансной частоты, электрич. импеданса и др.) Их недостатки — сравнительная сложность конструкции и необходимость применения согласующих каскадов в непосредственной близости от капсюля микрофона малая ёмкость конденсатора (несколько десятков пи-кофарад) и большое сопротивление нагрузки исключают возможность присоединения Э. п. к усилительному устройству соединительным кабелем даже малой длины, т. к, в этом случае чувствительность резко падает в результате того, что ёмкость микрофона шунтируется ёмкостью кабеля. В качестве согласующих устройств используются либо катодные повторители на миниатюрных электронных лампах, либо каскады, выполненные на полевых транзистррах.  [c.390]


Касторовое масло предохраняет кристалл от воды, а также выполняет роль демнфера, снижает продолжительность собственных колебаний кристалла в случае излучения и приема до 3 5 периодов и выполаживает частотную характеристику датчика. Грань куба, противоположная излучающей, нагружена слоем резины в целях снижения мешающего излучения ультразвука в стакан и для обеспечения постоянного надежного нажима кристалла на излучающую мембрану датчика. Сегнеговая соль очень хрупка, поэтому датчики надо предохранять от механических ударов, У сегнетовой соли очень сильная температурная зависимость пьезомодуля и других параметров, поэтому нри амплитудных замерах температуру датчика необходимо сохранять строго постоянной.  [c.51]

Резонаторы СГ-среза ф = - Ъ1 - 38°) изготовляют в виде квадратных или чаще круглых пластии и применяют в диапазоне частот 200— 500 кГи. Резонаторы в форме квадратных пластин более выгодно использовать в тех случаях, когда нежелательны побочные резонансы. Температурная зависимость резонансной частоты резонатора типа СТ приведена на рис. 5.21, изменение температуры, при которой достигается нулевое значение ТКЧ, в зависимости от угла ф, показано на рис. 5.23 [117]. Добротность рассматриваемых резонаторов прн нормальной атмосфере колеблется от 20000 до 90000, а при работе в вакууме достигает 250000. Для резонаторов квадратной формы с ориентацией YXI/- 37° 40 частотная константа имеет значение 3087 кГк-мм, а для круглых резонаторов с ориентацией УЛ //-36°15 — 3766 кГц мм.  [c.192]

Температурно-частотная характеристика пьезоэлектрических резонаторов ЛТ среза, как было показано в данной главе (рис. 5.26), имеет вид кубической параболы с двумя точками поворота при температурах 0т1, 0т2, причем 0т, < 0т2. Вблнзи ТОЧКИ поворота характеристику температурной зависимости можно считать примерно параболической с параметром Ыр, который определим из выражения  [c.256]

В результате испытаний получены температурные зависимости динамического модуля сдвига и тангенса угла механических потерь tg5. Эти зависимости качественно хорошо согласуются (с учетом частотного сдвига) с результатами, полученными на анало1ичных объектах другими авторами.  [c.18]

В ходе тепловой ионной поляризации твердых диэлектриков переброс слабосвязанных ионов в электрическом поле происходит с потерями энергии. В некоторых диэлектриках с неплотной упаковкой объема частицами, например стеклах, где имеет место ионно-релаксационная поляризация, также наблюдаются закономерности изменения tg6 от температуры и частоты, характерные для дипольной поляризации. На рис. 5.24 приведены температурные и частотные зависимости для алюмоцннкосиликатного стекла — ситалла на основе оксидов SiOj, А1 0з и ZnO. Существование или отсутствие максимумов tg 6 в температурной и частотной зависимостях (рис. 5.24) зависит от условий термообработки стекла.  [c.164]


Смотреть страницы где упоминается термин Частотно-температурная зависимость : [c.79]    [c.256]    [c.392]    [c.9]    [c.191]    [c.87]   
Основы прогнозирования механического поведения каучуков и резин (1975) -- [ c.0 ]



ПОИСК



Г частотная

Температурная зависимость



© 2025 Mash-xxl.info Реклама на сайте