Частотно-температурная зависимость диэлектрических характеристик

Частотно-деформационный фактор приведения 161 Частотно-температурная зависимость диэлектрических характеристик вулканизатов 171 Частотный релаксационный спектр [c.356]

Диэлектрические характеристики. Температурные а частотные характеристики е и tg6 в слабых переменных полях исследовались в ряде работ (см. [11, 22] гл. 1), [5]. На рис. 3.1, а, б представлены температурные зависимости е и tg б кристаллов PZN в интервале частот 10 н--н 2 10 Гц. Из рисунка видно, что в интервале 10 н--г 10 Гц при увеличении частоты поля максимумы е(Г) [c.67]

Рис. 3.3.13. Частотно-температурная зависимость диэлектрических характеристик бессажевого вулканизата пз натурального каучука

Суш,ествует и другой способ диэлектрических измерений. Уравнения релаксационной теории, описывающие диэлектрическое поведение полимеров, как правило, симметричны относительно параметра соТ, поэтому, очевидно, изучение частотных зависимостей при Т = onst можно заменить исследованием температурных зависимостей диэлектрических параметров при о) = = onst. Так как с точки зрения релаксационной теории изменение температуры на несколько градусов часто оказывается эквивалентным изменению частоты на порядок, то понятно, что изменение диэлектрических характеристик полимеров в широком интервале температур будет эквивалентно изменению частоты на десятки порядков. Этот второй способ изучения диэлектрических свойств полимеров применяется наиболее часто. [c.240]

При взаимодействии светового пучка с твердым телом изменяются параметры пучка (интенсивность, поляризация, частотный и угловой спектры и т. д.). Степень изменения каждого из этих параметров определяется свойствами как твердого тела, так и пучка, а также условиями взаимодействия. Изменение температуры твердого тела сопровождается изменением амплитуды колебаний атомов в узлах решетки и, вследствие этого, изменением межатомных расстояний, что приводит к температурной зависимости оптических параметров. Известны температурные зависимости ширины запреш енной зоны полупроводниковых и диэлектрических кристаллов, действительной и мнимой частей комплексного показателя преломления, концентрации и подвижности свободных носителей заряда, плотности фононов для каждой разрешенной моды колебаний решетки [1.41, 1.42]. Выбор характеристик пучка, условий взаимодействия пучка с объектом, а также условий регистрации сигнала позволяет проводить измерение многих температурно-зависимых параметров твердого тела. Оптическая термометрия включает последовательность преобразований в соответствии с температурой устанавливается значение физического параметра, проводится его измерение оптическим методом, затем на основе известных соотношений между температурой, физическим параметром и регистрируемым оптическим сигналом определяется температура. Эта последовательность предполагает использование внешнего зондируюш его излучения, т. е. диагностика является активной. [c.19]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...