Коэффициент электрооптический

Ниже приведены тензоры электрооптических коэффициентов по сингониям в зависимости от типа точечной симметрии кристаллов (в скобках указано число независимых коэффициентов, отличных от нуля), [c.860]

Значения электрооптических коэффициентов для различных типов кристаллов приведены в табл. 33.1— 33.4. Если частота электрического поля, при которой произведены измерения, намного выше или ниже частоты собственного акустического резонанса, то использованы соответственно обозначения (S) иг. ИЛИ (Г) и Погрешность измеренных значений г, , около 15%. В сегнетоэлектриках и других материалах, имеющих фазовый переход, наблюдается сильная зависимость электрооптического коэффициента от температуры. если последняя близка к критической температуре Тка- Зависимость г /1, от длины волны света в области прозрачности веществ, как правило, слабая. [c.861]

Величина Ап пропорциональна электрическому полю Е = = V/d, где V — приложенное напряжение d — толщина матери-ала в направлении поля. Для большинства материалов существует зависимость Ап = п г Е , где п1 — показатель преломления материала для выбранной кристаллографической оси г . — электрооптический коэффициент материала. [c.85]

При неизменных электрооптических свойствах вещества частиц основным параметром, определяющим коэффициент [c.214]

На протяжении всей нашей книги мы будем использовать электрооптические коэффициенты и Некоторые авторы пользуются также коэффициентами/уд. Величины связаны с /,д., а с g 1 1 следующими соотношениями [c.239]

ТАБЛИЦА 7.2. Электрооптические коэффициенты в условных обозначениях для всех классов симметрии кристаллов [c.245]

Вещество Симметрия Длина волны Электрооптические коэффициенты" X, мкм r.j, 10 м/В [c.248]

РИС. 7.5. Зависимость коэффициента пропускания Т электрооптического модулятора со скрещенными поляризаторами от приложенного напряжения. Модулятор смещен в точку Г = х/2, что приводит к коэффициенту пропускания 50%. Малое синусоидальное приложенное напряжение обеспечивает модуляцию интенсивности на выходе относительно точки смешения. [c.261]

Таблица 7.5. Квадратичные электрооптические коэффициенты [2]

Электрооптические коэффициенты Гу/ и5,у /, определяемые выражением (7.1.2), в общем случае зависят от длины волны света, частоты модуляции и температуры кристалла. Эти коэффициенты непосредственно связаны с нелинейными тензорами восприимчивости и могут быть рассчитаны с помощью квантовой теории [c.283]

Линейные электрооптические коэффициенты и симметрия кристалла. Если a j — матричное представление операции инвариантной симметрии кристалла, то преобразованный электрооптический тензор имеет вид [c.290]

Этот тензор вследствие симметричности совпадает с исходным тензором, т. е. Данное свойство можно использовать для приведения электрооптических коэффициентов, представленных в табл. 7.1. [c.290]

Таким образом, электрооптический коэффициент равен нулю, если индексы 1 и 2 возникают один или три раза, — иными словами, если индекс 3 возникает нуль или два раза. Проверьте этот результат по табл. 7.2. [c.291]

Таким образом, электрооптический коэффициент равен нулю, если индекс 3 возникает один или три раза. Проверьте этот результат по табл. 7.2. Покажите также, что обращающиеся в нуль элементы электрооптиче-ского тензора для точечной группы m являются дополнительными к элементам для точечной группы 2, если двумерная ось в случае группы 2 перпендикулярна плоскости зеркальной симметрии в случае группы т. [c.291]

Нелинейная восприимчивость третьего порядка Хде связана с квадратичными электрооптическими коэффициентами (7.1.2) соотношением [c.554]

При выборе электрооптических материалов для использования в 1к,0нкретных устройствах в качестве критериев качества в основном применяются управляющее полуволновое напряжение Ux/2 и коэффициент электрооптической эффективности U /2) позволяющий оценить управляющую мощность учитывается также вероятность возникновения индуцируемого светом изменения рефракции. Естественно, что перечисленным не исчерпывается совокупность физико-химических характеристик электрооптических кристаллов и текстур, но их детальное рассмотрение выходит за принятые рамки. В табл. 7.1 сопоставлены важнейшие известные [c.200]

Таблица 31.18. Электрооитический коэффициент и показатель преломления кристаллических электрооптических материалов при температуре 293 К и длине волны 546 нм [31]

Способ, использующий вращающиеся сектора, наиболее часто применяется для ослабления лучистого потока. Прерывание светового пучка производится механически, путем вращения диска с отверстиями, или с помощью электрооптических модуляторов. Коэффициент ослабления К = Фо/Ф (где Фо, Ф — величины потоков, падающих на приемник соответственно без ослабитель-ного устройства при его наличии) при использовании вращающихся секторов определяется из выражения К = 360/y, где "У — угол раскрытия сектора. Предельное значение коэффициента ослабления в этом случае составляет К = 10 . При наличии электрооптических модуляторов К = t,— где t , — [c.89]

Коэффициент А в формуле (2-5) характеризует влияние на к электрооптических свойств вещества и формы пылевых частиц. Он не зависит ни от концентрации, ни от фракционного состава пыли и длины волны падающего излучения. Величина коэффициента Л непосредственно связана с родом сожженного топлива. Для частиц золовой пыли воркутского угля А = 0,23. [c.54]

В настоящее время большое внимание исследователей привлекает оптоэлектронная технология, основанная на свойствах пористого кремния, Например, для улучшения коэффициента эмиссии светодиодов на основе пористого кремния методом электрохимического осаждения вводят в матрицу такие металлы, как Аи, Си, Ni или проводящие полимеры. Широкое применение в будущем может найти нанокомпозиг пористый кремний - жидкие нематические кристаллы, В этих материалах наблюдаются новые электрооптические эффекты, связанные с модуляцией коэффициента поглощения жидких нанокрисгаллов, что позволяет осуществлять прецизионный контроль оптических свойств всей системы в целом. Возможность синтезирования модулированных структур открывает путь в совершенно новый мир структур, которым можно придавать желаемые свойства. Например, разработан новый технологический процесс полимеризационного наполнения полиолефинов. Метод заключа- [c.171]

С помощью поворота координат (это преобразование называется приведением квадратичной формы к главным осям) всегда можно найти новую систему главных осей. Размеры и ориентация эллипсоида (7.2.3) зависят, разумеется, от направления приложенного поля, а также от 18 матричных элементов. Выще мы уже доказали, что в кристаллах, обладающих центром инверсии (центросим-метричностью), = 0. Вид тензора (но не его величина) может быть получен из соображений симметрии, которые позволяют установить, какие из 18 коэффициентов равны нулю, и найти соотношения между остальными коэффициентами. В табл. 7.2 представлены электрооптические тензоры для всех нецентросимметричных кристаллических классов, а в табл. 7.3 перечислены электрооптические коэффициенты для некоторых кристаллов. [c.244]

Кристалл LiNbOj имеет точечную группу симметрии Зш. Согласно табл. 7.3, электрооптические коэффициенты для него имеют вид [c.256]

МЫ координат. Поле высокочастотной волны и оптический пучок распространяются вдоль оси z (с-оси) кристалла. Пусть этот кристалл помещен между двумя скрещенными поляризаторами. Кристалл GaSe имеет группу симметрии 6m2. Используя табл. 7.2, находим, что электрооптический коэффициент, ответственный за связь X- и J-составляющих оптической волны, равен = г 2 "22-Таким образом, в соответствии с (7.4.29) и (7.4.39) индекс амплитудной модуляции можно записать в виде [c.275]

Коэффициенты 5, обычно задаются в главных координатных осях. В случае когда электрическое поле отсутствует, уравнение (7.5.1) переходит в уравнение (7.11) для невозмущенного эллипсоида. В общем случае электрическое поле изменяет размеры и ориентацию эллипсоида показателей преломления. Это изменение зависит как от направления внещнего электрического поля, так и от элементов 5 матрицы 6x6. Вид электрооптических коэффициентов 5 (но не их величину) можно получить из соображений симметрии, из которых следует, что 36 коэффициентов равны нулю, а между остальными коэффициентами должны существовать определенные соотношения. В табл. 7.4 приведены электрооптические коэффициенты для всех кристаллических классов. Квадратичные электрооптические коэффициенты для некоторых кристаллов приведены в табл. 7.5. [c.276]

Прежде чем приступить к анализу экспериментальных электрооптических коэффициентов, следует в какой-то степени познакомиться с тем, как эти данные получают. Большинство общепринятых методов определения электрооптических коэффициентов заключается в измерении изменений фазы света и интенсивностей побочных максимумов. Все изменения фазы (7.3.11) и интенсивностей в побочных максимумах (7.3.15) непосредственно связаны с соответствующими электрооптическими коэффициентами. Оба метода измерений обычно реализуются при квазиэлектростатических условиях, т. е. при частотах модуляции, которые много ниже фундаментальных частот акустических резонансов образца. При этих условиях кристалл может свободно деформироваться в соответствии с законами пьезоэлектричества и изменение напряжения в нем отслеживает модуляцию поля. Измеренный таким образом электро-оптический коэффициент обозначают через гТ , (низкочастотный ко- фициент). Если частота действующего электрического поля много выше фундаментальных частот акустических резонансов, то кристалл не деформируется и является фактически сжатым (т. е. находится при постоянном сжатии). В этом случае измеренный электро- [c.284]

Приведенные выше два примера показывают, что величина индекса (или глубины) модуляции пропорциональна приложенному напряжению. Полуволновые напряжения прямо пропорциональны длине волны света и обратно пропорциональны электрооптическо-му коэффициенту. Для света в видимом диапазоне длин волн эти напряжения имеют величину порядка нескольких киловатт. Увеличение толщины пластинки приводит к увеличению длины взаимодействия, но и к уменьшению напряженности электрического поля. Следовательно, полное увеличение модуляции за счет увеличения толщины пластинки при продольной модуляции отсутствует. Для излучения ИК-диапазона из-за большой длины волны света (скажем, 10,6 мкм) возникает необходимость в приложении высоких напряжений. Продольные модуляторы используются только тогда, когда требуются большие площади устройства и большое поле зрения. Можно показать, что угол поля зрения продольного модулятора из Z-среза кристалла с группой симметрии 43т составляет почти 2тг (см. задачу 8.1). [c.303]

РИС. 8.6. Зависимость коэффициента пропускания электрооптического модулятора Фабри — Перо от приложенного напряжения. Модулятор смещен в рабочую точку, расположенную на полувысоте максимума пропускания. Небольшое приложеииое синусоидальное напряжение приводит к модуляции иитеисивности на выходе относительно точки смещения. [c.312]

Смотреть страницы где упоминается термин Коэффициент электрооптический : [c.860] [c.860] [c.239] [c.240] [c.250] [c.260] [c.265] [c.270] [c.280] [c.281] [c.283] [c.283] [c.285] [c.285] [c.297] [c.299] [c.306] [c.322] [c.347] [c.550] [c.16] [c.54]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...