Дислокация Реакция

Рассмо фим прежде всего внешнее сходство волн в реакции Белоусова-Жаботинского (см. главу 1), показанных на рисунке 4.9, а с волнами, возникающими при размножении дислокаций по механизму Франка-Рида. Схема [c.254]

Итак, при больших нагрузках реакция твердых тел существенным образом зависит от их дефектности (от наличия или отсутствия дислокаций, от размеров кристаллитов, блоков мозаики и т. п.) — разрушение начинается в наиболее слабых местах. [c.135]

Основными видами частичных дислокаций в ГЦК решетке являются частичные дислокации Шокли и Франка. Первый тип дислокаций возникает в результате дислокационной реакции [c.243]

Это — краевая дислокация (Ь перпендикулярно линии дислокации), но главная ее особенность состоит в том, что Ь не лежит в плоскости скольжения. Поэтому такая дислокация не может перемещаться скольжением, и ее движение будет затруднено. Подобные дислокации могут возникать при схлопывании плоских скоплений вакансий (отрицательные дислокации) или при введении дисков из межузельных атомов (положительные дислокации). Ввиду затрудненности движения дислокации Франка часто называют сидячими дислокациями. Они могут также образовываться делением единичных дислокаций, например, в результате реакции [c.244]

Частичная дислокация Франка имеет вектор Бюргерса, перпендикулярный плоскости (111), и обозначается аА или 6D. Эти векторы соединяют центр грани с противоположной вершиной. Так, в результате реакции дислокации Франка с частичной дислокацией Шокли [c.74]

Образование вершинной дислокации по реакции [c.76]

Дислокация Франка сама скользить не может. Но если в плоскости ее дефекта упаковки имеется частичная дислокация Шокли, то возможно объединение дислокаций Франка и Шокли в одну единичную дислокацию, которая может скользить [см. дислокационную реакцию (57)]. Эта реакция энергетически выгодна, так как устраняет дефект упаковки, связанный с дислокацией Франка. [c.104]

Согласно другому механизму, предложенному Коттреллом, дислокации движутся в двух пересекающихся полосах скольжения, сливаются вдоль линии пересечения и образуют раскалывающую дислокацию (рис. 225,6). В железе этому процессу соответствует дислокационная реакция 0,5а [111]+0,5а [И 1]- -а [001], которая приводит к образованию трещины в плоскости (001), являющейся плоскостью скола. Многократное повторение реакции приводит к слиянию дислокаций а[001], вызывая образование зародышевой трещины Гриффитса. Эта схема не требует наличия барьеров для дислокаций. Дислокации [c.427]

Последняя частичная дислокация в реакции (2.20) является вершинной и располагается вдоль линии пересечения трех дефектов упаковки. [c.48]

Для пластической деформации ОЦК-кристаллов характерно развитие скольжения по нескольким относительно равноправным системам вдоль пересекающихся плоскостей. Поэтому большое значение имеют реакции между дислокациями разных систем [254]. Многочисленные экспериментальные данные по ориентационной зависимости деформационного упрочнения подтверждают, что упрочнение тем выше, чем (больше систем скольжения участвует в деформации [5, 252]. [c.106]

Т в области температур 400—600 и 700—900 °С соответственно. Причем для ванадия величины /Сц 2 и Кз (кривые 2—4 на рнс. 3.27) возрастают-почти вдвое вследствие ДДС. Протекание ДДС, если исходить из уравнения (3.56), вызывает значительное увеличение скорости нарастания плотности дислокаций как реакцию материала на снижение эффективной скорости движения дислокаций, тормозящихся подвижными атмосферами примесных атомов, что под- [c.152]

При изучении радиационных последствий обычно различают так называемые необратимые (остаточные) и обратимые (переходные) эффекты. К остаточным нарушениям относят перегруппировку атомов в решетке (образование вакансий, междоузлий, дислокаций), а также внедрение инородных атомов, например, в результате ядерных реакций. Обратимые нарушения являются следствием перехода электронов или дырок в неравновесное состояние, что обычно приводит к ионизации. Благодаря относительно большой подвижности электронов и дырок равновесное состояние быстро восстанавливается после прекращения облучения. Б дальнейшем, если специально не оговаривается другое, под радиационными дефектами мы будем понимать необратимые нарушения. [c.278]

Поделив уравнение (84) на уравнение (76), находим искомое соотношение между химическими потенциалами металла и дислокаций (точнее, между величинами химического сродства реакции образования и движения дислокаций, рассчитанными соответственно для моделей металлической и дислокационной решеток) [c.50]

Исследования показали, что скорость коррозии возрастает с увеличением степени пластической деформации (наклепа), а коррозионное разрушение локализуется преимущественно по плоскостям скольжения. Пластическая деформация значительно ускоряет анодную реакцию, но почти не влияет на скорость выделения водорода. Корреляции между содержанием углерода (и других примесей) и током обмена водорода не обнаружено. Авторы объясняют влияние наклепа на скорость коррозии выходом на поверхность металла дислокаций, которые служат местами предпочтительного растворения. [c.74]

Хемомеханическим эффектом нами названо [2] явление, представляющее собой изменение физикомеханических свойств и тонкой структуры (пластифицирование) тела под влиянием химических (электрохимических) реакций на его поверхности, вызывающих дополнительный поток дислокаций. Это явление было установлено и показано с привлечением методов неравновесно [ термодинамики, поскольку необратимые процессы механохимической коррозии связаны с возникновением энтропии в системе. [c.117]

Физический смысл хемомеханического эффекта заключается в облегчении разрядки дислокаций, скапливающихся у поверхностного барьера, в результате растворения поверхностных атомов током коррозии, т. е. в понижении поверхностного потенциального барьера для выхода дислокаций за счет энергии химической (электрохимической) реакции, что приводит к пластифицированию тела. Барьеры на пути выходящих дислокаций могут иметь различную природу. Скорость прохождения дислокаций 124 [c.124]

ПО объему кристаллического зерна путем замены одного атома в кристаллической решетке другим, но этот путь требует очень высоких энергий активаций, соизмеримых с энергией кристаллической решетки. Например, торий диффундирует в вольфраме объемно, требуя энергии активации 502 кДж/моль. Если диффузия идет по границам зерен, где имеется много нарушений кристаллической структуры — вакансий и дислокаций, то энергия активации составляет 393,5 кДж/моль. При поверхностной диффузии тория по вольфраму энергия активации составляет всего 278 кДж/моль (торирование вольфрама). Соответственно резко изменяются коэффициенты диффузии, так как уравнение для коэффициента диффузии аналогично уравнению константы скорости химической реакции в зависимости от температуры [c.299]

Последующее поведение локального объема и процесс образования несплош-ности в этом объеме можно рассматривать как взаимосвязанную цепь элементарных процессов разрыва связей. Так, например, пересечение дислокаций, которое становится возможным при достижении некоторой пороговой плотности дислокаций, приводит к следующим связанным процессам образование порогов на дислокациях —> движение дислокаций с порогами —> порождение точечных дефектов -> объемная самодиффузия диффузия моновакансий и внедренных атомов. Таким образом, процесс необратимого разрыва межатомных связей можно рассматривать как цепную реакцию, состоящую из взаимосвязанных элементарных процессов, а следовательно удовлетворяющую функции самоподобия [c.196]

Структурный механизм этой реакции можно понять, рассмотрев рис. 10.7. На этом рисунке показана плотноупакованная плоскость (111). Скольжение происходит именно по этой плоскости в направлении [101]. Однако если рассматривать соскальзывание плоскостей как совместное движение перекатывающихся атомов, то более легким может быть перемещение от В к С и далее к В (В- -С В), чем прямо от В к В (В->В). Поэтому перемещение в направлении [101] может соответствовать зигзагообразному движению атомов попеременно в направлениях [211] и [112], что и приводит к диссоциации упомянутой выше единичной дислокации на две частичные с векторами Бюргерса, соответствующими соотношению (10.29). [c.243]

Дислокационные реакции подчиняются критерию Франка, основанному на том, что реакция должна приводить к уменьшению энергии системы. Так как энергия дислокации пропорциональна квадрату вектора Бюргерса, критерий Франка формулируется следующим образом реакция возможна в том случае, если сумма квад-эатов векторов Бюргерса исходных дислокаций больше уммы квадратов векторов Бюргерса дислокаций, обра- [c.67]

Для стягивания частичной дислокации необходима дополнительная энергия, так как реакция Ay-iryD=AD обратна реакции (56) и согласно критерию Франка энергия системы должна быть повышена. Для реализации такой реакции требуется затратить дополнительную энергию. Термическая активация и высокие напряжения для кристаллов с большой шириной расщепленной дислокации способствуют протеканию реакции (58). Ве- [c.74]

Дислокация Ломер — Коттрелла, состоящая из одной вершинной н двух дислокаций Шокли, может быть образована при диссоциации единичной дислокации по реакции типа (см. рис. 38,6) D = Dp-)-p6+6 . [c.78]

ЕДИНИЧНЫЕ И ЧАСТИЧНЫЕ ДИСЛОКАЦИИ В Г. п. у. и О. Ц. К. РЕШЕТКАХ. Плоскостью плотнейшей упаковки г. п. у. кристаллов является чаще всего базисная плоскость с расположением атомов в каждом слое аналогично г. ц. к. кристаллу (см. рис. 35,6), но с чередованием слоев АВАВАВ... (см. рис. 7). Минимальный единичный вектор этой решетки а/3 <[12Г0]>, его модуль равен а. Дислокационная реакция диссоциации единичной дислокации на две частичные дислокации Шокли при расположении векторов Бюргерса аналогично рис. 35,6 записывается так (а/3) [1210] = (а/3) [0П0]+(а/3)[Г100]. [c.78]

Полюсный механизм Коттрелла — Билби предполагает, что для о. ц. к. решетки в плоскости двойникования (112) находится дислокация АОВС с вектором Бюргер-са 0,5а [111] (рис. 81,а). Под действием внешнего напряжения дислокации АОВС может расщепиться в точке О на ОВС и BDE (см. рис. 81) по реакции [c.141]

Полюсный механизм для металлов с г. ц. к. решеткой можно представить, воспользовавшись возможностью расш,епления полной дислокации Л С на частичную неподвижную дислокацию Франка Аа и двойникующую дислокацию аС (см. развернутый тетраэдр Томпсона) по реакции [c.143]

Рис. 83. Схема реакции двойниковой границы, составленной из краевых дислокаций (а), с образованием некогерентной двойниковой границы без дальиодействующего поля напряжения (б)

Реакция (84) энергетически не выгодна и возможна только при концентрации напряжений на двойниковом некогерентном фронте, что и имеет место в действительности. Реакция (84) дает набор испущенных дислокаций из некогерентных границ двойника с нулевым даль-нодействующим полем напряжений. Происходит увеличение длины двойниковой прослойки за счет эмиссии дислокаций из некогерентной границы. Деформация сдвига, произведенная испущенными дислокациями, эквивалентна деформации от исходной двойниковой границы, из которой они испущены. Существование эмиссионных дислокаций для о. ц. к. и г. п. у. кристаллов подтверждено экспериментами просвечивающей электронной микроскопии, наблюдаемым пробегом субграниц впереди двойника. [c.145]

По данным Дж. Хирта, пересечение двойника скользящей дислокацией может быть причиной роста (или сокращения) двойника. Вследствие того что расщепляющиеся дислокационные реакции, возникающие при этом, энергетически не выгодны, рост двойника может происходить только при более значительных по сравнению со скольжением внешних приложенных напряжениях. Скользящие дислокации, взаимодействуя с двойником, может расширить или сузить его границы, преломившись, пройти сквозь двойник, оставив на нем изгибы и ступеньки. В том случае, когда дислокационные реакции, связанные с этими явлениями, не имеют места, граница двойника должна действовать как барьер, в результате чего образуются скопления скользящих дислокаций, которые приводят к сильному упрочнению и последующему разрушению. [c.147]

На стадии II дислокации вторичной системы скольжения (рис. 114) вступают в реакцию с первичными, образуя дислокации Ломер—Коттрелла, т. е. дислокации, вектор Бюргерса которых не лежит ни в одной из воз- [c.191]

Перетяжка на расщепленной дислокации, необходимая для начала поперечного скольжения в другой плоскости, создается благодаря приложенному сдвиговому напряжению и тепловым колебаниям решетки, так как реакция рекомбинации энергетически невыгодна. Для процесса сжатия дислокации и движения в плоскости поперечного скольжения необходима энергия активации, величина которой зависит от размера стяжки и ширины расщепленной дислокации. Для алюминия расчетным путем получено значение энергии активации, близкое к 1,0 эВ. Однако для меди, обладающей большей шириной расщепленной дислокации, необходима значительно более высокая энергия. Поэтому для поперечного скольжения в меди требуются более высокие значения напряжений и температуры. Поскольку ширина дефекта упаковки зависит от энергии дефекта упаковки д.у, то напряжение Till также зависит от энергии дефекта упаковки. [c.196]

Образованные в результате реакций (2.19) и (2.20) сидячие дислокационные конфигурации (см. рис. 2.10) вызываютШоявление температурной зависимости сопротивления движению дислокаций. Обусловлено это тем, что для движения винтовой дислокации внешнее напряжение и термическая активация должны обусловить протекание процесса редиссоциации, т. е. образования перетяжек [831 на расщепленной дислокационной линии, после чего только она получит возможность перемещаться. Фактически достаточно подтянуть к центру расщепления хотя бы один из дефектов упаковки. Данная модель редиссоциации винтовых дислокаций [82, 83] объясняет не только температурную зависимость прочностных характеристик, но и асимметрию скольжения в [c.48]

Дальнодействующие напряжения от дислокаций в плоскостях скольжения по Тейлору Скопление дислокаций в плоскостях скольжения по Мотту и Зегеру Продавливание дислокаций через лес и другие препятствия Перерезание дислокаций леса Перемещение ступенек за дислокациями, Рекомбинация дислокаций Преодоление полей внутренних напряжений, вызванных дислокациями леса без протекания реакций 0,16 0,7 0,32 0,16 0,16 >0,32 1 [232] [236] [239] [232] [240, 241] [244] [246] [c.101]

Реакция внутрищелевого раствора с участками металла с компло-нарным расположе ием рядов дислокаций (возникновение ручьевого узора), являющимися анодными участками. Туннельная коррозия, разрыв перемычек между туннелями, абсорбция водорода стенками туннелей, восходящая диффузия водорода в области Максимальных напряжений. Появление сколов по определенным кристаллографическим плоскостям. [c.70]

В работе [74] предпринята попытка объяснить влияние механической деформации медного электрода на его анодную и катодную поляризацию в водном растворе USO4 с позиций теории перенапряжения кристаллизации при условии, что лимитирующей стадией реакций является поверхностная диффузия ад-ионов, параметры которой зависят от расстояния между ступеньками роста, т. е. от плотности дислокаций. С учетом того, что плотность дислокаций линейно связана со степенью пластической деформации, получена прямая пропорциональная зависимость скорости реакции от корня квадратного из степени деформации. Эта зависимость приближенно соответствует результатам опытов и несколько нарушается при больших деформациях. К сожалению, в этой работе не измеряли величину механического напряжения, а поскольку в случае меди деформационное упрочнение может подчиняться параболическому закону [41 ], можно объяснить результаты опытов [74 ] без привлечения теории замедленной стадии поверхностной диффузии. [c.89]

Процесс образования и движения дислокаций при пластическом течении металла является существенно необратимым и вызывает возникновение энтропии в системе. Скорость возникнове- ния энтропии выражается как сумма произведений обобщенных потоков и обобщенных сил, которыми могут быть потоки и сродства реакции [105]. Сродство реакции образования и движения дислокаций было определено выше. Теперь необходимо найти соответствующий обобщенный поток. [c.120]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...