Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...

Статьи Чертежи Таблицы О сайте Реклама

Дислокации сидячие

Это — краевая дислокация (Ь перпендикулярно линии дислокации), но главная ее особенность состоит в том, что Ь не лежит в плоскости скольжения. Поэтому такая дислокация не может перемещаться скольжением, и ее движение будет затруднено. Подобные дислокации могут возникать при схлопывании плоских скоплений вакансий (отрицательные дислокации) или при введении дисков из межузельных атомов (положительные дислокации). Ввиду затрудненности движения дислокации Франка часто называют сидячими дислокациями. Они могут также образовываться делением единичных дислокаций, например, в результате реакции  [c.244]


Движение расщепленной дислокации в г. п. у. решетке происходит в одной плоскости, в связи с чем здесь отсутствуют условия для образования сидячих дислокаций.  [c.78]

Возможность диссоциации винтовой дислокации на частичные, расположенные в металлах с о. ц. к. решеткой в нескольких плоскостях типа 112 или 110 , и образование сидячей дислокационной конфигурации являются основной причиной торможения дислокаций кристаллической решеткой. В этом случае высокое сопротивление движению дислокаций обусловлено необходимостью стягивания расщепленной дислокации с последующей рекомбинацией и образованием перетяжек, способных скользить в кристаллической решетке, поскольку эти процессы связаны со значительным увеличением энергии дислокации. Модель диссоциации и рекомбинации винтовых дислокаций удовлетворительно объясняет температурную зависимость сопротивления кристаллической решетки движению дислокации, высокий уровень напряжения течения при О К для о. ц. к. металлов, а также меньшую подвижность винтовых дислокаций по сравнению с краевыми. Атомы внедрения могут стабилизировать сидячую дислокационную конфигурацию и понижать вероятность образования перетяжки на расщепленной дислокации, что приводит к возрастанию напряжения Пайерлса при увеличении концентрации примесей внедрения.  [c.219]

При этом некоторые из особенностей пластического течения металлов с ОЦК-решеткой связывают со свойствами винтовых дислокаций [9, 256]. В противоположность плотноупакованным решеткам, где дислокации расщепляются только в одной плоскости скольжения 111 , что обеспечивает их подвижность, винтовые компоненты дислокаций в ОЦК-решетке могут диссоциировать на частичные одновременно по> двум или трем плоскостям типа 112 или 110 (см. гл. 2). Это приводит к малой подвижности винтовых дислокаций [257, 258], так как для превращения сидячих дислокаций в скользящие конфигурации требуется образование перетяжек. Для большинства ОЦК-металлов, обладающих высокой энергией дефекта упаковки, ширина расщепления не превышает двух межатомных расстояний [255], так что перетяжки образуются достаточно легко как под действием внешних напряжений, так и за счет термических флуктуаций [70, 256]. Дополнительно необходимо учитывать, что расчет напряжения Пайерлса— Набарро для винтовых дислокаций [256] показал, что эти значения в ОЦК-кри-сталлах значительно выше, чем для краевых и смешанных ориентаций.  [c.105]

Полагая, что в неравновесных границах зерен наноструктурных металлов существует несколько типов внесенных дефектов [12, 118], а именно сидячие зернограничные дислокации с векторами Бюргерса, нормальными к плоскости границы, скользящие или тангенциальные ЗГД с векторами Бюргерса, касательными к  [c.99]


На рис. 5 представлена упрощенная диаграмма этого процесса. Движение дислокаций начинается из источника Франка — Рида, вызывая скольжение, которое является наибольшим в области максимума деформации. Плотность дислокаций здесь наименьшая. Однако при встрече дислокаций с препятствиями плотность их увеличивается, а степень деформации уменьшается. Препятствиями для дислокаций служат не только границы зерен, вторая фаза, сидячие дислокации и т. д., ной любое изменение уровня деформации. Это ведет к увеличению плотности дислокаций в местах изменения деформации чем больше градиент пластической деформации, тем больше дислокаций обнаруживается в данной области. По нашему мнению, это объясняет причины образования трещин вблизи максимального градиента деформации.  [c.121]

Г. Сидячие дислокации (Франка). Появляются при захлопывании вакансионных дисков (рис. 1.26).  [c.22]

Таким образом, это означает, что если рассеяние при низких температурах главным образом происходит на точечных дефектах (1/т со ), то теплопроводность к а для случая рассеяния на сидячих дислокациях (1/т ш) величина и Р эти результаты прекрасно согласуются с экспериментами.  [c.119]

Главный член в скорости рассеяния фононов на сидячих дислокациях пропорционален Т , и его температурное поведение такое же, как при рассеянии фононов на электронах (если величина Т/ро не слишком мала). Поэтому непосредственная интерпретация экспериментальных результатов возможна, если при деформации или отжиге, проведенных при исследовании, не меняется злектрон-фононное взаимодействие или очень сильно меняется ро. Если эти условия выполнены, то обе компоненты теплового сопротивления, подчиняющиеся закону Т , можно отделить друг от друга.  [c.242]

Результирующая дислокация обладает пониженной энергией и является сидячей краевой дислокацией [линия пересечения плоскостей [010] с вектором Бюргерса, нормальным к плоскости скола (001)]. Этот процесс представляет собой первую стадию зарождения трещины. Относительные перемещения материала выше и ниже плоскостей скольжения аналогичны смещениям при вбивании клина в плоскость скола.  [c.181]

В некоторых структурах ядра винтовых дислокаций могут быть размазаны одновременно по нескольким плоскостям. Такие дислокации являются прямолинейными, и их скольжению в какой-либо одной плоскости препятствует размазывание их ядер по другим плоскостям (это так называемые сидячие дислокации). Скольжение становится возможным только в том случае, если под действием приложенного напряжения и при помощи тепловых флуктуаций, способствующих этому процессу, ядро концентрируется только в одной плоскости (это явление характерно для о. ц. к. металлов при низких температурах).  [c.72]

Было нетрудно установить причину различной природы вакансионных скоплений в упомянутых металлах. Алюминий считается металлом с высокой энергией дефекта упаковки, составляющей приблизительно 200 эрг см [5]. Поэтому не удивительно, что петли в этом металле не являются сидячими дислокациями Франка с вектором Бюргерса 1/3<1М>. Предполагают, что золото, наоборот, имеет низкую энергию дефекта упаковки. Поэтому в нем должны образовываться сидячие петли Франка. На практике энергия такого рода петель может понизиться в результате расщепления  [c.64]

Рис. 90. а - граница блоков в германии, включая сидячие дислокации [87] б - песчаные рифели, образовавшиеся при отливе (видна часть корабля)[86]  [c.145]

Дальнейшим развитием теории строения границ зерен является установление факта суш,ествования на границах зерен, включая н большеугловые, зернограничных дислокаций (рис. 96, в). В этом случае граница зерна состоит из участков мест совпадения и зернограничных дислокаций (ЗГД). Зернограничные дислокации могут быть подвижными и сидячими. Подвижные ЗГД могут перемещаться вдоль границы и играют важную роль в зернограничном проскальзывании. Скорость такого проскальзывания увеличивается с ростом плотности ЗГД. Наличие ЗГД подтверждается электронномикроскопическими исследованиями границ специально выращенных бикристаллов.  [c.166]

Образование сидячих дислокаций Ломер—Коттрелла диполей, возникающих при встрече дислокационных петель при их скольжении по близким плоскостям образование дислокационных сеток, сложных по строению, приводят к сильному упрочнению на стадии //. Сложная картина перечисленных выше дислокационных образований вызывает трудности теоретических расчетов тц.  [c.193]


Теория взаимодействия дислокационных комплексов (теория Мотта) уточняет теорию Тейлора, приводя ее в большее соответствие с экспериментом. В частности, делается поправка на вторую гипотезу. Здесь заменяется взаимное влияние индивидуальных дислокаций взаимодействием между группами дислокаций, испускаемых из источника (например, из источника Франка—Рида). Испущенные дислокации в одной плоскости скольжения скапливаются у препятствий (сидячих дислокаций), что приводит к увеличению внутреннего напряжения в голове скопления. Дислокационные скопления с п дислокациями рассматриваются как сверхдислокация с век-  [c.211]

Образованные в результате реакций (2.19) и (2.20) сидячие дислокационные конфигурации (см. рис. 2.10) вызываютШоявление температурной зависимости сопротивления движению дислокаций. Обусловлено это тем, что для движения винтовой дислокации внешнее напряжение и термическая активация должны обусловить протекание процесса редиссоциации, т. е. образования перетяжек [831 на расщепленной дислокационной линии, после чего только она получит возможность перемещаться. Фактически достаточно подтянуть к центру расщепления хотя бы один из дефектов упаковки. Данная модель редиссоциации винтовых дислокаций [82, 83] объясняет не только температурную зависимость прочностных характеристик, но и асимметрию скольжения в  [c.48]

Задача выбора предпочтительного варианта объяснения температурной зависимости предела текучести усложняется тем, что модель редиссоциации использует математический аппарат, развитый ранее для напряжений Пайерлса. Другими словами, эти две модели становятся неразличимыми при обработке экспериментальных данных, т. е. эксперимент не может быть достоверно трактован в пользу только одной из них. И поэтому надо полагать, что, скорее всего, оба фактора здесь действуют одновременно и возможно даже усиливают друг друга. Поэтому понятны попытки многих авторов объединить несколько механизмов. Например, в работе Франка и Шестока [96] представления о редиссоциаиии расщепленной винтовой дислокации объединяются с механизмом примесного упрочнения. Согласно [96], атомы внедрения стабилизируют сидячую дислокационную конфигурацию и понижают вероятность образования перетяжек, необходимых для движения дислокации.  [c.49]

На стадии II все большую роль играет скольжение во вторичных системах, при этом взаимодействие дислокаций первичной и вторичной систем приводит к образованию в ГЦК-монокристаллах сидячих дислокаций Ломер — Коттрелла, у которых образуются дислокационные скопления [253]. Длина линий скольжения на этой стадии соответствует длине зон скольжения, ограниченных такими барьерами [253].  [c.102]

Электрохимические реакции контролируют скорость процесса коррозионно-механического воздействия среды, особенно в начальный период роста трещины, когда происходит коррозионное растворение металла с образованием, например, поражений в виде питтингов [155]. Так, в холоднодеформированных сталях типа 18—8, испытываемых в растворе Mg la при 154 °С, образуются специфические туннели субмикроскопических размеров, которые располагаются вдоль плоскостей скольжения в направлении, соответствующем сидячим дислокациям Коттрелла—Ломера. Как 190  [c.190]

Пластическое течение металлов и сплавов описывается различными моделями деформационного упрочнения 1) преодолением барьера Пайерлса—На-барро, характеризующим собственное сопротивление решетки движению дислокаций 2) преодолением в процессе деформации различного рода препятствий движению дислокаций (барьеров Ломера—Коттрелла или сидячих дислокаций и др.) 3) пересечением скользящих дислокаций с дислокациями леса и взаимодействием дислокаций с плоскими границами 4) поперечным скольжением винтовой составляющей дислокаций с переползанием краевой составляющей дислокации 5) зарождением (размножением) дислокаций.  [c.7]

По Фриделю [95] стадия линейного упрочнения обусловливается катастрофическим лавинообразным процессом генерирования дислокаций источниками Франка—Рида во вторичной системе плоскостей скольжения, способствуя этим возникновению большого количества сидячих дислокаций Ломера—Котрелла последние являются эффективными барьерами, у которых возникают нагромождения дислокаций [41 ].  [c.22]

В начальный период испытаний дислокации относительно сво бодно скользят по плоскостям, в которых реализуются минимальные скалывающие напряжения. Эта легкость скольжения связана с отсутствием препятствий движущимся дислокациям в виде дислокационных скоплений, сидячих дислокаций Франка и Ло-мерра—Коттрела. На этом участке упрочнение минимально вследствие того, что большинство дислокаций выходят на поверхность, образуя линии""скольжения.  [c.27]

Т. Сузуки и Г, Сузуки [229], а также Андерсон и Малиновский [6] проводили эксперименты на кристалле LiF, которые объяснялись рассеянием на колеблющихся дислокациях. В первых экспериментах образцы подвергали сжатию, а затем для закрепления дислокаций их отжигали при 300 С в течение 10 мин, во вторых экспериментах образцы подвергали деформации сдвига, а потом для закрепления дислокаций облучали у-лучами. Андерсон и Малиновский обнаружили, что после облучения достаточной дозой у-лучей теплопроводность деформированного кристалла возвращается к значению, которое она имела до деформации (фиг. 8.9). Они заключили, что после деформации заметное уменьшение теплопроводности происходит вследствие рассеяния на подвижных дислокациях и для расчетов использовали модель Гарбера и Гранато [75] и модель Нииомия [178]. После облучения у-лучами дислокации уже не могут двигаться из-за образования точечных дефектов, так что теперь рассеяние происходит на сидячих дислокациях, как это было в случае, рассмотренном Клеменсом и другими. Как следует из экспериментов, верхний предел рассеяния на таких дислокациях теперь  [c.152]

СТОЛЬ мал, что предварительно вычисленные значения скорости могли бы быть правильными. Действительно, скорость рассеяния, вычисленная Охаши [181], была в несколько раз большей, чем полученная по формулам Клеменса и Каррузерса, и в то время казалось, что она наилучшая, так как близка к экспериментальным значениям однако теперь это значение представляется слишком большим для объяснения рассеяния на сидячих дислокациях.  [c.154]


Исследования на сверхпроводниках показали, что дислокации, на которых рассеиваются фононы в металлах, не обязательно являются сидячими. Теплопроводность сверхпроводника при достаточно низкой температуре пёрехода в основном обусловлена фононами (см. следующий параграф). Андерсон и др. [7, 178, 179] исследовали влияние дислокаций на теплопроводность ниобия, алюминия, свинца и тантала в сверхпроводящем состоянии при температурах до 0,04 К. Во всех случаях рассеяние фононов оказалось намного большим (до раз), чем оно могло бы быть на сидячих дислокациях они объяснили это увеличение резонансным рассеянием на колеблющихся дислокациях. Для свинца и тантала средняя длина свободного пробега фононов при рассеянии на дислокациях имеет минимум, который смещается по температуре при изменении напряжения, в то время как для алюминия и ниобия этого сдвига не происходит. Отсюда следовало, что в первых двух металлах колеблющиеся дислокации можно описать с помощью модели упругой струны [75] для двух других металлов лучшее описание получается, если считать, что дислокация колеблется в потенциале Пайерлса.  [c.245]

Аналогичные результаты получены на модели, учитывающей скопление дислокаций у препятствия (рис. 68), что соответствует второй стадии деформации в ГЦК-металлах, в которых считается, что препятствиями для скольжения являются сидячие дислокации Номера-Коттрела, устойчивые пары дислокаций противоположного знака на ближайших плоскостях скольжения, переплетенные дислокации и пороги на них.  [c.121]

На рис. 115, а представлена структура матрицы в состоянии после закалки с равномерно расположенными в ней дефектами упаковки. Места их пересечения представляют собой сидячие дислокации (барьеры Ломера—Котрелла) и демонстрируют классический способ упрочнения сплавов с ГЦК-решеткой, который, как известно, не приводит к значительному упрочнению.  [c.268]

Скольжение дислокаций, контролируемое термоактивируемым процессом преодоления барьеров Пайерлса, хорошо изучено в экспериментах с постоянной скоростью деформации, проводимых при низких температурах в металлах с объемно центрированной кубической решеткой. Макроскопический предел упругости отвечает не зависящему от температуры напряжению, при котором начинается движение прямолинейных и сидячих винтовых дислокаций [109]. Были предложены две эквивалентные интерпретации изменения макроскопического предела упругости с температурой при помощи механизма двойных изломов [152] либо при помощи следующей модели строения ядра дислокации [372]. Предполагается, что ядро винтовой дислокации размыто одновременно на нескольких потенциальных плоскостях скольжения вблизи оси дислокации [214]. Полосы дефектов упаковки препятствуют скольжению во всех плоскостях, кроме их собственных. В результате дислокация оказывается блокированной до тех пор, пока достаточно высокое напряжение в сочетании с тепловым возбуждением не приведет к ее локальному стягиванию и образованию двойного излома [Ш]. Этот процесс можно рассматривать как непрерывное поперечное скольжение, при котором скольжение в каждой плоскости ограничивается расстоянием до следующей потенциальной ямы. Затем весь процесс повторяется, начинаясь на той же или, возможно, другой плоскости (в этом заключается механизм, по-видимому, некристаллографического, карандашного скольжения ).  [c.118]

Диссоциация дислокаций - при переползании в шпинели MgAI204 с различными отклонениями от стехиометрии непосредственно наблюдалась в просвечивающем электронном микроскопе дислокации здесь. сидячие и очень прямые, а частичные дислокации могут быть разрешены с помощью техники слабого лучк [89, 94, 97]. Диссоциация может происходить в нескольких плоскостях 100 , 110 и даже 113 в шпинели с п=1,8 [95]. Кроме того, плоскость диссоциации может Непрерывно меняться вдоль линии дислокации (рис. 4.23). Диссоциация дислокаций при их переползании, приводящая к образованию дипольных дефектов упаковки, наблюдалась также в сайфире (ос-А Оз) [247, 284]. и в пирите РеЗг [220] (рис. 4.24, 4.25). В результате диссоциации при переползании дислокации становятся сидячи-  [c.149]

Рис. 4.23. ПЭМ фотография дислокаций, диссоциированних путем переползания в шпинели М 0 — 1,8% А12О3 (а) Прямолинейные сидячие дислокации (б) изображение в слабом пучке плоскость диссоциации изменяется вдоль линии дислокации. (С разрешения Н. Дукхана.) Рис. 4.23. ПЭМ фотография дислокаций, диссоциированних путем переползания в шпинели М 0 — 1,8% А12О3 (а) Прямолинейные сидячие дислокации (б) изображение в слабом <a href="/info/312294">пучке плоскость</a> диссоциации изменяется вдоль <a href="/info/27062">линии дислокации</a>. (С разрешения Н. Дукхана.)
Рис. 4.30. Ядро сидячей дислокации в оливине,. ориентированной вдоль [100], расщепленной в плоскостях (010) и (001) (модель твердых шаров). Ионы находятся в нерелаксированных позициях [298]. Рис. 4.30. Ядро сидячей дислокации в оливине,. ориентированной вдоль [100], расщепленной в плоскостях (010) и (001) (модель <a href="/info/376843">твердых шаров</a>). Ионы находятся в нерелаксированных позициях [298].
Здесь число вакансий, сохраняющихся после отжига в течение времени Л о — начальная концентрация вакансий а — константа, зависящая от энергии активации миграции вакансий и температуры отжига, и к равно (я/2) (Л/ дЛ о) и я (Л/., Л о/2) для моновакансий н дивакансий соответственно (/ з — число сидячих дислокационных петель). Кривая отжига, выраженная уравнением (2.1), хорошо согласуется с кривой отжига, полученной Бауэрли и Кёлером. При низких температурах закалки экспоненциальная кривая отжига возникает в результате адсорбции вакансий на уже имеющихся дислокациях.  [c.199]

Отсюда Кимура и др. сделали заключение, что упрочнение при закалке меди с температур выше 900° С (закалка в воде образцов диаметром 0,25 мм) происходит благодаря образованию сидячих дислокационных петель за счет адсорбции вакансий, а упрочнение при закалке с более низких температур происходит благодаря адсорбции вакансий на уже имеющихся дислокациях.  [c.199]


Смотреть страницы где упоминается термин Дислокации сидячие : [c.256]    [c.245]    [c.73]    [c.77]    [c.192]    [c.192]    [c.101]    [c.194]    [c.56]    [c.22]    [c.89]    [c.33]    [c.107]    [c.115]    [c.158]   
Ползучесть кристаллов (1988) -- [ c.72 , c.149 , c.158 , c.159 ]



ПОИСК



Дислокация



© 2025 Mash-xxl.info Реклама на сайте