Дислокации единичные

Первое слагаемое в знаменателе определяет время прохождения дислокацией единичного пути при отсутствии точек закрепления, второе — общее время ожидания термической флуктуации энергии V %) у точечных препятствий (с — концентрация, точек закрепления). [c.30]

Формулы (8.38) и (8.39), которые следуют из общих выражений, совпадают с выражениями, полученными нами ранее [5]. Индекс а в (8.39) характеризует ориентацию линии дислокаций (единичный вектор вдоль направления линии дислокации обозначен через т ) и направление вектора Бюргерса Ь , т. е. а принимает значение 1, 2,. .., р, где р —число возможных значений векторов т , Ь во всех системах скольжения, характерных для данной кристаллической решетки. Константа Са равна концентрации дислокаций типа а, т. е. [c.245]

Будучи термодинамически неустойчивым дефектом (обладая избыточной свободной энергией), дислокация стремится выйти на поверхность кристалла. Теория упругости позволяет приближенно оценить величину силы, с которой притягивается к поверхности расположенная параллельно поверхности краевая дислокация эта сила (так называемая сила зеркального изображения ) обратно пропорциональна расстоянию от поверхности, т. е. определяется медленно меняющимся логарифмическим потенциалом [201]. Вместе с тем выход дислокации (т. е. завершение сдвига в данной плоскости скольжения) сопровождается появлением ступеньки, ширина которой в данной точке контура плоскости скольжения равна составляющей вектора Бюргерса, лежащей в плоскости скольжения нормально к контуру. Создание каждой новой ячейки поверхности требует затраты работы порядка 6%, где Ъ — вектор Бюргерса дислокации (единичная трансляция). Этот потенциальный барьер простирается в глубь кристалла лишь на расстояние около полуширины дислокации (порядка нескольких 6), т. е. имеет значительную крутизну, и в непосредственной близости от поверхности определяемая им сила, препятствующая выходу дислокации, может преобладать над выталкивающей силой зеркального изображения [113]. Следует полагать, что эта сила, препятствующая перемещению выходящего на поверхность конца дислокации, становится особенно существенной в том случае, когда направление линии дислокации приближается к нормали относительно контура плоскости скольжения, и сила зеркального изображения перестает играть свою роль. [c.29]

Поле смещений и (г) вокруг дислокации может быть выражено в общем виде, если известен тензор Грина уравнений равновесия данной анизотропной среды, т. е. функция, определяющая смещение Нц созданное в неограниченной среде сосредоточенной в начале координат единичной силой, направленной вдоль оси (см. 8). Это легко сделать с помощью следующего формального приема. [c.152]

Поскольку в написанном виде формула (28,4) относится только к перемещению в плоскости скольжения, имеет смысл сразу же написать проекцию силы f на эту плоскость. Пусть х — единичный вектор нормали к линии дислокации в плоскости скольжения. Тогда [c.161]

Если все единичные векторы , определяющие направление дислокаций, считать выходящими из дислокационного узла, то [c.101]

Дислокация является такой конфигурацией, которая может легко двигаться через кристалл. Предположим, что дислокация с единичным вектором 1 и вектором Бюргерса Ь передвигается в плоскости с нормалью п (положительное направление вектора п выбирается произвольно). Тогда (п1)=0. Пусть m — единичный вектор направления движения дислокации (рис. 3.19), определяемый соотношением [c.103]

Здесь интеграл берется по всей площади разреза. Для вычисления Ed необходимо найти среднюю силу F (в расчете на единичную площадь), приложенную к точке поверхности во время процесса смещения. Представим кристалл в виде набора концентрически расположенных трубок, в центре которого находится дислокация. IOG [c.106]

Дефекты упаковки связаны с так называемыми частичными, или неполными, дислокациями. Дислокации, которые были рассмотрены выше, называют совершенными, полными или единичными. Их вектор Бюргерса равен вектору решетки. [c.112]

Образовать частичную дислокацию можно так же, как и единичную, т. е. сделав в кристалле разрез по поверхности S (см. рис. 3.8) и сместив края разреза на вектор Ь. Если вектор Ь меньше вектора решетки, то наблюдается несовпадение решеток по обе стороны поверхности разреза. Край поверхности несовпадения называют частичной дислокацией. Заметим, что при образовании единичной дислокации имеет место совпадение решеток с обеих сторон поверхности S. [c.112]

Рис. 4.17. Движение краевой дислокации, приводящее к образованию ступеньки единичного сдвига

На примере единичного сдвига мы видели, что дислокация в результате перемещения по плоскости скольжения покидает криС талл. Опыт же показывает, что при больших напряжениях кристаллы претерпевают значительные деформации. Для объяснения этого факта необходимо предположить, что в кристалле имеются источники, которые генерируют дислокации при напряжениях, меньших чем 10 G. Такими источниками, как мы видели в разделе о дислокациях, являются, например, источники Франка — Рида, которые начинают действовать при скалывающих напряжениях Gb/l, где / — длина источника, Ь — модуль вектора Бюргер-са. В реальных кристаллах источники Франка — Рида — это только один из возможных механизмов размножения дислокаций. Рождение новых дислокаций в процессе пластической деформации и их перемещение приводят к макроскопическому сдвигу вдоль плоскости скольжения. [c.134]

В свою очередь единичные дислокации могут расщепляться на неполные (частичные, полу-) дислокации, уменьшая свою энергию. Для того чтобы такое деление происходило, необходимо выполнение условия [c.242]

Если дополнить (10.28) условием равенства векторов Бюргерса исходной (единичной) и частичной дислокаций [c.242]

Это — краевая дислокация (Ь перпендикулярно линии дислокации), но главная ее особенность состоит в том, что Ь не лежит в плоскости скольжения. Поэтому такая дислокация не может перемещаться скольжением, и ее движение будет затруднено. Подобные дислокации могут возникать при схлопывании плоских скоплений вакансий (отрицательные дислокации) или при введении дисков из межузельных атомов (положительные дислокации). Ввиду затрудненности движения дислокации Франка часто называют сидячими дислокациями. Они могут также образовываться делением единичных дислокаций, например, в результате реакции [c.244]

Здесь мы указали на характерные дислокации в ГЦК решетке. Однако ими не исчерпываются все возможные дислокации, и в литературе [51—52] описаны и другие типы дислокаций, причем не только в ГЦК, но и в других решетках. Параметры наиболее устойчивых единичных дислокаций ряда структур приведены в табл. 10.1. [c.244]

Предположим теперь, что линия дислокации лежит в плоскости хз = О и вектор Бюргерса находится в тон же плоскости и направлен по оси x-i. Определим касательные напряжения в плоскости дислокации для большинства приложений только эти напряжения представляют интерес. В ходе вычислений нам понадобятся производные от перемещений ui, 3, з, i, 2, з и из, 2. Для нахождения производных от составляющих вектора и мы воспользуемся тем обстоятельством, что функция ф = —Q/(4n) представляет собою потенциал скоростей в неограниченной жидкости при наличии вихревой нити единичной интенсивности. Скорость жидкости выражается при этом формулой Еио — Савара [c.465]

К более общему определению силы, действующей на дислокацию, мож. но подойти следующим образом. Представим себе элемент линии дислокации d%, этот элемент переместился на расстояние da (рис. 14.9.1). В окрестности элемента имеется поле напряжений ац. Обозначая через v единичный вектор нормали к плоскости движения элемента d, по формуле [c.474]

Выше рассмотрены основные типы дислокаций (краевая, винтовая и смешанная) на примере простой кубической решетки. Дислокации в такой решетке, имеющие векторы Бюргерса а<100> или а<110>, или а<111>, единичные (единичной мощности). Эти векторы совпадают с трансляционными векторами решетки, характеризующими тождественную трансляцию, т. е. такой перенос решетки, при котором ее конечное состояние нельзя отличить от начального. Такие дислокации или дислокации п-кратной мощности п — любое целое число) были названы ранее как полные. [c.67]

Поперечное скольжение расщепленной винтовой дислокации например Ay- -yD из плоскости у (Ш) в плоскость р (ПГ), происходит стягиванием части дефекта упаковки в единичную дислокацию с вектором Бюргерса AD и последующим расщеплением на частичные дислокации Лр и pD в плоскости р, т. е. [c.74]

В работах [208-210] проанализированы также дилатацирнные эффекты в наноструктурных материалах. Этот анализ базируется на известном факте, что присутствие дислокаций обычно приводит к увеличению объема кристаллов [211-213]. Эти изменения объема могут быть вычислены в рамках нелинейной теории упругости. Показано [211], что относительное увеличение объема, приходящееся на участок дислокации единичной длины, равно [c.106]

Условия возникновения зародышей новых зерен и их роста сформулированы во многих работах, например в [4, 47], исходя из понятий о напряжениях, создаваемых в материале дислокациями, генерированными во время пластической деформации. Для образования зародыша нового зерна размером do требуется плотность дислокаций ро = y//doWj, где - энергия дислокации единичной длины у/-удельная поверхностная энергия межзеренной границы. [c.123]

Сила, заставляющая дислокацию совершать скольжение, определяется работой, которую необходимо затратить для перемещения единицы длины дислокации на единицу расстояния. Пусть скалывающее напряжение х, действующее вдоль направления скольжения, заставляет дислокацию единичной длины пройти площадь д,х. При этом сила сместит верхнюю часть кристалла относительно нижней на расстояние Ь и соверптит работу <ХА = = хЬс1х. [c.57]

Положительность величины фд означает, что дислокации термодинамически неустойчивы. Это приводит к расщеплению дислокации с вектором Бюргерса, большим по абсолютной величине межатомного расстояния в кристалле, на несколько дислокаций с меньшим вектором Бюргерса. Действительно, представим себе дислокацию с вектором Бюргерса, равным Ь лЬо, где Ьо — минимальное значение вектора Бюргерса, равное расстоянию между узлами кристаллической решетки, а п—целое число энергия Гиббса такой дислокации составит n blGl2. Так как всегда п > п, то энергия Гиббса большой дислокации с вектором Бюргерса b = nb существенно больше энергии Гиббса п дислокаций с вектором Ьо, а следовательно, большая дислокация распадается на п единичных, совокупность которых во всех остальных отношениях эквивалентна начальной большой дислокации единичная дислокация, в свою очередь, может разделиться на несколько частичных дислокаций (если только это возможно без серьезного нарушения кристаллического порядка в области между частичными дислокациями). [c.80]

На начальной стадии пластическая деформация монокристалла осуществляется движением дислокаций но одной системе плоскостей—стадия легкого скольжения. Дислокации на этой стадии перемещаются сравнительно беспрепятственно на большие расстояния, обеспечивая прогрессивную деформацию без значительного роста действующих напряжений (стадия I деформационного упрочнения). После стадии единичного (легкого) скольжения начинается стадия множественного скольжения — движение дислокации в двух и более системах. На этой стадии после значительной деформации дислокационная структура металла сильно усложняется и плотность дислокаций возрастает по сравпепшо с исходным состоянием на 4—6 порядков, достигая см" . [c.46]

Факт значительного расхождения между теоретическими и экспериментальными значениями критических скалываюи их напряжений связан с тем обстоятельством, что в реальных кристаллах всегда присутствуют дислокации, которые легко перемеш аются, и их движение обусловливает скольжение при очень низких значениях прикладываемых нагрузок. Наличие дислокаций приводит к тому, что сдвиг начинается не по всей плоскости одновременно, а только в каком-либо одном месте, а затем под действием касательных напряжений распространяется по всей плоскости скольжения, при этом в направлении скольжения, указываемом вектором Бюргерса Ь, перемещается и сама дислокация. На рис. 4.17 приведена схема развития единичного сдвига (на одно межатомное расстояние) верхней части кристалла по отношению к ниж- [c.133]

Из (10.27) следует, что энергия образования дислокации пропорциональна квадрату вектора Бюргерса. По этой причине энергетические затраты на образование дислокаций заметно меньше при возникновении дислокаций с малыми векторами Бюргерса. В связи с этим появление дислокации с векторами Бюргерса, равными даже двум трансляциям, малореально. По величине Ь дислокации в кристаллах подразделяются, вообще говоря, на три группы полные (супердислокации), для которых вектор Бюргерса состоит из нескольких трансляций единичные, для которых вектор Бюргерса равен их элементарной трансляции, и неполные [c.241]

Структурный механизм этой реакции можно понять, рассмотрев рис. 10.7. На этом рисунке показана плотноупакованная плоскость (111). Скольжение происходит именно по этой плоскости в направлении [101]. Однако если рассматривать соскальзывание плоскостей как совместное движение перекатывающихся атомов, то более легким может быть перемещение от В к С и далее к В (В- -С В), чем прямо от В к В (В->В). Поэтому перемещение в направлении [101] может соответствовать зигзагообразному движению атомов попеременно в направлениях [211] и [112], что и приводит к диссоциации упомянутой выше единичной дислокации на две частичные с векторами Бюргерса, соответствующими соотношению (10.29). [c.243]

Единичные дислокации— тгше, вектор Бюр- [c.33]

Выше рассматривалось образование дефекта упаковки при сдвиге. Здесь образуются две экстраплоскости (рис. 36) с частич ными дислокациями Ь и 6г. Единичная дислокация Ь — краевая, частичные дислокации — не краевые, так как векторы Бюргерса этих дислокаций не перпендикулярны их линиям (для упрощения рисунка это на рис. 35 не показано). Между экстраплоскостями находится дефект упаковки, где чередование слоев АВСАВС.. нарушено и порядок их расположения АВСАСАВСА... Появилась тонкая прослойка САСА г. п. у. решетки в г. ц. к. решетке, размещенная между [c.71]

Смотреть страницы где упоминается термин Дислокации единичные : [c.109] [c.326] [c.369] [c.109] [c.110] [c.47] [c.48] [c.109] [c.338] [c.25] [c.81] [c.77] [c.99] [c.113] [c.37] [c.242] [c.242] [c.243] [c.38] [c.66] [c.74]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...