Шокли дислокации

Основными видами частичных дислокаций в ГЦК решетке являются частичные дислокации Шокли и Франка. Первый тип дислокаций возникает в результате дислокационной реакции [c.243]

Частичная дислокация Франка имеет вектор Бюргерса, перпендикулярный плоскости (111), и обозначается аА или 6D. Эти векторы соединяют центр грани с противоположной вершиной. Так, в результате реакции дислокации Франка с частичной дислокацией Шокли [c.74]

Как и в г. ц. к. решетке, две частичные дислокации Шокли связаны между собой дефектом упаковки с образованием в г. п. у. решетке прослойки AB , характерной для г. ц. к. решетки. Определение энергии дефекта упаковки и ширины расщепленной дислокации аналогично приведенному выше [см. формулы (54) и (55)]. [c.78]

Частичные дислокации Шокли, образующиеся при расщеплении винтовой дислокации в о. ц. к. решетке, [c.83]

Дислокация Франка сама скользить не может. Но если в плоскости ее дефекта упаковки имеется частичная дислокация Шокли, то возможно объединение дислокаций Франка и Шокли в одну единичную дислокацию, которая может скользить [см. дислокационную реакцию (57)]. Эта реакция энергетически выгодна, так как устраняет дефект упаковки, связанный с дислокацией Франка. [c.104]

Б. Дислокации Шокли — неполные или частичные дислокации. При их движении сдвиг происходит на величину меньше Ь — см. Двойникование. В расщепленных дислокациях дефекты упаковки ограничены частичными дислокациями например [c.22]

Вероятно, при нагреве металла электронным пучком возникают местные термические напряжения и этого достаточно для перехода петли с дефектом упаковки в петлю без дефекта упаковки посредством механизма зарождения неполной дислокации Шокли, который обсуждается в работе Франка [32]. Поскольку алюминий имеет высокую энергию дефекта упаковки, энергия больших петель с дефектами упаковки должна быть гораздо больше энергии равновесной конфигурации. Это означает, что петли с дефектом упаковки могут самопроизвольно переходить в петли без дефекта упаковки при повышении температуры образца. Фактически точное определение температуры перехода Гп петли с дефектом упаковки в петлю без дефекта упаковки может дать возможность вычислить энергию дефекта упаковки для алюминия. Эксперименты по такому отжигу следует выполнять на массивных образцах, чтобы избежать возникновения локальных напряжений, о которых упоминалось выше. Экспериментально [17, 33] было найдено, что Тп выше, чем температура, при которой происходит отжиг петли за счет переползания [34] (т. е. 160—190 С), [c.75]

Взаимодействие с петлей Су или В . Так же как и раньше, движущаяся дислокация при-контакте с петлей расщепляется в плоскости петли, но уже на неполную дислокацию Шокли, которая может скользить в плоскости петли, и на сидячую дислокацию Франка, вектор Бюргерса которой такой же, как и у петли. Дефект упаковки в одной половине петли уничтожается неполной дислокацией Шокли и часть петли превращается в полную дислокацию с вектором Бюргерса, таким же, как и у движущейся дислокации. Другая половина петли остается в виде Сидячей петли Франка. Таким образом, происходит разрушение петель движущимися дислокациями. [c.248]

Описанная выше реакция может иметь место только тогда, когда размер петли больше критического, в результате чего изменение энергии за счет исчезновения дефекта упаковки больше, чем увеличение энергии на единицу длины неполной дислокации Шокли. Критический диаметр считают равным 50А, для энергии [c.248]

Рис. II. Схема превращения сидячей дислокационной петли Франка (Ь=Ааг) в совершенную петлю (АВ) с помощью сдвига частичной дислокации Шокли ( О) в плоскости дефекта.

Дислокация с таким вектором Бюргерса называется дислокацией Шокли. 446 [c.446]

В г. ц. к. металлах дислокации, лежащие в плоскости (111), распадаются с уменьшением энергии на парные частичные дислокации Шокли, образуя два слоя атомов, упакованных по схеме гексагональной плотноупакованной решетки. Двойниковая граница содержит один слой атомов, упакованный в соответствии со структурой плоскости базиса в гексагонально плотноупакован-ных кристаллах. [c.300]

Частичные дислокации Шокли [c.83]

Экспериментальные данные вполне соответствуют предсказаниям теории. При четком изображении дислокации можно наблюдать расщепление ее на две частичные дислокации Шокли или образование узлов частичных дислокаций и т. д. [c.53]

Начало процессов этого типа затруднено их источником может быть полюс (источник Франка—Рида) или дефект упаковки, окруженный дислокацией Шокли. Напряжение старта превращения имеют высокие значения, так что процесс может протекать [c.81]

Основанные на использовании этого понятия интенсивные исследования, проводившиеся более четверти века, убедительно доказали существование дислокаций во всех материалах. Значительный вклад в классификацию дислокаций, исследование их взаимодействия и условий образования внесли Франк, Рид, Бюргере и Шокли. Дислокации впервые наблюдались в начале 50-х годов Хеджесом и Митчеллом, которые использовали для наблюдения их в кристаллах галогенида серебра метод декорирования. Теперь дислокации наблюдаются повсеместно с помощью электронных микроскопов методом просвечивания, разработанным в 1956 г. Хиршем, Хорном и Уиланом и независимо Веллманом. Многие серьезные достижения еще впереди. [c.48]

Шмида —Боаса закон 93 Шокли дислокации 22 Штамповка выдавливанием 463 [c.479]

Дислокация Ломер — Коттрелла, состоящая из одной вершинной н двух дислокаций Шокли, может быть образована при диссоциации единичной дислокации по реакции типа (см. рис. 38,6) D = Dp-)-p6+6 . [c.78]

ЕДИНИЧНЫЕ И ЧАСТИЧНЫЕ ДИСЛОКАЦИИ В Г. п. у. и О. Ц. К. РЕШЕТКАХ. Плоскостью плотнейшей упаковки г. п. у. кристаллов является чаще всего базисная плоскость с расположением атомов в каждом слое аналогично г. ц. к. кристаллу (см. рис. 35,6), но с чередованием слоев АВАВАВ... (см. рис. 7). Минимальный единичный вектор этой решетки а/3 <[12Г0]>, его модуль равен а. Дислокационная реакция диссоциации единичной дислокации на две частичные дислокации Шокли при расположении векторов Бюргерса аналогично рис. 35,6 записывается так (а/3) [1210] = (а/3) [0П0]+(а/3)[Г100]. [c.78]

Возможны случаи, когда взаимная ориентировка кристаллов менее симметрична, чем при наличии чисто наклонной границы или границы кручения. В общем случае граница всегда состоит из комбинации краевых и винтовых дислокаций. Общий метод построения малоугловой границы, базирующийся на выстраивании краевых дислокаций, был предложен Франком, но эту модель пытались распространить для границ с большими углами (Рид и Шокли). Однако в общем виде задача нахождения однозначной дислокационной модели большеугловой произвольной границы не решена [16]. [c.73]

Дислокационные представления использованы, в частности, для описания мартенситного превращения в кобальте и железе [244J. Однозначное описание на основе дислокационной модели возможно для простого случая перехода в кобальте К. 2- П2 он может быть осуществлен прохождением частичных дислокаций Шокли через каждую вторую плотноупакованную плоскость 111 в кубической решетке. Кубическая упаковка. .. аЬб ... аЬс превращается в гексагональную. .. аЬ. .. аЬ. .. аЬ. .. При температурах, значительно более высоких, чем температура превращения, дислокации в кубической решетке кобальта слабо растянуты (что объясняется относительно большой энергией дефектов упаковки). С понижением температуры разница в свободной энергии высоко- и низкотемпературной фаз и энергия дефектов упаковки уменьшается и дислокации, расположенные параллельно <И0>, становятся все более растянутыми. При достаточно низкой температуре две частичные дислокации каждой пары под действием сил отталкивания расходятся так далеко, что большая часть каждой плоскости скольжения превращается в дефект упаковки. [c.266]

В дальнейшем [80, 81] был предложен механизм мартенситного превращения, основанный на двух сдвигах. Первый сдвиг происходит по плотноупакованной плоскости аустенита (lll)v, параллельной наиболее плотной плоскости феррита (011)а в направлении [211] на 1/6 периода трансляции решетки, отвечающей частичной дислокации Шокли. При этом плоскость аустенита (111) превращается в плоскость феррита (011)а. Этому отвечает ориентационное отношение (Oll)all (111) . Второй сдвиг происходит в плоскости (211)т, I (2lT)a в направлении [011] [[ 111 ] и приводит к изменению угла между плотноупакованньши рядами он изменяется от 60° в аусте-ните до 70,5 в феррите, чему отвечает второе ориентационное соотношение [ПЦй Ц [ЮТ] . [c.69]

Хотя описанные исследования относятся к благородным металлам, полученные результаты могут быть перенесены на алюминий (правда, с большим приближением). Ранее отмечалось, что было бы полезно знать скорость роста скопления в алюминии во время закалки для выяснения, может ли скопление достигнуть критического размера при захлопывании до того, как температура образца упадет ниже Тцер, которая, как было показано выше, приблизительно равна 250° С. Впоследствии оказалось, что захлопывание с образованием конфигурации с дефектом упаковки может происходить на ранней стадии, так же как и для тетравакансии, хотя неясно, можно ли применять понятие конфигурация без дефекта упаковки к таким малым скоплениям (такое скопление, очевидно, уже слишком мало, чтобы давать конфигурацию без дефекта упаковки с помощью, например, частичной дислокации Шокли). [c.104]

Нет прямых экспериментальных доказательств того, что при ползучести некоторых твердых растворов решаюш ую роль играло взаимодействие Судзуки (химическое) или Фишера (геометрическое). В отличие от взаимодействия Фишера, взаимодействие Судзуки могло, бы быть эффективным до относительно высоких гомологических температур. Однако химическое взаимодействие часто комбинируется с упругим (взаимодействием атомов примеси с частичными дислокациями Шокли). Взаимодействия этих типов очень трудно разделить, Ьсли это вообще на сегодня возможно. Поэтому юаммодействие Судзуки отдельно не обсуждалось. [c.153]

Блокирование дислокаций атмосферами Сузуки [78] является перспективным механизмом повышения сопротивляемости высокотемпературной ползучести сплавов с г. ц. к. решеткой и поэтому заслуживает более подробного рассмотрения. Как указывалось, дефект упаковки между частичными дислокациями Шокли в г. ц. к. системе представляет собой два атомных слоя, в которых атомы упакованы аналогично гексагональной плотноупакованной решетке. При высоких [c.303]

Наконец (рис. 9, в), если левую верхнюю часть кристалла сдвинуть относительно нижней части по плоскости, покаванной жирной линией и перпендикулярно плоскости рисунка, то получится дислокация Шокли. Эта дислокация легко подвижна, так как [c.367]

Рис. 55. Образование в плотноупакованной гексагональной структуре растянутой дислокации, ограниченной двумя частичными дислокациями Шокли. Как и на рис. 53, на рисунке показаны лишь геометрические перемещения атомов, в действительности же в области каждой частичной дислокации имеется искажение структуры. Слегка сдвинутая вниз полоса в центре рисунка—это дефект упаковки с последовательностью расположения слоев АВС. С обеих сторон дефект отделен от плотноупакованной гексагональной структуры с последовательностью расположения слоев АВАВ. .. частичными дислокациями

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...