Дислокационные реакции

Основными видами частичных дислокаций в ГЦК решетке являются частичные дислокации Шокли и Франка. Первый тип дислокаций возникает в результате дислокационной реакции [c.243]

ДИСЛОКАЦИОННЫЕ РЕАКЦИИ В Г. Ц. К. РЕШЕТКЕ. При описании дислокационных реакций в г. ц. к. решетке удобно использовать специальное геометрическое построение — стандартный тетраэдр Томпсона. Грани тетраэдра (рис. 38, а) представляют собой четыре [c.73]

Рис. 38. Геометрическое построение для описания дислокационных реакций г. ц. к. решетке

С помощью тетраэдра Томпсона можно анализировать слол ные дислокационные реакции. [c.74]

Дислокация Франка сама скользить не может. Но если в плоскости ее дефекта упаковки имеется частичная дислокация Шокли, то возможно объединение дислокаций Франка и Шокли в одну единичную дислокацию, которая может скользить [см. дислокационную реакцию (57)]. Эта реакция энергетически выгодна, так как устраняет дефект упаковки, связанный с дислокацией Франка. [c.104]

Согласно другому механизму, предложенному Коттреллом, дислокации движутся в двух пересекающихся полосах скольжения, сливаются вдоль линии пересечения и образуют раскалывающую дислокацию (рис. 225,6). В железе этому процессу соответствует дислокационная реакция 0,5а [111]+0,5а [И 1]- -а [001], которая приводит к образованию трещины в плоскости (001), являющейся плоскостью скола. Многократное повторение реакции приводит к слиянию дислокаций а[001], вызывая образование зародышевой трещины Гриффитса. Эта схема не требует наличия барьеров для дислокаций. Дислокации [c.427]

Анализ дислокационной структуры усталостно нагруженных кристаллов (100) показывает возможность протекания дислокационных реакций типа [c.167]

Интерметаллидная г -фаза уникальна. Ее выдающийся вклад в упрочнение сплавов системы y-y определяется характером дислокационных реакций на приложенное усилие, выражающихся в огибании частиц или их перерезании. Еще примечательнее то, что прочность у -фазы увеличивается с ростом температуры, а ее скрытая пластичность не дает ей стать источником разрушения. Последняя особенность ее поведения резко отличает зг -фазу от хрупкой o -фазы, образование которой приводит к жесткому охрупчиванию сплавов. Механизмы упрочнения сплавов за счет выделений у -фазы подробно рассмотрены в гл. 3, [c.137]

Не вызывает сомнений, что диффузия играет выдающуюся роль в процессах, определяющих жаропрочность и тем более значительную, чем выше температура и больше время теплового воздействия на металл. При этом структура, состав материала и условия внешнего воздействия определяют относительную роль диффузионных процессов и дислокационных реакций при ползучести и разрушении. Жаропрочность, как и прочность вообще, определяется двумя характеристиками силой межатомного взаимодействия и структурой. В этой связи скорость диффузии является весьма удобным критерием оценки жаропрочности, поскольку зависит как от прочности межатомной связи, так и от структуры. [c.390]

Вводимые в сплав элементы в небольшом количестве могут также замедлять ползучесть, оказывая влияние на скорость дислокационных реакций, главным образом, по-видимому, на скорость возврата при ползучести [356]. [c.399]

Дислокационные реакции с полями напряжений вблизи выделений [3]. [c.317]

Можно сформулировать следующие два условия прохождения дислокационной реакции. [c.445]

В каждой определенной структуре устойчивы только немногие векторы Бюргерса (а значит и дислокации). Причина заключается в так называемых дислокационных реакциях, при которых дислокации с неустойчивы- [c.223]

Цель теории ползучести определить функциональную зависимость величин /г и кг от соответствующих механических и структурных факторов для каждой серии возможных (в этих условиях) термически активируемых дислокационных реакций. В настоящей работе обсуждается высокотемпературная ползучесть, контролируемая диффузионными процессами, которые приобретают существенную значимость при температурах выше 7г пл. При этих температурах скорость ползучести всегда определяется одним или несколькими диффузионно контролируемыми механизмами. Известное исключение составляют закономерности высокотемпературной ползучести для монокристаллов А1 1], Мд [2] и 2п [3]. Причины этого пока не выяснены. Возможно, что при испытании монокристаллов А1 и не образуется таких [c.250]

В простейшем приближении все свойства дислокационного ансамбля сводились к представлению о лесе дислокаций, реже хаотическом, чаще усредненном, даже регулярном. Формирование напряжения течения рассматривали путем пропускания через него единичной пробной дислокации. Эти взгляды, несмотря на их чрезмерную упрощенность и соответственно неадекватность реальности, разрабатывались известными специалистами, вследствие чего получили широкое распространение и переходят из учебника в учебник. Здесь рассматривались поля напряжений дислокационной решетки, волочение порогов и генерация точечных дефектов, пересечение и реакции с лесом , локальные дальнодействующие поля, роль скоплений и вторичное скольжение, дислокационные реакции, диполи и их ограничение. [c.132]

Наиболее активно развиваются гипотезы, связывающие зарождение мартенсита с существованием участков исходной фазы, отличающихся особым расположением дислокаций. Согласно одному из предположений, зародыш мартенсита образуется вследствие определенных дислокационных реакций или перегруппировки дислокаций в мартенситном интервале. Согласно другому предположению, наиболее крупные участки исходной фазы с определенной группировкой дислокаций (эмбрионы), возникшие при более высоких температурах, становятся активными центрами превращения при более низких температурах (ниже Мн). Считается также весьма вероятным, что процессу зарождения способствует поле высоких внутренних напряжений от определенным образом расположенных дислокаций оно как бы производит работу по созданию зародыша. [c.228]

Кроме зарождения пор на включениях поры могут формироваться из микротрещин, зародившихся в результате дислокационных реакций (механизм Стро, Коттрелла и т. д.) и не распространившихся по механизму скола (ai<5 ). В данном случае микротрещины притупляются за счет релаксации напряжений в их вершинах и превращаются в пору. Несмотря на возможный дислокационный механизм зарождения пор, вязкое разрушение конструкционных материалов происходит за счет пор, зародившихся на частицах второй фазы включениях, карбидах и т. д. Таким образом, существует большой набор значений деформации, требуемой для зарождения поры. Поры возникают на включениях при значительно меньших деформациях, чем на карбидах и нитридах. Возникновение пор вокруг крупных частиц облегчено по сравнению с мелкими. [c.111]

Дислокационные реакции подчиняются критерию Франка, основанному на том, что реакция должна приводить к уменьшению энергии системы. Так как энергия дислокации пропорциональна квадрату вектора Бюргерса, критерий Франка формулируется следующим образом реакция возможна в том случае, если сумма квад-эатов векторов Бюргерса исходных дислокаций больше уммы квадратов векторов Бюргерса дислокаций, обра- [c.67]

ЕДИНИЧНЫЕ И ЧАСТИЧНЫЕ ДИСЛОКАЦИИ В Г. п. у. и О. Ц. К. РЕШЕТКАХ. Плоскостью плотнейшей упаковки г. п. у. кристаллов является чаще всего базисная плоскость с расположением атомов в каждом слое аналогично г. ц. к. кристаллу (см. рис. 35,6), но с чередованием слоев АВАВАВ... (см. рис. 7). Минимальный единичный вектор этой решетки а/3 <[12Г0]>, его модуль равен а. Дислокационная реакция диссоциации единичной дислокации на две частичные дислокации Шокли при расположении векторов Бюргерса аналогично рис. 35,6 записывается так (а/3) [1210] = (а/3) [0П0]+(а/3)[Г100]. [c.78]

По данным Дж. Хирта, пересечение двойника скользящей дислокацией может быть причиной роста (или сокращения) двойника. Вследствие того что расщепляющиеся дислокационные реакции, возникающие при этом, энергетически не выгодны, рост двойника может происходить только при более значительных по сравнению со скольжением внешних приложенных напряжениях. Скользящие дислокации, взаимодействуя с двойником, может расширить или сузить его границы, преломившись, пройти сквозь двойник, оставив на нем изгибы и ступеньки. В том случае, когда дислокационные реакции, связанные с этими явлениями, не имеют места, граница двойника должна действовать как барьер, в результате чего образуются скопления скользящих дислокаций, которые приводят к сильному упрочнению и последующему разрушению. [c.147]

Если в ГЦК-металлах барьеры в плоскости скольжения образуются в результате дислокационных реакций типа Ломер — Коттрелла, то для ОЦК-металлов в качестве возможной причины образования барьеров часто рассматривается [4] дислокационная реакция типа [c.112]

Основными факторами, определяющими жаропрочность металлов, являются температура плавления, прочность межатомных связей, процессы диффузии и структура. Большое внимание уделяется также дислокационным реакциям н диффузионным перемещениям атомов при ползучести н разрушении, а также взаимодействию металла с окружающей средой. Наконец, необходимо учитывать температуры рекристаллизации и фазового пре-вращепия. В момент фазового (полиморфного) превращения повышается подвижность атомов и, как следствие, снижаются прочностные характеристики, в частности предел текучести. [c.13]

В одновалентньщ металлах, в которых считают дислокации растянутыми, одна или несколько вакансий не могут образовать пороги, хотя дислокации и можно считать новыми. Образование порогов на растянутых дислокациях, по мнению Кимуры и др, [5], заключается в следующем вакансии конденсируются в областях сильного притяжения, т. е. в областях сжатия краевой компоненты неполной дислокации. Конденсированные вакансии захлопываются и образуют сидячие дислока-, ционные петли при достижении критической величины концентрации вакансий. Часть петли сливается с неполными дислокациями. Будучи зависимой от ориентации той дислокации, на которой вакансия конденсируется, дислокационная реакция идет так, чтобы устранить дефект упаковки и образовать сверхпорог. На рис. 6 показана конечная конфигурация продуктов конденсации вакансий для трех типичных ориентаций дислокаций. [c.242]

ВерПемся к представлению о распределении дислокаций в трехмерной сетке [51, 54]. Высвобождение некоторых сегментов этой сетки термоактивацией при участии напряжения, их быстрое скольжение и быстрый захват другими сегментами, образование более коротких сегментов в результате дислокационных реакций ведут, естественно, к росту плотности дислокаций и деформационному упрочнению. Таким образом, возврат должен происхо- [c.37]

Таким образом, анализ Гиттуса позволяет сделать вывод, что скорость ползучести зависит от напряжения в третьей степени Предположение s А кажется вполне логичным, поскольку можно ожидать, что скользящая дислокация при встрече с соседними сегментами сетки будет остановлена образованием зон рекомбинации в результате дислокационных реакций. Этим были объяснены [ 203] высокие значения коэффициента деформационного упрочнения, обычно определяемого методом, описанным в разд. 7.5. Независимость А от сг [уравнение (-9,30)], очевидно, является следствием предположения s=iA. Эта независимость часто наблюдалась экспериментально. Однако, предполагая, что средний путь скольжения s не зависит от среднего размера ячейки (т. е. от приложенного напряжения), Лангеборг [52] пришел к соотношению [c.116]

МИ векторами Бюргерса расщепляются с выделением энергии и образованием стабильных дислокаций. Поэтому дислокационная реакция, подобно химической реакции, имеет определенный тепловой эффект Др. Если энергия АС высвобождается при расщеплении одной дислокации с большим вектором Бюргерса на две с меньщими векторами, то реакция будет протекать самопроизвольно. Этот процесс расщепления будет происходить до тех пор, пока не останется лишь небольшое количество векторов Бюргерса (векторов скольжения), которые обычно соответствуют кратчайшим расстояниям в решетке Бравэ (при полных дислокациях). [c.223]

Во многих щелочных галогенидах также можно обнаружить пространственное распределение дислокаций, используя эффект декорирования (С. Амелинкс). Для этой цели в кристаллы в процессе их роста добавляют незначительные количества галогенных соединений серебра, например 0,8% Ag l. Последующий отжиг в водороде ведет к выделению серебра по линиям дислокаций, и тем самым к их декорированию. На рис. 11.9 показана гексагональная сетка дислокаций в кристалле КС1, обнаруживаемая при использовании элекронномикроскопического фотографирования. Подобным образом можно было детально исследовать дислокационные реакции в щелочных галогенидах. [c.250]

Образованные в результате реакций (2.19) и (2.20) сидячие дислокационные конфигурации (см. рис. 2.10) вызываютШоявление температурной зависимости сопротивления движению дислокаций. Обусловлено это тем, что для движения винтовой дислокации внешнее напряжение и термическая активация должны обусловить протекание процесса редиссоциации, т. е. образования перетяжек [831 на расщепленной дислокационной линии, после чего только она получит возможность перемещаться. Фактически достаточно подтянуть к центру расщепления хотя бы один из дефектов упаковки. Данная модель редиссоциации винтовых дислокаций [82, 83] объясняет не только температурную зависимость прочностных характеристик, но и асимметрию скольжения в [c.48]

Смотреть страницы где упоминается термин Дислокационные реакции : [c.67] [c.94] [c.141] [c.142] [c.428] [c.98] [c.168] [c.185] [c.181] [c.55] [c.33] [c.9] [c.253] [c.32] [c.117] [c.296] [c.445] [c.446] [c.446] [c.377] [c.255] [c.253]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...