Люминесценция собственная

Несмотря на чрезвычайное разнообразие в значениях времени т, показывающего длительность люминесценции (от т с до т 10 с), для всех процессов люминесценции характерно, что оно значительно превосходит период собственного колебания светящейся молекулы (Т = 10 —10 с). На это обратил особое внимание С. И. Вавилов, показавший, что данный критерий длительности является единственным характерным критерием, позволяющим отделить люминесценцию от всех других видов свечения. [c.760]

В отличие от всех перечисленных излучений люминесцентное излучение является собственным излучением вещества оно обладает известной самостоятельностью по отношению к возбуждающим факторам. Это проявляется не только в том, что люминесцентное излучение можно наблюдать в течение более или менее длительного времени после того, как возбуждение прекратилось. Спектральный состав излучения определяется прежде всего свойствами данного люминофора и может оставаться постоянным при изменении тех или иных характеристик возбуждающих факторов. Например, при возбуждении светом спектр люминесценции во многих случаях сохраняется при изменении (в определенных пределах) частоты фотонов в исходном световом пучке. [c.183]

Люминесценция является неравновесным процессом. При ее возникновении одновременно наблюдается свечение огромного числа частиц, которые люминесцируют независимо друг от друга, давая некогерентное излучение. При этом люминесцирующие молекулы преобразуют поглощенную энергию в собственное излучение. Все эти свойства позволяют отличать люминесценцию от других видов излучения. [c.168]

К тушению первого рода были отнесены все те процессы, в которых уменьшение выхода люминесценции вызывается химическими или физико-химическими воздействиями на невозбужденные молекулы исследуемого вещества. В этом случае часть энергии поглощенного света идет не на перевод молекул из невозбужденного в возбужденное состояние, а расходуется на их диссоциацию,, ионизацию или на увеличение энергии их колебания и вращения. Такие процессы развиваются с большой скоростью и происходят за время, соизмеримое с временем собственных колебаний молекул —10 с). [c.179]

При образовании ассоциированных молекул красителей происходит уменьшение выхода их свечения при сохранении формы спектра люминесценции. Это указывает на то, что, как правило, при объединении в ассоциаты молекулы красителей утрачивают свою люминесцентную способность. У некоторых красителей могут образовываться и люминесцирующие ассоциаты. В этом случае происходит изменение формы спектра люминесценции исследуемого раствора, который одновременно смещается в сторону длинных волн. Это связано с тем, что ассоциаты таких красителей обладают собственной длинноволновой полосой люминесценции. [c.212]

В тех случаях, когда ассоциированные молекулы обладают люминесцентной способностью, резонансная передача энергии от мономеров может приводить к возбуждению собственного свечения ассоциатов. В результате будет возникать их сенсибилизированная люминесценция. [c.213]

Напомним, что люминесценцией называется процесс испускания телом (люминофором) под действием какого-либо энергетического возбуждения (например, светового) дополнительного излучения, отличного от его собственного теплового излучения. [c.213]

Монохроматичность лазерного излучения характеризует способность лазеров излучать в узком диапазоне длин волн и определяется величиной Av/vo. Ширина спектра излучения лазера определяется прежде всего числом линий, на которых происходит генерация. Контур линии усиления активной среды, совпадающий с контуром линии испускания (люминесценции), имеет ширину Avj. Поэтому в пределах линии усиления могут разместиться одна или несколько собственных частот резонатора, удовлетворяющих соотношению (1.106) и отстоящих друг от друга на [c.54]

Выше уже отмечалось влияние дефектов кристаллической структуры на собственное поглощение щелочно-галоидных кристаллов и указывалась их роль в образовании электронных и дырочных центров захвата. Дефекты структуры играют существенную роль также и в других явлениях и определяют целый ряд важнейших свойств реальных кристаллов. В своей книге Фотолюминесценция жидких и твердых веществ В. Л. Левшин [189], отмечая большую роль внутренних неоднородностей и нарушений кристаллической структуры в явлениях люминесценции, считает, что наличие дефектов структуры и их тесное взаимодействие с решеткой является необходимым условием возникновения длительного свечения кристаллофосфоров. [c.98]

Зависимости п (со) и Пу (со), соответствующие однородному (лоренцеву) уширению линии люминесценции, могут быть найдены в рамках классической теории дисперсии диэлектрической восприимчивости на основе рассмотрения модели гармонического осциллятора, характеризующегося собственной частотой соо и коэффициентом затухания 7. Эти зависимости в случае газовой среды имеют вид > [c.228]

Оптические свойства полупроводников до сих пор изучены недостаточно. Это связано, в частности, с быстрым ростом поглощения по мере увеличения частоты возбуждающей радиации. Применение лазеров с перестраиваемой частотой позволило ослабить трудности и решить ряд задач, связанных с выяснением механизма их действия, механизма генерации. Вместе с тем выведено универсальное соотношение, связывающее контур полосы поглощения и контур полосы люминесценции. Оно справедливо для всех собственных полупроводников. Точно такое же соотношение было получено раньше для сложных органических молекул.Процесс образования спектров в обоих случаях совершенно различен, а частотная зависимость от отношения контура полосы поглощения к контуру полосы люминесценции тождественна. С помощью универсального соотношения можно определить величину коэффициента усиления полупроводника, что другими методами невозможно. [c.128]

Кристаллы галогенидов щелочных металлов, активированные таллием, относятся к числу типичных люминесцентных соединений. Ионы Т1" , статистически распределенные в катионных узлах, переходят в возбужденное электронное состояние, а при последующем излучении возвращаются в основное состояние. Как и во многих других кристаллах, ионы собственной решетки галогенидов щелочных металлов никакого участия в люминесценции не принимают и выполняют роль инертной матрицы. [c.79]

ЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ, собственное избирательное излучение тел, противопоставляемое тепловому равновесному изучению (см.). Если нек-рое тело под действием тех или иных причин начинает светиться собственным светом, энергия к-рого превосходит для данной части спектра энергию теплового излучения, соответствующего г° тела, то мы имеем дело с Л. В определение Л. входит понятие [c.136]

ОППОНЕНТ. Насколько мне известно, Ломоносов полагал, что свечение возникает в упругом эфире в результате быстрых колебаний частиц эфира, обусловленных резкими встряхиваниями трубки с ртутью. Хорватский -ченый XVHI в. Бошкович разработал модель люминесценции, согласно которой световые корпускулы сначала захватывались силовым полем молекул вещества, а затем за счет внутренних движений вещества выталкивались из молекулярного поля и тем самым снова излучались. Теорию люминесценции разрабатывал также Л. Эйлер. Он полагал, что люминесценция возникает в системе в результате ее собственных колебаний, которые происходят под действием каких-либо внешних вынуждающих колебаний при этом частота вынуждающих колебаний может быть иной, чем частота собственных колебаний. Были и дру- [c.12]

При наличии инверсной населенности уровней энергии 2 и i активной среды ( 2> i), т. е. при выполнении условия N2lg2>N)gi (Ni, Nu 2, g — населенности н кратности вырождения уровней 2, i) вынужденное излучение превалирует над поглощением и свет с резонансной частотой ш = 2— i/h усиливается при прохождении через среду. Усиленный таким образом свет люминесценции активной среды называют излучением сверхлюминесценции. Для возникновения генерации вводят положительную обратную связь, располагая активную среду в оптическом резонаторе, который в простейшем случае представляет собой два параллельных зеркала. Одно из зеркал резонатора делается полупрозрачным для частичного вывода излучения. Пространственное распределение поля генерируемого излучения соответствует собственным колебаниям резонатора, называемым модами. Различают продольные и поперечные моды, относящиеся к распределению поля вдоль оси резонатора и в плоскости, перпендикулярной оси. Искусственное снижение добротности резонатора позволяет достичь значительного коэффициента усиления активной среды без возникновения генерации. Последующее быстрое включение добротности приводит к генерации мощных световых импульсов малой длительности (гигантских импульсов). [c.895]

Сосуществование свободных и автолокализованных экситопов обнаружено в ряде веществ (иодиды щелочных металлов [.3], отвердевшие инертные газы [51 и др.) по одновременному присутствию в спектре люминесценции Двух типов собственного свечения. [c.16]

Первые попытки применения квантово-механической теории энергетического состояния электронов в диэлектриках и полупроводниках к интерпретации фотохимических и фотоэлектрических явлений в щелочно-галоидных кристаллах принадлежат П. С. Тар-таковскому [71]. На основе имевшихся в то время экспериментальных данных и общих соображений об энергетических уровнях в кристаллах Тартаковским впервые была построена схема энергетических уровней для ряда щелочно-галоидных соединений с учетом локальных электронных состояний различных центров окраски. Анализируя электронные переходы между различными уровнями энергии кристалла, можно было объяснить ряд оптических и фотоэлектрических свойств окрашенных кристаллов ще-лочно-галоидных соединений с единой точки зрения. Однако в отличие от полупроводников, для которых свет в области их фундаментального поглощения является фотоэлектрически активным, в щелочно-галоидных кристаллах не наблюдается внутреннего фотоэффекта под действием света в области первой полосы собственного поглощения. По этой причине попытки применения зонной теории к толкованию всей совокупности явлений, связанных с собственным поглощением, фотопроводимостью и люминесценцией щелочно-галоидных кристаллов наталкивались на существенные затруднения. Некоторые фундаментальные экспериментальные факты относительно свойств окрашенных щелочно-галоидных кристаллов не получили объяснения ни в энергетической схеме Тарта-ковского, ни в подобных более всеобъемлющих схемах, предлагавшихся позднее. В частности, оставалась совершенно непонятной сама возможность образования в кристалле столь устойчивой окраски под действием света или рентгеновых лучей, какая в действительности наблюдается у щелочно-галоидных кристаллов. В самом деле, при образовании в процессе фотохимического окрашивания свободных электронов, локализующихся затем на уровнях захвата, в верхней зоне заполненных уровней энергии должны образоваться свободные положительные дырки. Вследствие диффузии этих дырок в верхней зоне заполненных уровней вероятность их рекомбинации с электронами, локализованными в центрах окраски, должна быть достаточной, чтобы кристалл быстро обесцветился даже в темноте. Между тем, известно, что окраска кристалла весьма устойчива и сохраняется в темноте очень продолжительное время. Возможность локализации положительных дырок в предлагавшихся квантово-механических моделях не рассматривалась. [c.30]

Отдача энергии экситонами в виде света должна бы наблюдаться также в щелочно-галоидных кристаллах под действием света в спектральной области их собственного поглощения. Но последнее расположено преимущественно в Шумановской области спектра, в которой проведение измерений сопряжено с определенными трудностями экспериментального характера. Поэтому подобная люминесценция до настоящего времени очень мало изучалась. Обычно полагали [13] без достаточных оснований, что подобной люминесценции не существует. Однако проведенные в последнее время исследования люминесценции щелочно-галоидных кристаллов при низких температурах [98,99, 231, 232, 347] показали, что в определенных условиях опыта подобная люминесценция в действительности обнаруживается. [c.250]

Особый интерес представляют полученные Тиигарденом [347] данные по квантовому выходу люминесценции монокристаллов KI, возбуждаемой в спектральной области их собственного погло- [c.250]

Для повышения разрешающей способности экранов используют сцинтилляционные монокристаллы из NaJ (Т1), И (Т1) или Сб1 (Т1), активизированные таллием. Изготовленные из них экраны не имеют зернистости, мало поглощают собственный свет и могут быть выбраны такой толщины, чтобы обеспечить полное поглощение падающего излучения. Последнее очень важно, так как за счет большого поглощения гамма-квантов люминесценция у этих экранов значительно выше, чем у флюоро-скопических. Контраст оптического теневого изображения у монокристаллических экранов почти равен контрасту теневого рентгеновского изображения. Отечественная промышленность выпускает экраны из монокристаллов СэЦТ ) диаметром 70...150 мм и готовит к выпуску нитчатые монокристаллические экраны с диаметром нити не более 0,1 мм. [c.133]

Излучение светящегося пламени удовлетворяет за кону Кирхгофа с высокой точностью. Это излучение практически никогда не имеет полностью характера сплошного спектра, свойственного твердому телу. Газы пламени накладывают на этот сплошной спектр собственное излучение, имеющее, как известно, вид атомных линий и молекулярных полос. Это излучение также в основном подчиняется закону Кирхгофа, кроме некоторых линий и полос люминесцентного происхождения, наблюдающихся иногда в зоне интенсивной химической реакции. В красной области спектра люминесценция обычно отсутствует. Спектральные линии и полосы температурного происхождения, удовлетворяющие зокону Кирхгофа, не вносят погрешности при измерении по методу лучеиспускания и поглощения. [c.360]

Рассматриваемый метод ограничен тем, что далеко не все объекты исследования обладают собственной люминесценцией в видимой области, а некоторые дают однотонную малоконтрастную картину. В таких случаях приходится прибегать, как и в обычной микроскопии, к искусственному окрашиванию препаратов флуоресцирующими красителями. Такие красители называют флу-орохродшми, а окрашивапие ими — флуорохромированием. Таким способом можно практически почти все вещества и микроструктуры превратить в люминесцирующие. [c.578]

Собственный пробой обычно связывают с возник1Ювением до-пороговой лавинной или многофотонной ионизации де4>ектов или собственных состояний матрицы стекла под действием поля световой волпы [121, 1301, ведущей к росту поглощения за счет появления возбужденных носителей и центров окраски. Однако ряд экспериментальных результатов, полученных в последнее время при изучении собствешюго пробоя стекол, противоречит такому объяснению [124, 131]. Так, если облучение стекла производится светом с энергией кванта, большей полуширины запрещенной зоны стекла, то действительно наблюдается двухфотонная ионизация матрицы, рост поглощения и появление собственной люминесценции стекла. Сам же пробой происходит, наиболее вероятно, из-за самофокусировки, возникающей в области облучения при ее нагреве поглощающими электронно-дырочными нарами. Возможным механизмом пробоя при этом может быть и фотодеструкция стекла [124]. Если же облучение производится квантами света с энергией, меньшей полуширины запрещенной зоны, то вплоть до порога пробоя ионизацию матрицы стекла наблюдать не удается. [c.54]

Большой экспериментальный материал указывает на то, что, как правило, спектральное распределение люминесценции кристаллов при возбуждении в области собственного поглощения не зависит от длины волны возбуждающего света. При низких температурах в идеальном кристалле спектр люминесценции начинается с полосы, соответствующей чисто электронному переходу из нижнего синглетного возбуждённого уровня. Эти экспериментальные факты свидетельствуют об установлении квазитермодинамического равновесия между возбуждёнными состояниями. Излучение из этих термализованных состояний следует относить к процессам люминесценции, так как оно происходит из реальных состояний и отражает их природу. [c.20]

В качестве сцглиплляторов в С. с. применяются неорганические и органич. кристаллы, органич. жидкости и пластмассы, а также благородные газы. Световые вспышки в сцинтилляторе возникают при высвечивании электронных возбужденных состояни11, образующихся под действием иопизпрующе частицы. В действительности механизм люминесценции довольно сложен II не одинаков для различных сцинтилляторов [1]. Так, напр., в кристаллич. сцинтилляторах выделившаяся при попадании ионизирующей частицы энергия быстро передается подвижным носителям тока электронам проводимости, дыркам и экситонам. Носители энергии мигрируют по кристаллу, пока не происходит захват их дефектами кристаллич. решетки. Дефекты кристаллов можно разделить на две группы центры люминесценции и центры ног-лощения (тушения), в к-рых энергия, выделяющаяся при захвате носителя, рассеивается без высвечивания. Отсюда видно, что во вспышке люминесценции выделяется лишь часть энергии, потерянной в сцинтилляторе прошедшей через него частицей. Для того чтобы вспышки люминесценции можно было регистрировать в толстых слоях сцинтиллятора, они должны быть прозрачны для собственного свечения. [c.108]

РАССЕЯНИЕ СВЕТА — преобразование света веществом, сопровождающееся изменением напраиле-ппя его распространепии и проявляющееся как свечение вещества (т. н. несобственное свечение, нанр. свечение планет). Явление Г , с. весьма многообразно и играет важную роль в обыденной жизни, в технике II как мощное средство исследования строения вещества (строения молекул, жидкого состояния и т. п.), а также промышленного контроля. Р. с. родственно фотолюминесценции, от к-рой отличается отсутствием промежуточных квантовых переходов в веществе, т. е. с точки зрения классич. теории тем, что свечение вещества возникает в результате возбуждения светом вынужденных (а не собственных) колебаний заряда, диполей и мультиполей. Экспериментальным критерием для различения Р. с. от фотолюминесценции может служить зависимость (для F>. с.) илп независимость (для люминесценции) спектра вторичного свечения от спектрального состава возбуждают,его евета, а также критерий Вавилова, согласно к-рому фотолюминесценция отличается от Р. с. более длительным поел есвечением. [c.352]

Люминесцептный метод основан на свойстве некоторых веществ, поглощающих лучистую энергию, издавать собственное свечение. Это явлецие носит название люминесценции. Свойством люминесценции (под действием ультрафиолетовых лучей) обладают многие минеральные масла — трансформаторное, автол, авиационное и др. Люминесцентные жидкости (часто называемые люминофорами), используемые для контроля сварных соединений должны легко проникать в раз.личные мелкие пороки — трещины, надрывы, поры. Поэтому применяют жидкости — смеси с меньшим коэффициентом вязкости, чем одно масло, и лучшей проникаемой способ1ностью. Такими веществами, понижающими вязкость масел, являются бензин, керосин, лигроин и т. п. [c.60]

Экспериментальное исследование собственной люминесценции кристаллов нафталина проводилось в работах Шпака и Шеки [472, 473]. Они показали, что при очень тщательной очистке кристалла от следов молекул бета-метилнафталина появляется в спектре люминесценции полоса с частотой 31 480 см , поляризованная перпендикулярно моноклинной оси. Эта частота близка к частоте 31 476 см максимума полосы поглощения. Поляризация люминес- [c.587]

С радиофизической точки зрения рассеянный свет — это собственные шумы параметрического усилителя. Специфика оптического диапазона проявляется здесь лишь в замене шумовой температуры Т, определяющей шумы радиоусилителей, на энергию кванта деленную на постоянную Больцманах, и в многомо-довости оптических систем. Иногда это явление называют параметрической люминесценцией или еще оптическим параметрическим шумом , параметрическим расщеплением частоты света . [c.16]

С практической точки зрения акустоинжекционная люминесценция перспективна для создания различных оптоэлектронных и акустоэлектронных устройств. С научной стороны интересна собственно дефектная акустолюминесценция, с использованием которой можно по-новому изучать свойства точечных дефектов в кристаллах. [c.367]

Перечисление примесных дефектов в полупроводниках не будет полным, если не упомянуть о возможности комплексообразования. В разделе, посвященном собственным точечным дефектам, уже упоминалось о простых комплексах (это дефекты Френкеля, дивакансии и т.д.). Подобные комплексы могут образовываться и примесными атомами. Так, в GaAs и GaSb, легированных литием (см. выще), образуются комплексы вакансий с междоузельными атомами лития [Ы+У г], ведущие себя в процессах рассеяния носителей заряда иначе, чем дефекты Li+ и При значительных концентрациях Li в GaAs возникают комплексы типа [Li LIq ], которые ведут себя как однократно заряженные акцепторы. При сильном легировании арсенида галлия Se или Те могут образовываться комплексы или преципитаты, которые влияют на квантовый выход излучения и характер люминесценции. На электрические свойства кремния значительное влияние оказывает комплексообразование между междоузельным примесным кислородом и атомами основного вещества (см. выще). Образование комплексов из простых доноров, приводящих к появлению глубоких уровней в запрещенной зоне, проявляется в появлении сильных избыточных токов в туннельных диодах из Ge при их легировании фосфором или сурьмой. [c.137]

ХЕМИЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ, люминесценция, сопровождающая хим. реакции. Испускается продуктами реакции или др. компонентами, возбуждаемыми в результате переноса энергии к ним от продуктов реакции. Частный случай X.— биолюминесценция (свечение гниющего дерева, нек-рых насекомых и морских животных и др.). X. сопровождает газофазные, жидкофазные, гетерогенные реакции, как идущие самопроизвольно (при смешивании реагентов, собственно X.), так п происходящие под воздействием разл. факторов электрич. разряда, электролиза элептрохемилюминесцен-ция), света, ионизирующего излучения и др. [c.837]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...