ПОИСК Статьи Чертежи Таблицы Оптические свойства полупроводников до сих пор изучены недостаточно. Это связано, в частности, с быстрым ростом поглощения по мере увеличения частоты возбуждающей радиации. Применение лазеров с перестраиваемой частотой позволило ослабить трудности и решить ряд задач, связанных с выяснением механизма их действия, механизма генерации. Вместе с тем выведено универсальное соотношение, связывающее контур полосы поглощения и контур полосы люминесценции. Оно справедливо для всех собственных полупроводников. Точно такое же соотношение было получено раньше для сложных органических молекул.Процесс образования спектров в обоих случаях совершенно различен, а частотная зависимость от отношения контура полосы поглощения к контуру полосы люминесценции тождественна. С помощью универсального соотношения можно определить величину коэффициента усиления полупроводника, что другими методами невозможно. [Выходные данные]