Центры захвата

Пусть, как и ранее, точка Н — центр захвата, а — его длина . Рабочим объемом V называется область возможных положений центра захвата, допускаемая связями манипулятора. Совокупность возможных положений оси захвата, при которых центр его Н находится в дайной точке рабочего объема, определяет телесный угол [c.625]

На рис. 30.19 схематично изображены конфигурации манипулятора при расположении центра захвата на границах указанных зон. [c.627]

Область возможных положений центра захвата называется рабочим пространством (объемом) манипулятора или промышленного робота. Форма рабоче- го пространства, а также о характер операций, выполняемых манипулятором, в значительной степени зависят от структуры его кинематической цепи. [c.169]

Для оценки параметров дефектов, ответственных за разрушение, примем следующую модель. Положим, что каждому значению параметра аннигиляции Рр = Sp/Sg при данном К соответствует насыщающая концентрация центров захвата. Как указывалось, такая концентрация достаточна для полного захвата дефектами всех позитронов. Для полностью отожженного образца измеряемый параметр аннигиляции равен Рд. Тогда на основании модели захвата параметр Р характеризующий состояние аннигиляции, описывается выраже- [c.142]

Примесные атомы и ионы также могут захватывать электрон или дырку, в результате чего изменяются полоса поглощения кристалла и его окраска. Ц. о., будучи центрами захвата электронов и дырок, могут служить центрами свечения. [c.426]

За последние годы вьшолнен цикл исследований электронных состояний О-вакансий в корунде [87—95] в большинстве случаев — с использованием эмпирических или полуэмпирических кластерных расчетных схем [87—94]. Были рассмотрены зарядовые состояния изолированной кислородной вакансии (Го), дивакансии (Го-Го) в модели и Г-центров (захват Гц одного или двух эле- [c.131]

Полагают, что диаметры вакансий в аморфных сплавах имеют широкое непрерывное распределение и что вакансии в аморфных сплавах не такие, как в кристаллах, и поэтому как центры захвата позитронов они различаются между собой [33]. При этом все позитроны аннигилируют на вакансиях. С учетом этого сделанное Ченом [31] вышеуказанное объяснение экспериментальных результатов, представленных на рис. 6,21 и 6.22, по меньшей мере, представляется рискованным. [c.195]

В кристаллах с малым содержанием центров захвата возможны случаи, когда Ео, и тогда, как следует из (2.10), нелокальный отклик может возникнуть и при д 0. [c.48]

N— концентрация центров захвата (акцепторов) [c.312]

Измеренные при комнатной температуре кинетические кривые представлены на рис. 3 [221, где отчетливо видно значительное увеличение поверхностной плотности кластеров в результате их декорирования по сравнению с поверхностной плотностью непосредственно наблюдаемых в электронном микроскопе частиц, имеющих минимальный размер 7 А (около 13 атомов). Отрицательный наклон кривой 1 между двумя и четырьмя секундами выдержки свидетельствует о преобладающей роли коалесценции кластеров на этой стадии роста пленки. Из кинетических кривых, полученных при разных температурах между 20 и 100° С, удалось оценить энергию активации, необходимую для выхода кластеров из центров захвата подложки. Эта энергия, равная 0,32 эВ, только слегка превышает энергию активации, требуемую для миграции по подложке отдельных атомов. [c.8]

Сопоставление результатов поможет выяснить роль активирующей примеси и тепловых микродефектов чистого кристалла R образовании электронных и дырочных центров захвата, механизм люминесценции чистых и активированных щелочно-галоидных кристаллов, роль электронно-дырочных процессов в рекомбинационном свечении этих кристаллов и ряд других фундаментальных вопросов физики люминесценции ионных кристал- [c.6]

В 10, II и 12 третьей главы дан краткий обзор истории и теории метода кривых термического высвечивания, рассмотрены различные способы определения энергии тепловой ионизации центров захвата при помощи метода термического высвечивания. [c.6]

Итак, проведенные нами исследования спектрального распределения и температурной зависимости вспышечного действия видимого света на люминесценцию окрашенных щелочно-галоидных кристаллов и изложенные здесь результаты других авторов по инфракрасной флуоресценции этих кристаллов приводят к важным выводам о роли электронных центров окраски в явлениях люминесценции окрашенных кристаллов щелочно-галоидных соединений. Экспериментальные данные бесспорно доказывают, что электронные центры окраски в этих кристаллах являются одновременно и центрами свечения и центрами захвата электронов. [c.70]

При температурах, при которых процессы фотодиссоциации становятся преобладающими, электронные центры окраски проявляются преимущественно в виде центров захвата и резервуара электронов, которые впоследствии могут быть высвобождены с [c.70]

В отношении ультрафиолетовой и видимой люминесценции окрашенных щелочно-галоидных кристаллов электронные центры окраски следует рассматривать только как центры захвата электронов. При оптической диссоциации центров окраски высвобождаются локализованные в этих центрах электроны, которые могут повторно локализоваться на этих же уровнях либо рекомбинировать с другими центрами. Часть энергии, выделяющейся в окрашенных кристаллах щелочно-галоидных соединений в процессах рекомбинации продуктов фотолиза, проявляется в виде люминесценции. [c.71]

Такое уравнение получается для кривой термического высвечивания в предположении, что имеются уровни захвата только одной глубины и при условии, что можно пренебречь процессами повторного захвата электронов центрами захвата. [c.77]

Пусть N означает концентрацию центров захвата, ап — концентрацию ионизованных центров свечения или, что все равно, концентрацию электронов на уровнях захвата, если при этом пренебречь концентрацией электронов в зоне проводимости. [c.78]

Указанный способ определения энергии тепловой ионизации центров захвата может быть применен при неизвестном и кроме того отличается от других методов тем, что он более прост и позволяет быстро определять е без необходимости построения дополнительных графиков. [c.89]

Именно в этой nol paHHHHoft области происходит переход от одной формы существования к другой от порядка к беспорядку, от намагниченного состояния к ненамагниченному в зависимости от интерпретации тех сущностей, которые примыкают к границе. Пограничные области в большей или меньшей мере замысловато зависят от условий, характеризующих изучаемый процесс. Порой возникает третий конкурент, который пользуется разногласиями двух других и насаждает свою область влияния. Может случиться, что один центр захватит всю плоскость, но и его власть имеет границы в виде изолированных точек, которые неподвластны его притяжению. Это, так сказать, диссиденты , не желающие принадлежать . [c.100]

Существование таких состояний возбуждения кристаллофосфора связано с центрами захвата, образующимися в местах нарушения периодичности решетки. Освобождение электронов и дырок этих центров происходит при сообщении им достаточной энергии, тепловой или энергии квантов высвечивающего света. Центры захвата характеризуются набором электронных или дырочных уровней захвата, различающихся по глубине. Явление термолюминесценции наглядно доказывает существование в кристалло-фосфорах уровней захвата различных глубин и позволяет опреде- лить эти глубины по зависимости яркости свечения от температуры — кривой термического высвечивания. Именно поэтому изучение кривых термического высвечивания является одним из основных методов исследования центров захвата в кристаллофос-форах. Получают кривые термовысвечивания следующим образом. Предварительно возбужденный кристаллофосфор равномерно нагревают так, чтобы изменение температуры со временем могло (быть выражено формулой [c.217]

Метод кривых термического высвечивания получил широкое применение в самых разнообразных областях науки и техники. Прежде всего он используется для исследования центров захвата в разных кристаллофосфорах. При этом в ряде случаев удалось связать определенные максимумы на кривых термовысвечивания с конкретными примесями. Метод термовысвечивания также широко применяется в геологии для термолюминесцентного анализа различных минералов. Фосфоры, обладающие боль-щой аккумуляционной способностью, используются в качестве дозиметров ионизирующих излучений. В частности, их используют в космических исследованиях при изучении коротковолнового излучения Солнца. В последнее время метод кривых термовысвечивания стал применяться и для исследования молекулярных систем в биологии. [c.218]

Таким образом, центры захвата позитронов в Ре при изменении К характеризуются практически неизменной электронной плотностью, но калщому значению РС соответствует определенное распределение ее, т. е. уменьшению К соответствует уменьшение плотности электронов проводимости и увеличение остовной электронной плотности. [c.145]

Самоходный Комбайн Массей Гаррис № 21 (фиг. 19, 20, 21). Транспортёр хедера шнековый или полотснный. Шнек хедера имеет правые н левые витки по краям и две радиальные лопасти в центре. Захват шнекового хедера — 3590 м. Полотенный хедер имеет правое и левое полотна, подающие хлеб на центральный тргнспораёр. Захват полотенного хедера — 4150 мм. Хедер уравновешивается тремя пружинами управление хедером штурвальное, ручное. Наклонный транспортёр — плавающего типа. Барабан бильный. Соломотряс двухвальный, четырёхклавишный. Очистка одна с верхним жалюзийным и нижним пробитым решётами. Бункер расположен низко с левой стороны молотилки, что удобно для обзора его комбайнёром и особенно важно, когда над бункером установлен сорняковый цилиндр. [c.86]

Недавно Танигава [34] провел эксперимент, в котором определил закон дисперсии времени жизни позитронов в аморфных и жидких металлах. В результате установлено, что в аморфных сплавах интенсивность захвата позитронов имеет широкое распределение, центры захвата малы, но концентрация их велика. Тем самым подтвержден вывод, сделанный Судзуки с сотр. [33]. Отсюда следует, что информацию о перераспределении электрических зарядов [c.195]

В последние годы были разработаны несколько физико-математических моделей зарядовой деградации МДП-структур в условиях туннельной инжекции. Эти модели описьшают процессы накопления заряда в диэлектрике на основе механизмов захвата носителей, учитывающих новые данные о распределении электронов по энергии в диэлектрических пленках в сильных электрических полях, и позволяют проводить сравнение зарядовой стабильности МДП-структур с различной толщиной двуокиси кремния (в том числе и многослойных), учитывать влияние изменений характеристик центров захвата, локальных электрических полей. Применение таких моделей позволяет оптимизировать параметры МДП-систем применительно к конкретным структурам МДП-ИС и БИС в рамках действующих типовых технологических процессов, а также совершенствовать технологии получения диэлектрических слоев с целью повышения устойчивости схем к токополевым, электронным и ионизационным воздействиям. [c.136]

Быстродействие структур ФП —ЖК, даже с гетеропереходом, все же ограничено значением 10 ... 10 с Это связано с использованием в них поли кристаллических и аморфных слоев полупроводников, имеющих большое число центров захвата и рекомби- [c.147]

Перемещенные в силу рассмотренных причин носители захватьюаются на глубокие ловушки, в результате чего формируется неравновесный пространственный заряд. Наиболее популярная теоретическая модель фоторефракции [И] представляет кристалл в виде компенсированного полупроводника. Считается, что донорные центры, с которых происходит фотовозбуждение носителей, заполнены лишь частично. При этом ионизированные доноры с концентрацией No служат центрами захвата. Постулируется присутствие в образце также акцепторных центров с концентрацией ТУд = N . Эти центры полностью заполнены электронами, и в фотопереходах они участия не принимают (рис. 2.1). [c.46]

Приведенное описание дает только весьма приближенное начальное представление о процессах фоторефракции. В реальных ситуациях приходится сталкиваться с так называемыми эффектами насышения ловушек, обусловленными конечной концентрацией центров захвата [11, 15], с большими длинами переноса фотовозбужденных носителей, превышающими период записывающей световой решетки [16], с влиянием фотовозбуждения неосновных носителей [17], с возможностью диффузии нетер-мализованных электронов [8], с особенностями взаимодействия при снятии вырождения по частоте [18], с нестационарностью записи [19] и т.д. Некоторые из этих вопросов будут затронуты в последующих разделах данной главы, однако более полное описание физики фоторефрактивного эффекта читатель сможет найти в специальных работах [20]. [c.47]

Данная монография представляет собой сводное изложение работ автора, посвященных исследованию механизма люминесценции активированных и неактивированных щелочно-галонд ных кристаллофосфоров и связанных с этой проблемой вопросов о природе и структуре центров свечения и электронных и дыроч ных центров захвата, о механизме поглощения света этими крис таллами и о роли электронно-дырочных процессов в указанных явлениях. [c.5]

В 13, 14, 15 и 16 указанной главы приводятся результаты проведенных автором исследований по термическому высвечиванию фотохимически окрашенных щелочно-галоидных кристаллов, не содержащих чужеродных активирующих примесей, выясняется влияние дефектов структуры и действие света, поглощаемого центрами окраски, на термическое высвечивание и устанавливается связь между центрами захвата и различными центрами окраски щелочно-галоидных кристаллов. [c.6]

В последующих главах (V, VI и VII) приведены результаты исследования природы и структуры центров свечения и центров захвата в щелочно-галоидных кристаллофосфорах, активированных ионами тяжелых металлов, и их изменения под действием рентгеновых и -лучей, рассмотрены процессы образования атомарных центров свечения и механизм рекомбинационного свечения активированных щелочно-галоидных кристаллофосфоров. [c.7]

Полученные таким образом кривые зависимости 1 от Т дают весьма наглядное представление о спектре акцепторных уровней кристаллофосфоров и позволяют изучать существенные тепловые характеристики центров захвата, процессы релаксации и механизм термолюминесценцик, природу тепловых дефектов решетки основного вещества и роль активаторных центров в образовании акцепторных уровней, а также условия, определяющие распределение электронов на локальных уровнях и т. д. [c.72]

Из других методов, аналогичных методу термического высвечивания, следует отметить разработанный Ч. Б. Лущиком [158, 173, 174] оригинальный метод термического обесцвечивания. Этот метод основан на измерении зависимости коэффициента поглощения в максимуме полосы поглощения центров захвата от температуры при равномерном нагреве возбужденного кристалла. Ч. Б. Лущиком дана теория метода термического обесцвечивания как для уровней захвата одной глубины, так и для уровней захвата нескольких сортов, значительно различающихся по глубине. [c.75]

Методу термического высвечивания аналогичен также метод изучения зависимости силы тока от температуры в процессе нагревания исследуемого образца [134, 175—178]. Вместо пиков термовысвечивания или термообесцвечивания в этом случае получаются максимумы тока, которые, как и первые, также обусловлены Высвобождением электронов из центров захвата. [c.75]

ОПРЕДЕЛЕНИЕ ЭНЕРГИИ ТЕПЛОВОЙ ИОНИЗАЦИИ ЦЕНТРОВ ЗАХВАТА МЕТОДОМ ТЕРМОВЫСВЕЧИВАНИЯ [c.83]

Кроме того, метод термовысвечивания позволяет также сравнительно просто определять значения энергии термической ионизаци различных центров захвата. Для этой цели можно пользоваться соотношениями, устанавливавшими зависимость между различным величинами, характеризующими термическое высвечивание. [c.83]

Основное соотношение Рэндалла и Уилкинса, устанавливающее связь между энергией тепловой ионизацией центров захвата е и температурой Т , соответствующей максимальной интенсивности свечения, содержит две неизвестных величины и е. Поэтому [c.84]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...