Контраст топографический

Из информации, получаемой с помощью РЭМ (табл. 3.5), основными являются сведения о локальных изменениях топографии и химического состава поверхности. Соответственно выделяют топографический и композиционный контрасты. Топографический контраст обусловлен изменением интенсивности эмиссии вторичных электронов и коэффициента отражения для отраженных электронов при изменении угла наклона элемента поверхности к первичному пучку. При этом коэффициент вторичной эмиссии меняется сильнее, чем коэффициент отражения, что определяет преимущества использования вторичных электронов для изучения топографии поверхности. [c.66]

Характерная черта топографического контраста в РЭМ — повышенная яркость изображения острых вершин и выступов рельеф (краевой эффект), вызванная увеличением выхода электронов с этих участков. Снижение разрешающей способности и потеря отдельных деталей изображения усугубляются при этом за счет более эффективного улавливания коллектором электронов, вылетающих из выступов рельефа. [c.66]

Для того чтобы разделить эффекты, вызываемые изменением химического состава и топографии, используют парный детектор А-В (рис. 3.5). Интенсивность сигналов, возникающих в детекторах, расположенных симметрично над образцом 5, зависит от композиционного и топографического контраста. Сигналы, вызванные композиционным контрастом, в обоих детекторах эквивалентны, а вызванные топографическим — обратны, так как оба детектора видят поверхность с различных сторон. Суммирование сигналов от детекторов (А + В) увеличивает эффект композиционного контраста и уничтожает влияние топографии, а вычитание сигналов от этих детекторов (А—В) подавляет композиционный контраст и лучше выявляет топографию поверхности (см. рис. 3.5). [c.67]

В РЭМ различают два вида контраста изображения - т о п о -графический и композиционный [73]. Топографический контраст изображения определяется изменением интенсивности вторичной электронной эмиссии в зависимости от положения элемента поверхности по отношению к пучку электронов. Композиционный контраст изображения образцов сложного фазового состава обусловлен раз-лнчными значеннями коэффициента вторичной электронной эмиссии. [c.152]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...