Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...

Статьи Чертежи Таблицы О сайте Реклама

Диаграммы состояний бинарных систем

ДИАГРАММЫ СОСТОЯНИЙ БИНАРНЫХ СИСТЕМ  [c.67]

Диаграммы состояний бинарных систем с устойчивыми химическими соединениями характерны для тех случаев, когда составы жидкости и химического соединения аналогичны (конгруэнтное плавление).  [c.70]

Для чего используют диаграммы состояний бинарных систем  [c.78]

Диаграммы состояния бинарных систем германия с редкоземельными металлами.  [c.231]


Рассмотрим наиболее распространенные типы диаграмм фазового равновесия (в дальнейшем — диаграмм состояния) бинарных систем, построенных на основе термографического и микроскопического анализов (рис. 3.3.1).  [c.199]

Анализ распределения интенсивности по всей ячейке ОР позволяет определить бинарные параметры ближнего порядка для ряда координационных сфер. Если эти параметры соответствуют равновесным состояниям, то непосредственно можно получить термодинамические характеристики растворов — энергии упорядочения или распада, активности компонентов, особенности критических флуктуаций вблизи точки фазового перехода второго рода, а также исследовать характеристики электронной структуры металлических сплавов, радиусы поверхности Ферми [45, 46]. Преимуществом рентгеновского метода является то, что он применим и для концентрированных растворов, когда из-за малости длины свободного пробега электронов другие методы неэффективны. Рентгеновское определение термодинамических характеристик твердых растворов — эффективный метод анализа диаграмм состояния бинарных систем.  [c.128]

Т — X диаграммы состояния бинарных систем  [c.145]

Анализ диаграмм состояния бинарных систем показывает, что в качестве основы расплавляющихся промежуточных прослоек при соединении жаропрочных сплавов могут быть использованы никелевые системы N1—Мп, N1—31, N1—В, Ni—Рс1, Т], N1—2г, N1—ЫЬ и N1—Ве, Указанные системы могут содержать добавки элементов, активирующих процесс и снижающих температуры плавления систем. При этом необходимо учитывать влияние различных элементов на жаропрочность сплавов. При выборе расплавляющихся прослоек и разработке технологического процесса наряду с прочностными свойствами получаемых соединений важным фактором является склонность соединений к охрупчиванию. Охрупчивание может быть вызвано образованием боридных, силицидных, карбидных или интерметаллидных прослоек. Если бориды, силициды и карбиды об-  [c.177]

Другим важным аспектом, во многом определяющим физико-химические свойства вещества, является фазовый состав, поэтому изучение условий фазового равновесия, фазовых превращений и фазового состава необходимо для понимания свойств кристаллических твердых тел. Наиболее общим методом изучения условий равновесия и фазовых переходов со времени классического исследования Гиббса остается термодинамика в настоящем пособии дан вывод основных типов диаграмм равновесных состояний бинарных систем, проведена классификация фазовых превращений в твердом состоянии. Теоретические выводы проиллюстрированы, по возможности, экспериментальными данными.  [c.6]


На диаграмме состояния трехкомпонентных систем могут также существовать точки, которые лежат ниже температуры затвердевания трех отдельных компонентов в этих случаях говорят о тройной эвтектической точке Ет (рис. 8.18). Такую диаграмму состояния можно расчленить на диаграммы трех бинарных систем, каждая из которых имеет эвтектическую точку (Еав, Евс и Еас). Все три компонента дают во всех трех диапазонах концентраций гомогенный расплав, однако в твердом состоянии не образуют смещанных кристаллов.  [c.157]

Диаграммы состояния бинарных фторидных систем  [c.481]

У других материалов, таких как стеатитовые (см. стр. 636), жидкая фаза образуется лишь при высокой температуре и ее количество резко возрастает с повышением температуры. Интервал спекания таких материалов является незначительным, иногда доходящим до 10—15°. Количество жидкой фазы можно рассчитать теоретически по соответствующим диаграммам состояния бинарных, тройных и более сложных систем. Вязкость и поверхностное натяжение расплавов различного состава сравнительно легко могут быть определены экспериментально.  [c.90]

Рис. 4.5. а — Диаграмма состояния бинарной системы с неограниченной растворимостью компонентов друг в друге, б — Зависимости термодинамического потенциала твердых и жидких растворов от состава при некоторой температуре Т такой, что Т пл(Л) > Т > Т пл(В) Хь и Хз — концентрации сосуществующих при данной температуре Т жидкой и твердой фаз, определенные по координатам точек касания общей касательной к кривым АС Ь) и Д0(5). Для бинарных систем условия равновесия двух фаз выражаются условием общности касательной к кривым АС(Ь) и Д0(5) двух фаз, находящихся в равновесии [17].  [c.150]

Рассмотрим Р — Т — X диаграммы для бинарных систем. Интенсивные работы по изучению Р — Т — X диаграмм состояния показали, что использование высоких давлений (десятки и сотни тысяч атмосфер) в ряде случаев приводит к изменению типа диаграммы состояния, к резкому изменению температур фазовых и полиморфных превращений, к появлению новых фаз, отсутствующих в данной системе при атмосферном давлении. Так, например, диаграмма с неограниченной растворимостью в твердом состоянии при высоких температурах и распадом твердого раствора а на два твердых раствора ai + 2 при низких температурах может с увеличением давления постепенно переходить в диаграмму с эвтектикой (см. рис. 4.18,а). На рис. 4.18,6 показана диаграмма состояния системы Ga-P, в которой образуется полупроводниковое соединение GaP. В зависимости от давления это соединение может плавиться конгруэнтно или инконгруэнтно. Соответственно изменяется и вид двойной диаграммы Т — X яа различных изобарических сечениях тройной Р —Т — X диаграммы.  [c.167]

Ориентировочный отбор материалов, мало взаимодействующих между собой, можно сделать на основании рассмотрения бинарных равновесных диаграмм состояния соответствующих систем.  [c.110]

В. В. Марков и А. А. Рыжиков [36] выполнили расчет диаграммы состояния системы А1—Si по уравнению логарифмики Шредера для бинарных систем  [c.16]

Изложены результаты исследования термодинамических свойств неорганических материалов — энергии Гиббса, энтальпии и энтропии образования соединении ванадия, хрома и марганца с р-элементами и закономерности их изменения в связи с положением компонентов в периодической системе элементов. Обобщены данные экспериментальных исследований и закономерности фазовых равновесий и строения диаграмм состояния в рядах систем редкоземельных металлов с германием титана и циркония в бинарных и тройных системах с тугоплавкими платиновыми металлами, тройных систем переходных металлов, в которых образуются фазы Лавеса, и тройных систем переходных металлов, содержащих тугоплавкие карбиды. Приводятся примеры использования полученных результатов при разработке новых материалов.  [c.247]


Работа установки основана на определении момента фазового превращения бинарных систем из газового состояния в двухфазное по появлению росы на зеркальной поверхности медной призмы и момента фазового превращения из двухфазного состояния в жидкое — по перелому на кривых в диаграмме давление — температура. В точках перехода системы из одной области существования в другую составы фаз равны исходному составу. Измерив давление, соответствующее моменту фазового превращения смеси известного состава, можно построить диаграмму фазовых равновесий давление—состав.  [c.59]

Диаграмма состояния трехкомпонентной системы при постоянном давлении требует для изображения трех осей координат ось температуры и две оси составов (две из трех в соответствии с условием (1.63)). Для удобства отсчета концентрации третьего компонента в качестве плоскости концентраций (составов) используется равносторонний треугольник концентрационный треугольник), когда концентрация каждого компонента откладывается на одной из сторон, а в вершинах находятся чистые компоненты (рис. 1.49). По сторонам треугольника откладывается состав соответствующих бинарных систем в молярных долях или процентах. На прямых, параллельных линии АС и расположенных выше нее, количество  [c.82]

Диаграммы состояния изображают фазовый состав системы при разных концентрациях компонентов X, температурах Т и давлении Р. Диаграммы состояния в общем случае являются пространственными. Размерность пространства зависит от числа независимых переменных, функцией которых является фазовый состав. Эти переменные и являются координатами, в которых строится диаграмма. Простейший тип фазовых диаграмм характеризует состояние чистого однокомпонентного материала в зависимости от давления и температуры, например, хорошо известная диаграмма состояния воды. Однако подобные однокомпонентные системы мы не будем рассматривать, а сразу перейдем к рассмотрению многокомпонентных систем, так как при получении полупроводников используются именно многокомпонентные диаграммы. Чаще всего такие диаграммы строят в координатах температура-концентрация Т — X). В этом случае для бинарных (двухкомпонентных) систем диаграммы изображаются на плоскости. Для тройных (трехкомпонентных) систем диаграммы строятся в трехмерном пространстве и т. д. Если кроме температуры переменным является также давление, то уже и для бинарных систем диаграммы становятся трехмерными Р — Т — X диаграммы). В дальнейшем мы будем рассматривать в основном только бинарные системы, построенные в координатах Т — X. Однако в этой главе будут также рассмотрены я Р — Т — X диаграммы некоторых полупроводниковых бинарных систем, имеющие большое практическое значение.  [c.143]

Для бинарных систем диаграммы плавления-затвердевания, как уже обсуждалось ранее, весьма разнообразны и сложны. На рис. 5.1 приведена типичная диаграмма полупроводниковой системы диаграмма состояния системы Ое-ЗЬ. Однако для небольших концентраций примеси в полупроводнике все сложные диаграммы можно свести к двум типам без потери общности рассуждений при описании процессов кристаллизационной очистки. Действительно, в области малых концентраций примеси, то есть в области, примыкающей к точке плавления чистого компонента, различия между разными типами фазовых диаграмм пропадают линии ликвидуса Ь и солидуса 5 в этих областях можно аппроксимировать прямыми линиями, касательными к кривым и 5 в точке плавления основного компонента (рис. 5.2). В результате имеем два типа диаграмм  [c.193]

Когда к индивидуальному компоненту (например, углеводороду) добавляется второй, третий компоненты, т. е. вводятся новые переменные, фазовое состояние системы значительно усложняется. Например, для однокомпонентной системы кривая давления насыщения пара на графике давление—-температура (см. рис. 1.10) является одновременно кривой точек начала кипения и кривой точек росы (конденсации). Для бинарных или многокомпонентных систем кривые точек начала кипения и точек росы не совпадают. Эти кривые для многокомпонентных систем образуют сложную фазовую диаграмму, причем для каждого состава она своя. И знание ее при разработке нефтяных и газовых месторождений крайне важно.  [c.19]

Наиболее перспективными в настоящее время материалами для твердотельных диэлектрических лазеров являются соединения сложных оксидов редкоземельной группы элементов и алюминия. Рассмотрим их свойства на примере диаграммы состояний двойной системы УзО ) — А12О3, но вначале поясним, что такое диаграммы состояний бинарных систем и как ими пользоваться.  [c.67]

В настоящее время можно считать, что в процессе реакционной диффузии происходят фазовые превращения, как правило, в изотермических условиях при изменении концентрации взаимодействующих элементов. В первом приближении о фазовом составе диффузионных слоев можно судить, как это впервые показал Д. А. Прокошкин [66], по равновесным диаграммам состояния бинарных систем, если рассматривается диффузионное взаимодействие двух элементов. Естественно, что невозможно полное соответствие между изотермическим сечением диаграммы состояния и структурой диффузионного слоя, полученного при этой же температуре. Первопричиной указанного несоответствия является то, что диаграммы состояния характеризуют стабильное состояние и фазовое равновесие в системе, а диффузионное насыщение — метастабильный процесс, который в зависимости от условий его осуществления может в той или иной степени приближаться к равновесному. Известно также, что движущей силой диффузионных процессов является перепад концентраций или химических потенциалов в растущих фазах. Этим объясняется отсутствие двухфазных зон при диффузионном взаимодействии двух элементов, хотя на соответствующих диаграммах имеются двухфазные области, представляющие собой смеси фаз предельных концентраций.  [c.58]


Рис. 90. Равновесные диаграммы состояния бинарных систем калнй—рубидий и калий—цезий Рис. 90. <a href="/info/111781">Равновесные диаграммы состояния</a> бинарных систем калнй—рубидий и калий—цезий
Анализ приведенных выше зависимостей позволяет заключить, что примесь, которая значительнее снижает температуру плавления системы, в большей мере способствует концентра-цпонному переохлаждению. Исходя из диаграмм состояния бинарных систем Ре - С Ре - 8 Ре - Р Ре - 81 Ре - Мп [25, 170] примесные и легирующие элементы по пх способности снижать температуру плавления сплава можно расположить в последовательности - 8 Р С 81 Мп. Отметим, что в той же последовательности увеличиваются равновесные коэффициенты распределения (табл. 1.1) и снижается дендритная ликвация указанных элементов [37, 77, 198].  [c.8]

Температура кипения бинарного раствора при данном давлении зависит от концентрации раствора. Свойства бинарных систем показывают на так называемых диаграммах состояния, где по оси абсцисс откладывают концентрацию холодильного агента С, а по оси ординат — давление р или температуру t (рис. 21-7). Начало координат (точка О) соответствует температуре кипения, чистого вещества абсорбента — точка А ( i = 1 С2 = 0), а температуре чистого вещества холодильного агента —точка В (С2 = 1 i = == 0 l 4- С2 = 1). Кривая АаВ представляет собой состояние жидкой фазы или линию кипящего раствора при данном давлении, а кривая ЛЬВ — линию концентрации (сухого пасьнцепного пара) или линию газообразной фазы при равнопеспом сосуществовании обеих фаз.  [c.334]

Здесь мы рассмотрим только Гс-диаграммы (р = onst) бинарных сплавов, выясним основные типы этих диаграмм и поясним принцип их построения. Заметим, что ввиду важности этих диаграмм существует обширная литература, содержащая и конкретные методы их построения по экспериментальным данным, и конкретные данные о диаграммах состояния двойных сплавов металлов и некоторых неметаллов, и ряда трех- и даже многокомпонентных систем [42, 52, 58] .  [c.268]

Монокристаллы на основе бинарных систем оксидов редкоземельных элементов Ьп и алюминия являются наиболее перспективными материалами для изготовления активных элементов твердотельных лазеров. Диаграммы состояния систем ЬПгОд — А12О3  [c.70]

Были исследованы бинарные системы и диаграммы состояния, построенные для целого ряда сплавов тория. Для многих из исследоваииых систем характерно образование нескольких интерметаллических соединена. Никель и кобальт образуют по пять иитерметаллических соедииений с торием железо и алюминий - - по четыре, а марганец, висмут, кремний и мель — по три. Для некоторых других металлов характе 1но образование с торием одного или двух интерметаллических соединений. Некоторые иитерметалли-ческие соединения торня, главным образом с медью, серебром, золотом, висмутом и свинцом, являются пирофорными.  [c.811]

Несмотря на интерес к этому вопросу, до сих пор не был10 книги, целиком посвященной экспериментальным методам построения диаграмм равновесия металлических систем. В книге мы попытались восполнить этот пробел. Считая полезным в ходе изложения обращаться к теории вопроса, мы дали общую теорию бинарных спл1авов в главах 1, 2, и 3 и тройных систем в главах 29 и 30. В остальном книга почти целиком посвящена рассмотрению экспериментальных методов исследования. В главах 4— 9 рассматриваются общие методы, а в частях III—V описано определение ликвидуса, солидуса и кривых растворимости в твердом состоянии для бинарных систем.  [c.5]

Концентрационные интервалы амортизации для отдельных, типичных бинарных систем каждого типа показаны на рис. 12.1 вместе с соответствующими фазовыми диаграммами. Там же даны два примера легко аморфизирующихся тройных систем. Можно отчетливо проследить корреляцию между значением температуры ликвидус и склонностью сплава к формированию аморфного состояния.  [c.160]

В этой главе рассматривается взаимодействие ортоуранатов Са, 5г и Ва с тугоплавкими окислами других металлов. Построены диаграммы состояния соответствующих бинарных систем и получены данные о совместимости ортоуранатов с тугоплавкими окислами других металлов при нагреве [1,2].  [c.302]

Рис. 91. Равновесные диаграммы состояния некоторых бинарных систем с тигаиом Рис. 91. <a href="/info/111781">Равновесные диаграммы состояния</a> некоторых бинарных систем с тигаиом
Двукомпонентная система сфазами жидкост ь—п а р. С точки зрения правила фаз К. с. бинарных смесей моновариантно (два компонента и три слившихся фазы), откуда вытекают крупные отличия К. с. таких систем от К. с. индивидуального вещества. Фиг. 3 показывает в диаграмме (р, v) изотермы бинарной смеси особенности здесь следующие. Кривые разрыва сплошности (переход от жидкости к пару) не горизонтальные прямые, а кривые высших порядков это отвечает факту, что составы жидкости и пара бинарной смеси при данных темп-ре и р различны, при данной Г жидкость и пар одинакового состава обладают разными давлениями. Критич. точек у бинарной смеси две. Первая критич. точка С, в ней состав и плотности обеих фаз совпадают, т, е, обе фазы делаются идентичными, однако это происходит не при наивыс-шей t°, при к-рой существуют двухфазные состояния. Крайняя изотерма, отвечающая <°, выше которой существует только газообразное состояние, касается граничной кривой (бинодали) во второй критической точке С. Точечная кривая, проходящая через К, показывает изотермы мыслимого индивидуального вещества с теми же константами Ван-дер-Ваальса, к-рые свойственны данной смеси. В случае индивидуального вещества спинодальная кривая—граница устойчивых состояний—совпадает с кривой—геометрич.  [c.314]


Смотреть страницы где упоминается термин Диаграммы состояний бинарных систем : [c.177]    [c.17]    [c.204]    [c.275]    [c.170]    [c.175]    [c.156]    [c.60]    [c.58]    [c.551]   
Смотреть главы в:

Новые материалы в полупроводниковой электронике  -> Диаграммы состояний бинарных систем



ПОИСК



Диаграмма состояния

Диаграммы состояний систем

Система бинарная

Системы Ag-Cu - Диаграмма состояни

Состояние системы



© 2025 Mash-xxl.info Реклама на сайте