Усиление обратного рассеяния

В данной главе эффекты, возникающие вследствие корреляции прямой и обратной волн, рассматриваются в зависимости от интенсивности турбулентности на трассе, размера рассеивающих тел, свойств отражающей поверхности и угловой расходимости освещающих отражатели пучков света. Приводятся экспериментальные данные по исследованию эффектов усиления обратного рассеяния и флуктуаций интенсивности оптических волн, полученные как в условиях искусственной турбулентности, так и в реальной атмосфере. Ряд вопросов, связанных с распространением излучения на локационных трассах, остался за пределами материала главы. В частности, не рассмотрены результаты исследований усредняющего действия приемной апертуры на флуктуации отражающего сигнала, рассеяния волн естественным аэрозолем в условиях турбулентной атмосферы, отражения от реальных шероховатых поверхностей. С этими результатами можно ознакомиться, например, по работам [6—8, 15, 17—20, 22, 25, 31, 36, 38, 39, 42]. [c.164]

Усиление обратного рассеяния [c.164]

Из (7.4) следует, что для сферической волны эффект усиления обратного рассеяния имеет место не только в случае точечного 24] рассеивателя, но и при отражении от зеркала, размеры которого значительно превышают радиус первой зоны Френеля ( 2г- 1) [1, 26, 47, 48]. При этом фактор усиления оказывается таким же, как и в случае точечного отражателя. [c.166]

Рис. 7.1. Фактор усиления обратного рассеяния —Л (0) в области слабых

Как показано в [15—18, 24], влияние приемной системы на характеристики отраженного в атмосфере сигнала может быть значительным. Например, если осуществлять фокусировку отраженной волны, то увеличение средней интенсивности в фокусе приемной линзы будет происходить при условиях, когда усиления обратного рассеяния в плоскости самой линзы нет. [c.197]

Из рисунка видно, что в окрестности плоскости минимального изображения /и эффект усиления обратного рассеяния исчезает из-за турбулентного уширения распределения интенсивности. В случае падения на точечный отражатель плоской волны (кри- [c.198]

Рис. 8.1. Зависимость усиления обратного рассеяния от продольного смещения плоскости анализа изображения при = 1 (/) и = 3 (2).

Крупник А. Б. О связи эффекта усиления обратного рассеяния с частичным обращением волнового фронта//Радиотехника и электроника.— [c.261]

В 3 было показано, что луч рассеянного света может идти в обратном направлении это имеет место, когда величины и в уравнениях (4.58) — (4.60) отрицательны. Для обратной волны коэффициент затухания аз следует взять с обратным знаком. В предельном случае большого затухания звуковой волны выведенные соотношения остаются справедливыми при отрицательных значениях кгг И аз. Мнимая часть величины Дх изменяет свой знак. Поскольку взаимодействующие волны распространяются теперь в противоположных направлениях, усиление обратной волны определяется формулой (4.60), если затухание акустической волны велико. Более общая теория явления вынужденного рассеяния Мандельштама — [c.161]

Все сказанное об усилении рассеянного света относилось к стоксовой компоненте. Антистоксово рассеяние есть процесс, обратный стоксовому, и для него имеет место не усиление, а ослабление интенсивности. Причина появления мощного антистоксова излучения иная, и для ее выяснения целесообразно исходить из классических представлений о природе комбинационного рассеяния, изложенных в 162. Согласно последним комбинационное рассеяние возникает в результате модуляции поляризуемости молекул колебаниями их ядер.. Рассмотрим, ради простоты, случай двухатомной молекулы и обозначим через изменение расстояния между ядрами в сравнении с его равновесным значением. Дипольный момент молекулы, индуцированный полем световой волны, записывается в виде [c.856]

Поле дефекта зависит от его параметров ширины 2Ь, глубины h и координат точек наблюдения. Увеличение 2Ь и h приводит к усилению поля дефекта, причем ширина раскрытия оказывает значительно большее влияние, чем глубина. В [32] отмечается, что нормальная компонента поля прямо пропорциональна ширине и глубине дефекта и обратно пропорциональна квадрату рабочего зазора. Для дефекта с сильно сжатыми стенками увеличение зазора приводит к резкому снижению поля рассеяния на расстоянии 3—10 мм. Это, по-видимому, объясняется тем, что датчик находится уже вне полей дефекта [35]. Для узкой щели с большим отношением глубины к ширине раскрытия и высокой магнитной проницаемостью исследуемого материала поле рассеяния прямо пропорционально глубине и практически не зависит от ее ширины [36]. [c.88]

В предыдущих разделах и в гл. 6 мы предполагали, что возмущение Де(х, у, z) диэлектрической проницаемости является вещественной величиной, которая описывает пассивные неоднородности. Наличие в среде небольшого усиления можно также рассматривать как возмущение, и в этом случае Де(х, у, z) следует считать комплексной величиной. Рассмотрим распространение электромагнитных волн в периодической среде с вещественной диэлектрической проницаемостью е(х, у, z) и комплексным периодическим возмущением Де(х, у, z). Ниже мы покажем, что генерация излучения может происходить и без наличия торцевых зеркал. При этом обратная связь осуществляется за счет непрерывного когерентного рассеяния от периодического возмущения. Общее рассмотрение, которое мы проведем ниже, применимо как к объемной периодической среде (например, слоистой среде), так и к периодическому волноводу. [c.474]

Сведением положительной обратной связи параметрический усилитель можно превратить в генератор. Для этого нелинейную среду, как в лазерах, помещают в оптический резонатор, образованный двумя зеркалами (рис. 10.4). Нелинейный кристалл ориентируется так, что для волн, распространяющихся в одном направлении перпендикулярно зеркалам, выполняется условие пространственного синхронизма к + к2 = к либо к1 +к2 = кз. Зеркала М и имеют высокие коэффициенты отражения для частот (01 и со2, так что сигнальная и холостая частоты (01 и (02 соответствуют высокодобротным модам резонатора. Зеркало М одновременно должно быть прозрачно для частоты и>з излучения накачки. При достаточно большой мощности волны накачки параметрическое усиление одной из волн С01 или (02 на длине нелинейного кристалла превысит суммарные потери за проход, возникающие из-за неполного отражения от зеркал, поглощения, рассеяния и других причин. Тогда происходит самовозбуждение генератора (с затравкой из-за параметрической люминесценции ) и возникает когерентное излучение на частотах со1 и со2. [c.496]

НИИ получило название эффек1а усиления обратного рассеяния [10, 24, 35], [c.165]

Усиление средней интенсивности отраженного излучения зависит от параметров падаюш ей волны и при рассеянии на ламбертовской (2.82) поверхности конечных размеров. Если для сферической волны фактор усиления определяется выражением A (R) = = +Bi s x, R) при любых размерах рассеиваюш.ей поверхности (меняется лишь абсолютное значение интенсивности принимаемого сигнала), то для плоской волны с увеличением эффект усиления обратного рассеяния ослабевает. В частности, при Q ==l имеем Л (0) =1+0,27р2, а в предельном случае Qr l эффект усиления исчезает полностью (Л =1). [c.166]

В главе проводится анализ влияния параметров приемной оптической системы на эффекты усиления обратного рассеяния и флуктуации интенсивности в зависимости от турбулентных условий распространения и свойств отражающей поверхности и источника, рассмотрены случайные смещения изображения лоцируемых объектов. [c.197]

Натуральный показатель усиления g — величина, обратная расстоянию, на котором поток излучения, образующего параллельный пучок в веществе с A7V<0, усиливается в е раз (е — основание натуральных логарифмов) в результате совместного действия поглощения, усиления и рассеяния в веществе (dimg = L [g ] = l м ). [c.194]

На фиг. 1.11 приведена схема замещения для установившегося состояния по постоянному току, на которой отклонения параметров каждого элемента, соответствующие худшему случаю, показаны стрелками, стоящими около резисторов и источников питания. Условия нагрузки заданы минимальным током Ilx для нагрузки в виде схемы ИЛИ и минимальным напряжением V off, если нагрузкой служит схема И. Кроме того, требования в отношении стабильности связаны с допусками на сопротивление резисторов Ri, напряжение питания Ei и диапазон окружающей температуры Нужно учитывать следующие параметры транзисторов и их изменения коэффициент усиления по току 1е, коллекторное напряжение насыщения V es, напряжение между базой и эмиттером насыщенного транзистора Vbe, температура перехода (в частности, максимальная допустимая температура Tj макс), коэффициент рассеяния тепла К и обратный ток коллектора 1сво- Задача статического расчета состоит в определении номинальных величин сопротивлений ре- [c.33]

Др. фактор усиления связан с изменением комбинац. поляризуемости молекулы и взаимодействующих с ней электронов металла. Это взаимодействие имеет, по-видимому, хим. природу. Величина химического усиления зависит от характера связи, к-рую образует адсорбир. молекула с металлом. Существуют две гипотезы хим. усиления, к-рые во мн. случаях согласуются с эксперим. данными. Первая из них основывается на экспериментально обнаруженном для нек-рых молекул (бензол, этилен) сходстве соотношения линий в спектрах Г. к. р. и спектрах характеристич. (неупругих) потерь энергии при рассеянии медленных электронов на изолир. молекулах, в процессе к-рого электрон захватывается на пек-рое время молекулой и образуется промежуточное состояние —отрицательный молекулярный ион. Сделано предположение, что при адсорбции молекулы возникает комплекс, где имеются возбуждённые электронные состояния, частота перехода в к-рые из осн. состояния соответствует частоте видимого диапазона эл.-магн. излучения, т. е. создаются условия резонанса. Возбуждённые состояния в этом случае обусловлены переносом электрона из молекулы в металл или обратно. [c.459]

В физике плазмы величина, обратная И., показывает, аа какое время амплитуда волны неустойчивости увеличивается в е раз. Напр., при вынужденном ком-бипац. рассеянии света, к-рое возникает вследствие развития распадион неустойчивости, величина, обратная И, усиления, характеризует расстояние, на к-ром интенсивность света увеличивается в е раз. См. также Неустойчивости плазмы, Ныкуждечное рассеяние света. [c.149]

Огромная популярность ОВФ связана с тем, что эквифазные поверхности такой пары волн оказываются совпадающими не только вблизи узла, осушествляющего эту операцию, но и на любом удалении от него, даже когда среда, в которой они распространяются, является оптически неоднородной. Это позволяет компенсировать фазовые искажегая в лазерных средах принцип компенсации поясняется рис. 4.20. Опорная световая волна 1 с плоской (или иной требуемой) формой фронта подается в активный элемент 2 и проходит через него, усиливаясь и одновременно приобретая фазовые искажения. В узле ОВФ 3 она преобразуется в обращенну ю волну 4, которая, пройдя через тот же элемент в обратном направлении, приобретает требуемую (в данном случае плоскую) форму фронта [9]. Если в качестве опорного пучка использовать, скажем, свет, рассеянный каким-либо объектом, то усиленная обращенная Волна попадет на тот же объект, причем оказываются скомпенсированными фазовые искажения не только в лазерной среде и системе формирования, но и в атмосфере (если, конечно, за время прохождения светом расстояния до узла ОВФ и обратно неоднородности не успевают измениться). [c.250]

Для вынужденных рассеяний характерна возможность раскачки (усиления, самовозбуждения) колебаний не из-за обратной связи на границах, а путем самораскачки за счет эффектов кубичной нелинейности. Здесь важно, что если в квадратичной среде для эффективного взаимодействия необходимо выполнение резонансных условий для частот и волновых чисел, то в кубичном случае зти условия могут выполняться автоматически. Действительно, рассмотрим взаимодействие трех волн с частотами 0)3 и 0)2 =001 003, где соз — частота указанной выше особой моды среды [c.195]

Заметим, впрочем, что косвенная зависимость Л от направления все-таки имеет место, поскольку Л зависит от толщины слоя I, и, скажем, для плоского слоя фактически Ь=Ьо1со8ф, где ф - угол падения сигнала на слой, а о - толщина слоя, поэтому диапазон волновых векторов ограничен условием В Ь< п. Отметим также, что при 5 = я/2 коэффициент усиления обращается в бесконечность - возникает генерация за счет механизма типа вьшужденного рассеяния с обратной связью через рассеянную волну. [c.200]

При ограниченных размерах нелинейной среды и поперечного сечения светового пучка накачки наиболее интересен случай рассеяния назад,- когда усиливаемые упругая и световая волны распространяются навстречу и каждая из них обеспечивает положительную обратную связь для процесса параметрического усиления другой. Если когерентный падающий пучок пространственно неоднороден, т. е. его интенсивность не постоянна по поперечному сечению, то при ВРМБ происходит интереснейшее явление обращения волнового фронта, не имеющее аналога в классической оптике. Схема эксперимента по его наблюдению приведена на рис. 10.6. Волновой фронт интенсивного лазерного пучка, имеющего высокую направленность, существенно искажается поставленной на его пути фазовой пластинкой Я со случайными неоднородностями. Расходимость пучка возрастает при этом в десятки раз. Затем линза Л с большой апертурой, достаточной для того, чтобы перехватить весь расширенный пучок, направляет свет в кювету К, заполненную сероуглеродом или метаном при высоком давлении. Небольшая часть лазерного пучка отражается плоскопараллельной пластинкой, и его угловое распределение в дальней зоне регистрируется измерительной системой С1. Аналогичная система С2 регистрирует рассеянный назад свет, также прошедший через линзу Л и фазовую матовую пластинку Я. [c.500]

Смотреть страницы где упоминается термин Усиление обратного рассеяния : [c.269] [c.8] [c.166] [c.198] [c.258] [c.260] [c.267] [c.194] [c.56] [c.350] [c.309] [c.121] [c.245] [c.66] [c.124] [c.257] [c.259] [c.233] [c.138] [c.99] [c.257] [c.257] [c.258] [c.258] [c.258] [c.259]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...