Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...

Статьи Чертежи Таблицы О сайте Реклама

Подполосы электронно-колебательные

Например, полоса 1—1 по деформационному колебанию состоит из трех подполос (фиг. 59,6) электронно-колебательные полосы типа 2" — Ш, 2 — и при электронном переходе — 2 (и аналогично  [c.187]

Полоса 2—2 по деформационному колебанию при электронном переходе П (а) — 2 состоит из пяти электронно-колебательных подполос одной типа — А, двух п — и двух П — 2 (фиг. 59,6). Единственная нормальная полоса из них — это полоса типа — А, поскольку в электронно-колебательном состоянии Ф спиновое расщепление такое же как в электронном состоянии П (фиг. 8), а в состоянии А оно очень мало, ибо  [c.187]


НЫХ переходах (а) — 2 структура полосы 0—0 такая же, как и полосы П (а) — 2 двухатомной молекулы имеется 27 ветвей, по девять для каждой компоненты Шг — 2, П1 — 2, По — 2. Полоса 1—1 по деформационному колебанию должна состоять из трех электронно-колебательных подполос — Ш, 2 — П и 2 — Независимо от степени электронно-колебательного взаимодействия подполоса А — П имеет нормальную структуру. Триплетное расщепление электронно-колебательного уровня А равно спиновому расщеплению электронного состояния П, тогда как в нижнем электронно-колебательном состоянии П спиновое расщепление мало.  [c.192]

До сих пор мы не учитывали удвоение -типа (или -типа) (гл. I, разд. 3,6), т. е. различие в энергии вращательных уровней А1 а А2 с одинаковыми значениями I и К. Как уже говорилось в гл. I, расщепление этого типа в общем случае имеет как электронную, так и колебательную составляющую. При сильном электронно-колебательном взаимодействии отделить их друг от друга невозможно. При слабом взаимодействии, если не возбуждаются вырожденные колебания, расщепление обусловлено в основном электронным движением. Независимо от того, является ли оно по своей природе электронным или колебательным, такое расщепление может быть значительным только для уровней (- -]) [или (+/)] с = 1 в вырожденном электронном состоянии. Как видно из фиг. 36, это расщепление проявляется только в г-подполосе е К = 0. Из-за правил отбора (11,69) и (11,70) расщепление уровней не приводит к расщеплению спектральных линий, а вызывает лишь появление комбинационного дефекта между Р-, В- и ( -ветвями этой подполосы. При атом верхними уровнями для ()-линий являются одни компоненты дублетов,  [c.231]

Как следствие правила (11,91) при триплет-синглетном электронном переходе в самом обш,ем случае подполосы данного колебательного перехода должны состоять из пяти ветвей в соответствии с пятью значениями АК. Однако обычно симметрия уровней не допускает появления всех пяти ветвей. Если рассмотреть правило отбора для электронно-колебательно-враш,а-тельных свойств симметрии (которые одинаковы для любой комбинации уровней с данными значениями N я К), например, при переходе в точечной группе Сз или при переходе Ы" — А в точечной группе Х>з 1, то легко убедиться что возможны лишь переходы с АК = 0. В то же время при переходе в точечной группе Сзв, а также — М в точечной группе >3 возможны переходы как с АК == 1, так и с АК == 2. При переходах Е — Е точечной группы Сзу возможны все пять значений АК, а при переходе Е" — Е (или Е — Е") точечной группы Х)зд — только АК = = О и 2 и при переходе — Е (или Е" — Е") — только АК = 1. Для всех этих переходов правило отбора для (+/)- и (— )-уровней остается таким же, как и для соответствующих синглет-синглетных переходов, если АК = О или 1. Если же АК = 2, то правило отбора для переходов между уровнями и (—1) противоположно.  [c.242]


Одновременно действуют, конечно, и правила отбора для электронно-колебательно-вращательных свойств симметрии (табл. 15). У сильно асимметричных волчков подполосы с АКа=+2 или А.ЙГс = 2 разрешены даже при синглет-синглетных переходах [см. общие правила отбора (11,101) — (11,103)], однако обычно эти подполосы очень слабы. При триплет-синглетных переходах их интенсивность будет того же порядка, что и интенсивность подполос с АКа,с — О +1.  [c.268]

При понижении симметрии молекулы становится все больше и больше переходов, обуславливающих появление подполос с АК = 0, 2 и с АК = 1. Для точечных групп С2, С2п и s ограничение имеется только в том случае, когда ось волчка совпадает с осью С2 пли перпендикулярна плоскости симметрии. При переходах А — А или В — В точечных групп Г а и Сол или А" — А точечной группы 6% возможны подполосы только с АК = О, 2, а при переходах А — В и А — А, А" — А" — только с АК = 1. Если же ось волчка находится под прямым углом к оси С2 или лежит в плоскости а, то все электронные (или электронно-колебательные) переходы могут происходить как с АК = О, 2, так и с АК = 1.  [c.269]

В ОСНОВНОМ СОСТОЯНИЙ неплоская (точечная группа и что это электронное состояние относится к типу А . Вывод о плоском строении молекулы в возбужденном состоянии делается, как и в случае СВз, на основании того факта, что в подполосах К = О чередующиеся линии очень слабые (у КВз чередование интенсивности происходит в отношении 1 10). Далее при последовательном переходе от одной полосы к другой в главной прогрессии по деформационному колебанию Уг а в возбужденном состоянии в подполосах с К = О более слабыми являются попеременно то четные, то нечетные линии, так как верхние колебательные уровни относятся попеременно то к типу Лто к типу Л". Соответственно с верхним состоянием комбинирует попеременно то верхняя, то нижняя компонента инверсионного дублета  [c.228]

Наиболее длинноволновая область поглощения СН3 расположена вблизи 2160 А. Для этой области поглощения характерны два диффузных максимума. Соответствующая полоса в спектре поглощения СВз, расположенная при 2140 А, имеет гораздо более четкий контур с частично разрешенной тонкой структурой (фиг. 96). К этой полосе примыкают три очень слабые полосы как со стороны длинных, так и со стороны коротких длин волн. Наличие в системе единственной интенсивной полосы указывает на то, что конфигурация молекулы в верхнем и нижнем электронных состояниях должна быть практически одной и той же. Тонкая структура полосы может быть полностью объяснена, если полоса является параллельной полосой симметричного волчка (фиг. 97). Чередование интенсивности линий в полосе и, в частности, очень низкая интенсивность линии Л (0) свидетельствуют о том, что по крайней мере в одном из двух участвующих в электронном переходе состояний молекула имеет плоскую конфигурацию, так как чередование интенсивности линий в подполосе ЛГ = О (фиг. 97) может наблюдаться только в случае симметрии 1>з . Таким образом, анализ распределения интенсивности в колебательной и вращательной структуре рассматриваемой системы приводит к выводу, что молекула должна иметь плоскую структуру в обоих электронных состояниях, участвующих в переходе. Следует, правда, отметить, что нельзя исключить возможность того, что структура молекулы СН3 слегка отклоняется от плоской конфигурации, но лишь в пределах, оставляющих возможность для появления инверсионного удвоения, столь большого по величине, что в спектре поглощения наблюдается лишь одна инверсионная компонента.  [c.523]

На фиг. 63 приведены спектрограммы секвенций 0—0 и О—у" при большом увеличении. Видно, что вторые члены каждой из этих секвенций состоят по крайней мере из трех ноднолос. Самая длинноволновая подполоса в секвенции 0-0 удалена от главной полосы на 56,з что совпадает, по-видимому, с разностью частот VI — Уз =- 286,5 — 231,з = 55,2 Поэтому данную подполосу следует отнести к переходу между уровнями, в каждом из которых возбуждено колебание Уз. Наличие двух других ноднолос, почти таких же по интенсивности (что соответствует близким значениям фактора Больцмана), хотя имеется только одна низкая основная частота (у ), можно объяснить в предположении, что верхнее электронное состояние является вырожденным (т. е. имеет тип симметрии Е) и что электронно-колебательное взаимодействие в этом состоянии приводит к расщеплению (Яна — Теллера) уровня v . Как видно из фиг. 61, в этом случае имеются три тесно расположенных уровня (Е, Ах, А2), два из которых Ах и А , возможно, не разрешены. Таким образом, комбинирование одиночного нижнего уровня (у ) типа Е с верхними уровнями Е и Ах, А2 приводит к появлению в спектре по меньшей мере двух ноднолос, как это и наблюдалось в действительности.  [c.163]


П). Нижнее состояние ( П) для электронно-колебательных подполос 2" — и 2 " Ш относится к случаю связи Ь, так как оно принадлежит к электронному состоянию 2, у которого отсутствует электронный угловой момент (Л = 0). В состояниях 2" и 2" имеется большое удвоение р-типа, так как они принадлежат к электронному состоянию П, относящемуся к случаю связи а. Иными словами, подобные состояния относятся к случаю связи, промежуточному между а и с (гл. I, разд. 3,а). Это приводит к структуре полосы, которая в двухатомных молекулах обычно не встречается. Полоса состоит из шести ветвей (две Р-, две Q-, две Л-ветви), подобно полосе при переходе П (Ь) — 2 (см. [22], фиг. 124,6 русский перевод, фиг. 117,6), но с быстро возрастающим расщеплением. На фиг. 73 в качестве примера приводится диаграмма Фортра такой полосы для молекулы N O. Однако здесь верхнее и нижнее состояния поменялись местами электронный переход относится и типу 2" — Н. Электронно-колебательная полоса типа А — П (или П — А) при том же колебательном переходе (1—1) обладает нормальной структурой типа А (а) — П (6) [или П (6) — А (я)], так как в состоянии А расщепление такое же, как и в электронном состоянии П.  [c.187]

ЭТО состояние принадлежит к электронному состоянию тина В других четырех подполосах имеются некоторые аномалии, поскольку расщепление в двух электронно-колебательных состояниях типа не такое,, каким оно было бы для двух независимых компонент электронного состояния П. Как уже говорилось в гл. I, разд. 3,а, два электронно-колебательных состояния сильно взаимодействуют друг с другом, и, следовательно, рассматривать их как два раздельных состояния можно только формально. Если расщепление Реннера — Теллера велико, то две полосы довольно далеко отстоят друг от друга, как и две полосы с различными эффективными значениями 5, одно из которых больше, а другое меньше значения В для состояния Ф. В этих двух состояниях спиновое расщепление сильно отличается от расщепления в состоянии Ф и имеет противоположный знак. Структура этих полос похожа на структуру аналогичных полос двухатомных молекул — А и  [c.188]

Полосы электронного перехода П — П для линейных молекул также совершенно аналогичны полосам двухатомных молекул при условии, что не возбуждается деформационных колебаний. Если оба состояния П относятся к случаю связи Ь, то дан е электронно-колебательные полосы, обусловленные возбуждением деформационных колебаний, обладают той же структурой, что и соответствующие электронные полосы двухатомных молекул. Конечно, будет наблюдаться и отличие, вызванное тем, что для каждого колебательного перехода из-за расщепления Реннера — Теллера вместо одной полосы в спектре появляется несколько подполос. Однако если в одном из П-состояний (или в обоих состояниях) как спиновое расщепление, так и расщепление Реннера — Теллера будут велики, то структура электронноколебательных полос несколько изменится. Мы рассмотрим здесь только случай, когда в обоих состояниях П имеет место взаимодействие двух типов, т.е. переход П (а) — П (а) с отличным от нуля значением е для обоих состояний. Полоса О—О нри таком переходе нормальная — она состоит из двух подполос П1/2 — Hi/2 и Шз/з — Шз/2, в каждой из которых имеются интенсивные Р- и 7 -ветвн и слабая ветвь Q каждая из этих полос двойная, если разрешено Л-удвоение. Поскольку ( -ветви слабые, в полосе только два четких канта (а не четыре, как нри переходе 2 — Ш).  [c.189]

При переходе 2—2 по деформационному колебанию (электронный переход П — П) также может появиться пять электронно-колебательных подполос одна типа Ф — Ф и четыре типа Ш — П (фиг. 60). Первая из них нормальная, а на структуре четырех остальных сказывается взаимодействие между собой двух верхних, а также двух нижних состояний типа П эффективные значения В различны как для двух верхних состояний П, так и для двух нижних [см. уравнение (1,100)]. Имеются также другие, менее суш,ественные отклонения от обычных формул для враш ательных уровней (Хоуген [568]). Подобные отличия существуют и для электронно-колебательных подполос типа П — П при переходе 2-0 по деформационному колебанию.  [c.190]

Если молекула XYg неплоская в нижнем состоянии, то колебательные уровни А и Al будут попарно сближаться (фиг. 67), но только один из них будет комбинировать с данным верхним электронно-колебательным уровнем, скажем, тина Е, если молекула плоская в верхнем электронном состоянии. В этом случае будет наблюдаться длинная прогрессия полос по внеплоскост-ному деформационному колебанию (а ). Верхние электронно-колебательные уровни относятся попеременно к типу Е и " и поэтому комбинируют попеременно то с нижней, то с верхней компонентой инверсионных дублетов в основном состоянии, как это показано на фиг. 67. Поскольку полосы относятся попеременно то к типу Е — Л, то к типу Е" — А" , наблюдается характерное изменение чередования интенсивности если верхнее электронное состояние относится к типу Е", то в подполосах 1 — О при четных значениях i отсутствуют четные линии, а при нечетных v — нечетные линии. В случае верхнего электронного состояния Е" происходит обратное чередование.  [c.232]

До сих пор в качестве иллюстраций мы использовали переходы типа Е — А главным образом в молекулах, обладающих симметрией 6 зв или (фиг. 36). Для других точечных групп переходы Е — А совершенно аналогичны, за исключением того, что полные (электронно-колебательно-вращательные) типы симметрии вращательных уровней будут другими. Следовательно, по сравнению с молекулами точечных групп Сз или 1)зд структура полос должна отличаться только чередованием интенсивности (табл. 4). Например, в молекулахХУ4 (точечная группаС4в или при нулевом ядерном спине атомов У наблюдаются только подполосы с = О, 4, 8,. . ., а при ядерном спине, отличном от пуля, проявляются все подполосы. Однако их относительные интенсивности не одинаковы при I = о они равны 4, 3, 6, 3, 4,. .. для К = О, 1, 2, 3, А,. .. соответственно. Аналогично в молекулах с осью симметрии шестого порядка (подобных молекуле СеНе) относительные интенсивности должны быть равны 10, И, 9, 14, 9, 11, 10,. . . соответственно для А = О, 1, 2, 3, 4, 5, 6,. ... Электронные полосы с такими чередованиями интенсивности не наблюдались с достаточным разрешением.  [c.235]


До сих пор не удалось наблюдать с достаточным разрешением электронных переходов типа Е — Еж, следовательно, проверить все предсказания теории, излояченной в предыдущих разделах. Однако, как уже упоминалось, в случае Hgl наблюдалась полоса О — 1 по вырожденному колебанию (v ) при электронном переходе Е — Ai. Этот электронно-колебательный переход относится к типу Е — Е, ж, поскольку электронный переход принадлежит к тину Е --Ах, следует ожидать появления только перпендикулярной компоненты с расстоянием между подполосами, равным 2 [Л (1 + Се + С е) — Л], и действительно, в наблюдавшейся полосе это расстояние более чем в два раза превышает расстояние в соответствующей инфракрасной полосе (см. также гл. V, разд. 3, б).  [c.240]

Перпендикулярные полосы. Для перпендикулярных полос молекул типа слегка асимметричного волчка существует правило отбора АК = +1. Помимо этого, должны соблюдаться правила отбора для симметрии (11,97) — (11,99) и электронно-колебательно-вращательные правила отбора, приведенные в табл. 15. На фиг. 106 подробно объясняется структура перпендикулярной полосы аналогично тому, как это б].1Ло сделано на фиг. 99 в случае симметричного волчка. Для простоты было принято, что А =А", В -= В" и С = С". Для построения схемы полосы были использованы уровни совершенно жесткого асимметричного волчка, для которого х = —0,95. Относительные интенсивности были взяты из таблиц Кросса, Хайнера и Кинга [257] для температуры 300° К. Сравнив фиг. 106 с фиг. 99, можно увидеть, что внешний вид грубой структуры (A -структуры) совершенно такой же, как и в случае настоящего симметричного волчка. Если, как мы это и сделали, считать одинаковыми вращательные постоянные в верхнем и нижнем состояниях, то в спектре должен наблюдаться ряд эквидистантных подполос. Если же вращательные постоянные различаются, то подполосы должны расходиться. При небольшом разрешении наиболее характерной особенностью полосы являются ( -ветви этих подполос, правда, теперь уже не похожие но внешнему виду на отдельные линии, как это было в случае симметричного волчка. Как и прежде, подполосы образуют две ветви, одну ветвь типа г и одну ветвь типа р, в соответствии со значением АК = И- 1 и —1, причем одна из них примыкает к другой без какого-либо разрыва.  [c.251]

НгСО (гл. П1) приводит к заключению, что нижним должно быть состояние типа Ах- Поскольку более интенсивными являются подполосы, обусловленные переходами на уровни верхнего состояния с четными значениями К", это состояние должно относиться к электронно-колебательному типу В. Асимметрическое расщепление линий в -ветвях главных полос меньше, чем в ветвях Р и В. Это означает (фиг. 107), что момент перехода направлен по оси Ь (полосы типа В), т. е. находится в плоскости молекулы. Следовательно, верхнее состояние относится к электронно-колебательному типу / 2> а не к типу В1. В спектре имеется также несколько слабых полос, в которых расщепление < -линий больше, чем линий в Р- и Л-ветвях (полосы типа С). Поэтому для этих полос верхним должно быть электронно-колебательное состояние В . Трудности, возникающие при интерпретации электронной и колебательной структур и обусловленные неплоской конфигурацией молекулы в возбужденном состоянии, будут рассмотрены в гл. V, разд.2,б.  [c.260]

Гибридные полосы. Как показано в таэл. 16, в молекулах точечных групп 6 1, Сь, Сз, С2 и Сгк могут наблюдаться гибридные полосы. Иными словами, при одном и том же электронно-колебательном переходе для таких молекул возможны вращательные переходы параллельного типа и вращательные переходы перпендикулярного типа. Относительные интенсивности параллельных и перпендикулярных компонент зависят от ориентации момента перехода по отношению к осям волчка. Из табл. 16 легко можно видеть, что перпендикулярные компоненты гибридных полос являются одиночными компонентами для каждой из них должно соблюдаться одно из грех правил отбора (И,97) — (Н,99). Другими словами, при А >0 ветви Р, а В имеют только по две, но не по четыре компоненты. Исключение составляют молекучы точечных групп С 1 (симметрия отсутствует) и (7,, полосы которых полностью гибридны, т. е. наблюдаются все три компоненты — тина А, типа В и типа С,— если момент перехода случайно не оказывается направленным по одной из главных осей. Характерные гибридные полосы были обнаружены в запрещенных компонентах системы полос пропиналя около 3800 А (Бранд, Калломон и Уотсон [141]). В отличие от главных полос, относящихся к строго перпендикулярному типу (тип С), запрещенная компонента состоит из электронно-коле-бательных переходов А — А% при которых имеются как параллельные, так и перпендикулярные составляющие момента перехода. В некоторых из этих полос разрешена А -структура. Подполосы с АК = О (тип ) и с АК = 1 (тип В) имеют приблизительно одинаковую интенсивность.  [c.260]

Во втором же случае (фиг. ИЗ, б) электронно-колебательные уровни состояния А2 с Ка = О смешиваются с уровнями состояния Bi с Ка — 1 уровни состояния 2 с Ка = 1 СМСШИВаЮТСЯ с уровнями состояния Bl с. Ка = = о и 2 и т. д. Поэтому происходят переходы с АКа = О и 2, т. е. в подполосах образуются ветви q, s ж о, в том числе и в подполосе с К а = К а = О, в которой имеется интенсивная ( -ветвь, но нет ни Р-, ни Л-ветви. Другие подполосы состоят из обычных Р-, Q- и 7 -ветвей. Однако из-за того, что в этом с.лучае кориолисово взаимодействие обусловлено вращением вокруг оси х, переход становится все более разрешенным при увеличении (но не К). Поэтому распределение интенсивности в ветвях отличается от нормального силы линий, приводимые в таблицах Кросса, Хайнера и Кинга [257], необходимо умножить на / (/ -j- 1). Иными словами, линии с малыми значениями / очень слабые.  [c.266]

Следует отметить, что поворот осей вызывает появление запрещенных подполос независимо от наличия какого-либо другого близко расположенного электронного состояния. При кориолисовом взаимодействии вблизи верхнего или нижнего состояния должно находиться соответствующее третье электронное состояние. Единственными запрещенными электронными или электронно-колебательными переходами в молекулах с достаточно низкой симметрией (достаточно низкой для того, чтобы мог происходить поворот осей) являются переходы типа g — gnu — и. Поворот осей не может пндуцп-ровать эти переходы.  [c.268]

Ag, Вза — Blg и 52ц — Blg — только подполосы с = +1. в этом легко убедиться, рассматривая электронно-колебательно-вращательные свойства симметрии вращательных уровней, участвующих в переходах. В приведенных переходах можно поменять местами индексы g ж и и мультиплетности состояний, а также 11зменить в записи порядок следования состояния, однако на сделанных выше выводах ото не сказывается.  [c.269]

Магнитные дипольные переходы. Как уже указывалось в разд. 1, некоторые электронные переходы, запрещенные для электрического дипольного излучения, могут происходить для магнитного дипольного (и квадрупольного) излучения. Это относится также и к электронно-колебательным переходам, когда учитывается взаимодействие колебательного и электронного двшкений. Так, например, электронно-колебательные переходы — Ах в молекулах точечной группы или электронно-колебательные переходы Ag — Ag точечной группы С2/-,, строго запрещенные для электрического дипольного излучения, могут происходить в случае магнитного дипольного излучения (табл. 10). Правила отбора для квантовых чисел / и А те же самые, что и для электрического дипольного излучения, а правило отбора для элек-тронпо-колебательно-вращательных типов симметрии противоположно. Следовательно, как это показано на фиг. 113, при магнитном дипольном переходе А2 — Ах наблюдаются те же подполосы и те же ветви, что и при электрическом дипольном переходе — Ль в частности, в подполосе А = О - —>-  [c.270]


Дуглас [293] показал, что в полосах первой системы наблюдается заметный эффект Зеемана, свидетельствующий о том, что верхнее состояние должно быть триплетным состоянием. На этом основании будем обозначать соответствующий переход как а — X-переход. Мерер [822] проанализировал вращательную структуру ряда полос рассматриваемой системы и нашел ясные доказательства триплетного характера расщепления, хотя он и не смог обнаружить некоторые из ожидаемых ветвей (см. стр 268). Он установил, что система связана с электронным переходом так как в спектре наблюдаются только подполосы с АК = 1. Представляется вероятным, что система А —X соответствует переходу 51—однако это предположение пока не подтверждено детальным анализом вращательной структуры полос. Другая интересная особенность системы при 3900 А заключается в появлении для колебания Vз (антисимметричное валентное колебание) полосы 1—О, интенсивность которой сравнима с интенсивностью полосы 0—0. Согласно Ван дер Ваальсу [1248а], появление такой запрещенной компоненты нри электронном переходе не может быть обусловлено простым электронно-колебательным взаимодействием с другим триплетным состоянием (типа В ), а должно быть связано с колебательным спин-орбитальным расщеплением. При этом расщеплении, если колебание Гз (Ьг) возбуждается нечетным числом квантов, Лг-ком-понента состояния смешивается с 1Д1-состоянием и электронный переход Вх — сопровождается появлением полос 1—О, 3—О,. . ., заимствующих интенсивность у соседнего перехода  [c.522]

Когда в верхнем состоянии возбуждается одно пз перпендикулярных колебаний. V4, V5 или Vj, возникают три электронно-колебательных состояния Е, Ai и Аг, из которых лишь состояние Е может комбинировать с основным электронным состоянием .4 j (фиг. 61). Так как эффективное значение в верхнем состоянии при этом равно —( е + Си) (см. стр. 67), расстояние между подполосами (Q-ветвями) в полосе 1 — О (Е — Ai) будет определяться выражением 2 [у1 (1 + -Ь tt,) — -S], которое для 1 и . > О действительно более чем вдвое должно превышать соответствующее значение для инфракрасных полос, равное 2 [А (1 — р) — В]. Аналогичный результат был найден и для горячей полосы О—1. Интенсивность ншроких полос по отношению к интенсивности основных полос определяется величиной электронно-колебательного взаимодействия (см. стр. 235). И наоборот, из наблюдаемого отношепия интенсивностей полос 1 — О и О — О i-o/lo-o можно заключить, что взаимодействие Яна — Теллера мало и, следовательно, равновесная конфигурация в возбужденном состоянии лишь очень незначительно отклоняется от симметричной конфигурации (см., например, фиг. 23, а). К сожалению, электронно-колебательное расщенление (расщепление Яна — Теллера) между тремя состояниями Е, Ai и Аг, возникающее нри возбуждении одного из вырожденных колебаний, не было определено, так как полосы 1 — 1, которые должны давать переходы на все три уровня (фиг. 61), очень сильно перекрываются соседней, значительно более интенсивной полосой О — 0.  [c.537]

Несмотря на то что молекула HN N очень близка к симметричному волчку, Л -удвоение, характерное для симметричного волчка, ясно проявляется для уровней А" = 1 и К" = 1 как удвоение во всех ветвях подполос 2 —1 и 1—2 и как колебательный дефект между Р-, R- и Q-ветвями в подполосах 0—1 и 1—0. Знак инерционного дефекта показывает, что эта полоса является полосой типа С, т. е. что момент перехода перпендикулярен плоскости молекулы. Положительный знак и небольшая величина инерционного дефекта свидетельствуют также о плоской структуре молекулы в обоих электронных состояниях. Геометрические параметры молекулы HN N в обоих состояниях приведены в табл. 67. Присутствие только одной полосы в системе, обуслов.пенной рассматриваемым электронным переходом, находится в согласии с принципом Франка — Кондона, поскольку структура молекулы изменяется при переходе очень мало.  [c.532]


Смотреть страницы где упоминается термин Подполосы электронно-колебательные : [c.189]    [c.189]    [c.190]    [c.192]    [c.228]    [c.241]    [c.255]    [c.270]    [c.507]    [c.530]    [c.751]    [c.528]   
Электронные спектры и строение многоатомных молекул (1969) -- [ c.187 ]



ПОИСК



Колебательные

Подполосы



© 2025 Mash-xxl.info Реклама на сайте