Магнитные дипольные переходы

Квадрупольные и магнитно-дипольные переходы [c.270]

Для разрешенных (электрических дипольных) переходов время Xji — это величина порядка 10 сек. Времена жизни магнитных дипольных переходов — порядка 10 сек, квадруполь-ных — порядка 1 сек. Магнитные дипольные и квадрупольные переходы соответствуют метастабильным состояниям. [c.227]

Для электронов величина gi близка к 2 (см., например, [80]). Так как оператор D (подобно Ji) инвариантен относительно всех операций группы МС, строгие правила отбора для магнитных дипольных переходов имеют вид [c.355]

Магнитные дипольные переходы [c.135]

Интенсивность электрического дипольного перехода Вд Г может быть в некоторых случаях того же порядка, что и интенсивность магнитного дипольного перехода Во —> и даже превышать его. Последнее, по-видимому, имеет место в растворах хелатных соединений Еп [213]. [c.70]

Отсутствие эффекта может объясняться тем, что между подуровнями нижнего спинового дублета запрещены магнитные дипольные переходы. Здесь выход, видимо, может быть найден лишь путем повышения чувствительности аппаратуры. [c.81]

В оптически изотропном кристалле диэлектрическая проницаемость в области частот квадрупольных электронных (и магнитных дипольных) переходов, вероятность которых пропорциональна к , изображается формулой [c.449]

Оператор (62.7) отвечает за электрические, а оператор (62.8) — за магнитные дипольные переходы в кристалле. Согласно общей теории взаимодействия света с кристаллами (см. 46) поглощение света экситонами характеризуется мнимой частью тензора диэлектрической проницаемости, которая в свою очередь выражается через мнимую часть фурье-образов [c.541]

Магнитно-дипольный переход [c.93]

Входящий в (2.1.16) множитель В 21 не зависит от частоты для дипольных и магнитно-дипольных переходов, тогда как для квадрупольных переходов В21 и (см. табл. 2.1). Следовательно, для дипольных и магнитно-дипольных переходов >Со (и) ( ), а для квадрупольных переходов Ио ( ) и ( о). Качественно вид зависимости щ ( ) определяется функцией Р ( ), т. е. формой спектральной линии излучения активного центра. Если, например, спектральная линия имеет лоренцеву форму однородно уширенная линия) и рассматриваются дипольные переходы, то [c.96]

Индуцированные радиочастот йм полем переходы являются магнитными дипольными переходами. [c.15]

Магнитное радиочастотное поле подходящей частоты может вызывать магнитные дипольные переходы между энергетическими уровнями, которые описываются квадрупольным гамильтонианом определяемым вторым членом (УП.22), [c.233]

Заменяя множитель е под интегралом в (VI.77) лишь первым членом разложения (единицей), получим матричный элемент для дипольного перехода. В ряде случаев может оказаться, что матричный элемент дипольного перехода обращается в нуль, в то время как точное значение матричного элемента (VI.77) отлично от нуля. В этом случае нужно взять следующие члены разложения в (VI.79), и мы получим магнитное дипольное и квадрупольное излучения, вероятность осуществления которых меньше вероятности [c.255]

Запомним, что состояние электрона в атоме задается четырьмя квантовыми числами главным квантовым числом п, орбитальным числом I, магнитным числом т и спиновым числом S. Обозначим Л =п —п, Д/==/ —/, Ат=т —т, As=s —s. Условимся квантовое число без штриха связывать с начальным, а число со штрихом — с конечным состоянием электрона. Правила отбора для дипольных переходов имеют следующий вид [c.268]

Они означают, что дипольные переходы разрешены лишь между такими состояниями электрона в атоме, которые отличаются друг от друга на единицу по орбитальному числу, отличаются на единицу или вообще не отличаются по магнитному числу, не отличаются по спиновому числу., Что касается главного квантового числа, то по нему состояния могут не отличаться или отличаться как угодно. [c.268]

Аналогично рассматриваем отбор по магнитному числу т. Из правил отбора для дипольных переходов следует, что (х)п1 т" 0, если m =m" l или т =т", а (у),п",пФ , если [c.272]

Ранее было оценено время жизни электрона в возбужденном состоянии по отношению к дипольному спонтанному испусканию. Исходя из (11.3.19) и (11.3,20) можно получить оценку для времен жизни по отношению к магнит-но-дипольному спонтанному испусканию т 10 с по отношению к квадрупольному спонтанному испусканию т к10 2 с. В связи с этим магнитно-дипольные и квадру-польные переходы могут быть названы медленными переходами. Если дипольные переходы с некоторого уровня запрещены, то такой уровень является долгоживущим его называют метастабильным. [c.274]

В этой главе вводятся и поясняются понятия группы приближенной симметрии и приближенного квантового числа. Важными группами приближенной симметрии являются молекулярная точечная группа и молекулярная группа вращений, которые дают нам весьма полезный приближенный способ классификации уровней по типам симметрии группа молекулярной симметрии (МС) и пространственная группа К(П) обеспечивают точную классификацию уровней. Далее рассматриваются взаимодействия уровней энергии молекулы, а группа точной симметрии используется для определения отличных от пуля членов возмущения и правил отбора для взаимодействия уровней. Приближенные квантовые числа и приближенную классификацию уровней по симметрии можно использовать также для выявления сильных возмущений уровней. Затем мы выведем правила отбора для однофотонных электрических дипольных переходов с использованием классификации уровней по квантовым числам и по приближенным и точным типам симметрии. Далее мы обсудим запрещенные переходы, а в конце этой главы кратко рассмотрим магнитные дипольные переходы, электрические квадрупольные переходы, многофотоиные процессы (включая комбинационное рассеяние света) и эффекты Зеемана и Штарка. [c.294]

Так как в выражение (11.180) входят массы частиц, члены, зависящие от орбитальных и спиновых моментов электронов, примерно в 10 раз больше членов, зависящих от орбитальных и спиновых моментов ядер. До сих пор наблюдались только магнитные дипольные переходы с переориентацией орбитальных и спиновых магнитных моментов электронов (если не учитывать ЯМР) (см., например, [45, 52, 2, 1, 13]). Магнитные дипольные колебательно-вращательные переходы могли бы дать очень полезную информацию о молекуле, дополняющую информацию, получаемую из электрического дипольного спектра молекулы, однако такие переходы еще не наблюдались. Отнесем оператор D% к молекулярной системе координат [как для в (11.152)] поскольку Da преобразуется так же, как Ra (или Ja), правила отбора по виброиным типам симметрии [(11.163), (11.165), (11.167), (11.169) и (11.174)] можно применить и к магнитным дипольпым переходам, если в них заменить тип симметрии Та типом симметрии Ra. Правила отбора для вращательных переходов определяются из матричных элементов направляющих косинусов и совпадают с (11.171) —(11.173). [c.355]

Особенности Э. п. р. проще всего могут быть выявлены па примере частиц с чисто спиновым магнетизмом. Различным ориентациям спппа электрона s соответствует энергия g HM, где g = 2,0023 (см. Спин), — м,агнетон Бора, а. М — магнитное квантовое число, принимающее (2s -Ь 1) значений s, S— 1,. .., — S. Благодаря правилу отбора для магнитных дипольных переходов М может изменяться только на 1 и, следовательно, переходы могут воз-бун<даться лишь осциллирующим магнитным полем, перпендикулярным Н и имеющим частоту v, удовлетворяющую резонансному условию [c.500]

Магнитные дипольные переходы имеют также весьма большое значение по топ причине, что в молекулах соответствующей симметрпи переход, при котором компоненты электрического и магнитного моментов перехода параллельны, приводит к возникновению кругового дихроизма и связанной с ним оптической вращательной диснерспи, т. 8. к известному явлению оптической активности асимметричных молекул (см. обзор Мейзона [7996]). [c.136]

Электронный переход Мг — может также происходить при магнитном дипольном излучении (разд. 2,б,а). Структура перехода должна быть совершенно такой же, как при электрическом дипольном переходе типа Mi — т. е. должна наблюдаться полоса 0—0. Однако, как уже подчеркивалось, интенсивность таких магнитных дипольных переходов обычно значительно меньше, чем в случае электричг ских дипольных переходов, индуцированных электронно-колебательными взаимодействиями. В дей-. ствительности линейно-изогнутых или изогнуто-линейных переходов таких типов не наблюдалось. [c.221]

Магнитные дипольные переходы. Как уже указывалось в разд. 1, некоторые электронные переходы, запрещенные для электрического дипольного излучения, могут происходить для магнитного дипольного (и квадрупольного) излучения. Это относится также и к электронно-колебательным переходам, когда учитывается взаимодействие колебательного и электронного двшкений. Так, например, электронно-колебательные переходы — Ах в молекулах точечной группы или электронно-колебательные переходы Ag — Ag точечной группы С2/-,, строго запрещенные для электрического дипольного излучения, могут происходить в случае магнитного дипольного излучения (табл. 10). Правила отбора для квантовых чисел / и А те же самые, что и для электрического дипольного излучения, а правило отбора для элек-тронпо-колебательно-вращательных типов симметрии противоположно. Следовательно, как это показано на фиг. 113, при магнитном дипольном переходе А2 — Ах наблюдаются те же подполосы и те же ветви, что и при электрическом дипольном переходе — Ль в частности, в подполосе А = О - —>- [c.270]

Единственным примером магнитного дипольного перехода, известным в настоящее время для многоатомных молекул, могут слун ить полосы формальдегида в близкой ультрафиолетовой области. Эти полосы относятся к электронному переходу 2 — 1 (мы не учитываем здесь того обстоятельства, что в возбужденном состоянии молекула имеет конфигурацию, лишь немного отличающуюся от плоской). Главные полосы представляют собой электронноколебательные полосы типа В2 — Ах- Полоса О — О строго запрещена для я,лектрического дипольного излучения, поскольку она относится к электронно-колебательному типу А2 — Ах- Ее появление в спектре с нормальной параллельной структурой может быть объяснено только в предположении, что эта полоса, как и несколько других подобных полос, обусловлена магнитным дипольным излучением (Калломон и Иннес [178]). [c.270]

Для того чтобы методами теории групп определить число и поляризацию зеемаиовских компонент, возникающих при оптических переходах между зеемановскими подуровнями исходного и конечного состояний в группах С4Ь, Зв и Сзи, необходимо предварительно установить, но каким неприводимым представлениям этих групп преобразуются компоненты Рх, Ру и Рг вектора электрического дипольного момента или компоненты Мх, Му, Мг — магнитного дипольного момента. В системе координат X, У, Z, где направлепие Z совпадает с направлением возмущения, указанные компоненты Р определяют (Е Ир) и Ле (Е Ио)-поляри-зации электрических дипольных переходов при поперечном по отношению к полю наблюдении, а комнопенты М определяют поляризации От (П Но) и Пт (Н 1 П ) для магнитно-дипольных переходов. Здесь Е и Н — электрический и магнитный вектора световой волны. Комбинации Рх + 1Ру и Мх + ЬМу определяют для продольного относительно магнитного поля наблюдения компоненты с левой и правой циркулярной поляризацией (а - и а+-компоненты). [c.103]

Гораздо сложнее явление Зеемана интенсивной линии 2,36 мк, наблюдаемой в спектре излучения СаГз — Ву +. Явление Зеемана, исследованное в этом случае, представлено на схемах рис. 2 для двух различных ориентаций кристалла в поле [46]. Результаты теоретического анализа на рис. 2 сравниваются с результатами эксперимента. На основе такого сопоставления указанная линия однозначно идентифицируется как магнитно-дипольный переход между штарковскими подуровгами Г4 ( Т,) и Г Анализ зеемановского расщепления позволяет определить параметр смешивания х, о котором мы упоминали выше. Оказалось, что для компоненты спин-орбитального мультиплета х = —0,5, а для X = —0,92. Эти значения полностью определяют относительное расположение штарковских подуровней в поле Оц [41]. [c.104]

Примечание, Таблица определяет поляризацию и относительные интенсивности зесмановских компонент как для электрических дипольных переходов (Г - Г ),так идля магнитных дипольных переходов (Г J - Г,) )- где значки (+) и (—) обозначают различную четность состояний. При пользовании таблицами следует за исходные зеемановские подуровни считать подуровни, неприводимые нредставле-ния которых приведены в верхних горизонтальных строчках,— это дает правильное направление круговых поляризаций. Относительные интенсивности зеемаиовских переходов даются числами, выписанными под символами я и а. [c.105]

Перейдем теперь к случаю, когда примесный ион находится в кубическом кристалле в локальном поле кубической симметрии. В этом случае расщепление спектральных линий обусловлено истинным расщеплением вырожденных электронных уровней иона при деформационном понижении симметрии поля, действующего на ион. В [65] путем теоретикогруппового расчета и использования теории возмущений были получены основные характеристики расщепления спектральных полос (число, относительная интенсивность, поляризация и величина смещения компонент расщепления) для всех возможных электрических и магнитных дипольных переходов между различными уровнями ионов, находящихся в полях симметрии Oh и Тц, при одноосном С5катии кристаллов вдоль <100>, <110>. Кратность [c.111]

Y-Лучи, испускающиеся ядром при переходе в низшее энергетическое состояние, могут уносить различный момент количества движения I. Излучение, уносящее момент количества движения / = 1, называется дипольным, / = 2 — квадрупольным, I = 3 — октупольным и т. д.. Каждое из них характеризуется определенным характером углового распределения. Кванты различной мультипольности возникают в результате различных колебаний ядерной жидкости электрических (дипольные, квадрупольные и т. д.) и магнитных (дипольные, квадруполь-ные и т. д.). [c.166]

К такому же выводу придем, рассмотрев интеграл по углу О в (11.2.25 6) (при этом имеет смысл учитывать лишь т = т—1). Таким образом, (d)2i=7 0 при Д/= 1, Ат=1 ( l)2i= 0 при Д/= 1, Ат= — 1 (d) i= 0 при Д/= 1, А п=0. Дипольнын переход разрешен, если хотя бы одна из составляющих вектора (d) не равна нулю. Следовательно, как. мы убедились, правила отбора для дипольных переходов требуют, чтобы орбитальное число изменилось при переходе на единицу, а магнитное число либо изменилось на единицу, либо оставалось прежним. [c.270]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...