Плотность заряда электрического

При равномерном распределении электрического заряда q по поверхности площади S поверхностная плотность заряда а постоянна и равна [c.135]

Молено доказать, что напряженность электрического поля бесконечной плоскости с поверхностной плотностью заряда а одинакова в любой точке пространства и равна [c.135]

Из теоремы Остроградского — Гаусса (6) следует соотношение, связывающее суммарный поток индукции электрического ноля на поверхности с плотностью зарядов в объеме у, охватываемом этой поверхностью [c.181]

Поскольку в D-состоянии распределение плотности заряда не является сферически симметричным, то при нецентральных силах дейтрон должен обладать ненулевым квадрупольным электрическим моментом. Как мы уже знаем из 1, квадрупольный момент дейтрона действительно не нуль, хотя и не очень велик. По величине квадрупольного момента можно оценить вклад D-состояния в дейтроне. Расчеты показывают, что доля D-состояния в дейтроне составляет примерно 4%, т. е. дейтрон в среднем 4 минуты из 100 находится в D-состоянии. [c.176]

При малых г плотность заряда и плотность магнитного момента примерно пропорциональны г. Распределение заряда в нейтроне оказывается всюду близким к нулю, хотя, казалось бы, за счет виртуальных распадов на протон и отрицательный пион в центре нейтрона должны преобладать положительные заряды, а на периферии — отрицательные. Плотность магнитного момента в нейтроне имеет такую же форму, как и в протоне. В 1977 г. группой советских и американских физиков был измерен среднеквадратичный радиус распределения электрического заряда в отрицательном пионе. Оказалось, что [c.388]

В реальном диэлектрике, обладающем конечным электрическим сопротивлением, существуют как связанные, так и свободные заряды. Электрическое поле, создаваемое этими зарядами, существует в вакууме между молекулами вещества. Такой подход к описанию поля в диэлектрике, соответствующий классической электродинамике, позволяет использовать любые формулы, справедливые для электрического поля в вакууме, и для расчета поля в диэлектрике, добавляя к плотности зарядов величину рсв- Например, формула Гаусса для электрического поля в вакууме div Е — p/sg, а для электрического поля в диэлектрике [c.138]

Поверхностная плотность электрического заряда. Поверхностная плотность заряда есть отношение заряда к площади поверхности, на которой он распределен. Согласно формуле [c.242]

Линейная плотность электрического заряда. Распределение заряда на протяженном проводнике характеризуется линейной плотностью заряда, которая при равномерном распределении равна заряду, приходящемуся на единицу длины проводника [c.242]

Единицу электрического смещения в СИ и ее связь с единицей СГС можно получить, используя любое выражение для ), например (7.80). Согласно этой формуле единицей электрического смещения является смещение в плоском конденсаторе при плотности заряда на пластинах один кулон на квадратный метр (Кл/м ). В СГС при этом [c.264]

Как видно из рис. 3.4, зависимость U J) на различных участках ВАХ носит совершенно различный характер. Каждый из них характеризуется своей структурой разряда, своими особенностями в распределении электрических полей и плотности зарядов, преобладанием тех или иных элементарных процессов. Область ОА соответству- [c.92]

Здесь индексами 1 и 2 отмечены среды по обе стороны от границы, а индексы пит обозначают нормальные и касательные компоненты векторов. Соотношения (1.95) записаны для распространенного случая, когда равны нулю плотность поверхностного тока и плотность поверхностного электрического заряда на поверхности раздела. Более общая форма записи (1.95) приведена в [70, 87]. [c.53]

Зондовая методика. Измерения потенциала (р и заряда q в положительно заряженной струе газа, а также вне ее проводились при помощи сферического зонда малого радиуса, который вводился в исследуемую точку С пространства и подключался либо к статическому вольтметру (тогда измерялся потенциал зонда ( ), либо заземлялся через амперметр (тогда измерялся ток 7 на заземленный зонд). Величины в Jr в ряде случаев могут позволить определить потенциал (рс и плотность объемного электрического заряда q в точке С. Для этого должна быть решена задача об обтекании сферы заряженным потоком газа при граничных условиях, соответствующих двум указанным электрическим режимам. [c.362]

Оно показывает, что на участках границы, где уп > 0, плотность объемного электрического заряда стремится к бесконечности. [c.370]

Формулы (2.18), (2.19) даются впервые, они определяют степень краевого эффекта как в плоских, так и в цилиндрических полупроводниковых структурах. Из них следует, что в цилиндрических структурах краевое электрическое поле напряженностью пропорциональное по законам электростатики поверхностной плотности зарядов а , уменьшается по сравнению с краевым полем плоской структуры на величину Т [c.176]

К величинам, единицы которых подвержены рационализации, относятся электрическое смещение и поток электрического смещения, диэлектрическая и магнитная проницаемости (и соответствующие постоянные), напряженность магнитного поля, магнитодвижущая сила, магнитная восприимчивость, магнитное сопротивление и магнитная проводимость (см. табл. 27). Размерности некоторых из этих величин совпадают с размерностями других электрических и магнитных величин, единицы которых не подвержены рационализации. В частности, размерность магнитодвижущей силы совпадает с размерностью силы тока совпадают также размерности потока электрического смещения и электрического заряда, электрического смещения и поверхностной плотности электрического заряда, абсолютной диэлектрической проницаемости и диэлектрической восприимчивости. Вместе с тем переводные множители для единиц этих величин, хотя размерность их одинакова, отлича- [c.37]

Совершенно аналогично дело обстоит и с другими величинами, указанными выше поверхностной плотностью электрического заряда, электрическим смещением и абсолютной диэлектрической проницаемостью. [c.38]

Плотность электрического тока Электрический заряд Линейная плотность заряда Поверхностная плотность заряда [c.124]

Потенциал скоростей (9) совпадает по форме с общим выражением ньютонова потенциала. Если под q понимать плотность распределения массы в объеме т, то выражение (9) даст потенциал сил тяготения единичной массы в точке М к некоторой, в общем случае неоднородной массе, заключенной в объеме т если под q понимать плотность распределения электрических зарядов, то ф будет потенциалом электростатического поля. [c.273]

Вследствие специфической адсорбции, т. е. адсорбции, не обусловленной чисто электрическими силами, количество ионов, находящихся в плотной части двойного слоя и прочно связанных с электродом, может быть таким, что плотность зарядов в этом слое превысит плотность зарядов на электроде. В данном случае электрод притянет к себе извне определенное количество ионов, имеющих, однако, заряд, противоположный заряду ионов, находящихся в плотной части двойного слоя. Эти избыточные ионы не будут прочно связаны с электродом, т. е. они расположатся диффузно. Распределение потенциалов в плотной и диффузной частях двойного слоя в этом случае характеризуется кривой рис. 13,6. Связь между электрохимическим и электрокинетическим потенциалами, а также распределение зарядов определятся при этом следующими соотношениями [c.30]

Известно, что в электрическом поле напряженностью Е сферическая диэлектрическая частица, как частица двуокиси циркония, будет поляризоваться, причем поверхностная плотность заряда равна Збо os 9, где 9 измеряется от направления поля [3781. Можно показать, что для частицы размером 9,1 мк вероятность поляризации с одним электроном составляет не более 10 д.ля по.ля напряженностью 109 в1м, тогда как в примере с частицалш двуокиси циркония размером 0,1 мк общий заряд равен 10 дырок на частицу (и.ли удельный заряд 0,32 к/кг), так что не приходится ожидать заметного влияния по.ляризации твердых частиц на тер-1мическую э.лектризацию. [c.468]

Пламли [612] учел силы инерции, поле вязкого потока и распределение плотности заряда на поверхности взаимодействующих капель, а также внешнее электрическое поле. Его результаты представлены на фиг. 10.14 в виде зависимости эффективности столкновений между заряженными каплями от их заряда. Для заряда был выбран закон пропорциональности квадрату радиуса капли, предложенный в работе [296] [уравнение (10.6)]. [c.478]

Благодаря свойству насыщения ядерных сил распределение протонов и нейтронов внутри ядра должно быть примерно одинаковым. Это значит, что и распределение электрического заряда внутри ядра должно быть таким же, т. е. уменьшаться с уменьшением плотности заряда в поверхностном слое. На рисунке 53 кривая выражает распределение электрического заряда в ядре-каиле. [c.173]

Микроскопические теории. Теория Блоха, которая предполагает, что каждый электрон движется независимо в поле с периодическим потенциалом, обусловленным ионами и некоторой средней плотностью зарядов валентных электронов, дает хорошее качественное и в некоторых случаях количественное объяснение электрических свойств нормальных металлов, но оказывается не в состоянии объяснить сверхпроводимость. В большинстве попыток дать микроскопическую теорию сверхпроводимости учитывались взаимодействия, не входящие в теорию Блоха, а именно корреляция между положениями электронов, обусловленная кулоновским взаимодействием, магнитные взаимодействия между электронами и взаимодействия между электронами и фонопами. Хотя все эти взаимодействия, несомненно, должны учитываться полной Teopneii, изотопический эффект свидетельствует [c.752]

Пьезоэлектрики — кристаллические диэлег.трики, не имеющие центра симметрии, в которых под действпе.м механических напряжений возникает электрическая поляризация (прямой пьезоэлектрический эффект), а под действием внешнего электрического поля — механическая деформация (обратный пьезоэлектрический эффект). Таким образом, с помощью пьезоэлектриков можно преобразовывать электрические сигналы в механические и наоборот. Между поверхностной плотностью заряда (/, образующегося при прямом пьезоэффекте на поверхности поляризованного кристалла, и механическим напряжением а существует прямо пропорциональная зависимость q = do, причем знаки зарядов на электродах пьезоэлемента зависят от направления механических напряжений (сжатие — растяжение). Механическая деформация и в такой же зависимости находится с напряженностью внешнего электрического поля Е при обратном пьезоэффекте u = dE, а характер деформации (сжатие или растяже- [c.557]

Вдесь А —постоянная Больцмана, е — внутренняя энергия, Л — плотность атомов и ионов,, р, Т — давление и температура атомов и ионов, — плотность электронов. Ре и Те — давление и температура электронов, / — плотность тока, —электрическое поле, возникающее благодаря разделению зарядов, р — тепловой поток. [c.112]

В дальнейшем была установлена возможность получения электретов из неполярных органических и даже не неорганических диэлектриков, в частности керамических. Необходимое для этого условие поляризации сводится к длительному воздействию сильного постоянного электрического поля при повышенной температуре. В сравнительно слабых поляризационных полях получаются при этом электреты с гетерозарядами, а в сильных — с гомозарядами. Плотность зарядов достигает обычно значений порядка 10 Кл/м , но при соблюдении некоторых специфических условий можно получить электреты с большей плотностью зарядов. [c.42]

Диэлектрическая проницаемость есть скалярная безразмерная велич1ша, характеризующая способность диэлектрика образовывать емкость конденсатора и равная отношению плотности электрического ззряда па электродах при данном диэлектрике к плотности заряда при тех же условиях в вакууме. [c.6]

Плотность электрического заряда, создаваемая электроном, находящимся в состоянии с волновой функцией ifft, равна —где —е — заряд электрона. Поэтому эта плотность будет пропорциональна sin (A г2), т. е. будет периодической функцией расстояния от поверхности z. Суммарная плотность ра электрического заряда, создаваемая всеми электронами, пропорциональна SI фй Р и [c.87]

Упругочувствительный элемент датчика силы обычно набирают в виде стопки пластинок (минимально берут две пластинки). Плотность заряда не зависит от геометрических размеров пьезоэлемента. Однако величину плотности необходимо умножить на п, если я пластинок собраны в стопку, в которой эти пластинки прилегают одна к другой гранями противоположной полярности так, что они оказываются включенными последовательно относительно действующей на них силы и параллельно электрически. При четном количестве пластинок один электрод изолирован от корпуса датчика самой пластинкой, что обеспечивает высокое сопротивление изоляции. [c.382]

ПЛОТНОСТЬ [заряда (линейная — отношение величины электрического заряда, находящегося между двумя поиереч- [c.259]

Непосредственное прямое измерение электростатического поля в воздухе основано на поляризации проводящего тела и измерении тем или иным способом плотности поверхностного заряда на теле, внесенном в электрическое поле. Плотность заряда в точке тела будет равна q-, = Еа1Ы, причем Е(, — напряженность поля, нормального к поверхности тела в этой точке. Между Eq и напряженностью поля Не, которая существовала до внесения тела в электрическое поле, существует прямо пропорциональная зависимость Eq = kqHE, где — коэффициент нарушения, определяемый конфигурацией тела и конфигурацией поля. [c.142]

Конденсатор с диэлектриком. Вычислим работу, совершаемую внешним электрическим полем при поляризации диэлектрика. В качестве термодинамической системы возьмем диэлектрик, находяш,ийся между двумя пластинами плоского конденсатора. Из электростатики известно, что электрический заряд <7 = (s — плош,адь пластины, Sj —поверхностная плотность заряда), а электрическая индукция /) = 4тга . Потенциал связан с напряженностью электрического поля соотношением [c.17]

Лит. Ландау Л. Д., Л и ф ш и ц Е. М., Электродинамика сплошных сред, 2 изд., М., 1982 Смит Я,, В е йи X.. Ферриты, пер. с англ., М., 1962. Ю. П. Ирхин. МАГНИТНАЯ СИММЕТРИЯ — раздел симметрии кристаллов, учитывающий специфику их магнитных свойств, а именно в М. с. принимается во внимание симметрия уравнений движения по отношению к операции обращения времени Л, под действием к-рой координаты всех точек кристалла остаются неизменными, а скорости меняются на противоположные. Соответственно, под действием операции R средняя по времени микроскопическая плотность заряда р(х, у, z), описывающая обычную (электрическую) структуру кристалла, не меняется, и кроме р рассматривается микроскопическая средняя плотность магнитного момента т [х, у, z) [или, что эквивалентно, тока(гг, у, г)], меняющая знак под действием В. Группой магнитной симметрии кристалла называется множество преобразований (пространственных и комбинаций из R и пространственных преобразований), оставляющих инвариантными функции р х, I/, а) и ш (х, у, z). Если представить операцию Я как замену чёрного цвета на белый, то магнитные группы совпадают с шубпиковскими группами симметрии и антисимметрии. [c.661]

ЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ТОК — направленное движение носителей электрич. зарядов (электронов, ионов, дырок и т.п.). Количественно Э.т. характеризуется вектором плотности электрического тока ]=дп(иУ, где д w п — заряд и концентрация носителей, <и>—ср. скорость упорядоченного движения носителей (с учётом ф-ции распределения по скоростям или импульсам). Если ввести объёмную плотность заряда p = qn, то/=р<и>. В системах С разнозарядовыми носителями производится векторное суммирование плотностей Э.т., обусловленных этими носителями. Интегральной характеристикой Э.т. является сила тока I, определяемая как поток вектора j через заданную площадку AS [c.515]

Плотность объемного электрического заряда q в струе убывала при увеличении расстояния г от ее оси, причем зона элекрического заряда (где q ф ()) была шире газодинамической струи. [c.360]

Дальнейшие конструктивно-технологические разработки привели к созданию планарно-эпитаксиального кремниевого барьера Шоттки [55] с трехслойным металлическим контактом, например Au-Ti-Pt (рис. 2.26, г), площадью < 1 см , на прямые токи > 10 А при обратных напряжениях > 50 В, с обратными токами порядка = 20 10 А. Была разработана методика расчета барьера Шоттки с металлическим электродом в форме эллипсоида вращения или эллиптического цилиндра (рис. 2.26, д) утопленного вглубь полупроводника на глубину А = 0,05 мкм, в предельном же случае этот электрод сводится к металлическому диску либо металлической полоске, расположенным по поверхности полупроюдни-ка, т.е. это говорит о плоской природе контакта металл-полупроводник и не объясняет физической природы возникновения краевого эффекта и не содержит реальных структур, лишенных краевого эффекта. Однако авторы [55] верно отметили факт, что на краях металлического листа контакта металл—полупроводник я-типа (в виде плоского диска или плоского прямоугольного листа) формируется поверхностная плотность заряда очень большой величины, создающая краевое электрическое поле напряженности также большой величины, в пределе стремящейся к бесконечности (Е сю). [c.170]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...