Поле направлении

Таким образом, в отсутствие электрического поля режим равномерного всплывания пузырей неустойчив, при этом наиболее быстро будут возрастать амплитуды коротковолновых колебаний. Электрическое поле, направленное вдоль движения газовых пузырей, способствует стабилизации барботажных процессов. С ростом электрического поля а )> 0) скорость возрастания амплитуд малых возмущений становится ограниченной для любых длин волн. При дальнейшем увеличении напряженности электрического поля Е > р), если режим равномерного всплывания пузырей реализуется, то он будет устойчивым относительно малых возмущений. Если электрическое поле направлено под углом к вертикали, режим равномерного всплывания пузырьков неустойчив. [c.236]

Продольное поле. При наложении продольного поля направления магнитного и электрического полей совпадают, поэтому на дрейфовое движение заряженных частиц магнитное поле влиять не будет. Однако электроны и ионы обладают еще тепловой скоростью хаотического движения и скоростью амбиполярной диффузии. [c.84]

Магнитный поток (Вб) или поток вектора магнитной индукции сквозь поверхность 5 при равномерном поле, направленном нормально к повер.хности, [c.111]

Прибор ионный с аксиальным магнитным полем — ртутный вентиль, вставленный в катушку, создающую магнитное поле, направленное от катода к аноду магнитное поле удлиняет траектории электронов и усиливает ионизацию газа с помощью магнитного поля управляют моментом зажигания прибора. [c.151]

Эта система описывает движение заряженной частицы в однородном магнитном поле, направленном вдоль оси г. Помножим второе из уравнений (118) на —/ и прибавим к первому. Мы получим [c.143]

Известно, что частица, обладающая спином s, может иметь в пространстве 2s -f 1 ориентаций спина относительно выделенного внешним магнитным полем направления. Это распространяется и на изотопический спин число возможных зарядовых состояний частицы, обладающей изотопическим спином Т, будет 27 4- 1. [c.363]

Так, например, если молекула может поляризоваться вдоль одного лишь направления (модель молекулы в виде палочки АВ, рис. 29.7), то поле, направленное вдоль ОЕ, вызовет все же колебания вдоль ОА с амплитудой, пропорциональной слагающей поля ОМ, величина которой зависит от угла ЕОА. Если среда состоит из таких молекул, то вторичная волна будет иметь электрические компоненты и вдоль 0Z, и вдоль ОУ (рис. 29.8), относительные величины которых зависят от степени анизотропии молекулы, т. е. свет, рассеянный в направлении, перпендикулярном к первичному пучку, будет поляризован только частично. [c.589]

Другое усовершенствование теории Бора касалось введения различной пространственной ориентации эллиптических орбит. Это привело к необходимости ввести еще одно квантовое число т, которое характеризует расположение орбиты в пространстве и указывает величину проекции момента количества движения электрона на некоторое выделенное (например, магнитным полем) направление в пространстве. Квантовое число т называется магнитным квантовым числом. Оно может принимать значения к, (/г — 1),..., О,..., (-Й), где — азимутальное квантовое число. Переходы с изменением m удовлетворяют правилу отбора Ат =0, 1. Введение магнитного квантового числа позволило объяснить нормальный эффект Зеемана. [c.58]

Деполяризация рассеянного света связана с оптической анизотропией рассеивающих молекул. Так, например, если линейная молекула АА поляризуется вдоль своей оси (рис, 23.10, а), то поле, направленное вдоль ОЕ, вызовет все же колебания вдоль ОА с амплитудой, пропорциональной составляющей поля ОВ, величина которой зависит от величины угла а. Если среда состоит из таких линейных молекул, то вторичная волна будет иметь составляющие электрического вектора как вдоль Ог, так и вдоль Оу (рис. 23.10,6), относительные величины которых зависят от степени анизотропии молекул. Таким образом, свет, рассеянный в направлении, перпендикулярном к первичному пучку, будет частично поляризован. [c.120]

Прежде всего мы обнаружим, что величина и направление силы F зависят от ориентации провода по отношению к магнитному полю. Направление силы F всегда перпендикулярно к направлению тока и магнитного поля и связано с этими направлениями правилом буравчика, рукоятка которого поворачивается от направления тока к направлению поля. Величина же силы зависит от угла а между направлениями магнитного поля и тока и при неизменных прочих условиях пропорциональна sin а. [c.79]

Это обстоятельство используется для фокусировки пучков частиц (главным образом электронов). Например, когда расходящийся пучок попадает на флуоресцирующий экран, то на экране образуется сильно размытое светящееся пятно. Но если создать однородное магнитное поле, направленное вдоль оси пучка (для этого достаточно надеть на трубку длинную катушку, питаемую постоянным током), и подобрать напряженность этого поля так, чтобы шаг витка спиралей, определяемый выражением (8.18), был равен расстоянию от диафрагмы до экрана (или был в целое число раз меньше), то как раз у экрана все [c.215]

Общей чертой всех циклических ускорителей являются, как уже указывалось, близкие к круговым траектории (орбиты) частиц, получающиеся в результате движения частиц в магнитном поле, направленном перпендикулярно к их скорости. Метод же ускорения частиц в большинстве циклических ускорителей применяется тот же, что и в линейных ускорителях с переменным электрическим полем. Вакуумная камера, в которой движутся частицы, имеет форму цилиндра (диаметр которого много больше его высоты), расположенного между полюсами электромагнита так, что ось цилиндра совпадает с направлением магнитного поля. Камера покрыта электропроводящим слоем, в котором по радиусам сделаны изолирующие разрезы (в простейшем случае [c.217]

Распределение электрического тока принято представлять с помощью линий тока в каждой точке поля направление вектора плотности тока касательно к линии тока. [c.184]

Диэлектриками называют вещества, основным электрическим свойством которых является способность к поляризации и в которых возможно существование электростатического поля. Такое поле может длительно сохраняться лишь в средах, плохо проводящих электрический ток. Электропроводность — способность проводить электрический ток—обусловлена наличием в веществе свободных носителей заряда—электрически заряженных частиц, которые под действием внешнего электрического поля направленно перемещаются сквозь толщу материала, создавая ток проводимости (положительно заряженные носители движутся по направлению вектора напряженности электрического поля Е, отрицательно заряженные— против). Параметром вещества, количественно определяющим его электропроводность, является удельная электрическая проводимость у, См/м, а также удельное объемное электрическое сопротивление p = l/Y, Ом-м, причем [c.543]

ВЭЭ из металлов и полупроводников. В металлах и полупроводниках максимальное значение Ят обычно лежит в пределах 0,5—1,8 (табл. 25.19—25.21 и рис. 25.31—25.38). В некоторых диэлектриках (щелочногалоидные кристаллы, MgO) От значительно больше (10—35). Это обусловлено большой глубиной выхода вторичных электронов из этих материалов (20—100 нм). Наличие в диэлектрике сильного электрического поля, направленного от эмитирующей поверхности в глубь слоя (т. е. ускоряющего вторичные электроны), приводит к значительному увеличению а. Сильное поле обычно создается электронной бомбардировкой тонкого слоя диэлектрика на проводящей подложке при такой энергии [c.582]

Рис. 45.16. Секторная структура межпланетного магнитного поля в плоскости эклиптики знак плюс показывает поле, направленное от Солнца, знак минус — поле, направленное к Солнцу [18]

Индукция магнитного поля, направленного по оси Z, равна В = = (О, О, 5J, тогда [см. (38.5)] [c.221]

Производя подобное построение для последовательности интересующих НДС точек (начиная с точки, характеризующей исходное состояние системы) и образуя на плоскости х, у достаточно густую сетку (поле) направлений касательных к фазовым траекториям, нетрудно построить искомую фазовую траекторию с желаемой точностью. [c.56]

Перейдем к теоретическим представлениям о механизме гигантского резонанса. При дипольном поглощении -у-кванта на все протоны ядра действует импульс однородного электрического поля, направленного перпендикулярно направлению пучка падающих фотонов. Под действием этого импульса центр тяжести протонов смещается относительно центра тяжести нейтронов. Но это смещение может произойти по-разному. Одним из крайних случаев является тот, когда все частицы смещаются примерно на одинаковые расстояния. Такая модель гигантского резонанса называется коллективной. В другом крайнем случае, наоборот, смещается лишь один нуклон. Это оболочечная модель в ее простейшем варианте независимых частиц. Подчеркнем, что в этом случае смещаться может как протон, так и нейтрон, несмотря на то, что нейтрон не имеет заряда и непосредственно поглощать фотон не может. Фотон поглощается здесь не нейтроном. [c.164]

В случае ортогонально-перспективного расположения двух полей направление родства перпендикулярно к оси родства s . [c.42]

Пусть, далее, к стенкам канала приложено поперечное магнитное поле, направленное по оси Ох, напряженность которого > равна Я(г) и поперечное, параллельное оси Оу, электрическое поле с напряженностью E z) (рис. 7-26). [c.301]

Итак, пусть пространство Е расслоения Е Б трехмерно, база двумерна, а слои одномерны. В каждой точке этого трехмерного пространства имеется вертикальное направление (касательное слою, вдоль которого обе медленные переменные постоянны). В неособых точках возмущающего поля" имеется еще его направление. Особые точки для систем общего положения не лежат на медленной поверхности. Поэтому мы их не рассматриваем, и в интересующих нас точках пространства Е заданы два поля направлений вертикальное и возмущающее. [c.175]

Плоскость поля пересекает касательную плоскость медленной поверхности в регулярной точке по направлению медленного поля. Поэтому следы построенного поля плоскостей образуют в регулярной части медленной поверхности в точности поле направлений медленного движения. [c.176]

Это поле направлений продолжается и на линию критических точек проектирования в виде гладкого поля направлений. Особенности оно имеет лишь в тех местах, где плоскость поля касается медленной поверхности. Это может случиться для системы общего положения лишь в отдельных точках. Такие точки лежат обязательно на кривой складок, так как плоскость поля содержит вертикальное направление. [c.176]

Итак, фазовые кривые медленного движения являются частями интегральных кривых поля следов построенных выше плоскостей на медленной поверхности. Это поле направлений на медленной поверхности вертикально на линии критических точек проектирования (ибо и поле плоскостей, и касательная медленной поверхности в этих точках содержат вертикаль), и может еще иметь отдельные особые точки на этой линии (не в сборках и не в точках вырождения контактной структуры). [c.176]

Ниже описаны нормальные формы, к которым приводятся интегральные кривые построенного поля направлений на медленной поверхности (а следовательно, и фазовые кривые медленного уравнения) расслоенными диффеоморфизмами. [c.176]

В таблице х — быстрое переменное, у п z — медленные, ось Z направлена вдоль складки медленной поверхности, ось у ей перпендикулярна. Во втором и третьем столбцах приведены нормальные формы из п. 2.5 фазовые кривые медленного-уравнения заданы либо первым интегралом, либо соответствующим полем направлений. Предложение 2 доказано в п. п. 3.3,, [c.185]

В случае сварки на переменном токе магнитное дутье будет значительно меньше или совсем незаметно. Это происходит по той причине, что изменяющийся по величине и направлению магнитный поток дуги, пронизывающий ферромассу, наводит в ней вихревые токи, создающие собственное магнитное поле, направленное против магнитного поля сварочного тока. [c.14]

Когда 2=0, 7t, тогда os 9/ os у = 1 и условие (5. 7. 36) выполняется при доетаточно большом поле, т. е. большое, но конечное электрическое поле, направленное вдоль течения, может стабилизировать режим равномерного всплывания пузырей газа. [c.234]

В однородной среде в отсутствии внещних полей направления туда и обратно равноправны. Поэтому числа частиц, переместившихся за один шаг вперед или назад, должны быть в среднем одинаковы. Это значит, что средние значения компонент векторов 1 будут равны нулю. А вместе с ними будет равно нулю и среднее [c.202]

Деполяризация рассеянного света. Иной результат получается в том случае, когда молекула рассеивающей среды анизотропная. Если в первом случае было безразлично, как орнеитирована молекула по отношению к направлению электрического вектора падающего света, то во втором случае оно имеет существенное значение. В зависимости от ориентации молекулы по отношению к возбуждающему полю направление индуцированного колеблющегося диполя может совпадать с направлением электрического поля света (возбуждающего поля). В качестве примера рассмотрим предельный случай — полную анизотропию, т. е. модели так называемой жесткой налочки где поляризуемость во всех направлениях, кроме одного, совпадающего с осью палочки , равна нулю (а = а, [c.316]

Большие смещения иозникают в современных установках пинч-эффект), где движение ионов с большими скоростями используется для наблюдения различных эффектов, связанных с передачей энергии и количества движения нейтральным атомам. На рис. 7.15 п1)иведена фотография спектра ионов алюминия в поле, направленном вдоль их движения, позволяющая наблюдать смещение спек-линий на призменном спектрографе. (лцзава от исследуемой линии иона А -III видна линия нейтрального а [c.390]

Источником магнитного поля может быть петля с током, со леноид или постоянный магнит. Магнитная сила Рмаг направлена по нормали к плоскости, образованной векторами v и В. Ниже в этой главе мы покажем, что заряженная частица, движущаяся только в магнитном поле, будет описывать окружность (или, в более общем случае, спираль) вокруг оси, образуемой направлением магнитного поля. Проделав лабораторный опыт, легко можно убедиться, что магнитное поле, направленное перпендикулярно к движению электронного пучка в трубке осциллографа, отклонит этот пучок в направлении, перпендикулярном как к V, так и к В. Магнитная сила, соленоиды и магниты подробно разбираются в т. II. [c.117]

Рис. 7.8. Катушка индуктивности L, по которой идет ток /. Если / возрастает. то увеличивается и В Направление d fdt изображено на рисунке жирными стрелками. В соответствии с законом Фарадея в витках индуцируется электрическое поле при изменении магнитного поли. Направление электрического поля изображено пунктирными стрелками. Полное падение напряжения на концах катушки равно V = = E dl. Так как V возрастает в направлении, противоположном dUdt, saV = -L dlldt. где L-коэффициент пропорциональности.

Аналогично возникновению двойного лучепреломления в электрическом поле возможно также и создание искусственной анизотропии под действием магнитного поля. Если анизотропные молекулы обладают дополнительно постоянным мдгнитным моментом (парамагнитное тело), подобно тому, как молекулы, будучи анизотропными, обладают постоянным электрическим моментом, то их поведение под действием магнитного поля должно представлять аналогию с явлением, наблюдаемым в электрическом поле. В отсутствие внешнего магнитного поля хаотическое расположение молекул обеспечивает макроскопическую изотропию среды, несмотря на анизотропию отдельных молекул. Наложение достаточно сильного магнитного поля, воздействующего на магнитные моменты молекул, ориентирует их определенным образом относительно этого внешнего поля. Ориентация анизотропных молекул сообщает всей среде свойства анизотропии, которые можно наблюдать обычным способом. Действительно, удалось обнаружить возникковенпе двойного лучепреломления под действием сильного магнитного поля, направлен- [c.536]

Приложение внешнего магнитного поля, направленного перпен-дмкулярно плоскости пленки с полосовыми доменами, приводит к изменению размеров и формы доменов. При увеличении поля [c.350]

Фотомагнитоэлектрический эффект (эффект Кикоина — Носкова). Этот эффект обнаружен в 1934 г. советскими физиками И. К. Кикоиным и М. М. Носковым. Сущность эффекта поясняет рис. 7.15. Достаточно сильно поглощающий полупроводник, облучаемый светом, помещается в магнитное поле, направление которого перпендикулярно световому потоку. Если бы не было магнитного поля, то оптически генерируемые электроны и дырки диффундировали бы в глубь полупроводника и мы имели бы эф( ект Дембера. Магнитное поле отклоняет электроны и дырки в разные стороны и тем самым пространственно разделяет их в направлении, перпендикулярном направлениям света и поля. Возникает ЭДС, которая может достигать нескольких десятков вольт. Приемники на основе данного эффекта применяют для приема инфракрасного излучения. [c.182]

По мере искривления траектории появляется составляющая электрического поля,направленная вдоль скорости электронов и сообщающая им тангенциальное ускорение, вследствие чего скорость электронов изменяется. Поскольку заряд электрона отрицателен, тангенциальное ускорение электронов совпадает с направлением движения электронов (рис. 47) и, значит, скорость электронов возрастает. Но если угол 0 достаточно мал, то возрастанием скорости можно пренебречь и считать, что электроны испытывают только нормальное ускорение и движутся с постоянной по величине скоростью v . В таком случае электрон, двигаясь в поле конденсатора, испытывает постоянное ускорение у в течение времени = l/v , где I — длина конденсатора, и при выходе из конденсатора он обладает двумя составляющими скорости и Vy, причем Vy = jti = il/Vx. Так как при малых в vylv б, то [c.92]

Нас же интересуют особые точки проектирования медленной поверхности. В этих точках наши поля направлений некол-линеарны. Следовательно, они порождают гладкое поле плоскостей. [c.175]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...