Л <иер схема энергетических уровней

Из рассмотренной схемы взаимодействия между металлом и электролитом (см. рис. 8), вытекает, что причиной возникновения электродных потенциалов является перенос ионов из металла в раствор и обратно. Электродные потенциалы являются энергетической характеристикой двойных слоев, представляя собой меру энергии, нужную для перехода ионов в раствор или в обратном направлении. Когда двойной электрический слой достигает разности потенциалов, при которой энергетический уровень ионов в металле и растворе сравняется, процесс перехода ионов прекращается (устанавливается равновесие). [c.19]

Схема нижних колебательных уровней молекулы СО2 представлена на рис. 35.17. Инверсия заселенностей может создаваться между уровнями 4, з и 4, 2. Справа показан энергетический уровень молекулы азота, близкий к уровню 4 молекулы углекислого газа (разность между ними составляет 18 см" ). Генерация может возникать на переходах Е - Ез (Л=10,6 мкм) и Е - Ез (Я=9,6 мкм). В действительности, если учесть вращательные уровни, то ясно, что генерация состоит из двух серий линий с центрами при 1 = 10,6 мкм и Яг = 9,6 мкм. [c.291]

Описанные выше собственные колебания молекулы СО2 используются в газовом лазере на углекислом газе. Упрощенная схема энергетических уровней молекул СОа и азота Na, входящих в состав газовой смеси лазера, приведена на рис. 8.4. Электронный поток газового разряда возбуждает с большой эффективностью колебания, соответствующие наинизшему уровню молекул азота Еу. Частота этих колебаний близка к частоте соа антисимметричных колебаний молекулы Oj. В результате неупругого столкновения молекул Na и СОа происходит возбуждение антисимметричного колебания СОа и молекула переходит на энергетический уровень а- Этот уровень метастабилен. С него возможны переходы на более низкий возбужденный уровень симметричного колебания 3 и второй возбужденный уровень деформационного колебания 4. Уровни 3 и 4 близки, между ними в результате неупругого взаимодействия молекул существует сильная связь. Деформационные колебания молекулы СО легко передают свою [c.293]

Рис. 1.4. Схема энергетических зон и положения уровня Ферми различных углеродных материалов. На схеме обозначены Ер — уровень Ферми, Е . — зона проводимости, А Е — запрещенная зона, Е — валентная зона

На рис. 6.14 приведены схемы энергетических уровней основных электронных состояний молекул СО2 и N2. Поскольку N2 — двухатомная молекула, она имеет лишь одну колебательную моду на рисунке показаны два нижних уровня (и = 0, v= )-Структура энергетических уровней молекулы СО2 более сложная, поскольку эта молекула является трехатомной. Здесь мы имеем три невырожденные колебательные моды (рис. 6.15), а именно 1) симметричную валентную моду, 2) деформационную моду и 3) асимметричную валентную моду. Поэтому колебания молекулы описываются тремя квантовыми числами П], П2 и пз, которые определяют число квантов в каждой колебательной моде. Таким образом, соответствующий уровень обозначается этими тремя квантовыми числами, записываемыми [c.361]

Основные пути решения этой задачи намечены в [33, 34]. В этих работах рассматривается квантовая двухуровневая схема усиления, в которой нижний энергетический уровень не заселен, т. е. в [c.89]

Применительно к реальной схеме энергетических уровней ионов неодима в гранате интересующие нас оптические переходы могут происходить с уровней накачки, включая уровень Рз/2 аниз, на мультиплеты h/2—" /15/2. Все эти переходы запрещены и их время жизни составляет 10 " с. С другой стороны, энергетические рассто-яния внутри или между соседними уровнями (мультиплетами) накачки, включая уровень " 3/2 относительно невелики по сравнению с энергией фононов. Поэтому вероятности безызлучательных переходов между ними велики, а время жизни оказывается малым (примерно 10 с). [22, 28, 30]. Следовательно, ионы, попадая на [c.20]

Прежде чем говорить о конкретных лазерных средах, будет полезным рассмотреть различные схемы энергетических уровней, на которых основаны накачка и лазерная генерация. Фактически мы обнаружим всего несколько основных схем. Выше мы уже привели простейшую схему, когда каждый из атомов активной среды содержит только два уровня. Оптический переход, в результате которого генерируется лазерное излучение, происходит между двумя этими уровнями. Поскольку для работы лазера необходимо большое число возбужденных атомов, требуется накачивать энергетически атомы с уровня 1 на уровень 2 за счет внешнего источника энергии (рис. 2.7). [c.44]

Фиг. 90. Схемы энергетических уровней, поясняющие образование прогрессий по деформационному колебанию при линейно-изогнутом переходе а — при параллельном переходе, б — при перпендикулярном переходе. Показан только один колебательный уровень (у=0) нижнего состояния (что соответствует поглощению при низкой температуре).

Вместе с тем сравнительно высокий уровень коэффициента избытка воздуха в ГТУ позволяет сжигать достаточно большое количество дополнительного топлива в среде продуктов сгорания, В результате из дополнительной камеры сгорания после ГТУ выходят газы с достаточно высокой температурой, пригодные для получения пара энергетических параметров в специально устанавливаемом для этой цели парогенераторе. На Кармановской ГРЭС по такой схеме [c.175]

Пример синтеза рациональной формы подпорной или причальной стенки [9]. Причальные и подпорные стенки предназначены для поддержания крупных и вертикальных откосов берегов, насыпей, выемок, естественных склонов, а также защиты откосов от волнового воздействия (рис. 1,20). Они часто используются гри транспортном и энергетическом гидротехническом строительстве, прокладке автомобильных и железных дорог и т. д. Причальные и подпорные стенки различаются как по назначению, так и по материалу, условиям работы, грунтам в основании и боковой поверхности, что обусловливает большое разнообразие их форм. Подпорная стенка является частным случаем причальной стенки, поэтому расчетная схема составлена для последней. Причальная стенка представляет собой бетонное сооружение высотой Н от 4 до 20 м (рис. 1.20). На нее воздействуют горизонтальные и вертикальные силы Я и О от собственной массы стенки, массы засыпки, швартовое усилие, волновое усилие, равномерно распределенная полезная нагрузка интенсивности и т. д. L — уровень воды). [c.48]

Сформулируем основные требования, предъявляемые к активатору. Ионы активатора должны обладать системой энергетических уровней, обеспечивающих работу лазера по четырехуровневой схеме (см. рис. 33, б). Конечный уровень лазерного перехода (уровень 2 на рис. 33, б или уровень 1ц/12 на рис. 34) должен быть расположен выше основного уровня (уровня 1 [c.65]

Распределение электронов в металле при абсолютном нуле. Металл для свободных электронов является потенциальной ямой выход из которой требует затраты работы по преодолению сил связи, удерживающих электрон в металле. На рис. 3.14 представлена схема такой ямы. Горизонтальными линиями показаны энергетические уровни, которые могут занимать электроны. В соответствии с принципом Паули на каждом таком уровне могут разместиться два электрона. Если электронный газ содержит N электронов, то последним будет занят уровень с номером N/2. Этот уровень называется уровнем Ферми для вырожденного электронного газа. Он [c.120]

На рис. -8.4 показана энергетическая схема вольфрама и кривая распределения электронов по энергиям при Г = О К (непрерывная линия) и при высокой температуре (штриховая линия). Из рис. 8.4 видно, что при повышении температуры хвост кривой распределения заходит за нулевой уровень потенциальной ямы, что свидетельствует о появлении некоторого числа электронов, обладающих кинетической энергией, превышающей высоту потенциального барьера. Такие электроны способны выходить из металла ( испаряться ), Поэтому нагретый металл испускает электроны. Это явление получило название термоэлектронной эмиссии. В заметной степени оно наблюдается лишь при высокой температуре, когда число термически возбужденных электронов, способных выйти из металла, оказывается достаточно большим. [c.211]

Несмотря на существенное усложнение тепловой схемы и высокий уровень расчетных начальных температур цикла (например, до 800 С в ГТУ-50 ХТЗ им. С. М. Кирова), достижимая предельная единичная мощность базовых ГТУ оказывалась значительно меньшей, чем в паротурбинных установках. Наконец, возможность использовать в качестве топлива только газ или кондиционное жидкое топливо еще больше сужает перспективы применения энергетических ГТУ как базовых агрегатов. Такие установки могут быть эффективно использованы лишь в отдаленных районах страны, где имеются благоприятные условия для обеспечения их газообразным или кондиционным жидким топливом (например, районы добычи или переработки этих топлив). В то же время из графиков электрической нагрузки различных районов Советского Союза следует, что для них характерным является наличие суточных и сезонных пиков. [c.61]

Более распространенной и свободной от указанных недостатков является четырехуровневая схема получения инверсной заселенности, изображенная на рис. 1.7,6. Усиление излучения средой с такой энергетической схемой уровней активных частиц возможно для перехода между уровнями 2 и 1. Возбуждение уровня 2 осуществляется так же, как и на рис. 1.7, а, путем безызлучательного перехода 3 2, а нижний рабочий уровень 1 должен эффективно расселяться путем безызлучательных переходов 1- 0. Условия, при которых в такой системе может возникнуть стационарная инверсная заселенность, имеют вид [c.32]

Мы показали, каким образом можно использовать три или четыре энергетических уровня какой-либо системы для получения инверсии населенностей. Будет ли система работать по трех- или четырехуровневой схеме (и будет ли она работать вообще ), зависит от того, насколько выполняются рассмотренные выше условия. Может возникнуть вопрос зачем использовать четырехуровневую схему, если уже трехуровневая оказывается весьма эффективной для получения инверсии населенностей Однако дело в том, что в четырехуровневом лазере инверсию получить гораздо легче. Чтобы убедиться в этом, прежде всего заметим, что разности энергий между рабочими уровнями лазера (рис. 1.4) обычно много больше, чем kT, и в соответствии со статистикой Больцмана [см., например, формулу (1.8)] почти все атомы при термодинамическом равновесии находятся в основном состоянии. Если мы теперь обозначим число атомов в единице объема среды как Nt, то в случае трехуровневой системы эти атомы первоначально будут находиться на уровне 1. Переведем теперь атомы с уровня 1 на уровень [c.17]

Тогда с этого уровня атомы будут релаксировать с переходом на более низкий уровень 2. Если такая релаксация происходит достаточно быстро, то уровень 3 остается практически незаселенным. В этом случае, для того чтобы населенности уровней 1 и 2 сделать одинаковыми, на уровень 2 нужно перевести половину атомов Nt, расположенных первоначально на основном уровне. Инверсию населенностей будет создавать любой атом, переведенный на верхний уровень сверх этой половины от общего числа атомов. Однако в четырехуровневом лазере, поскольку уровень 1 первоначально был также незаселенным, любой атом, оказавшийся в возбужденном состоянии, будет давать вклад в инверсию населенностей. Эти простые рассуждения показывают, что по возможности следует искать активные среды, работающие по четырехуровневой схеме. Для получения инверсии населенностей возможно, разумеется, использование н большего числа энергетических уровней. [c.17]

В заключение этого раздела мы кратко ознакомимся с двумя другими примерами лазерного усиления в условиях, отличаю-Ш.ИХСЯ от рассмотренных выше. В первом случае предполагают, что длительность хр импульса, который необходимо усилить, много меньше времени жизни атомов на нижнем энергетическом уровне лазера Это имеет место, например, в случае лазерного усилителя на рубине, в котором нижний уровень совпадает с основным состоянием. Аналогичная ситуация возникает также в усилителе на ионах Nd +, когда Хр < 1 не. В обоих случаях усилитель работает по трехуровневой схеме. Нетрудно показать, что приведенные выше формулы остаются справедливыми, но при условии, что Fs дается теперь выражением [c.490]

Принцип работы лазера. Инверсная населенность. Рассматриваемый нами лазер на гранате с неодимом работает по так называемой четырехуровневой схеме [3, 8, 18—21]. Ионы неодима, расположенные внутри кристалла граната, имеют систему энергетических уровней, схематически изображенную на рис. В. 1. Первый уровень, называемый основным, соответствует минимально возможному значению энергии, которую могут иметь ионы. Число ионов, имеющих минимальную энергию (находящихся на основном уровне), составляет большинство. Число ионов, находящихся на более высоких уровнях энергии, заметно меньше и оно подчиняется равновесному распределению Больцмана [8, 18—21] [c.5]

Многие достоинства неодимового стекла определяются особенностями энергетических состояний имеющихся в нем ионов неодима. Главная особенность состоит в том, что в отличие от рубина, энергетические переходы неодима соответствуют четырехуровневой схеме (рис. 4.5). Четырехуровневая схема отличается от трехуровневой тем, что стимулированное излучение в ней происходит при переходе активных частиц между уровнями 3 я 2, т которых уровень 2 расположен несколько выше основного уровня 1. Для исключения заселения уровня 2 активными частицами, т. е. обеспечения условий создания инверсной населенности уровня 3 по отношению к уровню 2, должно соблюдаться условие E2—Ei >kT. Практически систему можно считать четырехуровневой, если [c.165]

В энергетической схеме F-полоса приписывается электронным переходом с F-уровня в полосу проводимости. По аналогии F-полоса может быть приписана электронным переходам из заполненной полосы на F-уровень. [c.100]

Упрощенная схема функционирования подсистемы управления энергетическим хозяйством на уровне эксплуатации энергетического оборудования приведена на рис. 2-1. Здесь, как и на последующих рисунках, соответствующие технические устройства, документы и процедура их обработки даны в виде символов, расшифровка которых приведена в приложении 1. Обозначение различных носителей информации, обращающихся в системе управления энергетическим хозяйством, на рисунках и в тексте дано в виде двух цифр (например, 1 1 И 8, 111 5), первая из которых указывает уровень иерархии вторая — порядковый номер документа на этом уровне. [c.20]

Равновесная населенность рабочих уровней. Если обратиться к схеме энергетических уровней ионов неодима в кристалле граната (рис. 1.7), то легко увидеть, что относительно близко (по сравнению с kT) к основному уровню расположены лишь три штарков-ских подуровня Z2—Z4 основного мультиплета h/2. Все остальные уровни, начиная с пятого штарковского Z5 и выше, лежат заметно выше кТ и поэтому их населенность также заметно ниже чем у нулевого уровня. Так, например, согласно формуле Больцмана (В.1), равновесная населенность уровня Z , в 62 раза меньше, чем уровня Zi, а населенность уровня Yi в 15 860 раз меньше, чем уровня Zi, и т. д. Все это позволяет при проведении расчетов считать, что в отсутствие накачки подавляющая часть ионов сосредоточена на основном мультиплете " /9/2, точнее, на первых его четырех подуровнях. Поэтому при расчете концентрации населенностей всех уровней приближенно можно считать, что на указанных четырех подуровнях суммарная населенность равна концентрации ионов неодима Na в матрице. Оптимальная величина Na, как отмечалось в 1.1, равна примерно 5 10 см (1 ат %). Полагая в формуле (В.1) Ni Na 5 10 см легко рассчитать равновесные населенности всех остальных уровней, некоторые значения которых приведены на рис. 1.7. Из этих данных видно, что, если в качестве нижнего (второго) уровня рабочего перехода взять какой-либо из уровней мультиплета Vn/2, а в качестве верхнего (третьего) уровня рабочего перехода уровень Рг/2, та [c.18]

Для объяснения процесса накачки и создания инверсной заселенности уровней рассмотрим идеализированную схему энергетических уровней, изображенную на рис. 88. Индуцированное излучение с частотой vj, 2 в твердотельных лазерах образуется при переходе атомов с уровня 2 на уровень 1. Широкая зона 3 является вспомогательной и используется для создания инверсной заселенности. Конечная ширина этой зоны дает возможность использовать при возбуждении излучение с широким спектром. Возбужденные атомы быстро переходят с уровня 3 на уровень 2, причем этот переход происходит безызлучательно. При отсутствии воздействия внешнего стимулируюш его излучения возбужденные атомы переходят с уровня 2- в основное состояние спонтанно с излучением когерентного света. [c.128]

Для большинства многоатомных молекул связь электронного спина с молекулярным остовом слаба и схема энергетических уровней достаточно хорошо описывается с использованием базиса функций для случая Гунда (б). В этом случае система энергетических уровней подобна системе синглетного состояния, за исключением того, что каждый уровень имеет мультиплетность 2S1 (или, если N[c.292]

Поэтому наиболее широкое распространение получили инертные газы и их смеси. Система энергетических уровней газовых цред значительно проще, чем система атомов, введенных в кристаллическую решетку твердотельных активных веществ. Безызлучатель-ные переходы имеют меньшее значение, чем в твердых телах, однако для перевода активного вещества в возбужденное состояние не имеет смысла пользоваться излучением источника, имеющего спектр абсолютно черного тела, поскольку газ поглощает только иа отдельных линиях. Для возбуждения применяют два других метода возбуждение электронными ударами, и передача возбуждения при столкновении атомов. Первый газовый оптический квантовый генератор, разработанный в 1960 г. [9, 34], имел в качестве активного вещества смесь газов гелия и неона. На их примере и рассмотрим принцип работы газового активного вещества. Схема энергетических уровней показана на рис. 2.3. В газовой смеси электрический разряд, который возбуждает атомы гёлня и переводит их с основного энергетического уровня на уровень 2 5. Поскольку в газовом разряде происходят постоянные столкновения одних атомов с другими, то имеется определенная вероятность столкновения возбужденных атомов гелия с невозбужденными атомами неона, в результате которого атомы гелия передают свою энергию атомам неона, а сами возвращаются в основное состояние. Атомы неона вследствие увеличения внутренней энергии переходят из основного состояния на уровень 25, который, как это хорошо видно на рисунке, состоит из четырех подуровней. Поскольку перераспределение энергии при столкновении двух частиц происходит с минимальным изменением общей внутренней энергии, то атомы неона переходят в основном именно на уровень 2 5, а не на уровень 2Р или 15. Поэтому возникает инверсная населенность уровней 25 и 2Р. Суммарное число этих уровней сорок, но правилами отбора разрешены только тридцать переходов с уровней 25 на уровни 2Р. На пяти из этих переходов было получено стимули- [c.32]

Как уже отмечалось, для САПР характерно единство методологии на каждом уровне проектирования. Поэтому математическое обеспечение схемотехнического уровня САПР 0 Ш должно соответствовать математическому обеспечению системотехнического уровня, т. е. одни конструктивные параметры должны выражаться через другие. Схемы каждого из звеньев оптико-электронного трак-а являются основой для разработки проектной документации непосредственно для изготовления прибора, т. е. для решения конструкторских зада . Назовем уровень САПР, на котором осуществляется конструирование ОЭП, распределение объема, энергетических затрат и массы, уровнем рабочего проектирования. Выходной проектной документацией на этом уропне являются чертежи узлов и блоков ОЭП. [c.14]

Простейшей атомной системой с двумя валентными электронами является нейтральный атом гелия. Как мы видели, его термы распадаются на две группы одиночные и триплетные. Нормальным состоянием нейтрального атома гелия является одиночное состояние IsIs Sq второе формально возможное состояние Isls Sj не осуществляется, так как оно противоречит принципу Паули. При возбуждении атома или иона с двумя валентными электронами наиболее часто возникают состояния, при которых лишь один из двух электронов переведен на энергетически более высокий уровень, второй же остается на нормальном уровне Is. Схема 5 дает такие возможные состояния атома гелия и соответствующие им термы. Цифры в первых трех графах указывают число электронов, находящихся в данном состоянии. [c.160]

Стенд предназначен для проведения исследований моделей парогенераторов натрий — вода для энергетических реакторов. На рис. 3.2 приведена принципиальная схема стенда. Он состоит из трех жидкометаллических контуров и одного водяного. Границы контуров обозначены штрихпунктирной линией. Основной контур (первый) служит греющим для промежуточного (второго) контура. На нем проводятся также теплофизические исследования и испытание узлов различного назначения. В качестве циркулятора используется винтовой электромагнитный насос ЭНИВ-4 9 производительностью до 50 м /ч , источником тепла служат два графитовых электрических нагревателя 8 мощностью 250 кет каждый. Верхний уровень температуры подогрева натрия достигает 650° С. [c.34]

Рие, в. Энергетическая схема компенсированного полупроводника. Иввилистая ЛИНИН изображает искривление дна зоны проводимости, верхняя сплошная линия — энергию дна зоны проводимости в отсутствие примесного потевииала, вижння сплошная ЛИНИН — уровень Ферми, штрих-пунктирная линия— уровень протекания. Заштрихованы области, занятые электронами (электронные капли). [c.40]

Основная цель прогнозов на период от 5 до 10—15 лет заключается в выявлении наиболее вероятных тенденций роста потребностей в топливно-энергетических ресурсах и энергии всех видов (с учетом перспектив экспортно-импортных вза,имоотношений) и наиболее эффективных путей их покрытия. При этом оценивается необходимый размер трудовых затрат и капиталовложений, определяется схема размещения основных энергетических объектов, подлежащих сооружению и формирующих технический уровень топливно-энергетического хозяйства в целом. [c.38]

Первое отличие состоит в том, что функция формы полосы флуоресценции заменена на функцию J формы полосы поглощения. Второе отличие касается физического смысла функции Ano(uib, o,t)- В случае флуоресценции функция ni описывает число молекул пришедщих в возбужденное синглетное состояние, т. е. совпадает с функцией, определяющей согласно формуле p t) = rii t)/Ti двухфотонный коррелятор. Наоборот, в формуле (13.3) присутствует функция Дпо(шь, ojq, t), описывающая число молекул, ущедших из основного электронного состояния. В случае, когда мы принимаем во внимание только основное и первое возбужденное синглетное состояние, разницы между ними нет, потому что все возбужденные молекулы автоматически отсутствуют среди невозбужденных. Однако практически все органические молекулы описываются трехуровневой энергетической схемой (рис. 3.3), где между основным и возбужденным синглетным уровнями имеется триплетный уровень, присутствие которого сильно изменяет ситуацию. После электронного возбуждения происходит интеркомбинационный безызлучательный переход молекулы с возбужденного синглетного уровня на триплетный. Времена этого процесса находятся в наносекундной шкале, а переход с триплетного уровня на основной синглетный уровень происходит на три-девять порядков медленнее. Поэтому синглетно возбужденные молекулы очень быстро переходят на триплетный уровень, где и находятся весьма долго. Следовательно, хотя в синглетном возбужденном состоянии молекулы отсутствуют, провал в населенности основного состояния все же имеется, т, е. функция Ano wb, u)o,t) в формуле (13.3) отлична от нуля. Провал будет существовать до тех пор, пока молекула находится в три-плетном состоянии. Это время доходит до секунд. Именно долгое существование провала Ащ шь, шо, О населенности основного состояния и быстрое исчезновение ni возбужденных молекул после выключения возбуждающего [c.172]

Рис. 5.13. Энергетические схемы, отвечающие двухквантовому выжиганию через высоко возбужденный синглетный (а) и триплетный (б) уровень

Рис. 5.13. Энергетические схемы, отвечающие двухквантовому выжиганию через высоко <a href="/info/361584">возбужденный синглетный</a> (а) и триплетный (б) уровень

После резкого неприятия атомной энергетики, вызванного трагедией Чернобыля, население и общественность проявляют в настоящее время гораздо более трезвый и взвешенный подход к оценке приемлемости дальнейшего развития атомной энергетики в России, закономерно сопровождая его жесткими требованиями обеспечения гарантий безопасности мирного использования атомной энергии для человека и окружающей среды. Учитывая это, руководство Минатома России в последние годы предприняло целый ряд мер, направленных на вырабоп и реализацию новых концептуальных подходов и технических решений, серьезно повышающих уровень безопасности ядерно- и радиационно опасных производств и атомной энергетики в целом. Оставляя за рамками рассмотрения чисто инженерные вопросы повышения безопасности, отметим, что среди комплекса мер важное место занимает деятельность по реорганизации и совершенствованию концептуальной основы работ, связанных с обеспечением качества в ядер-но-энергетическом комплексе, внедрением современных подходов и схем, адекватных новым рыночным условиям хозяйствования и обеспечивающих эффективное управление качеством в отрасли. Принципиальные изменения происходят в отношении таких ключевых направлений деятельности, связанных с качеством, как си- [c.124]

Уровень 3 относится к основному состоянию и = 0. В этом случае инверсная населенность получается при выполнении условия А кТ, При этом излучение накачки должно насыщать переход 1- 2. Этот случай реализует M/D-излучение. Частота генерации отличается от частоты накачки на один-два вращательных кванта ( вр == (/ + 1)> где В —вращательная постоянная молекулы). В этом случае получается максимальный энергетический КПД = Vr/Vjj. На рис. 3.2, б представлена схема ГЛОН с накачкой в основной полосе с частотой Vi и генерацией в разностной полосе, т. е. при переходе с уровня Ух = 1 полосы (моды) Vi на уровень = 1 полосы (моды) Vg. Возможна также столкно-вительная передача возбуждения с уровня Ug = 1 моды на обертон V2 — 2 моды Vg (если энергии этих уровней близки) с последующей генерацией при переходе с уровня V2 = 2 на уровень [c.127]

Перспективы широкого практического использования нелинейно-оптических приемников зависят от параметров каждой из трех основных частей схемы приема — оптической накачки, нелинейной среды и системы регистрации излучения видимого диапазона. Если в вопросе регистрации видимого излучения трудно ожидать каких-либо качественных изменений, то по каждому из первых двух пунктов последнее время наблюдается заметный прогресс. Использование в качестве нелинейных сред новых кристаллов с большими нелинейными восприимчивостями, большими размерами и высоким оптическим качеством и в ряде случаев газов позволило суш,ественно ослабить ограничения, связанные с низким коэффициентом преобразования при сравнительно маломош,-ной накачке. С другой стороны, в области создания источников накачки наметился принципиальный сдвиг благодаря появлению полупроводниковых лазеров нового поколения. Совершенно реально ожидать в ближайшее время появления достаточно надежных малогабаритных источников накачки мош ностью порядка нескольких ватт в непрерывном режиме. Это выведет нелинейпо-оп-тические приемники уже на приборный уровень — непрерывный режим работы при высокой энергетической эффективности, малогабаритность и простота конструкции. [c.143]

Таким образом, с учетом реальных расстояний и времени жизни энергетических уровней ионов неодима в АИГ-матрице образуется близкая к идеальной четырехуровневая схема лазера (см. рис. В.1, 1.7, 1.8). В качестве уровней накачки 4 служат все вышележащие уровни, начиная с Метастабильным верхнилс уровнем рабочего перехода 3 может быть уровень -Fa/2, расщепленный на два подуровня / i(B) — 11 423 см и i 2(A) — 11507 см В качестве нижнего уровня 2 рабочего перехода может служить любой из уровней мультиплетов " /ц/2, 1 ыч- И наконеи, основной уровень — это совокупность подуровней нижнего мультиплета /9/2. Следовательно, лазерная генерация по четырехуровневой схеме, в принципе, может идти по целой гамме каналов, образованных разными штарковскими подуровнями мультиплетов. Однако практическое значение имеет лишь малое число таких каналов (реально три), так как остальные имеют низкую эффективность генерации. [c.21]

Процесс кросс-релаксационпого тушения заключается в передаче части энергии возбуждения от одного иона Nd +, возбужденного на уровень другому иону Nd +, в результате чего оба оказываются в более низких возбужденных энергетических состояниях, чем состояние Кросс-релаксационное тушение в неодимовых стеклах может протекать по трем различным схемам [83]. Первая схема соответствует резонансному размену энергии одного из ионов Nd , возбужденного в состояние Р-Ц2 (обозначим его через Kdц)( з/ )), а два возбуждения с более низкой энергией [c.41]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...