Микроэлектроника

Общепринята классификация ЭВМ по производительности, стоимости и, возможно, некоторым другим признакам. Однако четкое разделение ЭВМ на классы в настоящее время затруднено тем, что вследствие быстрого развития микроэлектроники ЭВМ, относящиеся по одним признакам, например, к мини-ЭВМ, по другим признакам должны быть отнесены к ЭВМ высокой производительно- [c.11]

Элементам микроэлектроники, не являющимся конструктивно самостоятельными, присваивают позиционные обозначения в соответствии с топологическими чертежами интегральных микросхем и представ- [c.187]

Мощность электронного луча может достигать очень больших величин, что делает его перспективным для сварки больших толщин (200—500 мм). Возможность высокой концентрации энергии при использовании малой мощности позволяет сваривать электронным лучом изделия микроэлектроники. [c.16]

Повышение вычислительной эффективности. Улучшение характеристик экономичности пакетов дает возможность рассмотрения на каждом иерархическом уровне проектирования более крупных (с точки зрения количества составляющих их элементов) объектов проектирования, что является прямой предпосылкой к улучшению качества и ускорению процесса проектирования. Особо остро проблема экономичности подсистем функционального проектирования стоит при создании САПР в такой бурно развивающейся области, как микроэлектроника. Эффективность пакетов функционального проектирования определяется в первую очередь экономичностью входящей в его состав подсистемы анализа, поэтому основные усилия специа-листов-разработчиков таких пакетов направлены на поиски путей повышения быстродействия процедур моделирования. В настоящее [c.151]

Импульсные твердотельные лазеры применяют для сварки малоразмерных деталей в микроэлектронике, приборостроении, где важно получать малоразмерные швы с минимальным разогревом окружающего зону сварки материала. Сварка может вестись как отдельными точками, так и герметичными швами при последовательном наложении точек с их перекрытием. [c.127]

Микроэлектроника. Качественно новый этап развития элект- [c.162]

ИНСТИТУТ ПРОБЛЕМ ТЕХНОЛОГИИ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ РАН, Черноголовка, [c.40]

Наряду с ЕС ЭВМ в нашей стране широкое распространение получили модели системы мини-ЭВМ. Динамическое развитие мини-ЭВМ стало возможным благодаря успехам микроэлектроники. По этим причинам характеристики мини-ЭВМ оказываются во многих случаях близкими к аналогичным характеристикам ЭВМ общего назначения, таких как ЕС ЭВМ. Модели СМ ЭВМ широко применяются в САПР. Технические данные различных моделей СМ ЭВМ представлены в табл. 2.2. [c.30]

Понимание явления сверхпроводимости на микроскопическом уровне привело к тому, что в настоящее время сверхпроводники из экзотических объектов физических исследований превратились в практически используемые материалы. На их основе изготовляют сверхпроводящие магниты, позволяющие получать поля до бХ Х10 А/м, кабели, по которым можно передавать без потерь большие потоки энергии. Все больший интерес вызывают сверхпроводники у специалистов, работающих в области микроэлектроники. Здесь наибольшее внимание уделяется созданию приборов, основанных на эффектах Джозефсона. Интенсивно ведутся работы по использованию сверхпроводников для создания логических элементов и элементов памяти ЭВМ. [c.271]

Диэлектрические потери очень сильно зависят от концентрации дефектов или примесных атомов. Таким образом, изучение диэлектрических потерь может дать важную информацию о дефектах и примесном составе. С другой стороны, изменяя плотность дефектов или примесей в кристалле, можно получать диэлектрики с широким интервалом изменения диэлектрических потерь. При этом особое значение приобретает вопрос об уменьшении диэлектрических потерь. Диэлектрики, например, широко используют в микроэлектронике. Плотность элементов в интегральных схемах может достигать 10 —10 см 2. Ясно, что вопрос об уменьшении выделения теплоты здесь исключительно важен. [c.302]

Аморфные диэлектрики в виде тонких пленок находят широкое применение в микроэлектронике. Во многих таких диэлектриках,, так же как и в аморфных полупроводниках, проводимость (весьма незначительная ) осуществляется путем перескоков из одного локализованного состояния в другое. Энергия активации этого процесса значительно ниже, чем энергия активации примесной проводимости в кристаллических диэлектриках. [c.371]

Последние достижения в области микроэлектроники и микропроцессорной техники позволяют создавать графические устройства со встроенными микропроцессорами для обработки ГИ, а также АРМ на основе персональных и профессиональных ЭВМ, которые связываются с большими ЭВМ для получения вычислительных ресурсов большой мощности. [c.11]

Следует отметить, что развитие микроэлектроники и микропроцессорной техники, появление 32-разрядных микропроцессоров постоянно увеличивает вычислительные ресурсы мини- н микро-ЭВМ, что существенно влияет на распределение задач. [c.18]

В технологии современной микроэлектроники делаются попытки использования ряда других диэлектрических материалов,в первую очередь для пассивирования поверхностей подложек и формирования двухслойных диэлектриков в МОП-приборах. [c.46]

Где применяют диэлектрические материалы в микроэлектронике [c.56]

В настоящее время информационно-измерительные системы проектируют на базе достижений современной микроэлектроники и вычислительной техники, как правило, по модульному (блочному) принципу. Примером таких систем, возникших первоначально в ядерной физике и атомной технике, а затем широко распространившихся и в других областях науки и. техники, являются Международная система КАМАК и система ВЕКТОР (СССР) [6]. [c.55]

В Основных направлениях экономического и социального развития СССР на 1981—1985 годы и на период до 1990 года в качестве одной из главных задач развития науки и ускорения технического прогресса поставлена задача Расширять автоматизацию проектно-конструкторских и научно-исследовательских работ с применением электронно-вычислительной техники Одним из ускорителей научно-технического прогресса является микроэлектроника, на базе которой разрабатываются приборы и устройства радиоэлектронной аппаратуры. Эти технические средства широко используются в создании измерительно-вычислительных комплексов, автоматизированных систем управления (АСУ), систем автоматизированного проектирования (САПР) и др. [c.3]

Микроэлектроника—это отрасль электроники, охватывающая проблемы исследования, конструирования, изготовления и применения микроэлектронных изделий. Микроэлектронное изделие — электронное устройство с высокой степенью миниатюризации. [c.81]

Примерная структура микроэлектроники приведена на рис. 3.1. [c.81]

Современные научные исследования предъявляют все более высокие требования к точности проводимых измерений. Несмотря на то, что точность измерений всегда была первостепенной задачей метрологии, исследования последнего времени, связанные с изучением микромира, освоением космического пространства, созданием, прецизионных устройств различного назначения, бурное развитие микроэлектроники, требуют проведения особо точных измерений. Значительно возросли, в частности, требования к точности измерения электродвижущей силы, частоты и [c.81]

Развитие микроэлектроники выдвинуло проблему изготовления тонких слоев (0,1 —10 мкм) полупроводниковых материалов, совершенных по кристаллической структуре и чистоте. Подобный слой выполняет роль электрода, связывающего полупроводник с электрической цепью. [c.287]

Успехи, достигнутые в последние годы в области микроэлектроники, открыли принципиально новые возможности для осуществления высокоэффективной автоматизации производственных процессов, проектно-конструкторских и научно-исследовательских работ. Широкое внедрение мини- и микро-ЭВМ с разнообразным современным периферийным оборудованием позволило создать системы распределенной обработки информации, на основе которых строят интегрированные системы управления, получившие название гибких автоматизированных производств (ГАП). Компонентами ГАП являются САПР, АСУ ТП с использованием ЭВМ и числового программного управления, АСУ производством (АСУП) и средства промышленной робототехники. Создание таких производств связано с коренной перестройкой управления производственной технологией на основе крупномасштабной автоматизации со сквозным применением средств вычислительной техники и роботизированных средств автоматизации, включая автоматизиро- [c.377]

Несмотря на то что вопросы моделирования и анализа технических объектов в САПР решены в большей мере, чем вопросы структурного синтеза, сохраняются также проблемы развития и совершенствования математического обеспечения и для этих процедур. Прежде всего нужно отметить отсутствие удовлетворительных по точности и экономичности математических моделей многих объектов и процессов, к которым относятся явление механического удара, процессы механической обработки деталей резанием, физические процессы в полупроводниковых СБИС с субмикрометровыми размерами и др. Значительный практический интерес представляет разработка библиотек макромоделей типовых объектов в различных предметных областях, например в двигателестроении, микроэлектронике, реакторостроении, робототехнике и т. п. [c.113]

В связи с развитием научно-технической революции резко возрос диапазон свариваемых толшии материалов, видов сварки. В настоящее время сваривают штериалы толщиной от нескольких микрон (в микроэлектронике) до нескольких метров (в тяжелом машиностроении). Наряду с традиционными конструкционными сталями сваривают специальные стали и сплавы на основе титана, циркония, молибдена, ниобия и других материалов, а также разнородные ма-териащя. [c.3]

Мультипликация (размножение) изображений занимает важное место в технологии производства интегральных схем для микроэлектроники. Мультиплицирование требуется при использовании группового метода изготовления изделий, в многоканальных системах обработки информации (например, при распознавании образов), а также необходимо для систем хранения и размножения информации и ряда других случаев. Обычно процедура преобразования отдельного изображения в большое число идентичных изображений осуществляется последовательным формированием изображений шаблона с помощью оптико-механических мультипликаторов, которые представляют собой сложнейший комплекс оптических, механических и электронных устройств, работающих во взаимосвязи. [c.61]

Агрегатный комплекс средств вычислительной техники, выполненных на базе микроэлектроники (АСВТ-М), включает в себя набор вычислительных машин и устройств различной производительности, системные периферийные устройства, широкий набор устройств связи с объектом и систему программного обеспечения. Этот комплекс предназначен для компоновки информационных и управляющих систем для различных отраслей народного хозяйства. На базе АСВТ-М с применением средств агрегатного ком- [c.335]

Пленки халькогенидных стеклообразных полупроводников применяют для создания элементов памяти в микросхемах перепрограммируемых постоянных запоминающих устройств ЭВМ, передающих телевизионных трубок (видиконов), фоточувствительных сред для записи оптической информации, а также в качестве неорганических фото- и электронных резистов при производстве изделий микроэлектроники. [c.12]

Диэлектрические материалы применяют в микроэлектронике в качестве изоляционных покрытий и масок при диф( )узии и ионной имплантации, герметизирующих покрытий легированных пленок, предотвращающих выход легирующих элементов, герметизирующих слоев, защищающих поверхности приборов от внещних воздействий, для диффузии примесей из слоев легированных оксидов, а также для геттерирования примесей и дефектов. Наиболее перспективны для этих целей оксид и нитрид кремния, а также имеющие более узкое применение оксинитрид кремния и некоторые стекла. [c.39]

В последнее время в микроэлектронике широко используют си-таллы. Для получения этого класса материалов в расплав, в котором приданных условиях центры кристаллизации отсутствуют, их искусственно вводят, например, в виде инородных частиц. Такие материалы обладают заранее заданными свойствами. Пластины из ситалла могут служить не только подложками, но и при тонкопленочной технологии коммутационными платами, на которые разводку наносят вакуумным термическим или ионно-плазменным напылением. Керамику обычно получают из смеси специально подобранных оксидов, которую термообрабатывают при высоких температурах, не доводя ее до плавления. Это значительно удешевляет технологический процесс, позволяет использовать оксиды, имеющие высокие температуры плавления, и предварительно до высокотемпературной обработки формовать изделия прессованием, литьем керамической массы и другими способами. [c.51]

Выращивание диэлектрических монокристаллов из расплава является передовой техологией, отдельные фрагменты которой применяют также для получения других классов диэлектрических материалов, используемых в микроэлектронике. Именно использование диэлектрических кристаллических материалов способствовало развитию таких новых перспективных направлений электронной техники, как оптоэлектроника, квантовая и функциональная электроника. Все известные кристаллические материалы, применяемые в настоящее время для изготовления подложек или планирующиеся к подобному использованию, получают по этой технологии. [c.51]

Композиционные материалы применяются в настояшее время в толстоплёночной микроэлектронике для изготовления проводниковых, резистивных и ёмкостных элементов. [c.44]

Часть 1 в основном включает сведения по ЕСКД, являющейся базовой системой, которая используется в той или иной степени в других системах стандартов. Текстовые документы, схемы, чертежи выполнены на требуемом уровне, необходимом для курсовых и дипломных проектов. Конструкторские документы на изделия микроэлектроники ввиду их специфичности выделены в самостоятельный раздел ЕСКД. Представлена документация при проектировании интегральных микросхем и микропроцессорных систем. Приведены также краткие справочные сведения, необходимые в учебном проектировании, из СПДС и СИБИД. [c.5]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...