Микросхемы

Компоновка проектируемых изделий на каждом иерархическом уровне осуществляется с помощью соответствующего набора модулей. Так, для построения электронных устройств ЕС ЭВМ используется пять модульных уровней 1) интегральная микросхема 2) ТЭЗ — типовой элемент замены, содержащий до 72 микросхем 3) панель, включающая до 40 ТЭЗ 4) рама, которая может содержать до шести панелей 5) стойка, объединяющая две или три рамы. [c.15]

Следовательно, САПР ТЭЗ современных ЕС ЭВМ относится к САПР простых объектов, а САПР многопроцессорных вычислительных систем на сверхбольших интегральных микросхемах — к САПР очень сложных объектов. [c.44]

Пример 6.3. Задача размещения. После того как решена задача компоновки, требуется определенным образом расположить компоненты, входящие в один блок. От того, как будут размещены микросхемы на определенной печатной плате, зависит длина соединительных проводников, от которой в свою очередь зависят уровень помех и время распространения сигналов. Подобные задачи получили название задач размещения. В общем случае требуется найти такое размещение компонентов du rfj,..., dn на множестве / i, qi,..., qm (ni>n) позиций монтажного пространства, при котором суммарная длина электрических соединений между компонентами была бы минимальной. Введем псевдо-булевы переменные [c.271]

СХЕМА ЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ ПРИНЦИПИАЛЬНАЯ ИЗДЕЛИЯ НА МИКРОСХЕМАХ [c.187]

Микросхема — микроэлектронное изделие, имеющее эквивалентную плотность монтажа не менее пяти элементов в 1 см объема, занимаемого схемой, и рассматриваемое как единое конструктивное целое. [c.187]

Приложение И.Система автоматизированного выполнения чертежей совмещенной топологии и отдельных слоев интегральной полупроводниковой микросхемы. [c.16]

На электрической принципиальной схеме интегральной микросхемы (рис. 24.8) элементы в перечень не записывают их расчетные номиналы и другие данные проставляют около У ГО элементов или на поле схемы. Кроме этого, должны быть [c.496]

Интегральная микросхема - это микроэлектронное изделие, выполняющее определенные функции преобразования и обработки сигнала или накапливания информации, например суммирование, имеющее высокую плотность упаковки (существуют приборы размером до 1 см ) электрически соединенных элементов. С точки зрения требований к испытаниям, приемке, поставке и эксплуатации, интегральная схема рассматривается как единое целое. [c.538]

По конструктивно-технологическому исполнению интегральные микросхемы подразделяются на гибридные и полупроводниковые. [c.538]

Полупроводниковая интегральная микросхема [c.539]

Фоторезист под действием соответствующего освещения изменяет свои свойства, и в результате на поверхности полупроводника получают защитный рельеф из фоторезиста, повторяющий рисунок фотошаблона. Неэкспонированные участки фоторезиста удаляют, а открытые участки оксида снимают травлением. Так создается оксидная маска требуемой конфигурации (схематически процесс фотолитографии показан на рис. 25.2а,б). Сквозь окна маски примеси поступают в полупроводник для создания элементов микросхемы. [c.539]

Полупроводниковая интегральная микросхема 541 [c.541]

Понятия представляют собой общие описания предметов и событий, характеризующихся одинаковыми наборами свойств, и могут находиться в подчиненности друг у друга. Самое общее понятие является базовым. Каждое более общее понятие по отношению к соседнему, менее общему понятию играет роль надпонятия. Например, для К155ТМ2 примером надпонятия является МИКРОСХЕМА. [c.140]

Часть интегральной микросхемы, реализующая функцию какого-либо электрорадиоэлемента, которая выполнена нераздельно от кристалла или подложки и не может быть выделена как самостоятельное изделие, называют элементом интегральной микросхемы (резисторы, конденсаторы, диоды и др.). [c.538]

Гибридные интегральные микросхемы (ГИМС) - микросхемы, представляющие собой подложку, на которую напыляют резисторы и проводники в виде пленки, получая таким образом плату. Конденсаторы и другие приборы, изготовленные отдельно, прикрепляют к подложке и присоединяют к предусмотренным на ней контактным площадкам. [c.538]

Полупроводниковые интегральные микросхемы (ПИМС) формируются из элементов (резисторов, конденсаторов, диодов, транзисторов и др.) внутри подложки. Подложка изготавливается из полупроводниковых материалов, обычно кремния или германия, и межэлементных соединений (проводников) на поверхности подложки. Размеры ПИМС порядка 1-5 мм . [c.538]

Чертеж, определяющий взаимное расположение всех элементов микросхемы и их соединение на плате (подложке) согласно принципиальной электрической схеме с з етом технологии изготовления, называют топологическим (изображение в одной проекции). [c.538]

Полупроводниковая интегральная микросхема Понятие о конструкции ПИМС [c.538]

Разработка и оформление чертежей на полупроводниковую микросхему тесно связаны с технологией ее изготовления, которая заключается в создании элементов микросхемы и их соединений в объеме и на поверхности полупроводниковой пластины (подложки). Технология изготовления ПИМС строится на сочетании двух основных методов диффузии и фотолитографии. С помощью диффузии (введение примесей) создаются объемные структуры элементов ПИМС, фотолитография позволяет получать необходимые конфигурацию и размеры этих структур [c.538]

В зависимости от примесей кремний приобретает электронную проводимость п или, наоборот, пропускает заряды с недостатком электронов, где места отсутствующих электронов условно называют дырками, то есть приобретает дырочную проводимость р. С целью получения локальных областей для элементов микросхемы формируют разделительные области р" -типа - области дырочной проводимости с повышенной концентрацией носителей. Создание элементов в полупроводниковом материале требует наличия р-и-переходов - границы между областями с электронной (и-типа) и дырочной (р-типа) проводимостью. На рис. 25.2 показана последовательность основных технологических операций изготовления ПИМС на биполярных транзисторах, получаемых по планарно-эпитаксиальной технологии (эпитаксия - процесс ориентированного наращивания атомов одного кристаллического вещества на другом). Изготовление ПИМС на биполярных транзисторах включает [c.539]

На свободных местах начертить тестовые элементы Vo и Ro, служащие для замера электрических параметров элементов микросхемы. Их выбирают из числа эталонов. Контактные площадки для подключения измерительных приборов должны иметь размеры не менее 30x30 мкм. [c.552]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...