Л <иер галогенидах инертных газов

Плазмотроны, создающие Струи плотной низкотемпературной П., широко применяются в разл. областях техники. В частности, с их помощью режут и сваривают металлы, наносят покрытия. В плазмохимии низкотемпературную П. используют для получения нек-рых хим. соединений, напр. галогенидов инертных газов, к-рые не удаётся получать др. путём. Кроме того, высокие темп-ры П. приводят к высокой скорости протекания хим. реакций — как прямых реакций синтеза, так и обратных реакций разложения. Если производить синтез на пролёте плазменной струи, расширяя и тем самым быстро охлаждая её иа след, участке (такая операция наз. закалкой), то можно затруднить обратные реакции разложения и существенно повысить выход требуемого продукта. [c.600]

При данном методе образования покрытий графитовые частицы засыпаются в реакционную камеру, через которую пропускается рабочая газовая смесь, состоящая из инертного газа, углеводорода, водорода и галогенида соответствующего металла. [c.140]

Осаждение рения из паровой фазы на нш и из металлов с высокой температурой плавления, особенно на вольфрамовые нити, описано в нескольких патентах [14, 15, 28, 29, 95]. Метод заключается в нагревании нити, предназначенной для покрытия, до высокой температуры в присутствии летучих галогенидов рения или в присутствии летучих галогенидов и инертного газа, например азота. В результате термического разложения галогенидов рения происходит отложение рения на металлической нити. Свойства покрытых рением металлических нитей описаны в литературе. [c.632]

Не реагирует с металлами до 1700° С в вакууме или инертном газе. Стоек против действия расплавленных галогенидов лантанидов Не реагирует до 1400° С в вакууме или инертном газе. Стоек против действия расплавов галогенидов Медленно разъедается расплавленными металлами, стоек против действия расплавленных галогенидов Взаимодействуют с расплавленными металлами с различной скоростью в зависимости от температуры. Чугун применим для электролитических ванн при получении технического мишметалла и церия Стоек при низких температурах (800—9(Ю° С), быстро реагирует при высоких температурах [c.364]

Как правило, пары галогенидов переносятся потоком газа. Для этого обычно используют восстановительные газы (водород, крекинг-аммиак и т. д.) или инертные газы (гелий, аргон). [c.369]

На пористую подину через вводную трубку подают в виде затравки мелкий порошок металла, который обычно получают измельчением крупного порошка в вихревой мельнице. Под подину вводят водород или смесь водорода с инертным газом с линейной скоростью газового потока, необходимой для приведения порошка в псевдо-ожиженное состояние (например, 5—10 см/с и выше в зависимости от соотношения Аг Нг в газе, плотности восстанавливаемого металла и задаваемой предельной крупности его частиц). После этого реактор разогревают до нужной температуры. Можно, кроме того, нагревать и смесь аргона с водородом. Из испарителя 1 в нижнюю часть реактора подаются пары галогенидов данного металла. Скорость подачи паров галогенидов регулируют [c.107]

Возможны различные варианты осуществления процесса в кипящем слое и конструкции установок. В одном из основных вариантов галоген (обычно иод) увлекается несущим газом (чаще всего аргоном) в колонну и создает там кипящий (псевдоожиженный) слой твердых частиц насыщающего элемента и инертного наполнителя. Галоген, реагируя с порошком насыщающего элемента, образует галогениды, которые затем разлагаются с выделением активного элемента, диффундирующего в металл. В другом варианте частицы насыщающего элемента образуют кипящий слой перед входом в реакционную камеру, но чаще всего используют первый вариант. [c.250]

Рассмотрим теперь наиболее интересный класс эксимерных лазеров, в которых атом инертного газа (например, Аг, Кг, Хе) в возбужденном состоянии соединяется с атомом галогена (например, F, С1), что приводит к образованию эксимерагалоге-нидов инертных газов. В качестве конкретных примеров укажем ArF (Я, = 193 нм), KrF (А, = 248 нм), ХеС1 (А, =309 нм) и ХеР (А, = 351 нм), которые генерируют все в УФ-диапазоне. То, почему галогениды инертных газов легко образуются в возбужденном состоянии, становится ясным, если учесть, что в возбужденном состоянии атомы инертных газов становятся химически сходными с атомами щелочных металлов, которые, как известно, легко вступают в реакцию с галогенами. Эта аналогия указывает также на то, что в возбужденном состоянии связь имеет ионный характер в процессе образования связи возбужденный электрон переходит от атома инертного газа к атому галогена, Поэтому подобное связанное состояние также называют состоянием с переносом заряда, Рассмотрим теперь подробнее КгР-лазер, так как он представляет собой один из наиболее важных лазеров данной категории. На рис, 6.26 приведена диаграмма потенциальной энергии молекулы KrF, Верхний лазерный уровень является состоянием с переносом заряда и ионной связью, которое при R = oo отвечает состоянию положительного иона Кг и состоянию 5 отрицательного иона F. Поэтому энергия при R = оо равна потенциалу ионизации атома криптона минус сродство атома фтора к электрону. При больших межъядерных расстояниях кривая энергии подчиняется закону Кулона. Таким образом, потенциал взаимодействия между двумя ионами простирается на гораздо большее расстояние (5— ЮЛ), чем в случае, когда преобладает ковалентное взаимодействие (ср., например, с рис, 6.24), Нижнее состояние имеет ковалентную связь и при R = oo отвечает состоянию 5 атома криптона и состоянию атома фтора. Таким образом, в основном состоянии атомные состояния инертного газа и галогена меняются местами. В результате взаимодействия соответствующих орбиталей верхнее и нижнее состояния при малых межъядерных расстояниях расщепляются на состояния 2 и П. Генерация происходит на переходе поскольку он имеет наибольшее [c.383]

Эксимерные лазеры на галогенидах инертных газов обычно накачиваются электрическим разрядом в соответствии с общей схемой, представленной на рис. 6,21, Предыонизация обычно до- [c.385]

Наиболее мощными источниками УФ когерентного излучения безусловно являются эксимерные лазеры на галогенидах инертных газов. Типичные параметры эксимерных лазеров приведены в табл. 2.1. На рис. 2.3 а приведены линии излучения эксимерных лазеров, аранжированные по энергиям излучения, получаемые в одной лазерной системе за счет смены рабочей газовой смеси [29]. Видно, что наибольшей эффективностью обладает лазер на Кг—Р. Вторыми по эффективности являются ХеС1-, ХеР- и АгР-лазеры. Лазеры на КгС1 и ХеВг наименее эффективные из этого класса лазеров и в настоящее время пока не нашли широкого применения. [c.45]

Каждому кристаллич. веществу присуща определ. кристаллич. структура, но при изменении термодина-мпч. условий она иногда может меняться полиморфизм). Обычно чем проще ф-ла соединения, тем более симметрична его структура. Кристаллы со сходной хим. ф-лой (в смысле числа и соотношения разл. атомов) могут иметь одинаковую кристаллич. структуру, несмотря на различие типов связи (т. н. и з о с т р у к-т у р н о ст ь) напр. изоструктурны галогениды щелочных металлов типа Na l и нек-рые окислы (напр., MgO), ряд сплавов (напр., Ti —Ni). Существуют боль-П1ие серии изоструктурных соединений с ф-лами вида АВ2, АВ3, АВХд и т. п. Изоструктурны кристаллы мн, элементов, напр, кристаллы 7-Fe и Си, образующие грапецентриров. Ky(jH4. решётку, но такую же структуру имеют и отвердевшие инертные газы. Если кристаллы изоструктурны и обладают одинаковы.м типом связи, их наз. изоморфными (см. Изоморфизм), Во мн. случаях между изоморфными кристаллами возможно образование непрерывного ряда твёрдых растворов. [c.516]

Выбор правильного исходного предложения может быть сделав из того факта, что стремление к заполнению внешней оболочки неметаллических атомов до конфигурации инертного газа s p столь велико, что в ионных соединениях типа Na l металл всегда передает все валентные электроны галогену, кислороду и другим неметаллическим атомам, которые превращаются в анионы с заполненной з р 0болочкой благородных газов. На этом представлении основана классическая теория валентности ионных соединений. Эта теория и привела к выяснению происхождения кристаллической структуры карбидов, нитридов, окислов, галогенидов, поскольку переход валентных электронов ведет к образованию ионов с внешними р -обо-лочками, перекрытие которых приводит к возникновению шести коротких и сильных а-связей, усиленных кулоновским притяжением катионов и анионов. [c.86]

Букле и Убеллоде [147] определяли критическое переохлаждение капель галогенидов щелочных металлов в среде инертного газа (см. табл. 32). Капли образовывались из пересыщенного пара, момент кристаллизации отмечался по появлению характерного мерцания частиц при наблюдении капельного облака в телескоп. Размер частиц [c.165]

Установка снабжена вакуумным насосом ВН-4Г, который защищен фильтром 12 (см. рис. 57). Холодильник 15 (см. рис. 57) — герметичная реторта, снабженная сосудом с ребрами и воронкообразным выводом для жидкого азота. При работе откачной системы на ребрах холодильника конденсируются галогениды. Предусмотрена также продувка муфеля инертным газом для полного удаления галогенидов после окончания процесса насыщения. ЭлеКтроконтактный мановакууметр 3 (типа ЗКМ) обеспечивает визуальный контроль давления выше нормы. Для аварийного случая предусмотрена предохранительная мембрана 4. [c.102]

Так называемый метод кипящего слоя широко применяется в химической технологии для осуществления реакции между газами и твердыми материалами. Сущность его заключается в том, что твердый измельченный реагент загружают в специальный обогреваемый реактор, через который снизу вдувают необходимые для реакции газы. Скорость подачи газа, конструкцию форсунки и самого реактора подбирают так, чтобы слой порошка находился во взвешенном псевдоожиженном, кипящем состоянии. Для нанесения покрытий на частицы методом термической диссоциации разлагающийся газ (пары галогенидов металлов или углеводороды для пироуглеродных покрытий) используют не в чистом виде, а в смеси с инертным газом-носителем, чаще всего аргоном или гелием. [c.241]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...