Сродство к электрону

Образование анионов происходит в результате присоединения электрона к атому. Мерой способности к такому присоединению служит так называемое сродство к электрону. [c.9]

Захват электронов с образованием тяжелых отрицательных ионов может осуществляться и другими атомами металлоидов, которые обладают довольно большим сродством к электрону (3...4 эВ). В дуговом разряде под флюсом из галогенов могут происходить, например, такие процессы [c.46]

За приближенное значение электроотрицательности атома обычно принимают среднее арифметическое первого ионизационного потенциала и энергии сродства к электрону [c.57]

Все элементы периодической таблицы Менделеева можно расположить в ряд по значению электроотрицательности (табл. 2.1). Из табл. 2.1 видно, что значения электроотрицательности изменяются от 0,7 эВ для s до 4 эВ для F. Фтор — наиболее электроотрицательный элемент. Каждый ряд периодической таблицы начинается с наиболее электроположительных элементов, т. е. наиболее склонных к образованию полол<ительных ионов (щелочные металлы, имеющие малые энергии ионизации и малые энергии сродства к электрону). На другом, правом, конце [c.58]

Таблица 25. 15. Ширина запрещенной зоны g, сродство к электрону х и порог фотоэмиссии hv, различных полупроводниковых материалов [16]

Рассчитаем энергию связи как сумму энергии взаимодействия между всеми парами ионов (это значит, что мы ее определяем как разность энергии кристалла и изолированных ионов если ее отсчитывать от энергии изолированных нейтральных атомов, то нужно учесть дополнительно вклад энергии ионизации и сродства к электрону). [c.26]

Остановимся еще на одном аспекте теории энергии связи кристалла. Более последовательно ее определять как энергию разделения кристалла на нейтральные атомы (а не заряженные ионы). В этом случае следует приведенные величины дополнить вкладом энергии ионизации атомов металлов и энергии сродства к электрону атомов неметалла. Учет энергии ионизации (затрачиваемой на удаление из атома одного или нескольких электронов) и энергии сродства к электрону (выделяемой при присоединении электрона к атому) весьма важен при определении энергии связи и многих физических свойств твердых тел. Для иллюстрации типичных величин в табл. 2.7 приведены значения энергии ионизации первого электрона 1+ и энергии сродства к электрону для элементов первых трех периодов таблицы Менделеева. Соответствующие значения для остальных элементов, а также вторые ионизационные потенциалы можно найти в [2, 4]. [c.35]

Электронная конфигурация атомов Периодической таблицы, орбитальные радиусы внешних электронов, энергии ионизации, сродства к электрону [c.36]

Энергия, необходимая для удаления электрона из атома, называется энергией ионизации. Она является количественной мерой прочности связей самых внешних электронов с атомом, В результате ионизации атом становится ионом. При образовании внешней замкнутой оболочки присоединяется электрон к атому и происходит выделение энергии, называемой энергией сродства к электрону. Энергия сродства равна с обратным знаком энергии ионизации положительного [c.302]

В пределах каждого периода периодической системы элементов Менделеева при переходе от щелочного металла к благородному газу, относящемуся к тому же периоду, происходит постепенное заполнение внешней оболочки до тех пор, пока она не станет замкнутой. Поэтому с внешней оболочки могут быть удалены 2, 3 электрона и т.д. Энергия ионизации при этом растет. Это объясняется тем, что внешние электроны находятся у этих атомов в эффективном поле 2е, Ъе и т.д. Например, электроны внешней оболочки у лития, бериллия, бора и углерода находятся соответственно в эффективном поле заряда е, 1е, Ъе, 4е. Если же в пределах периода переходить от инертного газа к nie-лочному металлу того же периода, то можно говорить об увеличении числа недостающих до замкнутой оболочки электронов. С увеличением числа недостающих электронов энергия сродства к электрону убывает, что объясняется аналогично росту энергии ионизации при переходе к более тяжелым элементам в пределах одного и того же периода. [c.303]

В экспериментальной практике исследования различных адсорбционных и коррозионных процессов в последние годы находят широкое применение тонкопленочные датчики из различных металлов [28]. Современная теория физических процессов, развивающихся в тонких металлических пленках, в ряде случаев позволяет объяснить влияние адсорбированных частиц на электрофизические свойства тонких пленок. Изменение состояния поверхности металлической пленки при адсорбции на ней молекул адсорбата может существенно влиять на ее электропроводность. Так, если адсорбция сопровождается обменом электронами между адсорбированной частицей и металлом, может измениться концентрация электронов в зоне проводимости металла и, следовательно, электропроводность пленки. Предполагается, что если адсорбированная частица имеет большее сродство к электрону, чем атом металла, то адсорбция ве-,дет к снижению электропроводности пленки (акцепторные свойства частиц). Напротив, адсорбированные частицы, отдающие свои электроны металлу (донорные свойства), повышают электропроводность пленки [29]. [c.31]

Сродство к электрону 273, 279 Строение 271 [c.534]

ПОВЕРХНОСТНАЯ ИОНИЗАЦИЯ — образование ионов в процессе термин, десорбции частиц с поверхности твёрдого тела. Путём П. и. могут образовываться положительные и отрицат. ионы (последние, если частица обладает сродством к электрону) атомов, молекул, радикалов и ассоциатов (частиц, образующихся присоединением к молекуле атома или др, частицы), П. и.— термически равновесный процесс, испарившиеся частицы имеют больцмановское распределение по энергии с темп-рой Т распределения, равной темп-ре твёрдого тела. [c.645]

При столкновениях образуются также возбуждённые атомы, к-рые высвечиваются (УФ-излучение) за время 10 с. Энергия фотонов йоа почти всегда превосходит работу выхода электронов с поверхности катода, поэтому вырванные (с вероятностью 10 ) фотоэлектроны также движутся к аноду, усложняя картину разряда и образуя лавинные серии — последовательно затухающую цепочку импульсов, отстоящих друг от друга на время дрейфа электронов от катода к аноду. Фотоэлектронную эмиссию можно ослабить, если в состав газа кроме инертных (Ат, Кг, Хе) ввести многоатомные газы (СН С И , СО я т. д.), поглощающие УФ-излучение. Т. к. электроны поглощают газы и пары со сродством к электрону (О, НаО, галогены), то их в смеси П. с. должно быть мин. кол-во (концентрация О 10 см ). [c.147]

Молекулы фуллеренов обладают высокой электроотрицательностью и способны присоединять к себе до шести свободных электронов. Это делает их сильными окислителями, способными образовывать множество новых химических соединений с новыми интересными свойствами. Сродство к элек-зрону С-60 2,65 0,05 эВ. В [28] впервые экспериментально определено сродство к электрону для высших фуллеренов Сго+гп (/ =-2-13). [c.58]

Перед инертными газами располагаются галогены (элементы VII группы периодической системы со значением первого ионизационного потенциала от 10 до 18 эВ) —F, С1, Вг, J, у которых не хватает одного электрона для образования устойчивых электронных оболочек ближайших к ним атомов инертных газов, поэтому они легко присоединяют к себе электрон, образуя соответствующие отрицательные ионы — анионы F , С1 , Вг- J-. Энергию Э, освобождаюш,уюся при присоединении электрона к нейтральному невозбужденному атому с образованием аниона, называют энергией сродства атома к электрону. Наибольшим сродством к электрону обладают атомы галоидов F — 3,4 эВ, С1 — 3,6 эВ, Вг — 3,4 эВ, J — 3,1 эВ. С понятиями потенциала ионизации и энергии сродства к электрону тесно связана ионная валентность, определяемая как число электронов, которое может терять или приобретать атом. Щелочные металлы положительно одновалентны, поскольку они содержат на один электрон больше, чем атомы соответствующих ближайших инертных элементов, например ионная валентность атома Na равна -f 1. Атомы галоидов отрицательно одновалентны, у них не хватает одного электрона для образования устойчивой оболочки ближайших атомов инертных газов. Так, для атома С1 ионная валентность равна —1. Аналогично атомы II группы, теряя два электрона, могут также образовывать ионы с электронной структурой ближайших атомов инертных газов Be +, Mg-+, Са2+, Sf2+, и, следовательно, эти атомы обладают положительной валентностью, равной +2 атомы III группы, теряя три электрона, могут образовывать ионы с валентностью +3 и т. д. [c.57]

Но у химических соединений из-за различия природы взаимодействующих атомов гомеополярная связь не возникает. Всегда один из атомов будет обладать ббльщим сродством к электрону, вследствие чего электронная пара сместится в его сторону. Смещение льюисовской электронной пары (поляризация ковалентной связи) происходит в направлении более электроотрицательного атома. [c.97]

В этой же таблице приведены и величины электроотрицательности, характеризующей склонность атома притягивать обобществленные электроны, когда атом становится частью молекулы. Существует несколько шкал электроотрицательности. Например, согласно [8], электроотрицательность есть полусумма энергии ионизации и энергии сродства к электрону. Большое распространение получила шкала электроотрицательности по Полингу [9], построенная с учетом эмпирических данных об энергии связи различных элементов и привязанная к электроотрицательности атома F, принятой за максимальную (и равную 4). По Полингу, мерой электроотрицательности может служить разность энергий связи двухатомной гетероядерной молекулы и полусуммы энергии [c.35]

В заключение приведем оценку величины энергии ионной связи, которая, кстати, реализуется, если один из атомов имеет низкую энергию ионизации, а второй — высокую энергию сродства к электрону. Типичный пример — Na l. [c.37]

В некоторых газах, например в [кислороде, углекислом газе, парах воды, отделившийся электрон при одной из ближайших встреч с другой нейтральной молекулой соединяется с ней, превращая ее в электроотрицательный ион. Присоединение, прилипание электрона к нейтральной молекуле приводит в подобных случаях к такой перестройке ее электронной оболочки, что в итоге энергия молекулы, захватившей лишний электрон, оказывается меньше энергии нейтральной молекулы на некоторую величину, которую называют энергией сродства к электрону. Она колеблется у большинства различных газов 0,75—4,5 эВ. В инертных газах — в аргоне, неоне, гелии, криптоне, ксеноне, а также в азоте — отрицательные ионы не возникают. При разряле в воздухе образуется положительные ионы 0+, О2, N+, N2, N0 -, [c.60]

Сродство атомов к электрону и электроотрицательность. Энергия, выделяемая при образовании отрицательного иона, когда свободный электрон присоединяется к нейтральному атому, называется сродством к электрону и выражается либо в электроновольтах, либо в ккал1грамматом. [c.273]

ДВУМЕРНЫЕ ПРОВОДНИКИ — искусственно созданные электропроводянлие системы на границе раздела двух плохо проводящих сред, напр, вакуум — диэлектрик, полупроводник—диэлектрик. Пример Д. п.— слой электронов, удерживаемых над поверхностью диэлектрика с отрицательным сродством к электрону (напр., жидкого Не рис.) силами электростатического изображения (электроны поляризуют диэлектрик и притягиваются к нему), а также внеш. постоянным [c.565]

Оз достаточно устойчивы, энергия их диссоциации 493Л ) кДж/моль (при О К), ыежъпдерное расстояние 0,120735 им. Энергия иони.эации молекулы Oj 12,2 эВ, сродство к. электрону 0,94 эВ. Б молекуле Од межъядер-вое расстояние 0,12717 нм, валентный угол 0—0—О 11С,78 . Озон неустойчив и легко распадается О3- -- Оз+О. [c.371]

КРЁМНИЙ (Sili ium), Si, хим. элемент IV группы периодич. системы элементов, ат. номер 14, ат. масса 28,0855, относится к неметаллам. Природный К. состоит из стабильных изотонов (92,23%), (4,67%) и "Si (3,10%). Конфигурация внеш. электронной оболочки Энергии последоват. ионизации 8,151, 16,342, 33,530, 45,141 эВ. Энергия сродства к. электрону [c.489]

Представления о МО используются при интерпретации разл. видов электронных молекулярных спектров. При этом учитывают след, приближённые результаты теории МО энергия ионизации молекулы при удалении электрона с орбитали ф есть энергия электрона на этой орбитали — е энергия сродства к электрону при добавлении электрона на вакантную МО есть Сд энергия электронного возбуждения, связанная с переходом электрона с заполненной МО ф1 на вакантную МО Фот есть д е . [c.194]

Оси. характеристикой О. и. является энергия связи электрона и захватившего его атома, наз. энергией сродства к электрону и обозначаемая ЕА (ele tron affinity). ЕА значительно меньше потенциалов ионизации атомов (табл. 1). [c.514]

СЕЛЁН (Selenium), Se,— хим. элемент VI группы периодич. системы злемеитов, ат. номер 34, ат. масса 78,96. Природный С.— смесь 6 изотопов Se, Se— 5е, 8 Se и Se, в к-рой преобладает Se (49,7%), а меньше всего Se (0,9%). Конфигурация внеш. электронных оболочек атома is p. Энергии последоват. ионизации 9,752 21,2 32,0 42,9 и 68,3 эВ соответственно. Атомный радиус 0,16 нм, радиус ионов Se 0,069 нм, Se 0,163 нм. Значение электроотрицательности 2,48. Сродство к электрону 2,02 эВ. [c.485]

Смотреть страницы где упоминается термин Сродство к электрону : [c.58] [c.70] [c.96] [c.273] [c.280] [c.368] [c.87] [c.185] [c.185] [c.201] [c.207] [c.310] [c.371] [c.598] [c.79] [c.475] [c.605] [c.619] [c.635] [c.403] [c.432] [c.432] [c.429]

Кластеры и малые частицы (1986) -- [ c.227 , c.232 , c.233 , c.259 ]

Физическая теория газовой динамики (1968) -- [ c.100 ]

Электронные спектры и строение многоатомных молекул (1969) -- [ c.439 , c.443 ]

Лазеры на гетероструктурах (1981) -- [ c.15 ]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...