Термоэлектронный эффект

При всех видах трения и различных сочетаниях материалов трущихся пар (твердые о твердые, твердые о жидкие и газообразные, диэлектрик по металлу, металл по металлу и пр.) обнаруживается термоэлектронный эффект. [c.49]

Экспериментальные исследования термоэлектронного эффекта при трении и других видах воздействия на поверхность твердого тела показывают, что электрические разряды производят дробление материала поверхностного слоя и являются весьма существен- [c.49]

Акустические и термоэлектронные эффекты, возникающие в процессе трения, вызывают ряд других вредных явлений. [c.67]

Таким образом, возникающий акустический эффект в процессе трения твердых тел действует совместно с термоэлектронным эффектом, усиливает возбуждающие силы в машинах и механизмах и оказывает весьма вредное влияние на работоспособность трущихся поверхностей. [c.67]

Рис. 2.25. Зависимость плотности авто-термоэлектронного тока с вольфрама от напряженности поля у катода с учетом эффекта Шоттки (заштрихована область реальных плотностей тока в сварочных дугах)

Основным механизмом эмиссии электронов в W-дугах можно считать термоэлектронную эмиссию и эффект Шоттки. [c.79]

Приложение внешнего смещения V вызывает изменение формы барьера и величины ДФ. Этот эффект аналогичен эффекту Шоттки при термоэлектронной эмиссии в вакуум. Учет этого эффекта в предположении, что форма барьеров у границ металл — диэлектрик определяется только силой электрического изображения, приводит к следующему приближенному выражению для плотности тока, текущего через структуру металл— диэлектрик—металл (МДМ) [c.276]

Современные достижения в области физических исследований металлов свидетельствуют о перспективности использования не только световой, но и электронной тепловой микроскопии, когда контраст изображения обусловлен не геометрическим профилем поверхности образца, а определенными характеристиками исследуемого материала, например, работой выхода электрона при термоэлектронной или фотоэмиссии кроме того, в качестве такой характеристики может быть использован коэффициент вторичной электронной эмиссии при бомбардировке первичными электронами. Эти характеристики существенно зависят от состава, фазового состояния, ориентации и температуры изучаемого объекта, поэтому, например, эмиссионная высокотемпературная микроскопия вследствие более высокой разрешающей способности обеспечивает получение большего объема информации по сравнению со световой тепловой микроскопией. При микроструктурном изучении процессов деформирования и разрушения принципиально новые результаты могут быть получены при использовании эффекта экзоэлектронной эмиссии, позволяющего количественно характеризовать определенное энергетическое состояние локальных участков исследуемого образца, что является весьма ценным дополнением к наблюдаемым в металлографический микроскоп качественным структурным изменениям, связанным с накоплением дефектов в поверхностных слоях материала. [c.6]

Д. п. и испарение полем можно рассматривать как термич. испарение ионов, преодолевающих за счёт теплового возбуждения потенциальный барьер, сниженный сильным электрич. полем (аналогично термоэлектронной эмиссии в сильном электрич. поле, см. также Шоттки эффект). Д. п. можно рассматривать и как поверхностную ионизацию В сильном электрич. поле. Для частиц с относительно низкой энергией ионизации и для не слишком низких темп-р теория удовлетворительно определяет кратность заряда ионов и объясняет наблюдаемую связь между десорбирующим полем Е и темп-рой Т для одной и той же скорости Д. п. [c.585]

Кроме этих тепловых и термоупругих явлений, свойственных всем кристаллам, в диэлектриках в ряде случаев возникают различные теплоэлектрические эффекты. В зоне контакта различных диэлектриков и полупроводников (а также металлов) может возникнуть термо-ЭДС, величина которой зависит от разности температур между двумя контактами и различия в работе выхода электронов. При высоких температурах возможны термоэлектронная и термоионная эмиссии с поверхности диэлектриков. В диэлектриках, длительное время подвергавшихся воздействию электрического поля или облучения, нагревание приводит к появлению термостимулированных токов деполяризации (ТСД). [c.23]

Таким образом, качественно процесс трения характеризуется термоэлектронными, термическими, акустическими и другими физическими явлениями, а количественно — механическим эффектом (коэффициентом и величиной силы трения и износом поверхности). [c.26]

Установленные на основании экспериментальных и теоретических исследований методы локализации термоэлектронного и акустического эффектов при трении твердых тел открывают большие возможности повышения долговечности трущихся частей машин и механизмов и дальнейшего развития теории о процессах трения и износа. [c.67]

Излучение проводником электронов называется электронной эмиссией. А так как в рассмотренном случае эмиссия возникает в результате нагрева проводника, то мы имеем дело с термоэлектронной эмиссией. Большинство электронных приборов основано на применении явления термоэлектронной эмиссии, называемого еще эффектом Эдисона. [c.93]

Исследование заряжения поверхности методом контактной разности потенциалов. Комбинация контактной разности потенциалов с эффектом поля. В тех случаях, когда методика эффекта поля оказывается неэффективной (высокая плотность ПЭС, недостижимость минимума поверхностной проводимости), определенную информацию о заряжении поверхности при таких активных воздействиях, как адсорбция, термовакуумные обработки, облучение и т.п. может дать метод контактной разности потенциалов (КРП). Величина КРП между исследуемым и отсчетным электродами Дф равна разности их термоэлектронных работ выхода, деленной на элементарный заряд д. Для полупроводникового кристалла термоэлектронная работа выхода определяется соотношением [c.110]

Однако даже когда нас интересуют лишь объемные свойства, нам все равно приходится иметь дело с поверхностью при необходимости описать эксперимент, связанный с удалением электрона из металла (например, измерение напряжения посредством вольтметра). Хотя вначале электрон расположен в глубине металла, требуемая для его извлечения энергия всегда зависит не только от условий в объеме образца, но и от поверхностных условий. Это происходит потому, что вблизи поверхности возникают отклонения в распределении электронного заряда, которые ввиду большого радиуса действия кулоновского взаимодействия влияют на энергию уровней вдали от поверхности. Подобными эффектами объясняются явления контактной разности потенциалов (см. ниже), термоэлектронной эмиссии (испарения электронов из металла при высоких [c.353]

Фурье (Fourier) Жан Батист Жозеф П68-1830) — французский математик и физик. Труды по алгебре, дифференциальным уравнениям и особенно математической физике. В Аналитической теории тепла (1822 г.) развил метод ыредставления функций тригонометрическими рядами (ряды Фурье). Исследовал термоэлектронный эффект, построил первую термоэлектрическую батарею. [c.287]

Электризация твердых частиц и ионизация путем термоэлектронной эмиссии и фотоэмиссии были исследованы Содха [718, 7191, который использовал метод Эйнбиндера [185], следуя кинетической теории, но пренебрег эффектом пространственного заряда. [c.453]

В W-дугах при высокой температуре катода (Г>4500...5000 К) вероятен термоэлектронный ток, измененный при >10 В/мм эффектом Шоттки. Наличие полупроводниковых пленок на тори-рованном или лантанированном вольфраме может сильно сни- [c.69]

Кроме шумов, обусловленных тепловым движением электронов в проводниках, существует шум, создаваемый тепловым движением электронов в фотокатоде. При таком движении электроны будут самопроизвольно вырываться из катода, создавая дополнительный фототок, который называют темновым током, т. е. не связанным с освещением фотокатода. Темповой ток можно измерить при отсутствии светового сигнала и скомпенсировать его обычными методами. Но флуктуации темпового тока создают дополнительные шумы и этим тоже ограничивают чувствительность измерений. Это явление носит название дробового эффекта для термоэлектронной эмиссии. Вторая причина дробового эффекта связана с тем, что электрический ток образован перемещением конечных элементарных зарядов. Если сила измеряе.мого фототока /, то число электронов, вылетающих из фотокатода каждую секунду, равно =// . Это число подвержено флуктуациям, так что сила тока лишь в среднем остается постоянной. [c.177]

Для того чтобы наблюдать многофотонный внешний фотоэс зфект, недосгаточно иметь излучение высокой интен сивности. Нужно также, чтобы рассматриваемый эффект не маскировался эффектом термоэлектронной эмиссии, для которой красная граница, очевидно, не существует. Чтобы уменьшить нагревание фотокатода при облучении его интенсивным светом и тем самым подавить термоэлектронную эмиссию, применяют сверхкороткие лазерные импульсы длительностью 10 —10 с и скользящее освещение поверхности фотокатода (угол падения больше 80°). В этом случае удается надежно зарегистрировать фотоэлектроны далеко за красной границей (Оо (например, до частоты (йо/Б). [c.229]

Этот ток имеет в основном три составляющие. Первая обусловлена попаданием во время работы на сетку лампы некоторого количества электронов из катода. Для устранения этого на сетку подают отрицательное напряжение смещение. Вторая составляющая вызвана ионизацией остатков газа в лампе или распылением катода, а третья—электронной эмиссией самой сетки. Для уменьшения второй составляющей сетка внутри лампы крепится на особых стеклянных держателях, защищающих от попадания на ее поверхность проводящих частиц. Уменьшение термоэлектронной эмиссии достигается снижением температуры внутри лампы, для чего понижают температуру катода, применяя специальные материалы. Электрометрическая лампа закрывается экраном от доступа света с целью устранения фотоэлектрс. шого эффекта от внешних источников. [c.41]

НОТТИНГЕМА ЭФФЕКТ — выделение тепла на катоде при автоэлектронной эмиссии и поглощение тепла при термоэлектронной эмиссии, обусловленные разницей между ср. энергией электронов, подходящих к поверхности катода и покидающих его. При автоэлектронной эмиссии (при низкой темп-ре рис., в) расоре- [c.363]

Мин. энергия, требуемая для эмиссии электрона при фотоэлектрич. эффекте, при вторичной электров-ной эмиссии, когда эмиссия происходит не в результате спонтанного теплового возбуждения за счёт внутр. энергии тела, а под действием впеш. источника (света, быстрого электрона), в общем случае отличается от Р. в., к-рую поэтому для определённости называют термоэлектронной Р. в. В металлах и сильно легированных (вырожденных) полупроводниках, в к-рых верх, уровень заполненных электронами состояний совпадает с фотоэлектрич. Р. в. совпадает с термоэлектронной Р. в. Но в сравнительно чистых полупроводниках верхний заполненный уровень совпадает с краем валентной зоны, к-рый во мн. случаях ниже р, вследствие чего фотоэлектрич. Р. в. больше термоэлектронной Р. в. [c.194]

Причина возникновения потенциалов и мощных электрических полей с напряженностью до сотен кВ/см — использование разнородных металов с разной работой выхода электрона и высокой контактной разностью потенциалов. Кроме того, создание электрических полей происходит в результате термоэлектронной эмиссии, экзоэлектронной эмиссии (эффект Крамера), электро-лизации и накопления электростатических зарядов в жидком диэлектрике — смазочном материале в результате трения. [c.227]

Дополнительные возможности в повышении дальности зондирования и уменьшении габаритов установки сулит использование в качестве источника информации неравновесного допробойного свечения атмосферы, которое является разновидностью явления электролюминесценции. Фотостимулированная электролюминесценция (ФЭЛ) [S1] возникает как результат возбуждения атомов и молекул затравочными термоэлектронами, набравшими энергию, в поле лазерного излучения за счет эффекта обратного тормозному излучению при упругих электронно-атомных соударениях. За счет ускоренных излучением горячих электронов энергия возбуждения энергетических уровней газовой среды может существенно превышать энергию кванта зондирующего лазерного излучения. Это выгодно отличает электролюминесценцию от широко используемого в зондировании эффекта флюоресценции. [c.203]

Есть и вторая. Дело в том, что в наше время, характеризующееся стыком различных наук, в частности химии и физики, ни химику практически немыслимо отмежеваться хотя бы от некоторого контакта с физикой, ни физику — от контакта с химией. Может ли преподающий или изучающий свойства металлов не иметь представления о своеобразии металлической кристаллической решетки, о термоэлектронном и фотоэлектрическом эффектах, об электродных потенциалах, о механизме полупроводимости, о физико-химическом анализе, о нехимических методах получения отсутствующих в природе элементов Ответ может быть только отрицательным. И вот автор, зная на основе своего многолетнего общения с учителями химии в институте усовершенствования (МГИУУ) их слабую сторону, заключающуюся как раз в стремлении отмежеваться от всех тех вопросов, которые хотя бы в слабой степени контактируют с физикой и техникой, сделал попытку помочь им преодолеть ее. Значительный акцент, сделанный на смежные для химии и физики вопросы, составляет, по мнению автора, вторую особенность этой книги. [c.3]

Вторая составляющая вызвана ионизацией остатков газа в лампе или распылением катода, а третья — электронной миссией самой сетки. Для увеличения сопротивления изоляции сетки вывод от нее располагается в верхней части баллона (рис. 1-8) внутри лампы сетка крепится на особых стеклянных держателях, защищенных от попадания на ее поверхность проводящих частиц (образующихся от геттера и др.). Уменьшение термоэлектронной эмиссии достигается снижением температуры внутри лампы, для чего понижают температуру катода, применяя специальные материалы. Электрометрическая лампа закрывается от доступа света с целью устранения фотоэлектронного эффекта от нешних источников. [c.28]

В Ш-дугах при высокой температуре катода 7 >4500—5000° К вероятен термоэлектронный ток, измененный при Е>10 в/см эффектом Шоттки. Наличие полупроводниковых пленок на тори-рованном или лантанированном вольфраме может сильно снижать работу выхода и увеличивать эффект Шоттки при меньших температурах катода. [c.91]

Дуги с неплавящимся (тугоплавким) катодом. Если катод сварочной дуги выполнен из материала с высокими точками плавления и кипения (вольфрам — Гцл = 3650°К, Гкип=5645— 6000° К уголь —Гвозг=4470° К, см. табл. 3.3 и 3.4), то он может быть нагрет до столь высокой температуры, при которой основная часть катодного тока обеспечивается за счет термоэлектронной эмиссии. Учитывая, что торированный Ш-катод является пленочным катодом, а примеси из плазмы (если изделие, например, алюминиевый сплав) могут за счет эффекта Молтера также снизить работу выхода, допустимыми по порядку будут следующие величины, указанные в примере (цифры для простоты расчета взяты округленно). [c.92]

Наибольшее значение термоэлектронная эмиссия имеет на катоде. Здесь может создаваться электрическое поле, направленное в сторону движения электронов и тем самым усиливающее электронную эмиссию (эффект Шоттки). Подобная термоэлектронная эмиссия, усиленная действием электрического поля, называется иногда автотврмоэлектронной эмиссией. Эмиссия электронов может наблюдаться и на холодных катодах при наложении сильного электрического поля напряженностью Е 10 10 в см. [c.77]

Эффекты пространственного заряда в термоэлектронной эмиссии 1363, 364 Ядерный магнитный резонанс II281, 282 и антиферромагнетизм П 313, 314 и парамагнетизм Паули II281, 282 Ячеечная волновая функция, сравнение с атомной 1200, 201 Ячейка см. Условная элементарная ячейка Примитивная ячейка Ячейка Вигнера — Зейтца I 85, 86 алгоритм построения I 86 [c.457]

Эффекты Джозефсона II 3(15—367 Эффекты пространственного заряда в термоэлектронной эмиссии I 363, 364 Ядерный магнитный резонанс II 281, 282 и антиферромагнетизм II 313, 314 и парамагнетизм Паули II 281, 282 Ячеичная волновая функция, сравнение о атомной I 200, 201 Ячейка см. Условная элементарная ячейка Примитивная ячейка Ячейка Вигнера — Зейтца 1 85, 86 алгоритм построения I 86 в обратном пространстве см. Зона Бриллюэна первая для г. ц. к, и о. ц. к. решеток Бравэ I 86, 94 [c.417]

Как в случае термоэлектронной эмиссии, так и при фотоэлектронной эмиссии наличие не пренебрежимо малого ускоряющего поля вызывает уменьшение работы выхода. Имеют место термоэлектронный и фотоэлектронный эффект Шотки соответственно. Теория фотоэффекта впервые была разработана Гюзом и Мулли-ном [И] и впоследствии пересмотрена Джанкером [12, 13]. Авторы пришли к выводу, что при наличии ускоряющего электрического поля Е уравнение фотоэлектронной эмиссии (2.10) должно быть модифицировано и принимает вид [c.200]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...