Потенциалы узлов

Здесь ф1 и ф2 — потенциалы узлов 1 и 2, к которым подключен источник 1е — ток, протекающий через источник (значения 1е определяются по результатам предыдущих итераций) Д — приращения соответствующих переменных. [c.139]

В ряде случаев для удобства расчета электрических схем полезно преобразовать треугольник сопротивлений в эквивалентную звезду (или наоборот). Эквивалентные схемы треугольника и звезды сопротивлений показаны на рис. 22. 4. В обеих схемах сохраняются одинаковыми потенциалы узлов 1, 2 и 3, а также токи 1 , /г и /3, подтекающие к узлам. , [c.609]

В качестве примера приведем декларацию семантического объекта (РЕЗИСТОР) для этапа схемотехнического проектирования. С точки зрения схемотехнического проектирования резистор с постоянными параметрами (этому аспекту понятия (РЕЗИСТОР) дадим имя аспекта 0 i) характеризуется следуюш ими смысловыми понятиями имя резистора с начальным символом R (признак резистора), узлами включения (начальный узел, конечный узел), номиналом с соответствующей единицей измерения ОМ, КОМ, МОМ), расчетными параметрами (ток, напряжение, мощность), типом представления ветви (токовая или потенциальная), а также номерами уравнений для потенциалов узлов подключения резистора и протекающего через него тока. [c.79]

Метод узловых потенциалов. Исходные топологические уравнения в МУП — уравнения закона токов Кирхгофа (ЗТК) или аналогичные им уравнения, выражающие равновесие переменных типа потока во всех узлах эквивалентной схемы, за исключением лишь одного узла, принимаемого за базовый, [c.176]

Ветви типа Е соответствует компонентное уравнение E = f(Z), где в качестве Z могут фигурировать независимая переменная t, фазовые переменные, константа Е — разность переменных типа потенциалов для узлов этой ветви [c.77]

Этим методом исследуются многие сложные и недоступные непосредственному наблюдению процессы, такие, как, например, стабилизация ракеты п полете. Аналогами углов поворота ракеты в пространстве являются в этом случае электрические потенциалы в определенных узлах специально набранной электронной моделирующей установки. [c.97]

Снова, как и в случае молекулярных кристаллов, при расчете энергии сцепления ионных кристаллов будем исходить из обычных классических представлений, считая, что ионы находятся в узлах кристаллической решетки (положениях равновесия), их кинетическая энергия пренебрежимо мала и силы, действующие между ионами, являются центральными. Последнее утверждение для ионных кристаллов вполне справедливо, так как потенциаль- [c.71]

Подавая в узел 1 электрической сетки (см. рис. 4.2, б) потенциал, соответствующий температуре Tf vf = Qf), а в узлы / = 2 и — потенциалы, соответствующие температуре в начальный момент времени т = 0(г =° = 6 = ), в узлах сетки 1 = 2 - п получаем электрические потенциалы для следующего момента времени т+Ат. Таким образом, последовательно шаг за шагом, начиная с нулевого момента времени, можно вычислить значения температуры в узлах расчетной сетки в любой момент времени (т-ЬДт, т- -2Дт и т. д.). [c.85]

Современная техника вообще широко использует различные аналогии. В тех случаях, когда в качестве аналога используют искусственно созданную схему, метод аналогии называют моделированием. Этим методом исследуют многие сложные и недоступные непосредственному наблюдению процессы, такие, как, например, стабилизация ракеты в полете. Аналогами углов поворота ракеты в пространстве являются в этом случае электрические потенциалы в определенных узлах специально набранной электронной моделирующей установки. [c.132]

Различные виды анализа, выполняемые в программных системах первой, второй и третьей групп, основаны на классических инженерных подходах к разработке математических моделей поведения изделия при различных воздействиях. В конечно-элементной постановке задачи моделирования исследуемая область предварительно разбивается на ограниченное множество конечных элементов, связанных между собой конечным числом узлов. Искомыми переменными уравнений математических моделей являются перемещения, повороты, температура, давление, скорость, потенциалы электрических или магнитных полей. Эти переменные определяют степени свободы узлов. Их конкретное содержание зависит от типа (физической природы) элемента, который связан с данным узлом. Например в задачах прочностного анализа для каждого элемента с учетом степеней свободы его узлов могут быть сформированы матрицы масс, жесткости (или теплопроводности) и сопротивления (или удельной теплоемкости). Множество степеней свободы, определяющих состояние всей системы в данный мо- [c.58]

Более сложен расчет распределения потенциалов в рельсовой сети с большим количеством пересечений и разветвлений. В принципе всегда может быть применен подвод токов отдельных участков пути описанным выше способом к сетке сопротивлений по рис. 16.4. Лй Q Для центральной части (ядра) о—i сети с п узлами обычно мож- ) /у но составить и—1 линейных Jj / h уравнений с п—1 неизвестными, поскольку потенциал одного из узлов устанавливается [c.323]

Весьма плодотворным в ряде конструкций является принцип создания композиционных конструкций из разнородных металлов с использованием долгоживущих протекторов или так называемых жертвенных деталей. Например, в запорной арматуре наиболее ответственным является узел затвора тарелка, седло клапана, шпиндель. Их следует изготавливать из более стойких материалов (нержавеющие стали, медные, титановые сплавы), катодных по отношению к корпусу клапана (чугун, сталь, медные сплавы, нержавеющие стали). Некоторое увеличение скорости коррозии корпуса клапана из-за контакта с более положительными по потенциалу деталями узла затвора не скажется на сроке службы клапана, который будет даже выше, чем при гомогенном исполнении. Использование различного рода вытеснителей, перегородок из углеродистой стали, находящихся в контакте, допустим, с трубками из нержавеющих сталей теплообменников, охлаждаемых морской водой, позволяет полностью подавить усиленную язвенную коррозию трубок при теплопередаче в морскую воду. [c.81]

Располагаются положительные ионы в тех позициях, на строго определенных расстояниях друг от друга, в которых силы, действующие на них как со стороны других ионов, так и электронного газа, уравновешиваются. Именно поэтому получается регулярное расположение ионов в пространстве и образование так называемой кристаллической решетки — системы мысленных регулярно расположенных в пространстве линий, пересекающихся в точках, именуемых узлами. Кристаллическая решетка является математической абстракцией. Вследствие того, что электронный газ дискретен по природе — состоит из электронов, число которых колоссально, — а движение, при отсутствии разности электрических потенциалов, хаотично, силы, действующие с его стороны на ионы, имеют статистический характер — они не постоянны, а характеризуются наиболее вероятной величиной. Поэтому положительные ионы не неподвижны, а находятся в непрерывном высокочастотном колебательном движении (частота порядка 10 колебаний в секунду) около точек, которые собственно и принимаются в качестве узлов кристаллической решетки. Таким образом, узел кристаллической решетки металла — это наиболее вероятное расположение положительного иона в пространстве. Положительные ионы в кристаллической решетке находятся в динамическом, в статистическом смысле слова, равновесии ). [c.226]

Электрохимические и электротермические чертежные автоматы относятся к типу растровых устройств. Схема исполнительного блока электрохимического устройства изображена на рис. 6. В качестве- пишущего узла используют гребенку 4 электродов, образующих растр. Изображение воспроизводится на рулоне перфорированной электрохимической бумаги 5, перемещаемой ведущим барабаном 1. Бумагу пропитывают специальным электролитом, она контактирует одной стороной с электродами гребенки, а другой — с металлическим электродом 2, имеющим форму цилиндра. При подаче напряжения на отдельные электроды 3 гребенки 4 возникает разность потенциалов между этими электродами и ци линдрическим электродом 2. В результате происходит реакция электролиза, изменяющая окраску поверхности увлажненной электрохимической бумаги. Чередуя подачу напряжения на электроды гребенки, можно при непрерывной протяжке бумаги получить любые траектории, соответствующие вертикальным, горизонтальным, наклонным прямым, дугам окружностей и символам. Управляет подачей напряжения ЭВМ. Она определяет очередность и длительность импульса для каждого электрода и выдает управляющие коды дешифратору. [c.16]

Тождественность уравнений (10) и (11) отражает факт подобия тепловых и электрических явлений. При этом безразмерный потенциал в узловой точке /7jj будет равен соответствующей безразмерной температуре тг Таким образом, измеряя на модели безразмерные потенциалы Ui, в различных узлах сетки, можно составить полное представление о поле температур в моделируемом объекте. [c.419]

Плоская задача и пластинка при поперечном изгибе при заданных нагрузках и температурах Две геометрически подобных сетки, соединенных в узлах высокоомными сопротивлениями Непосредственно и подбором Потенциалы в узлах сетки 2-5 [c.599]

Электрическая модель выполняется из двух геометрически подобных однородных сеток, соединенных в узлах сопротивлениями (см. табл. 19). Через сопротивления / = 50 т- 100 ком (фиг. 33) могут в узлах сетки 1 задаваться требуемые потенциалы. [c.605]

В результате появления потенциала Е в определенных узлах сети через сопротивления узла начинают протекать токи, которые и служат для опознавания изображения при этом характеристикой формы изображения служит характер распределения потенциалов. [c.150]

Решение на УСМ-1 производится в заданном оператором масштабе времени, изменение которого предусматривает изменение периода решения в пределах от 0,01 до 0,2 с. В связи с этим в УСМ-1, как и в других С-сетках, получается периодичность решения, которая осуществляется делением периода решения на время, в течение которого задаются граничные условия и происходит перераспределение потенциалов в узлах сетки, и время подготовки, когда происходит разряд емкостей и перезаряд их до заданных значений начальных условий. Если начальные условия нулевые, то перезарядки емкостей не требуется. [c.43]

Возвращаясь к 7 -сеткам переменной структуры, отметим, что метод Либмана, имея целый ряд преимуществ, зачастую оказывается недостаточно эффективным вследствие трудоемкости процесса решения, связанного с пересчетом и перенастройкой элементов модели после каждой итерации. Если же создать блоки переменных сопротивлений, автоматически изменяющихся в зависимости от потенциалов в узлах сетки, то решение методом Либмана станет намного эффективнее. [c.44]

В работе [1171 описан метод, позволяющий свести всю нелиней ность в правую часть уравнения и моделировать ее в виде тепловых источников, зависящих от потенциалов в соответствующих узлах. Рассмотрим, следуя работе [117], одномерное уравнение нестационарной теплопроводности [c.45]

После набора границы области с помощью БЗГ и задания граничных условий напряжение из узла АП через коммутатор К, АЦП и УС передается в виде кода в ЭЦВМ, где происходит по специальным подпрограммам расчет значения тока, который должен быть согласно (V.6) введен в узел АП. С ЭЦВМ сигнал, соответствующий этой величине, через УС подается на КТ, откуда ток поступает в узловую точку. В формировании напряжения узловой точки, кроме этого тока, участвуют токи, поступающие из соседних узловых точек через резисторы R, а также ток, идущий через НС. Этот ток, благодаря тому что НС подключено между узлом и землей, всегда автоматически реализуется в модели независимо от других факторов и определяется потенциалом данного узла. [c.61]

Узлы схемы нумеруются от О до 999. Номер О обязательно нрисваи-и 10тся одному из узлов. Этот узел считается базовым и от него отсчитываются потенциалы узлов. [c.432]

Потенциалы узлов. После списка альтернативных обозначений в выходном файле даются результаты моделирования. Под заголовком NODE VOLTAGE помещена информация о потенциалах узловых точек [c.53]

В левой части окна Add Tra es перечислены все токи и потенциалы узлов вашей схемы. В правой части вы видите список математических функций и связующих, которые программа PROBE по вашему требованию готова применить к отдельным диаграммам. В данном учебном курсе вам доведется поработать лишь с очень скромным набором этих функций, но даже при таком ограниченном знакомстве вы успеете прочувствовать, какие фантастические возможности открывает перед вами программа PROBE. [c.72]

Если на три анодных узла подать трехфазное переменное напряжение, то потенциал плазмы начинает следить за потенциалом узла, имеющего наиболее высокий потенциал. Между этим узлом и плазмой устанавливается небольшая разность потенциалов, обеспечивающая прохождение по фазе электронного тока нейтрализации. Потенциал плазмы изменяется практически по огибающей диаграммы фазных напряжений. В соответствии с этим изменяется и потенциал корпуса источника, отличаясь на величину порядка электронной температуры. Таким образом, между нейтрализатором ( нуль трансформатора ускоряющей цепи) и корпусом камеры ионизации устанавливается пульсирующая разность потенциалов, необходимая для ускорения ионного пучка. За период изменения питающего напряжения ток нейтрализации переходит с фазы, потенциал которой.уменьшается, на фазу, потенциал которой возрастает в т раз т — количество фаз). При этом в ионном источнике происходит разделение зарядов ионы поступают из источника в ускоряющую систему и покидают двигатель в виде ускоренного пучка, а электронньш ток замыкается на ионный пучок через нейтрализатор. [c.96]

Лий вызывают необходимость разработок специальных технологических процессов нанесения покрытий. Кроме того, при создании технологии следует учитывать массовый выпуск изделий и трудности оценки качецтва выполненной операции. Поэтому методы получения заданной сееиени черноты на узлах и деталях электровакуумной аппаратуры значительно отличаются от используемых в других отраслях техники. Увеличение излучательной стособности, применяемое в электровакуумной иромыш-леннО Сти, преследует различные цели. В некоторых случаях, увеличивая степень черноты, добиваются уменьшения температуры деталей, а это в свою очередь приводит к пониженному значению газовыделения в условиях эксплуатационного вакуума. Часто снижением температуры подавляют эмиссию катода или стабилизируют контактную разность потенциалов [45]. [c.241]

Согласно методу электроаналогии каждой ячейке тепловой, магнитной или деформационной сетки можно поставить в соответствие элемент разветвленной электрической цепи ц иметь дело в дальнейшем с эквивалентным электрическим аналогом. Соответствующее соединение элементарных ячеек образует сетку для отдельных деталей, а их последующее объединение — эквивалентную сеточную модель ЭМУ в целом. Для примера схематично показаны тепловая (рис. 5.4, а) в виде сетки Т и деформационная (рис. 5.4, б) в виде сеток по оси а и в радиальном направлении г модели для одного из гироскопических электродвигателей. В уэлы сеток вводятся токи, моделирующие соответственно тепловые или магнитные потоки, или усилия, действующие в данных объемах. Заданием определенных значений потенциалов и токов в нужных узлах вводятся также и граничные условия задачи. [c.122]

Для формирования системы уравненш, описывающих работу схемы, использован метод узловых потенциалов в котором в качестве независимых переменных используются напряжеюш во внутренних узлах схемы относительно некоторого опорного узла, потенциал которого считается равным нулю. Этот узел обычно называется землей . [c.159]

Метод узловых потенциалов основ ш на первом законе Кирхгофа, утверждающем, что сумма токов, вытеь ающих из узла, равна нулю. Если токи выразить через узловые потенциалы, то для схемы, содержащей N внутренних узлов, с помощью первого з 1Кона Кирхгофа получим систему уравнений относительно неизвестных напряжений во внутренних узлах. [c.159]

Пример. Построение модели злект-ронной схемы методом узловых потенциалов. Схема (рис. 40) имеет пвя внутренних узла / и следовательно, система уравнений, описывающая данную схему, будет второго порядка. [c.160]

Эта запись в электрической подсистеме означает, что переменная V есть разность потенциалов между узлами node a и node d эквивалентной схемы, а переменные i 1 и i2 суть токи в ветвях, инцидентных этим узлам. [c.289]

Вопрос о соотношении В ш В был рассмотрен [25] также в рамках общей феноменологической теории, в которой движущей силой диффузии считается градиент химического потенциала (см.- 23). В, такой макроскопической теории не конкретизируется структура решетки, а также тин междоузлий, и результат может быть получен в общем виде для любых структур. При этом, однако, не удается получить явных выражений для коэффициентов В и В, а лишь соотношение между ними. В простейшем предельном случае, когда взаимодействие между атомами С мало и им можно пренебречь, по степень заполнения междоузлий р может быть любой, в такой теории были получены формулы для химических потенциалов меченых атомов С и их градиентов в случаях самодиффузии и химической диффузии. Для этого использовались общие формулы типа (23,34), определяющие плотности диффузионных потоков. Сравнение этих плотностей потоков в случаях самодиффузии и химической диффузии привело к установлению соотношения типа Даркена (ем. (23,41)) между В и /), имеющего вид (26,8). Таким образом, это соотношение оказывается справедливым не только в случае диффузии невзаимодействующих внедренных атомов по октаэдрическим междоузлиям ОЦК решетки, но и для общего случая любых структур решетки чистого (на узлах) металла и любых типов междоузлий. [c.273]

В упорядоченных сплавах, где упорядочение выделяет несколько подрошеток на узлах кристалла, может выделиться и несколько типов междоузлий, имеющих различное среднее окружение атомами А и В. В приближении средних энергий все междоузлия каждого такого типа будут энергетически эквивалентны, т. е. частично упорядоченный сплав заменяется вполне упорядоченным сплавом, па каждой из подрешеток которого рас-П0Л07К0ПЫ одинаковые эффективные атомы, создающие потенциалы, средние по узлам данной подрешетки. [c.279]

В свою очередь, производная IT Onp конструктивно отличается также и от производной 1ТСМ рядом деталей и узлов, находящихся в потенциаль ном состоянии, но необходимых для возможности обращения неавтоматического станка в автомат. [c.60]

С генератора несущей частоты 12 через эмиттерные повторители ЭП бло ка 6, являющиеся согласующими элементами между генератором и модуляторами 7, на входы усилителей модулятора поступает синусоидальный сигнал с частотой 1250 или 2500 герц. На другие входы модуляторов в зависимости от скорости записи поступают управляющие потенциалы с узла распределения 2. При поступлении на входы модуляторов отрицательного потенциала с выходов усилителей синусоидальный сигнал не проходит. При поступлении положительных потенциалов с выходов усилителей на блок мапнитных головок записи 10 поступают пакеты синусоидального сигнала со скоростью, обеспечиваемой узлом распределения. [c.387]

Электриче ская Скручиваемый вал и призматический брус при поперечном изгибе суммы главных напряжений в плоской задаче конформное преобразование при решении плоской задачи и задачи кручеиия Плоская электрическая модель со сплошным полем или сеточная модель из омических сопротивлений Непосредственно Потенциалы в точках плоского поля или в узлах сетки 2—5 [c.599]

Решение задачи на эквивалентной модели BOAHJ H к замеру в узлах потенциалов, определяющих перемещения. Для повышения точности первоначального решения проводят повторные решения по токам, соответствующим получаемым неувязкам при десяти—пятнадцати последовательных приближениях перемещения определяются с ошибкой 1—3%. [c.607]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...