Цинковая обманка —

Обычно говорят, что структура алмаза идентична структуре цинковой обманки, если в ней и атомы Zn и атомы S заменить на атомы углерода. Н. В. Белов предложил описание структуры алмаза в рамках плотнейшей упаковки. Для этого было сделано предположение, что структура составлена из двух сортов атомов углерода 0 + и С - радиусы которых равны 0,015 и около 0,15 нм соответственно. Крупные анионы С" - образуют плотнейшую упаковку. Такая структура вследствие обменного взаимодействия электронами, существующего между атомами углерода (в алмазе имеет место ковалентный тип связи), непрерывно осциллирует в том смысле, что фиксированные как положительные атомы С + в следующий момент становятся отрицательными атомами С и наоборот. Такая осцилляция приводит к исключительной устойчивости структуры и высокой твердости алмаза. [c.32]

Полупроводники со структурой алмаза, вюрцита, цинковой обманки и близких к ним являются относительно рыхлыми. Они содержат большие межатомные пустоты, в которых могут легко раз-меш,аться междоузельные атомы. Междоузлия в структуре алмаза имеют тетраэдрическое окружение. Их расположение иллюстрируется рис. 3.4. [c.87]

III группы — алюминия, галлия, индия с элементами V группы — фосфором, мышьяком и сурьмой. Все эти соединения обладают кристаллической структурой цинковой обманки ZnS, подобной структуре алмаза. Несмотря на сходство с германием в области кристаллического строения, имеется существенное отличие в химической связи. Для образования четырех парных связей атома индия с другими атомами не- [c.193]

Например, для гомополярных полупроводников IV группы X = О, для гетерополярных III—V, П—VI-полупроводниковых фаз (структура цинковой обманки) X = 1 и 2, соответственно. [c.68]

М. Р а г о d i. Исследование пропускания некоторых окислов в дальней инфракрасной области, С.R.Ас.S ., 204, 22, 1937 О пропускании нескольких окислов в дальней инфракрасной области С. R.Ас.S ., 205, 20, 1937 Исследование нескольких боратов и нескольких окислов в дальней инфракрасной области С. R. Ас. S ., 204, 15, 1937 Исследование пропускания цинковой обманки и нескольких галоидопроизводных меди и кадмия в дальней инфракрасной области С. R. Ас. S . 205, 24, 1937. [c.409]

Цинковая обманка — см. Сфалерит Цинковые покрытия 1—93 [c.526]

РИС. 8.4. Поперечный электрооптический модулятор на основе кристалла типа цинковой обманки (43т), в котором внешнее электрическое поле Е параллельно диагонали Куба (направлению < 110>). [c.307]

Таблица 8.1. Электрооптические свойства и фазовые задержки в кристаллах с симметрией класса 43т (структура цинковой обманки) для трех направлений приложенного поля [2]

Церий 18, 238, 337 Цинковой обманки структура 263 Цинк 283 [c.328]

Сернистый цинк (цинковая обманка) [c.93]

Промежуточная фаза AsB была получена при взаимной диффузии элементов [1]. Эго соединение имеет г. ц. к. структуру типа цинковой обманки с периодом 4,777 А. В присутствии паров As эта фаза устойчива до температуры 920° С, выше которой она претерпевает необратимый переход в продукт с ромбической элементарной ячейкой состав этого продукта не определен. [c.92]

В природе ZnS встречается в двух модификациях 1) обычная цинковая обманка, или сфалерит, имеет в основании куби- [c.31]

Цинк Zn (Zin um). Белый металл с синеватым оттенком. Распространенность в земной коре 0,005%. = 419,4° С, а =9С6° С плотность 7,14. В природе цинк встречается только в виде соединений (цинковая обманка и др.). При обычных условиях довольно хрупок, между 100—150° С становится ковким и вязким. Во влажном воздухе в присутствии углекислого газа покоывается пленкой окиси или углекислой соли. В сухом воздухе не изменяется при обычной температуре, при нагревании сгорает до окиси цинка ZnO. При нагревании реагирует непосредственно с галогенами, а также с серой. Энергично реагирует с кислотами, растворим в щелочах. [c.373]

Пьезоэлектрич. кристаллы распространены в природе в виде естеств. минералов (кварц, турмалин, цинковая обманка и др.), большинство практически важных П. м. синтезируют (сегнетова соль, ниобат лития, пьезокерамика, пьезополимеры). [c.189]

Окись бериллия кристаллизуется в гексагональной системе и обладает структурой цинковой обманки (ZnO) со спайностью по плоскости 10 10. Кристаллы окиси бериллия имеют ионную структуру с плотиоупакованной решеткой, состоящ,ей из атомов кислорода н расположенных между ними также плотноупакованных атомов бериллия. [c.58]

Индии был открыт в 1863 г. Рейхом и Рихтером при определении таллия в образцах цинковой обманки из Фрейберга. При спектрографическом исследовании раствора хлорида цинка была обнаружена характерная лииня цвета инднгосннего, не замечавшаяся ранее. Исследователям удалось выделить новый элемент, названный ими иидий вследствие характерного сннего цвета его спектральных линий. [c.218]

В табл. 82 приведены некоторые физико-химические свойства фосфидов, арсенидов и антимонидов галлия и индия. Эти соединения имеют кубическую решетку типа цинковой обманки (пространственная группа f43m) Сложные полупроводники типа Aii BV выпускаются промышленностью в широком ассортименте. Для характеристики отдельных марок полупроводников используются буквенно-цифровые обозначения. Первыми двумя буквами обозначается собственно полупроводник АГ — арсенид галлия, ФГ — фосфид галлия, ГС — аптимоиид таллия, ИМ — арсенид индия, ФИ — фосфид индия, ИС — аптимоннд индия. Справа добавляется буква, обозначаю-ш,ая тип электропроводимости.- Э — электронный, Д- дырочный. Для ар-сенида галлия после АГ добавляется буква Н для слитков, полученных горизонтальной направленной кристаллизацией, или Ч — для слитков, полученных по методу Чохральского, Далее [c.576]

Все три элемента подгруппы галлия являются рассеянными. Их минералы встречаются очень редко и представляют только научный интерес. Поэтому сырьевыми источниками галлия, индия и таллия являются технологические отходы и полупродукты от переработки руд цветных металлов. Галлий содержится в рудах месторождений алюминия, цинка, лития (нефелине, сподумене, лепидолите, сфалерите, алуните, бокситах). Значительное скопление галлия наблюдается в цинковой обманке. Содержание галлия в ней редко превышает 0,002%- Содержится галлий и в ископаемых углях. При газификации их галлий вместе с германием концентрируется в пыли (саже). Так, сажа газовых заводов Англии содержит 0,38—0,75% СагОз и 0,28— 1,24% ОеОг. Основным источником галлия в настоящее время являются бокситы, характеризующиеся постоянным и равномерным содержанием галлия, равным 0,002—0,006% и лишь иногда достигающим 0,01%), а также отходы цинкового производства. [c.122]

В системе образуется сульфид ZnS, который известен в двух модификациях цинковая обманка (сфалерит) (pZnS) с кубической кристаллической решеткой и вюрцит (aZnS) с гексагональной кристаллической решеткой РС, Э, Ш]. Имеются также сведения об образовании третьей модификации ZnS с ромбоэдрической решеткой yZnS [Э], но они, по-видимому, требуют проверки. [c.226]

Макс Лауэ первым сделал шаг на этом пути. Он пытался расшифровать кристаллическую структуру цинковой обманки ZnS. Но, хотя в принципе дифрак-ционные эксперименты он объяснил правильно, установить атомное строение конкретного вещества ему не удалось. Не исключено, что в этом проявились и некоторые личные пристрастия Лауэ, Через много лет другой классик современной науки, также Нобе-левский лауреат, Макс Борн спросил у него, почему сам Лауэ серьезно не занялся исследованием кристаллических структур. Его ответ был таков Я интересовался только фундаментальными принципами и детальные исследования предоставлял другим ... [c.74]

Так, стибнит SbaSg пропускает при толщине 4,9 мм 45% излучений с длиной волны 12 мкм, но является явно непрозрачным для видимого света. Сфалерит (цинковая обманка) ZnS обладает высоким пропусканием в области 5— 12 мкм с широкой полосой поглощения от 2,7 до 3,3 мкм. Мо- [c.129]

Кроме того, непосредственный анализ дифракционных картин с поверхности исследуемых кристаллов, полученных методом ДМЭ, показал [381 384], что атомы в поверхностных слоях из-за отсутствия сил межатомной связи с одной стороны существенно смещены от своих нормальных положений в кристаллической решетке. При этом на поверхности кристалла образуются сложные двухмерные структуры с иной симметрией решетки, а также с другой плотностью, длиной и типом атомных связей [381—384, 410—412] (рис. 71). Например, Ханеман [410] получил данные об искажении тетраэдрической симметрии, измеряя дифракцию электронов на чистых поверхностях полупроводников со структурой алмаза и цинковой обманки. Интерпретация дифракционных картин показала, что в этом случае верхний слой атомов плоскости (111) имеет постоянную решетки в два ра- [c.127]

Gnu шйзшвяются тетраэдрическими В связж с тем, что их окружают четыре атома кубической гранецентрированной решетки. Положение тетраэдрических пустот хорошо иллюстрируется на примере структуры GaFg (см. фиг. 1, в), хотя в данном случае более крупные ионы фтора занимают тетраэдрические пустоты в кубической гранецентрированной решетке, образованной более мелкими ионами кальция. В структуре цинковой обманки заняты только четыре из имеющихся восьми тетраэдрических пустот, в результате чего расположение атомов оказывается таким же, как у алмаза (см. фиг. 6, г). Если предположить, что кубическая гранецентрирован- [c.29]

В гексагональной плотноупакованной структуре также имеется два типа пустот, которые показаны на фиг. 5, в и г. Эти пустоты расположены в центрах правильных октаэдров или тетраэдров, т. е. таким же образом, как и в случае кубической гранецентриро-ванной решетки. Положение октаэдрических пустот хорошо иллюстрируется на примере структуры арсенида никеля, в которой атомы мышьяка образуют гексагональную плотноупакованную реше ] ку, а атомы никеля занимают октаэдрические пустоты, образуя простую гексагональную решетку, высота которой равна половине высоты элементарной ячейки. В структуре вюрцита занята лишь часть тетраэдрических пустот, в результате чего образуется структура, сходная со структурой цинковой обманки, о которой упоминалось выше. Диаметры жестких сфер, которые можно поместить в указанные выше пустоты гексагональной структуры, оказываются такими же, как и в случае кубической гранецентрированной решетки, т. е. равны 0,41 г для октаэдрических пустот и 0,225г для тетраэдрических. [c.33]

Фиг. 28. Сравнение тетрагональной структуры dSnAs2 со структурой цинковой обманки.

В книге помещены переводы статей, опубликованных в зарубежной периодической печати в последние годы. В I части книги рассматривается атомная структура различных дефектов в кристаллах полупроводников с решеткой алмаза и цинковой обманки (сфалерита) полные и частичные дислокации, дефекты упаковки, дислокации несоответствия, а также наклонные границы, в том числе двойниковые границы высокого порядка. Во II чаети описаны структура и происхождение некоторых типов дефектов, встречающихся главным образом в эпитаксиальных пленках дефекты упаковки, микродвойниковые ламели и более сложные дефекты типа трипирамид , воэникновение которых обусловливается многократным двойникованием. [c.335]

На этом же самом заседании Трост продемонстрировал фотографии, полученные с гексагональной цинковой обманкой (тоже урановый минерал), которая, по его мнению, может заменить трубки Крукса... в частности в хирургии при диагностике живых тканей . [c.13]

Измерениями температуры материала, расплавленного в графитовых ампулах, с помощью оптического пирометра в работе [1] показано, что температура плавления соединения AlAs составляет —1700° С. Приводятся [2] значения периода г. ц. к. решетки соединения AlAs, имеющего структуру типа цинковой обманки, а = 5,656 0,002 А. [c.46]

В системе В—N наиболее твердо установлено соединение BN BN существует в двух модификациях гексагональной (а = 2,51 А, с = 6,69 А [1, 2] а = = 2,504 А, с = 6,661 А [3] и а — 2,504 А, с = 6,674 А [4]) и г. и. к. типа ZnS (цинковой обманки) с периодом 3,615 0,001 А 5]. Сообщается [5, 6] о различных методах приготовления BN с г. ц. к. структурой. Ь становлено [7], что кубическая модификация BN начинает переходить в гексагональную при температуре 1650°С. [c.149]

Соединение BP было приготовлено синтезом из элементов [1—3] и различными химическими методами [3—5]. Результаты работ [1—5] согласуются в том, что ВР имеет г. ц. к. решетку типа цинково обманки (ZnS) с периодом, изменяю-Ш.ИМСЯ от 4,537 [3] до 4,543 А [5] меньшее значение более вероятно [1—3]. По данным работы [2], период решетки ВР равен 4,538 0,002 А. [c.154]

Смотреть страницы где упоминается термин Цинковая обманка — : [c.32] [c.261] [c.347] [c.58] [c.164] [c.232] [c.257] [c.385] [c.21] [c.10] [c.283] [c.306] [c.613] [c.30] [c.263] [c.264] [c.266] [c.267] [c.268] [c.326] [c.190]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...