Потенциальный барьер, препятствующий

Такая возможность возникает на основе рассмотрения силовой диаграммы взаимодействия двух тел, представленной на рис. VI, 3. По мере увеличения концентрации ионов в растворе увеличивается глубина второго минимума при сохранении постоянным потенциального барьера, препятствующего непосредственному контакту двух тел. При определенном расстоянии между контактирующими телами, соответствующем второму минимуму, величина адгезионного взаимодействия примерно одинакова для различных растворов [187]. [c.192]

Теплоемкость, связанную с заторможенным внутренним вращением, можно вычислить при помощи специальных таблиц [45], если известна величина потенциального барьера, препятствующего вращению, и вид потенциальной функции, в частности число максимумов кривой потенциальной энергии. Это число определяется симметрией молекулы, например в случае этана оно равно трем, поскольку в течение одного оборота вокруг связи С—С трижды осуществляется заслоненная конформация, в которой расстояние между атомами водорода двух метильных групп минимально. Если вращающаяся группа атомов асимметрична, то вид потенциальной функции усложняется. [c.284]

В настоящее время еще нет надежных методов для независимого определения потенциальных барьеров, препятствующих вращению. Как правило, эти величины определяют путем использования точных опытных данных по теплоемкостям или энтропиям в некоторых случаях потенциальные барьеры вычисляют на основе спектроскопических данных. Методы расчета теплоемкостей, а также других термодинамических функций газов, связанных с заторможенным внутренним вращением, подробно изложены в книге [45]- [c.284]

Как отмечено выше (гл. 14), расчетные методы позволяют вычислять теплоемкость многих газов, особенно простых, с высокой точностью, часто превышающей точность экспериментального определения. Поэтому в отличие от теплоемкости твердых и жидких веществ, теплоемкость газов часто находят расчетом, не прибегая к эксперименту. Разумеется, из этого нельзя делать вывод, что экспериментальные определения могут быть полностью заменены теоретическими расчетами. В гл. 14 указано, что для газов, состоящих из сложных молекул, точный расчет теплоемкости квантово-статистическими методами часто бывает невозможен. Кроме того, следует принять во внимание, что теоретически вычисленные величины теплоемкостей С° относятся к газу, находящемуся в идеальном состоянии, а калориметрические измерения дают теплоемкость реального газа. Разница между этими двумя величинами, в особенности при больших давлениях, может быть значительной. Далее нередко возникает необходимость исследования теплоемкости в критической области как ниже, так и выше критической точки, а в этих случаях также необходимы экспериментальные определения. Точные экспериментальные данные по теплоемкостям газов могут быть использованы также и для расчета потенциальных барьеров, препятствующих внутреннему вращению в молекулах (см. гл. 14, 2). Наконец, экспериментальные определения во многих случаях необходимы для проверки результатов, полученных теоретическими методами. [c.351]

Высокие ультразвуковые колебания (до 40000 гц), как следует из теории Дебая, вл Л1 ют на тепловые колебания решетки, и, очевидно, в контакте. соединяемых деталей энергетический уровень поднимается до такого со()тояния, при котором устраняется потенциальный барьер, препятствующий распространению стоячих электронных волн и взаимодействию их с колеблющимся полем решетки на границах объемов контактирующих металлов и, как следствие этого, возникает металлическая связь в местах контакта. [c.130]

Если предположить, что в табл. 112 все основные частоты (за исключением частоты крутильного колебания группы СНз) интерпретированы правильно, то из значения теплоемкости можно вычислить высоту потенциального барьера, препятствующего свободному вращению группы СНз (см. раздел I гл. V). Ее значение, полученное Вильсоном и [c.382]

Потенциальные барьеры, препятствующие свободному вращению, полученные из теплоемкостей, энтропий и постоянных равновесия, комбинированных со спектроскопическими данными. [c.550]

Отрицательные подполосы перпендикулярной полосы 453 Отталкивание атомов водорода, как причина возникновения потенциальных барьеров, препятствующих свободному внутреннему вращению 551 Отталкивание уровней энергии нулевого приближения 234, 404 [c.618]

Электроны проводимости свободно перемещаются по всему объему металла, но не могут выходить за его пределы. Этому препятствует электрическое поле, действующее в узкой зоне, которую называют поверхностным потенциальным барьером или просто барьером. [c.61]

Установить область изменения координаты х частицы, в которой она может находиться при данном значении полной энергии Е. Ясно, что в область, где U>E, частица попасть не может, поскольку потенциальная энергия U частицы не должна превышать ее полную энергию. Отсюда сразу следует, что при E = Ei (рис. 4.9) частица будет двигаться или в области между координатами и Хг (совершает колебания) или правее координаты хз. Перейти же из первой области во вторую (или обратно) частица не может этому препятствует потенциальный барьер, разделяющий обе эти области. Заметим, что когда частица движется в ограниченной области поля, то говорят, что она заперта в потенциальной яме (в нашем случае — между Xi и Xj). [c.101]

Если бы выигрыш в удельной энергии связи был не только необходим, но и достаточен для осуществления деления, то деление шло бы на всех ядрах тяжелее железа — кобальта. На самом деле, однако, деление идет лишь на самых тяжелых ядрах, причем не на всех одинаково. Причина здесь та же, которая препятствует -распаду тяжелых ядер — кулоновский потенциальный барьер. Появление и влияние кулоновского потенциального барьера легко объяснить с помощью полуэмпирической формулы для энергии связи ядер (гл. И, 3, формула (2.8)) [c.538]

Пусть атомы какого-нибудь материала расположены в виде пространственной решетки, но на столь больших расстояниях друг от друга, что взаимодействием между ними можно пренебречь. На рис. 3.1, а показана энергетическая схема атомов, удаленных относительно друг от друга на расстояние г, значительно большее параметра решетки а. Здесь через Ш(г) обозначена потенциальная энергия взаимодействия электрона с ядром. Из рисунка видно, что каждый отдельный атом можно уподобить своеобразной энергетической яме, ограниченной потенциальной кривой. Электрон в такой яме обладает отрицательной энергией и может находиться на одном из уровней W ,...,W . Уровни расположенные выше W , - свободны. Атомы отделены друг от друга потенциальными барьерами шириной г, которые препятствуют свободному переходу электронов от одного атома к другому. [c.47]

Как известно из физики, в металле имеются свободные электроны выходу этих электронов за пределы металла препятствует потенциальный барьер, равный разности энергий электрона за пределами металла и внутри него. Для того чтобы преодолеть этот барьер и вывести электрон из металла во внешнюю среду, необходимо затратить определенную работу, называемую работой выхода. Работа выхода электронов различна для различных веществ величина работы выхода довольно велика — от одного до нескольких электрон-вольт. [c.411]

Несмотря на свою энергетическую неустойчивость, они, однако, не расщепляются самопроизвольно с заметной вероятностью, так как этому препятствует наличие потенциального барьера в пространстве параметров, характеризующих деформацию ядра осколки должны пройти этот барьер, прежде чем будет достигнуто их полное отделение. [c.312]

Влияние температуры и скорости деформации можно объяснить с помощью дислокационных представлений о механизме хрупкого разрушения твердых тел. Образованию зародышевых трещин предшествует накопление дислокаций перед каким-либо препятствием, задерживающим их движение. Зародышевая трещина возникает тогда, когда число дислокаций в скоплении достигает некоторого критического значения, зависящего от модуля упругости и поверхностной энергии деформируемого твердого тела. Число дислокаций в скоплении зависит от соотношения скоростей двух процессов. Один из них — поступление новых дислокаций в скопление. Число дислокаций, которое генерирует источник дислокаций в единицу времени, примерно пропорционально скорости деформации е. Второй процесс — уход дислокаций из скопления путем преодоления ими потенциального барьера и, созданного препятствием. Как и для любого термически активируемого процесса, скорость ухода дислокаций экспоненциально зависит от температуры, т. е. она пропорциональна множителю . Поэтому при повышении температуры ско- [c.238]

Здесь конечный продукт идентичен первоначальному изотопу мишени. Обычно эти реакции эндоэнергетические и идут под действием нейтронов с кинетической энергией более 1 Мэв. Лишь на легких ядрах они могут идти также от тепловых нейтронов, так как для некоторых изотопов энергия реакции положительна (например, для Не и N ) и, кроме того, потенциальный барьер, препятствующий вылету протона,относительно низок. [c.195]

В соответствии с кинетической концепцией прочности основной причиной разрушения материала в поле механических сил является накопление объемной поврежденности, связанное с тепловыми флуктуациями. Механические напряжения ускоряют самопроизвольный термический распад, препятствуя восстановлению разорванных связей, а также активируют процесс термодеструкции, ослабляя силы сцепления атомов и снижая потенциальный барьер, препятствующий распаду межатомных связей [155]. Тер-мофлуктуационный механизм определяет временную зависимость прочности многих твердых тел и хорошо описывается известной формулой С. Н. Журкова [c.158]

При установившейся пластической деформации, достигаемой после развития деформации в течение некоторого времени, энергия деформации под действием внешних сил должна быть не меньше величины й -Дт на моль для возможности преодоления потенциальных барьеров, препятствующих движению дислокаций в атомной решетке. Обозначим величину превышения напряжения над уровнем (тк)о через Дт. Тогда величина Дт т — (тк)о будет определять развитие процесса ползучести и реализацию необратимых изменений положения групп атомов. В соответствии с проведенным выше анализом при Т onst должна иметь место зависи-1 юсть [c.245]

Остальные основные частоты нельзя идентифицировать однозначно. В таблице дана пробная интерпретация. Все шесть частот деформационных колебаний групп СНд, повидимому, накладываются друг на друга в области 1450 см , все валентные частоты С—Н, активные в инфракрасном спектре, сливаются в широкую полосу с частотой 2914 см Ч Особенно неопределенна идентификация двух частот чц и крутильных колебаний групп СН им может соответствовать пара комбинационных частот 160 и 300 см (Питцер [696]), или пара комбинационных частот 702 и 583 см , или ни одна из них. Косвенную информацию о частотах крутильных колебаний можно извлечь из термодинамических данных. Основываясь на интерпретации частот, приведенной в табл. 111 (за исключением частот и Vj,), Кистяковский и Райс [513] из величины теплоемкости (СНз)гО вычислили величину потенциального барьера, препятствующего свободному вращению. Их значение равно 2500 кал/моль. Кеннеди, Загенкан и Астон [498] вычислили величину барьера из энтропии (СН.,)аО и получили значенне 3100 кал/моль (см. раздел 1 гл. V). Следовательно, частота крутильных колебаний ни в коем случае не равна нулю и имеет величину одного порядка с частотой молекулы этана (см. табл. 105). [c.381]

Заторможенное вращение. Уровни энергии в промежуточном случае заторможенного вращения, т. е. при наличии небольпюго потенциального барьера, препятствующего свободному вращению, могут быть получены качественно путем интерполяции между двумя предельными случаями свободного вращения (см. выше) и крутильных колебаний (см. раздел 5г гл. II). Это выполнено схематично на фиг. 165, а, сУ и в дли молекул СН3ОН, СаН и С. Н [c.525]

Предсказание значений теплоемкости и теплосодержания для молекул, в которых возможны внутренние вращения, сильно затрудняется по сравнению, с молекулами, в которых они отсутствуют, так как величина потенциального барьера, препятствующего свободному вращению, до сих пор известна из спектра только в одном случае (СНдОН). Однако, наоборот, мы можем применить наблюденные значения теплоемкости для определения высоты потенциального барьера. Если не учитывать взаимодействия заторможенных внутренних вращений с другими вращениями в молекуле (что почти всегда делается), то этим вращениям отвечает множитель в статистической сумме, который можно рассматривать совершенно независимо, и, следовательно, этим вращениям отвечает добавочное слагаемое в выражениях для теплосодержания и для теплоемкости. Мы, конечно, здесь предполагаем, что взамен этого при расчете опущены члены в колебательной части статистической суммы, соответствующие крутильным колебаниям. [c.548]

В основном состоянии для перпендикулярной формы С2Н4 заполнены орбитали вплоть до 2е, на которой будут находиться два электрона, и в качестве основного образуется состояние типа (см. табл. 31). В итоге получаются только два связывающих электрона для связи С — С (на орбитали За ), в силу чего перпендикулярная форма оказывается менее стабильной, чем плоская форма. В этом случае отсутствует вторая С — С-связь (я-связь), образуемая в случае плоской формы 161-электронами групп СНг-Другими словами, для плоской формы достигается максимальное перекрывание двух 1 (СН2)-орбиталей, тогда как для перпендикулярной формы, как показано на фиг. 153, в одинаковой степени имеются как перекрывание частей орбиталей с одним и тем же знаком (связывание), так и с противоположными знаками (разрыхление). Поэтому эффективно орбитали (СНг) не приводят к связыванию. Таким образом, на основе молекулярно-орбитальной теории следует ожидать существования большого потенциального барьера, препятствующего повороту двух групп СНг из плоской конфигурации, что находится в полном согласии с экспериментальными результатами. [c.410]

Однако и в этом случае имеется некоторый неизбежный потенциальный барьер, препятствующий свободному перемещению вихрей. Он связан с поверхностью образца (Вым, Ливингстон, 1964) [212]. Рассмотрим вихрь, приближающийся к поверхности (рис. 18.7а). Будем считать х 1, ось вихря параллельной по- [c.384]

График функции V (х ) при разных Я, (обозначим Н = =4яЯоб /Фо) изображен на рис. 18.8. Мы видим, что около поверхности возникает потенциальный барьер, препятствующий как входу вихря в сверхпроводник, так и его выходу из сверхпроводника. Увеличение поля приводит к исчезновению барьера лишь при некотором поле Яо = Яе1>Я 1. Оценить это поле можно следующим образом. Условие / (х1)= О дает [c.386]

Как известно, примесные полупроводники бывают двух тииов -тина с электронной проводимостью, в которых носители заряда — отрицательно заряженные электроны, и / -типа> где носители заряда — положительно заряженные дырки. В области контакта полупроводников двух типов (р—п-переход) потенциальная энергия носителей ведет себя, как показано на рис. 17.10, а. Потенциа. электронов в р-области выше, чем в п-области, у дырок — наоборот, поэтому возникает потенциальный барьер, препятствующий прохождению носителей через переход. Если к переходу приложить электрическое напряжение в прямом направлении (плюс — к р-области, минус — к п-области), то высота барьера снижается [c.266]

Образование двойного электрического слоя эквива-лент1ю образованию потенциального барьера, препятствующего прохождению дырок из дырочной области и электронов — из электронной. [c.29]

X арактер энергетического спектра частицы определяется в первую очередь областью движения-для конечной области он дискретен, для бесконечной-непрерывен. Спектры других динамических переменных также зависят от области изменения переменных. Потенциальный барьер для микрочастиц не составляет непреодолимого препятствия. [c.161]

Образовавшийся объемный положительный заряд нескомпенсированных ионов донорной примеси будет препятствовать дальнейшей диффузии дырок из р-области в п-область. Отрицательный объемный заряд ионов акцепторной примеси препятствует диффузии электронов в р-область, нескомпенсированные ионы примеси создают на гранште раздела для основных носителей заряда потенциальный барьер, преодолеть который могут только те основные носители, которые обладают достаточной кинетической энергией (рис. 3.17, в). [c.68]

Механизм наблюдаемого хемомеханического эффекта, исходя из теоретических и экспериментальных данных, можно представить следующим образом. Первоначальный пластический накол обусловил образование зародышей двойников сдвига, которые затем росли вследствие перемещения двойникующих дислокаций. связанного с химическим растворением поверхности кристалла, понижающим поверхностный потенциальный барьер и облегчающим движение этих дислокаций (хемомеханический эффект для двойникового сдвига). Полные дислокации, юзникавшие в матрице при деформировании, взаимодействовали с двойниковыми (в частности, препятствовали росту двойника, вызывая большие локальные напряжения), но, испытывая з>начительно большее сопротивление движению [c.127]

Если пластины из кремния п- и р-тнпов приведены в тесный контакт, то свободные электроны и свободные дырки, диффундируя к поверхности р-п перехода, будут рекомбинировать, как показано на рис. 5.11, а, образуя слой, обедненный носителями заряда, который носит название обедненной зоны. При этом атомы примеси в области перехода, лишенные соответствующих дырок или элементов, превратятся в ионы. Эти донорные или акцепторные ионы, закрепленные в кристалле, создают электрическое поле, образующее электрический потенциальный барьер Uq, препятствующий дальнейшей миграции основных носителей, как показано на рис. 5.11,6. На рисунке показано, как меняется потенциал при пересечении р- -перехода. После того как два куска вещества приведены в соприкосновение, должно произойти выравнивание их уровней Ферми. Ток неосновных носителей, не встречающий потенциального барьера, достигает значения тока насыщения /нлс, а ток основных носителей блокируется потенциальным барьером qil . Значение потенциального барьера невозможно измерить каки.м-либо прибором, поскольку на измерительных контактах формируется такой же барьер противоположного знака. [c.98]

В ДЛИННЫХ полимерных молекулах конформационные превращения происходят не вращением всей молекулы вокруг связи, а за счет поворотов отдельных ее участков, оказавшихся соосными или почти соосными друг относительно друга (вокруг связей 1 и 2 и 2 , 3 ид , 4 и 4 и т.д., на рис. 1.25, а). За исключением случая разбавленных растворов полимерные молекулы довольно плотна упакованы и, как правило, сильно переплетены. Поэтому кромб высоты собственного потенциального барьера вращения t/a на частоту конформационных перестроек основное влияние оказывают препятствия со стороны окружающих молекул. Тем не менее такие перестройки идут благодаря хаотичному тепловому движению звеньев мо лекул и тем чаще, чем выше температура. Именно вследствие втого длинная гибкая полимерная молекула может сворачиваться, принимая самые различные формы (рис. 1,25, а). За количественную меру свернутости молекулы принимают расстояние г между ее концами. Одному и тому же г может соответствовать большое число кон-34 [c.34]

В полярных газах поворот диполей происходит свободно. В жидких диэлектриках взаимодействие диполя с окружающими молекулами несколько препятствует процессам переориентации, что проявляется как трение , или вязкость. В полярных кристаллах возможность дипольной переориентации существенно ограничена обычно имеется только определенное число устойчивых ориентаций, разделенных потенциальными барьерами. В этом случае при отсутствии электрического поля диполи ориентирова- [c.69]

Сложное поведение поликристаллических металлов и сплавов определяется в основном наличием большого разб роса кристаллических зерен по величине и границами между ними. Природа межкристаллических границ являлась предметом длительных обсуждений. Одни утверждали, что зерна разделены областью толщиной порядка нескольких сотен атомов, причем последние расположены беспорядочно, образуя так называемый аморфный цеменпирующий слой . Другие же считали, что М ежду двумя зернами с преобладающим в каждом из них кристаллическим порядком находится слой толщиной порядка всего лишь нескольких атомов, составляющие которого, подверженные влиянию сил обеих решеток, образуют промежуточный слой. Последнее предположение сейчас более распространено и в последнее время [Л. 25] получило строгие доказательства путем применения к межкристаллическим границам понятия свободной энергии [Л. 24]. Эти кристаллические границы обусловливают высокую или низкую прочность в определенных условиях напряжений. С одной стороны, они образуют барьер, препятствующий проникновению смещений в решетку кристаллов, чем подтверждается большая механическая прочность поли-кристаллических металлов по сравнению с монокристаллами. С другой стороны, границы увеличивают скольжение, текучесть и сдвиги при механической нагрузке, примером чего может служить поперечная деформация вольфрамовых проволок, описываемая в следующей главе (рис. 8-3). Установлено также, что атомы диффундируют в случае большинства поликристалличе-ских металлов быстрее вдоль границ зерен, где потенциальный барьер, преодолеваемый в процессе диффузии, более низок, чем при диффузии внутри зерен. Проникновение серебра в ковар во время пайки и вызываемые при этом трещины вдоль границ между зернами являются примером этого явления. [c.165]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...