Мощность удельная рассеяния

Мощность удельная рассеяния 42 [c.214]

Испускаемые в результате (п, л )-реакций заряженные частицы тормозятся на весьма коротком пути. Можно считать, что они передают свою кинетическую энергию веществу защиты на месте протекания п, д )-реакции. То же самое наблюдается в отношении передачи энергии и при упругом рассеянии нейтрона [(п, л )-реакция]. В связи с этим мощность удельного энерго-выделения, обусловленная этими процессами, рассчитывается одинаково [c.115]

Относительно просто решается рассматриваемая задача методом двухэтапного расчета. На первом этапе рассчитывается плотность тока у-квантов на внешней поверхности объемного источника. При этом не принимается во внимание наличие защиты и соответственно обусловленное ею обратное рассеяние у-квантов. На втором этапе рассчитывается мощность удельного энерговыделения в защите от плоского источника у-квантов, расположенного на границе защиты. Отнесенная к единице площади мощность источника принимается равной рассчитанной на первом этапе плотности тока у-квантов из источника. Предполагается, что у-кванты испускаются источником сферически симметрично в угол 2 л. [c.116]

Сквозной электрический ток существует не только на постоянном, но и на переменном напряжении. При этом он характеризуется той же удельной электрической проводимостью у (или удельным сопротивлением р=1/у), что и на постоянном токе. Наличие сквозного тока в переменном поле приводит к рассеянию мощности [c.107]

Из-за большого времени нагрева удельная мощность мала и составляет 0,2—0,05 кВт/см . Поэтому существенное влияние на характер распределения температуры по сечению оказывает рассеяние тепла в окружающее пространство. Наличие тепловых потерь приводит к уменьшению перепада температуры в пределах активного слоя по сравнению с расчетным, а следовательно, сокращает время нагрева. [c.116]

Тонкопленочные резисторы (ТПР) являются наиболее распространенными тонкопленочными элементами гибридных интегральных схем, формированию которых уделяется наибольшее внимание при производстве гибридных схем. Основными параметрами ТПР, определяющими выбор их конструкции и материалов для их изготовления, являются величина сопротивления, номинальная мощность рассеяния, временная и температурная стабильность, слабая зависимость удельного сопротивления от различных факторов технологического процесса (Армирования. [c.433]

Солнце излучает на землю (за вычетом обратного излучения в космос) теплоту, эквивалентную примерно 4300 млрд. т условного топлива в год. Это количество энергии могло бы обеспечить потребность человечества в размерах, которые потребуются только через сотни лет. Однако, как и в случае с энергией ветра, уловить эту энергию в больших масштабах из-за ее рассеянности по поверхности планеты очень трудно, требуются, в частности, большие капиталовложения. Если принять среднюю удельную стоимость сооружения атомной электростанции за 100%, то удельная стоимость (на 1 кВт установленной электрической мощности) электростанций, использующих возобновляемые энергоресурсы, составит, % [c.269]

Методом испарения в вакууме или катодным распылением в инертном газе создают резистивные пленки из материала на основе твердого раствора дисилицидов титана и хрома. Изготовленные из них высокоомные и низкоомные пленочные резисторы интегральных схем имеют линейную зависимость электросопротивления от температуры в диапазоне 400 - 4,2 К и удельную мощность рассеяния до 2 кВт/см против 0,2 кВт/см для других известных материалов. [c.205]

Наряду с достоинствами естественное замораживание имеет целый ряд недостатков. Используя рассеянную энергию природного холода, опреснитель обладает весьма низкой удельной производительностью, и для получения сколько-нибудь значительной мощности требуются большие капитальные затраты. Кроме того, из-за сезонной изменчивости погодных условий немалые затраты нужны для сооружения аккумулирующих емкостей, которые должны обеспечивать круглогодовую работу опреснителя. И, наконец, последний и, пожалуй, самый важный недостаток метода состоит в том, что процесс природного замораживания не управляем человеком и он не может быть применен всюду, где ощущается нехватка воды и есть потребность в опреснении соленых вод, так как область его практического применения ограничена определенной географической зоной. [c.549]

Аналитическая зависимость удельной мощности рассеяния W от эквивалентного напряжения Ое и удельной энергии рассеяния V принимается в виде [c.42]

Будем считать справедливым равенство для удельной мощности рассеянной энергии W [c.111]

При неоднородном НДС приведенные выше рассуждения можно провести применительно к любой физической точке элемента конструкции. Но встает естественный вопрос как оценить поведение элемента конструкции в целом. В механике неоднородных сред широко используется метод усреднения, применим его и в этом случае. Введем среднюю по объему тела удельную мощность рассеяния [c.734]

Минимальная длина а и ширина Ь резистора подсчитываются по заданной величине сопротивления 7 , величине удельного сопротивления рд заданной мощности рассеяния Р допустимой мощности рассеяния Рц для данного материала пленки по формулам [c.690]

В работе [231 ] проведено сравнение испарения никеля из керамического тигля с малой теплопроводностью и из медного водоохлаждаемого тигля. Для поддержания одинаковой температуры испарения к медному тиглю необходимо подводить в 10 раз большую мощность, чем к керамическому. Вследствие этого для водоохлаждаемых тиглей возрастают не только потери на теплопроводность, но и на обратное рассеяние электронов. Полезная мощность медного тигля составляет всего 3%, в то время как керамического 39% подводимой мощности. При испарении А1 из керамического тигля с поверхностью расплава 300 см необходимый расход энергии составляет около 7 (кВт-ч)/кг, в то время как удельная энергия испарения без учета потерь в 2 раза меньше. Если использовать водоохлаждаемый тигель такого же размера, то необходимая удельная энергия электронного луча возрастает до 140 (кВт-ч)/кг. Эти примеры наглядно иллюстрируют целесообразность применения керамических тиглей в непрерывных линиях. [c.245]

Сказанное позволяет характеризовать микронеоднородную среду удельным сечением рассеяния, определяющим рассеивающую способность единичного объема рассеивающей среды. Именно, если в единице объема имеется п рассеивателей, характеризующихся сечением рассеяния ст, то единичному объему можно приписать удельное сечение рассеяния па. Бегущая волна с плотностью потока мощности 1Г потеряет в виде рассеянных волн на единице длины пробега мощность па . [c.357]

В отличие от стабилизаторов с непрерывным регулированием импульсные стабилизаторы напряжения обладают более высоким КПД за счет меньшей мощности рассеяния иа регулирующем элементе, который работает в ключевом режиме. Это позволяет получить источники вторичного электропитания с высокими удельными характеристиками по массе и объему. Однако импульсные стабилизаторы имеют высокий уровень пульсаций, акустических шумов и радиопомех худшие динамические характеристики, [c.104]

Формула (3.14) показывает, что для расчета мощности, создаваемой приходящей волной в приемной антенне, необходимо знать а) конфигурацию общего объема V тропосферы, принимающего участие в создании рассеянного излучения, и б) выражение для удельной эффективной площади рассеяния. [c.147]

Здесь индекс г относится к Лг-й энергии у-квантов уп(- г), Уч Ег) —массовые коэффициенты истинного поглощения энергии у-квантов в воздухе и породе ( г) — дифференциальные гамма-постоянные Ка и его короткоживущих продуктов распада (см. например, [8]). Полная гамма-постоянная радия (без начальной фильтрации) /(7=9,36 р-см /(ч-мкюри). В этих формулах, полученных по так называемому у-методу, учтено многократное рассеяние у-квантов в материале источника. Принимая эффективное значение уэфф = 0,032 см г по всему спектру и выражая удельную активность Q [мкюри/г порс Ды], можно получить простое приближенное соотношение для экспозиционной мощности дозы внутри забоя [c.216]

Решение. Пусть дифференциальное сечение неупругого рассеяния частиц Ь на частицах а равно а. Вероятность неупругого взаимодействия (в течение интервала dt) частиц, движущихся с относительной скоростью = а—Vft, dW = nbavdt, где пь — концентрация частиц сорта Ь. Если с мишенью взаимодействует не одна, а Na частиц, то число столкновений в элементе объема dV в течение времени dt dv = aunaribdidV. Следовательно, удельная мощность реакции [c.105]

Расчетные значения т] для теилоэнергетнческих объектов должны задаваться дифференцированно, в том числе в зависимости от мощности установки, химического состава золы, фракционного состава твердых частиц в дымовых газах, условий рассеяния их в атмосфере и удельного ущерба окружающей среде. [c.255]

Материал пленкв Удельное поверхностное сопротивление Pft. Ом rKPft.lO. ос-1 Допустимая мощность рассеяния Рдоп- 0 . Вт.м" Изменение сопротивления за 100 ч ДРЙ/РА. % [c.529]

Принцип действия скаттерометров (измерителей характеристик рассеяния) основан на зависимости абсолютной величины удельной эффективной площади рассеяния морской поверхности и уровня ее анизотропии в азимутальной плоскости от скорости и направления приводного ветра. Основным назначением спутниковых скаттерометров является определение синоптического поля ветра, что принципиально не требует высокого разрешения по координатам. Приборы такого типа создаются на основе РЛС с непрерывным излучением, что позволяет обеспечить достаточно высокий энергетический потенциал при малой излучаемой мощности и осуществлять селекцию отраженных сигналов по доплеров-скому сдвигу частоты. [c.127]

Материал Х27К50ТМ, разработанный на основе твердого раствора дисилицидов титана и хрома, предназначен для изготовления резистивных пленочных элементов интегральных схем методом испарения в вакууме либо катодного распыления в среде инертных газов. Сплав обладает рядом уникальных свойств позволяет перекрыть широкий диапазон удельных сопротивлений при низких ТКС пленочные элементы на его основе имеют линейную зависимость сопротивления от температуры в диапазоне 400—4,2 К допускают удельную мощность рассеяния до 2кВт/см , что на порядок выше удельной мощности, допустимой для других известных материалов. Свойства пленочных элементов из сплава Х27К50ТМ приведены в табл. 52. [c.170]

Рассеяние носителей заряда. При направленном перемещении электрических зарядов во внешнем электрическом поле (дрейфе или диффузии) носители заряда на пути свободного пробега приобретают от электрического поля энергию. Эта энергия тратится при соударениях — взаимодействиях с молекулами и атомами вещества, которые находятся в состоянии теплового движе1)ия. Отдавая энергию при соударении, носитель заряда повышает интенсивность хаотического движения частиц вещества, следовательно, повышает температуру диэлектрика. По этой причине электропроводность увеличивает е", tg6 и р (мощность рассеяния энергии) диэлектрика, которые зависят от плотности протекающего через диэлектрик активного тока. Соответствующие формулы приведены в табл. 3.3. Из них следует, что электропроводность сказывается на величине tg6 и на коэффициенте потерь е" главным образом при низких частотах оба эти параметра убывают с частотой как 1/со. Удельная мощность потерь в этом случае сводится к мощности потерь при постоянном напряжении (р = = оЕ ). Таким образом, снижение с частотой е" и tg6 не означа- [c.76]

За меру интенсивности процесса ползучести принята удельная мощность рассеяния W = Oijr ij, за меру поврежденности материала — удельная энергия рассеяния А — [c.79]

Затухание ультразвуковых волн вследствие рассеяния. Поскольку рассеянная энергия исключается из энергии первичной ультразвуковой волны, то вследствие рассеяния на скоплении частиц и других неоднородностях среды происходит дополнительное затухание (помимо поглощения и других причин) ультразвуковых волн в процессе их распространения в такой среде. Мерой этого затухания, вносимого одной частицей, может служить эффективное сечение ( поперечник ) рассеяния а ф, которое, согласно его определению (УП.51), как раз и выражает ту долю ультразвуковой мощности, которая теряегся вследствие рассеяния из удельной мощности (т. е. интенсивности) падающей ультразвуковой волны. В случае скопления частиц при отсутствии акустического взаимоделствия между ними общее рассеяние будет равно суммарному эффекту рассеяния от одной частицы. Если речь идет о микронеоднородных средах с теснорасположенными препятствиями, малыми по сравнению с длиной ультразвуковой волны, то такую совокупность неоднородностей можно представить в виде регулярного (равномерного) расположения, на которое накладываются флуктуации их концентрации. Равномерное расположение неоднородностей эквивалентно трехмерной дифракционной решетке и к диффузному рассеянию оно приводить ие будет. В оптике аналогичная ситуация имеет место при распространении света в правильном кристалле световые волны, рассеиваемые каждой молекулой, гасят друг друга во всех направлениях, кроме направления распространения первичной волны. Значит, некогерентное рассеяние будет происходить на флуктуациях концентрации, и если эти флуктуации независимы [c.169]

В любом случае в пренебрежении вторичным рассеянием неоднородную среду южнo характеризовать удельным сечением рассеяния, определяемым как произведение эффективного поперечника рассеяния каждого рассеивателя на количество независимых рассеивателей в единице объема п . Тогда, согласно определению о , , первичная плоская бегущая ультразвуковая волна с интенсивностью I потеряет в виде рассеянных волн на единице длины пробега мощность т. е. йИйх — —откуда, интег- [c.170]

I Отношение номинальной мощности рассеяния Р к величине теплоотдающей поверхности 8 называется удельной нагрузкой резистора, вт1см . [c.317]

В ряде работ, например [1, 2], было показано, что интенсивность процессов ползучести и накопление поврежденности в разных точках неравномерно прогретого тела можно оценивать по величинам удельной могцности рассеяния W = aijirnj., где сг - и r)ij — соответственно компоненты тензоров напряжения и скорости деформаций ползучести. Если внешние термосиловые нагрузки стационарные, то при высоких температурах процессы, отражаюш,ие внутреннее состояние в теле, достаточно быстро выходят на установившийся режим, и в каждой точке тела могц-ность рассеяния принимает стационарное значение Wk — Введем среднюю по объему тела величину удельной мощности [c.314]

Уравнения Ф а ) = onst и U ( 7э) = onst в пространствах напряжений и скоростей деформаций изобразят поверхности постоянной, средней по объему тела удельной мощности рассеяния, которые в теории установившейся ползучести играют роль, аналогичную роли функции течения в теории идеальной пластичности. Будем предполагать, что для этих поверхностей справедлив принцип максимума Мизеса [c.315]

Материал для напьшения резистивной пленки /Материал контактных площадок Сопротив-ление квадрата резистивной пленки Во. Ом/О Диапазон номинальных значений сопротивлений. Ом ТКС (ал)Ш-ГС, в интервале температур, °С Погрешность старения материала пленки 7кст. Макси- мально допустимая удельная мощность рассеяния Ро, Вт/см [c.100]

При этом следует учитывать не длительно допустимую предельную мощность / кдоп, рассеиваемую на коллекторном переходе при наличии радиатора, а наибольшую кратковременно допустимую (импульсную) мощность рассеяния Янкдоп- Яикдоп (не зависит от внешнего теплоотвода из-за большой постоянной времени корпуса мощного проходного транзистора) определяется теплоемкостью, теплопроводностью, удельным электрическим сопротивлением полупроводника, площадью коллекторного перехода S и зависит от длительности действия кратковременной перегрузки 4- Если принять для германиевых и кремниевых транзисторов Tnmax соответственно 85 и 150 °С и взять пятикратный запас по времени 4, то [c.275]

Обозначим через а удельную эффективную площадь рассеяния единицы объема, тропосферы с центром в точке Q, Напомним, что под эффективной площадью рассеяния тела понимают величину (имеющую размерность площади), которая, будучи умножена на плотность потока мощности первичного излучения (в месте расположения рассеивающего тела) и разделена на (где Гг — расстояние от рассеивающего тела до точки приема), дает плотность потока мощности рассеянного излучения в точке приема. Таким образом, произведение П а характеризует мощность вторич1ного излучения тела. Интенсивность рассеяния зависит от угла рассеяния О, поэтому удобно обозначить эффективную площадь рассеяния через а(0). Кроме того, поскольку речь идет об удельной площади рассеяния, размерность а(0) составляет м /м = /м. [c.147]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...