Резисторы интегральных схем

Методом испарения в вакууме или катодным распылением в инертном газе создают резистивные пленки из материала на основе твердого раствора дисилицидов титана и хрома. Изготовленные из них высокоомные и низкоомные пленочные резисторы интегральных схем имеют линейную зависимость электросопротивления от температуры в диапазоне 400 - 4,2 К и удельную мощность рассеяния до 2 кВт/см против 0,2 кВт/см для других известных материалов. [c.205]

РЕЗИСТОРЫ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ [c.145]

Как выбирают материалы и топологию резисторов интегральных схем [c.149]

Лазерную резку материалов осуществляют как в импульсном, так и в непрерывном режиме. При резке в импульсном режиме непрерывный рез получается в результате наложения следующих друг за другом отверстий. Наиболее широкое применение получила резка тонкопленочных пассивных элементов интегральных схем, например, с целью точной подгонки значений их сопротивления или емкости. Для этого применяют импульсные лазеры на алюмо-иттриевом гранате с модуляцией дробности, лазеры на углекислом газе. Импульсный характер обработки обеспечивает минимальную глубину прогрева материала и исключает повреждение подложки, на которую нанесена пленка. Лазерные установки различных типов позволяют вести обработку при следующих режимах энергия излучения 0,1. .. 1 МДж, длительность импульса 0,01. .. 100 мкс, плотность потока излучения до 100 мВт/см, частота повторения импульсов 100. .. 5000 импульсов в 1 G. В сочетании с автоматическими управляющими системами лазерные установки для подгонки резисторов обеспечивают производительность более 5 тысяч операций за 1 ч. Импульсные лазеры на алюмо-иттриевом гранате применяют также [c.299]

Тонкопленочные резисторы (ТПР) являются наиболее распространенными тонкопленочными элементами гибридных интегральных схем, формированию которых уделяется наибольшее внимание при производстве гибридных схем. Основными параметрами ТПР, определяющими выбор их конструкции и материалов для их изготовления, являются величина сопротивления, номинальная мощность рассеяния, временная и температурная стабильность, слабая зависимость удельного сопротивления от различных факторов технологического процесса (Армирования. [c.433]

Исследования в области микроминиатюризации радиоэлектронной аппаратуры начались в конце 1950 г. С тех пор были разработаны различные методы микромодульного конструирования, тонкопленочные устройства, полупроводниковые интегральные схемы. Эти методы быстро развивались, заимствовались лучшие технологические решения тех или иных проблем. Многие специалисты считают, что дальнейшее развитие интегральной микроэлектроники пойдет по пути комбинирования различных подходов к микроминиатюризации. Уже сейчас для получения резисторов с лучшими характеристиками используются методы осаждения тонких пленок непосредственно на полупроводниковые схемы. Изготовители тонкопленочных микросхем разрабатывают методы присоединения полупроводниковых элементов к тонкопленочной пассивной схеме. [c.23]

Диапазон удельных поверхностных сопротивлений пленочных резисторов, задаваемый разработчиками интегральных схем, достаточно широк от нескольких десятков Ом/П до нескольких десятков кОм/П. [c.170]

Лазеры с непрерывной накачкой применяют для подгонки номиналов резисторов, а также функциональной подгонки гибридных интегральных схем (установки серии Гибрид ). Созданы полуавтоматы-нарезки резисторов МЛТ-0,125, выполняющие эту операцию одновременно с измерением номинала сопротивления. В производстве прецизионных фольговых резисторов (эталоны сопротивлений) лазеры используют как при изготовлении фотошаблонов, так и при окончательной подгонке с погрешностью 10" % (рис. [c.103]

Сертификация изделий электронной техники (резисторов, транзисторов, интегральных схем и т.п.) осуществляется с 1982 г. в рамках Международной электротехнической комиссии (МЭК) на соответствие требованиям международных стандартов МЭК. [c.111]

В современных интегральных схемах различные резисторы изготовляются посредством введения локализованных примесей (см. 6-4-2). [c.373]

Понятие об интегральных схемах. Ускорению научно-техничес-кого прогресса способствует внедрение микроэлектроники во все отрасли народного хозяйства. Процесс усложнения технических решений сопровождается увеличением числа различных электронных устройств, что приводит к снижению надежности разрабатываемых систем. Повысить надежность можно уменьшением числа входящих в систему элементов и соединений между ними, т. е. использовать процесс интеграции, заключающийся в объединении в одном сложном микроэлементе ряда простейших приборов (транзисторов, диодов, резисторов, конденсаторов и др.). Такие микроэлектронные устройства назвали интегральными микросхемами (ИС). [c.289]

Коммутатор 36.3734 (рис. 4.12) выполнен на дискретных элементах, смонтированных на печатной плате (кроме выходного транзистора, стабилитрона, конденсатора СЮ к резистора R30) и установленных в литом корпусе. Недостатками коммутаторов, выполненных на дискретных элементах, являются их большие габариты и масса. Применение специализированных интегральных схем, выполняющих основные функции коммутаторов, позволяет значительно уменьшить их габариты. [c.81]

Регулятор напряжения собран на интегральной схеме ИС,, резисторах / в, 7, 14, стабилитроне Д и диоде Дц. Ограничитель тока — на интегральной схеме ИС2, резисторах Яз—Яъ, Яп— 1з, транзисторе Гь стабилитроне Дъ и диодах Дз, Д4, Дю- [c.104]

Еще одна хитрость этого анализа состоит в том, что вы можете выбирать, следует ли в процессе моделирования варьировать каждый параметр, которому присвоено значение разброса, независимо от других или нужно изменять вместе группу параметров, например группу резисторов сопротивлениями 1 Ом. Такая возможность очень важна при моделировании интегральных схем. В этом случае характеристике допуска присваивается кодовое обозначение LOT, например ЮТ = 5%. В нашем учебном курсе мы не будем пользоваться кодовым обозначением ЮТ. В приводимых примерах все параметры определяются независимо друг от друга, что является разумным при использовании отдельных (дискретных) компонентов. В этом случае допуск получает кодовое обозначение TOL, например TOL = 5%. [c.198]

Попытка сконструировать 65 536 источников тока, управляемых регистром, не так уж страшна для современной интегральной техники. В настоящее время несмотря на общую тенденцию сокращения числа используемых компонентов надежно работают и более сложные интегральные схемы. Предметом компромисса служит количество источников тока. Вместо 65 536 одинаковых источников тока можно применить меньшее количество источников, поставив их в зависимость от местоположения бита. Предположим, что мы имеем 16 383 источника, каждый из которых оценивается 1, 2, 4 и 8 единицами. Ступеньки тока формируются с помощью резисторов, точность которых вполне реализуема при современной интегральной технологии число компонентов существенно сокращается даже при более сложном преобразователе с 16 битами на входе. Так построен ЦАП, используемый в системе КД. [c.46]

Простые инверторы являются чрезвычайно важным элементом при разработке логических интегральных схем. Они состоят из управляющего транзистора и нагрузки, обычно являющейся другим транзистором, поскольку эти приборы изготовить гораздо проще, чем резисторы. Управляющий транзистор должен быть нормально открытым, чтобы его можно было бы легко выключить. Если напряжение на входе велико, этот прибор включается и обладает высокой проводимостью между истоком и стоком падение напряжения на транзисторе будет, таким образом, слабым и напряжение на [c.436]

Интегральная схема представляет собой один или несколько функциональных электронных элементов, собранных в виде отдельного прибора. Такая интегральная схема размещается в общем корпусе и заменяет дискретную электронную схему, насчитывающую несколько десятков, а то и сотен транзисторов, диодов, резисторов и т. п. Имея небольшие размеры, массу и потребляя незначительную мощность, ИС в то же время отличаются высокой надежностью, приближающейся к надежности одного транзистора. [c.8]

Дальнейшая коррекция для керамического звукоснимателя обеспечивается цепочкой К5, Н6, С4, в то время как резистор Я7 вместе со входным сопротивлением усилителя составляют нагрузку магнитного звукоснимателя. Сигнал для записи на магнитную ленту поступает с выхода интегральной схемы через Я8, С5. [c.112]

ИС (интегральная схема (микросхема)) — устройство, состоящее из компонентов, таких как резисторы, диоды, транзисторы, расположенных на одном кристалле полупроводникового материала. [c.384]

Под понятием "компонент" подразумевается какой-либо физический элемент, размещаемый на разрабатываемой печатной плате, например резистор, интегральная схема или разъем. Многие электронные компоненты включают в себя несколько отдельных секций. Такими компонентами являются, например, микросхема 74SL00, состоящая из четырех одинаковых секций, или сдвоенный операционный усилитель. [c.109]

При изготовлении интегральной схемы на пластинку из полупроводникового материала наносятся последовательно слои примесей, диэлектриков, напыляются слои металла. Для каждого нового слоя используется своя технология нанесения и свой рисунок расположения деталей. В результате на одном кристалле одновременно создается несколько тысяч транзисторов, коыден-саторов, резисторов и диодов, соединенных процодаиками в определенную схему. Например, микросхема часов Электроника размещена на кремниевом кристалле толщиной 0,5 мм и размерами 4x3,6 мм. В этой микросхеме содержится около 3000 транзисторов. Размеры отдельных элементов микросхемы могут быть 2—5 мкм, погрешность при их нанесении не должна превышать 0,2 мкм. [c.162]

Тантал обладает способностью поглощать газы в диапазоне температуры 600.. 1200 С, он пластичен, нехрупок, легко сваривается с вольфрамом и молибденом, что делает тантал весьма ценным для изготовления деталей электровакуумных приборов, так как он является не только конструкционным материалом, но и поглотителем газов, которые выделяются другими деталями приборов. Однако из-за высокой стоимости тантал используется ггреимущественно для ответственных изделий, работающих в напряжённом тепловом режиме, или в тех случаях, когда к качеству вакуума предъявляются очень высокие требования. Кроме того, из тантала изготавливают тигли для плавки в высокотемпературных печах, тонкоплёночные резисторы в интегральных схемах, электроды танталовьтх конденсаторов [c.30]

Микропроцессор представляет собой большую интегральную схему (БИС), функциональные возможности которой эквивалентны схеме, содержащей десятки тысяч обычных дискретных элементов (транзисторов, резисторов и т. п.). Гибкость и универсальность микропроцессора обеспечивается тем, что реализуемые им арифметические и логические операции задаются программным путем. Отечественной промышленностью выпускаются микропроцессоры различных серий К580, К589 и т. д. [c.96]

А. Я. Шик. И. С. Шлимак. ФОТОРЕЗЙСТОР — полупроводниковый резистор, изменяющий своё электрич. сопротивление под действием внеш. эл.-магн. излучения. Ф. относятся к фотоэлектрич. приёмникам излучения, их принцип действия основан на внутр. фотоэффекте в полупроводниках (см. Фотопроводимость). Основу Ф. составляет слой или плёнка) полупроводникового материала на подложке (или без неё) с нанесёнными на него электродами, посредством к-рых Ф. подключается к электрич. цепи. Фоторезистивный слой получается, напр., прессованием порошка или распылением водно-спиртовой суспензии полупроводникового материала непосредственно на поверхности подложки, xt M. осаждением, эпитаксией, напылением. Полученные т. о. слои (плёнки) могут подвергаться отжигу. В зависимости от назначения Ф. могут быть одно- и многоэлементные (мозаичные), с охлаждением и без, открытые и герметизированные, выполненные в виде отд. изделия или в составе интегральных схем. Для расширения функцион. возможностей Ф. дополняют фильтрами, линзами, растрами (оптич. модуляторами), предварит, усилителями (в микроминиатюрном исполнении), термостатами, подсветкой, системами охлаждения и др. (рис. 1). [c.357]

Непроволочные резистивные материалы разделяют на пленочные металлические, пленочные на основе оксидов, силицидов, карбидов н неметаллические — углеродистые, Пленач1ше резистивные материалы используют в микроэлектронике, в микросхемах, интегральных схемах и других устройствах. Непроволочные резисторы широко применяют в автоматике, измерительной и вычислительной технике, в раз личннх областях электротехники. Свойства некоторых пленочных и углеродистых резистивных материалов приведены в табл. 21 и 22. [c.527]

Карбид титана, являющийся перспективным материалом для высокотемпературной электроники, нашел применение в качестве проводящей фазы в керметных резистивных пленках для интегральных схем [270, 271]. Пленки, содержащие АЬОз и Ti в соотношении 1 1 по массе, осаждают ионно-плазменным распылением на нагретые до 600 °С поли-коревые подложки. Пленки Ti -AljOa, толщина которых составляет 20—300 нм, имеют электронографически аморфную структуру, сохраняющуюся до 1000 °С. Эти пленки значительно превосходят по стабильности структуры пленки традиционных резисторов Ti-АЬОз, в которых при 1000 °С наблюдается увеличение размера зерен до 50 нм и изменение фазового состава. [c.204]

На рис. 4.41 представлена принципиальная электрическая схема спроектированной САУ износом режущего инструмента.. Текущее значение термо-э. д. с. ( ) поступает на один из входов операционного усилителя У ПТ (интегральная схема), а на другой вход подается сигнал, равный- заданному значению термо-э. д. с. посредством делителя напряжения, собранного на резисторах Н1, Я2, ЯЗ, Я4. Текущее и заданное значения термо-э. д. с. сравниваются, и разностный сигнал с учетом знака усиливается усилителем У ПТ, а также вторым каскадом усиления, собранным из транзисторов Тр1 и Тр2, в цепи коллекторов которых подклю-308 [c.308]

На эtoт же резистор Через Диодный мост Дб поступает сигнал с датчика ДИ2, выполняющего роль обратной связи. Этот датчик установлен на механизме малых перемещений щупа гидрозолотника таким образом, что при работе исполнительного механизма его шток перемещается пропорционально величине изменения размера статической настройки. Полученная разность потенциалов на резисторе ЯЗ поступает в усилитель УПТ1 (интегральная схема), а затем дополнительно усиливается транзисторами Тр1 и Т р2, в цепь коллекторов которых включена обмотка поляризованного реле РП5-1. Подвижный контакт реле управляет тиристорами [c.627]

Управление скоростью износа режущего инструмента осуществляется САУ по термо-э. д. с. В качестве датчика использована естественная термопара Тс. Текущее значение термо-э. д. с. поступает на один из входов УПТ2 (интегральная схема). На второй вход этого же усилителя подается заданное значение термо-э. д. с. от задатчика, образованного резисторами 7 15, Я16, ЯП, Я28. В УПТ2 происходит сравнение текущего и заданного значений термо-э. д. с. и усиленная разница сигналов с учетом знака цоступает на второй каскад усиления, состоящий из транзисторов ТрЗ и Тр4. В цепи коллекторов усилителей включена обмотка поляризованного реле РП5-3, контакты которого включены в цепь управления тиристорами Т5 и Тб. [c.628]

В полупроводниковых интегральных схемах все элементы (транзисторы, диоды, резисторы и конденсаторы) создаются на базе р—п-переходов, получаемых в теле кремниевой подложки методами диффузии. Резисторы полупроводниковых схем образуются в базовой области по пложки и определяются ее сопротивлением. Величина сопротивления находится в пределах от 25 Ом до единиц кОм. Технологическая точность резисторов не превышает +20%,а ТКСж 10" 1/град. [c.146]

Пусть требуется рассчитать оптимальные значения параметров резисторов в интегральной схеме транзи- [c.219]

Легкоплавкие неорганические стекла на основе боросилика-тов, модифицированные оксидами щелочноземельных металлов, применяют в радиоэлектронной технике для изготовления стеклокерамических конденсаторов, композиционных резисторов, а также в качестве компонентов мея слойной изоляции больших гибридных интегральных схем. В матрице (стекло) распределены вещества с заданными диэлектрическими свойствами или проводящая фаза. С целью увеличения значений диэлектрической проницаемости конденсаторных материалов и поддержания высокой проводимости резисторов снижают содержание стекла в составе керамики. [c.275]

Основные изменения в схемах выпрямителей новой серии следующие перевод на новую элементную базу (интегральные схемы, операционные усилители, малогабаритные разъемы, печатный монтаж, резисторы и конденсаторы малых мощностей и габаритов и т. д.) применение снльно-точных тиристоров с уменьшенными потерями (на низкоомном кремнии), что позволило повысить в больши - Стве агрегатов КПД на 1—1,5 %, а также уменьшить габаритные размеры благодаря исключению параллельного включения тиристоров расширение примененля водяного охлаждения для трансформаторов и совмещение в одном каркасе выпрямительных блоков и преобразовательного трансформатора унификация схемных и конструктивных решений агрегатов и их узлов. [c.195]

В цитированном обзоре М. Ф. Стельмаха и его коллег особо подчеркивается научная значимость и экономическая эффективность существующих методов лазерной обработки тонкопленочных материалов. Для развития современной микроэлектронной техники они имеют первостепенное значение. Мы не будем останавливаться подробно на этих сугубо специальных технологических проблемах, трудно доступных неподготовленному читателю, и только перечислим некоторые из них подгонка пленочных резисторов гибридных интегральных схем, подгонка частоты вакуумированных кварцевых резонаторов, нарезка и подгонка в номиналах прёцйзибнных металлопленочных резисторов дискретного тйПа, ретущь фотошаблонов, получение тонкопленочных рисунков и структур. В большинстве этих случаев используется способность лазерного луча испарять в необходимых участках тонкопленочные покрытия на прозрачных материалах. [c.51]

В эту схему (см. рис. 11.3) добавлен резистор 14BR, включаемый последовательно с лампами фар. Резистор включается при помощи интегральной схемы. При включенном зажигении и переключателе фар в положении ближнего света реле подключает резистор последовательно с лампами фар и уменьшает интенсивность света. При переключении фар в положение яркого света резистор отключается. [c.212]

Интегральная микросхема — миниатюрное электронное устройство, где на одной небольшой пластинке (обычно из кремния) размеш абтся большое число деталей (миниатюрные транзисторы, диоды, резисторы, конденсаторы и проводники тока), связанных Конструктивно и соединенных между собой электрически. Интегральные схемы широко используются в различном электронном оборудовании, в том числе в измерительных приборах и ЭВМ. [c.241]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...