Метод испарения

Отличительной особенностью газофазных, химических или электрохимических методов получения композиционных материалов является отсутствие или незначительное температурное или механическое воздействие на волокна в процессе совмещения их с матрицей а также возможность формирования изделий или полуфабрикатов сложной конфигурации. Методы испарения и конденсации, катодное распыление и другие методы, не нашедшие широкого применения, в настояш,ей книге не рассматриваются. [c.167]

На рис. 55 представлены аппарат для контрольной очистки реактивов методом испарения (рис. 55,а) и куб-испаритель (рис. 55, б). [c.123]

Следует упомянуть также о методе испарения морской воды На нагретом слое соли, предложенном в США. Все накипеобразующие соли, растворенные в воде, остаются в слое, а над ним образуется чистый пар. Нагрев слоя соли производится горячим воздухом или дымовыми газами. Однако данных о результатах применения этого метода нет. По-видимому, габариты такой установки окажутся большими, так как ее работа может быть только циклической. [c.32]

Все типы рассмотренных испарителей характеризуются одним общим признаком — испарением или нагревом испаряемой воды посредством промежуточного теплоносителя. Этим признаком и исчерпывается перечень методов испарения, положенный в. основу нашей классификации испарителей. [c.32]

Нефтепродукты. Определение фракционного состава методом испарения. [c.172]

Анализ показывает, что большинство распределений наночастиц металлов, полученных методом испарения и конденсации, описывается формулой (1.1) со значениями = 1,4 0,2. В изолированных нанокристаллах нет дислокаций, но могут возникать дисклинации, энергетически более выгодные в очень малых кристаллах [31]. [c.18]

Широкую известность и популярность приобрел метод получения компактных нанокристаллических материалов, предложенный авторами [130—134]. Описанная в этих работах технология использует метод испарения и конденсации для образования нанокристаллических частиц, осаждаемых на холодную поверхность вращающегося цилиндра испарение и конденсация проводятся в атмосфере разреженного инертного газа, обычно гелия Не при одинаковом давлении газа переход от гелия к ксенону, т. е. от менее плотного инертного газа к более плотному, сопровождается ростом размера частиц в несколько раз. Частицы поверхностного конденсата, как правило, имеют огранку. При одинаковых условиях испарения и конденсации металлы с более высокой температурой плавления образуют частицы меньшего размера. Осажденный конденсат специальным скреб- [c.46]

Метод испарения металла на поверхность стекла в высоком вакууме в производстве источников света дает возможность быстро наносить как металлические, так й неметаллические покрытия толщиной 1—20 мкм. Напыляемый металл нагревают в вакууме до температуры, при которой давление его пара составляет 1 Па. Нагревательные элементы (испарители) обычно изготавливают из вольфрама, молибдена и в отдельных случаях из нихрома или хромеля. [c.243]

Методом испарения в вакууме или катодным распылением в инертном газе создают резистивные пленки из материала на основе твердого раствора дисилицидов титана и хрома. Изготовленные из них высокоомные и низкоомные пленочные резисторы интегральных схем имеют линейную зависимость электросопротивления от температуры в диапазоне 400 - 4,2 К и удельную мощность рассеяния до 2 кВт/см против 0,2 кВт/см для других известных материалов. [c.205]

МЛЭ - результат фантастического совершенствования старого метода испарения вещества в вакууме. Использование чистых источников испаряемых. материалов, сверхвысокий вакуум (<10 мм.pт. ст.), точный контроль температуры подложки, различные методы диагностики растущей пленки в сочетании с компьютерной системой управления параметрами процесса привели к созданию качественно новой технологии. [c.170]

Этот так называемый метод испарения с открытой поверхности в вакууме, или метод Ленгмюра, позволяет вычислить по измеренной скорости сублимации соответствующее давление пара на основе формулы (Х.15). [c.425]

Порошки металлов, карбидов, нитридов, оксидов и других керамических материалов получают физическими и химическими методами испарением материалов в инертной или активной газовой среде размолом с интенсивным подводом энергии в зону измельчения синтезом порошка [c.82]

В принципе молекулярные кристаллы можно получать теми же методами, какими получают любые кристаллы. Эти методы описаны в ряде монографий, например [111]. Чаще всего кристаллы выращивают из расплава методом Бриджмена и из раствора методом испарения или медленного охлаждения растворителя. [c.77]

Основная проблема при использовании метода испарения заключается в подборе оптимального растворителя. Чаще всего используется смесь растворителей, отличающихся летучестью и способностью растворять вещество. [c.78]

Из растворов методом испарения можно получить монокристаллы многих органических соединений [113—124] (см. табл. 6). [c.78]

Кристаллы ряда веществ, например л<ега-хлорнитробензола, в принципе можно полу чать из раствора методом испарения, однако их качество недостаточно для исследования оптических свойств. Лучше результаты получаются при выращивании методом медленного охлаждения раствора [124]. [c.78]

Некоторые кристаллы можно получать разными способами. Так, кристаллы л<е7а-нитроанилина получают методом Бриджмена, а также методом испарения из растворов разного состава (ацетон, смесь ацетона с бензолом и Т.Д.). [c.78]

Другой пример использования термоэлектрических систем — сочетание термоэлектрической батареи с установкой для опреснения соленой воды методом испарения [14]. В этом случае за счет переноса тепла Пельтье вторичная термоэлектрическая батарея (потребляющая ток первичной батареи или другого источника тока) [c.50]

Локальный коэффициент теплоотдачи в случае касания шаров друг с другом исследовался М. Э. Аэровым [41] на основе приближенного подобия процессов тепло- и массообмена методом испарения нафталина с поверхности шаровых элементов, упорядоченно расположенных в шестигранном канале. Каждый [c.80]

Испытания в вакууме. Стабильность оптических характеристик покрытий — их излучательная и отражательная способность — во многом определяется состоянием поверхности. В свою очередь состояние поверхности зависит от собственной температуры покрытия, а также от цротекания различных процессов, возникающих в результате взаимодействия между поверхностным слоем вещества покрытия и окружающей средой. В этом плане осогбый интерес представляет проведение испытаний по установлению постоянства оптических свойств покрытий или одновременном воздействии высоких температур и вакуума. В этом случае излучательная способность будет зависеть не только от температуры, но и от упругости пара вещества покрытия. Испарение покрытия изменяет характеристики излучения и размеры детали. Для определения скорости испарения при эксплуатационных условиях (температура и давление) проводятся испытания в специальных камерах. Наиболее простым и чувствительным является метод испарения с открытой поверхности в вакууме (метод Ленгмюра). Образец с покрытием помещают в вакуумную камеру и нагревают до требуемой температуры, после чего он выдерживается в этих условиях в течение определенного времени. Одна из подобных камер показана на рис. 7-14 [52]. Молекулы испаряющегося покрытия конденсируются на холодных стенках камеры. Для определения скорости [c.180]

Более точные способы аппроксимации (например, с помощью уравнений Нернста Ig р = А — В/Т + СТ + D Ig Г) часто не имеет смысла употреблять из-за большого разброса экспериментальных данных по давлениям насыщенных паров. Например, в 1952—1955 гг. Голдфингер и др. [12] провели измерения давления насыщенного пара углерода методом испарения с открытой поверхности (метод Лэнгмюра) и эффузионным методом Кнудсена. Полученные данные отличались между собой примерно в 100 раз (рис. 2.14.2). [c.93]

Металлические и керамические порошки. В работе [102] исследовано формирование наноструктур при консолидации порошков Ni и керамики. Порошок N1(99,85%) получали методом газовой атомизации (размер порошинок бмкм), а аморфный нанопорошок Si02 со средним размером частиц 4,4 нм методом испарения-конденсации [104]. Для удаления поглощенных паров [c.49]

Существенным недостатком термического метода является сложность получения пленок строго стехиометрического состава из сплавов и сложных химических соединений, а также низкая адгезия, сильно зависящая от состояния поверхности подложки и методов се очистки, от условий нанесения пленки и т. д. Из широко используемых в микроэлектронике химических соединений лишь относительно немногие испаряются без диссоциации (например, ЗЮг, SnO, В2О3 и др.). При испарении же таких соединний, как А" — в газовую фазу поступают частицы диссоциировавших молекул. На подложке они вновь могут объединяться в молекулы, но пленка получается обычно нестехиометрического состава. Большое число соединений, например А —В , и многие сплавы состоят из компонентов, обладающих резко различной летучестью, вследствие чего при испарении в газовую фазу поступают преимущественно более летучие компоненты. Это приводит, как правило, к сильному нарушению стехиометрии состава выращенных пленок. Для преодоления этой трудности пользуются специальными методами испарения, такими как испарение из двух источников, методом вспышки, при котором испаряются малые навески составляющих элементов напыляемой пленки, и др. Для получения пленок окислов применяется так называемое реактивное напыление, при котором в камере поддерживается относительно высокое давление кислорода (от 10 до 1 Па), обеспечивающее полное окисление пленок на поверхности подложки. [c.62]

Лучшая воспроизводимость нихромовых резисторов достигается при температуре подложки 350 °С с термообработкой при этой температуре в течение 30 мин. Наилучшие результаты достигаются при взрывном методе испарения. Пленки, полученные катодным распылением, имеют значнтель- [c.443]

Мюллер, Никольсон и Турнер [15] разработали метод выращивания монокристальных пленок, используя явление эпитаксии. Сущность этого метода, названного авторами методом испарения зерна за зерном , состоит в том, что порошок сегнето-электрика с помощью вибрационного желоба малыми порциями подается на иридиевую лодочку, нагреваемую до температуры, примерно 2200° С и после моментального испарения образует пленку на подогреваемой подложке. При такой методике устраняются микроскопические слои различного состава и осаждаемая пленка является гомогенной. Нормальной скоростью роста пленки считается 1—3 к сек. Под колпаком поддерживается вакуум 2-10 ммрт.ст. [c.300]

Широкое применение нашли экраны из полимерной пленки, покрытой с одной или двух сторон напыленным слоем металла. Для изготовления пленки применяют полиэфирные смолы, в частности полиэтиленте-рефталат. На полиэтилентерефталатную (лавсановую) пленку толщиной 0,006— 0,012 мм напыляют методом испарения в вакууме слой алюминия толщиной 0,01 — 0,02 мкм. [c.250]

Ряс. 2. Выращивание монокристалла из рдствора а — метод испарения растворителя 6 — метод подпитки в, г — метод температурного градиента. 1 — раствор 2 — монокристалл [c.209]

В АЭСА исследуемое вещество должно находиться в состоянии атомного газа, Обычно атомизация и возбуждение атомов осуществляются одновременно — в источниках света. Для анализа металлов, сплавов и др. нроводников чаще всего используют дуговой разряд или искровой разряд, где в качестве электродов служат сами анализируемые пробы. Дуговой разряд применяется и для анализа непроводящих веществ. В этом случае порошкообразную пробу помещают в углубление в графитовом электроде (метод испарения) или с помощью разл. устройств вводят порошок в плазму дугового разряда между горизонтально расноложевными графитовыми Электродами. Применяется также введение порошкообразных проб в дуговые плазмотроны. [c.617]

Наряду с непосредственным удалением влаги из 1роточных частей турбин с помощью отсоса через полые сопловые лопатки представляет интерес метод испарения жидких нленохг на поверхности сопел в результате нагрева их паром более высоких параметров. Исследования МЭИ i ЛПИ на плоских пакетах турбинных решеток подтвердили перспективность этого метода для испарения жидких пленок и уменьшения размера частиц за выходными кромками сопловых лопаток. В последнее время фирмой КВУ были проведены исследования влияния обогрева диафрагмы последней турбинной ступени ЦНД на эрозионный износ входных кромок рабочих лопаток. Было отмечено, что с помощью этого метода можно существенно снизить эрозию лопаток. [c.327]

В последнее время появились также предложения производить подогрев влаги па периферийных поверхностях проточной частп турбины (рис. 8-30, б). При этом испарение пленок с поверхности корпуса в местах установки подогревателя может осуществляться как с помощью пара более высоких параметров, так и с помощью электронагревателей. Однако для осуществления этих методов испарения влаги требуются увеличенные осевые расстояния и мощные нагревательные элементы. [c.183]

Основными закономерностями образования нанокристалли-ческих частиц методом испарения и конденсации являются следующие [11, 29] [c.19]

Рис. 2.1. Схема аппаратуры для получения методом испарения, конденсации и компактирования объемных нанокристаллических материалов [134] вещество, испаренное или распыленное из одного или нескольких источников, конденсируется в виде наночастиц в атмосфере разреженного инертного газа и с помощью конвекции переносится на поверхность вращающегося и охлаждаемого жидким азотом цилиндра нанопорошок скребком удаляется с поверхности цилиндра, собирается в пресс-форму и последовательно компактируется сначала при низком, а затем при высоком давлении

Рис. 4-4. Структура высокока-чественного алюминированного зеркала, полученного методом испарения в вакууме.

Физико-химические методы получения порошков связаны с изменением химического состава исходного материала в результате физикохимических превращений. Металлические порошки получают восстановлением металлов из оксидов, солей, ангидридов активным веществом (водородом, магнием, алюминием, кальцием, углеродом, оксидом углерода). Восстановление осуществляют в твердом состоянии, парогазовой фазе, из расплава, в плазме. Металлические порошки получают также электролизом водных растворов или расплавов, термической диссоциацией (разложением) карбонидов металлов, термодиффузионным насыщением, методом испарения — конденсации. Композиционные порошки получают механическим легированием в энергоемких размольных агрегатах — аттриторах, вибромельницах. [c.129]

Рис. 1.1. Схема получения объемных наномг алов методом испарения, конденсации и ко, тирования [2]

Высокоомные электропроводящие ленки на стекле толщиной от 4000 до 6800 А могут быть получены методом испарения чистого кристаллич. Sn lj или с добавлением DiO l. Уд. поверхностное электрич. сопротивление ООП в этом случае колеблется в пределах 10 —10 ож, а оловянно-висмутовых (с 10% BijOs) 10 —10 ом. Такие полупроводниковые пленки устойчивы при 15-часовом прогреве при 380° они не теряют своих св-в после охлаждения до —60° и длит, хранения в комнатных условиях. [c.259]

Материал Х27К50ТМ, разработанный на основе твердого раствора дисилицидов титана и хрома, предназначен для изготовления резистивных пленочных элементов интегральных схем методом испарения в вакууме либо катодного распыления в среде инертных газов. Сплав обладает рядом уникальных свойств позволяет перекрыть широкий диапазон удельных сопротивлений при низких ТКС пленочные элементы на его основе имеют линейную зависимость сопротивления от температуры в диапазоне 400—4,2 К допускают удельную мощность рассеяния до 2кВт/см , что на порядок выше удельной мощности, допустимой для других известных материалов. Свойства пленочных элементов из сплава Х27К50ТМ приведены в табл. 52. [c.170]

Другой класс фоточувствительных материалов образуют фоторезисты, которые отображают информацию в виде рельефных картин. При освещении фоторезиста актиничным излучением в нем происходят химические изменения, приводящие к различной его растворимости для разных экспозиций. В зависимости от того, является ли обрабатываемый фоторезист негативным (или позитивным), проявитель с соответствующим растворителем способствует растворению либо неосвещенного, либо освещенного участка. Получающуюся картину поверхностного рельефа можно использовать для получения отражательных голограмм методом испарения металла, а также для копирования голограмм штампованием. В табл. 4 перечислены некоторые фоторезисты, выпускаемые промышленностью. Следует заметить, что в большинстве случаев толщина фоточувствительного слоя оказывается порядка микрометра. Существуют три типа процесса регистрации образование органической кислоты, поперечных фотосвязей (фотосшивок) или фотополимеризации мономера. Диапазон регистрируемых длин волн простирается от УФ-области спектра до 5000 А, причем для этого диапазона можно выбрать фоторезист, обладающий либо широкой, либо узкой полосой спектральной чувствительности. Для достижения предельного разрешения 250—1500 мм 1 необходима экспозиция около 10 Дж/см . [c.305]

Ширина полосы пропускания интерференционных фильтров обратно пропорциональна эффективному числу интерференци-рующих лучей Ne и порядку светофильтра т. Светофильтры с диэлектрическими слоями, полученными методами испарения в вакууме, имеют порядок не более 5. Возрастание Л также практически ограничивается величиной —50—60. Поэтому для повышения монохроматичности светофильтра последний изгото- [c.69]

Изложены основные представления о закономерностях диффузионного взаимодействия материала покрытия с матрицей и матрицЫ с осаждаемым материалом. Рассмотрены ростовые дефекты в покрытиях, получаемых методами испарения - конденсации материала покрытия в вакууме, разложением и восстановлением летучих металлсодержащих соединений. Оценено влияние второго компонента при осаждении двух компонентов, описаны наиболее часто встречаюищеся типы дефектов и возможные механизмы их возникновения. [c.2]

Рис, 21. Строение хромового покрытия на монокристалле хрома, полученного методом испарения-конденсяции хрома в вакууме при остаточном давлении 1,33 10 Па (увеличение 200 раз) [c.76]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...